半导体装置

摘要

本发明得到能够容易制造且缩小芯片面积的半导体装置。半导体芯片(10)具有顶面和底面以及连接顶面与底面的侧面。半导体芯片(10)的顶面形成有电子电路(16)。在半导体芯片(10)的底面形成有底面电极(18a、18b)。在半导体芯片(10)的角部的侧面形成有侧面布线(20a、20b)。侧面布线(20a、20b)连接电子电路(16)与底面电极(18a、18b)。

权利要求

1.一种半导体装置，其特征在于具备：

具有顶面和底面以及连接所述顶面与所述底面的侧面的半导体芯片；

形成在所述顶面的电子电路；

形成在所述底面的底面电极；以及

侧面布线，形成在所述半导体芯片的角部的所述侧面，连接所述电子电路与所述底面电极，所述侧面布线具有1/4贯通孔的结构。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：还具备在所述顶面中连接所述顶面的彼此邻接的2个角部地形成的顶面布线，所述电子电路经由所述顶面布线连接到所述侧面布线。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述顶面是具有第一角部、与所述第一角部邻接的第二角部、存在于所述第一角部的对角线上的第三角部、以及存在于所述第二角部的对角线上的第四角部的四边形，所述顶面布线具有连接所述第一角部与所述第二角部地形成的第一顶面布线和连接所述第三角部与所述第四角部地形成的第二顶面布线，所述电子电路具有与所述第一顶面布线连接的第一端子和与所述第二顶面布线连接的第二端子，所述底面电极具有形成在与所述第一角部对应的所述底面的角部的第一底面电极和形成在与所述第三角部对应的所述底面的角部的第二底面电极，所述侧面布线具有第一侧面布线和第二侧面布线，其中，所述第一侧面布线形成在所述半导体芯片的所述第一角部的所述侧面，连接所述第一顶面布线与所述第一底面电极，所述第二侧面布线形成在所述半导体芯片的所述第三角部的所述侧面，连接所述第二顶面布线与所述第二底面电极。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于还具备：搭载部，在表面上安装所述半导体芯片；

第一至第四表面电极，在所述搭载部的表面配置成为构成四边形；

第一表面布线，与所述第一表面电极及所述第二表面电极连接；

阻抗变换电路，连接在所述第二表面电极与所述表面布线之间，并变换阻抗；以及第二表面布线，与所述第三表面电极及所述第四表面电极连接，所述第二表面电极与所述第一表面电极邻接，所述第三表面电极存在于所述第一表面电极的对角线上，所述第四表面电极存在于所述第二表面电极的对角线上，所述第一底面电极与所述第一表面电极连接且所述第二底面电极与所述第三表面电极连接，或者，所述第一底面电极与所述第二表面电极连接且所述第二底面电极与所述第四表面电极连接。

5.一种半导体装置，其特征在于具备：

具有顶面和底面以及连接所述顶面与所述底面的侧面的半导体芯片；

在所述顶面中沿着所述顶面的外周而形成的顶面布线；

形成在所述顶面并与所述顶面布线连接的电子电路；

形成在所述底面的底面电极；以及

在所述半导体芯片的角部形成在所述侧面并连接所述顶面布线与所述底面电极的侧面布线，所述侧面布线具有1/4贯通孔的结构，

所述顶面布线在所述顶面的外周上的长度在所述顶面的一边以上。

说明书

半导体装置

技术领域

[0001] 本发明涉及在半导体芯片的侧面形成侧面布线的半导体装置，尤其涉及能够容易制造且缩小芯片面积的半导体装置。

背景技术

[0002] 在搭载部安装半导体芯片的半导体装置中，为了连接半导体芯片的电子电路与搭载部的电极，而采用引线接合(wirebonding)、倒装芯片(flip chip)、侧面布线等。通过切断设于半导体晶片的切割线上的贯通孔，侧面布线形成在半导体芯片的侧面(例如，参照专利文献1：日本特开平6-120294号公报)。

[0003] 一直以来，在半导体芯片的边上形成侧面布线。因而，由1个贯通孔形成2个半导体芯片的侧面布线。因此，必须在半导体晶片形成许多贯通孔，由于晶片的强度削弱，难以制造。此外，侧面布线的面积大到1/2个贯通孔的量，存在芯片面积增大的问题。

[0004] 此外，在半导体芯片的顶面形成顶面布线，以连接电子电路与侧面布线。以往，顶面布线在顶面的外周长度大致与侧面布线相同。因而，一旦侧面布线的位置改变，侧面布线就不会与顶面布线连接，因此降低了侧面布线的位置自由度。

发明内容

[0005] 本发明为了解决上述的课题构思而成，其第一目的是得到能够容易制造且缩小芯片面积的半导体装置。第二目的是得到能够提高侧面布线的位置自由度的半导体装置。

[0006] 第一发明的半导体装置，其特征在于具备：半导体芯片，该半导体芯片具有顶面和底面以及连接所述顶面与所述底面的侧面；电子电路，形成在所述顶面；底面电极，形成在所述底面；以及侧面布线，在所述半导体芯片的角部中形成在所述侧面，连接所述电子电路与所述底面电极。

[0007] 第二发明的半导体装置，其特征在于具备：半导体芯片，该半导体芯片具有顶面和底面以及连接所述顶面与所述底面的侧面；顶面布线，在所述顶面，沿着所述顶面的外周而形成；电子电路，形成在所述顶面，与所述顶面布线连接；底面电极，形成在所述底面；以及侧面布线，形成在所述半导体芯片的所述侧面，连接所述顶面布线与所述底面电极，所述顶面布线在所述顶面的外周的长度在所述顶面的一边以上。

[0008] (发明效果)

[0009] 通过第一发明，能够得到能够容易制造且缩小芯片面积的半导体装置。通过第二发明，能够提高侧面布线的位置自由度。

附图说明

[0010] 图1是表示实施方式1的半导体芯片的斜视图。

[0011] 图2是表示实施方式1的半导体芯片的斜视图。

[0012] 图3是表示实施方式1的半导体装置的剖视图。

[0013] 图4是表示在搭载部搭载实施方式1的半导体芯片的样子的斜视图。

[0014] 图5是表示在搭载部搭载实施方式1的半导体芯片的样子的斜视图。

[0015] 图6是表示制造实施方式1的半导体芯片的工序的斜视图。

[0016] 图7是表示实施方式2的半导体芯片的斜视图。

[0017] 图8是表示制造实施方式2的半导体芯片的工序的斜视图。

[0018] (符号说明)

[0019] 10半导体芯片；12a角部(第一角部)；12b角部(第二角部)；12c角部(第三角部)；12d角部(第四角部)；14顶面布线；14a顶面布线(第一顶面布线)；14b顶面布线(第二顶面布线)；16电子电路；16a输出端子(第二端子)；18底面电极；18a底面电极(第一表面电极)；18b底面电极(第二表面电极)；20侧面布线；20a侧面布线(第一侧面电极)；20b侧面布线(第二表面电极)；22搭载部；24a表面电极(第一表面电极)；24b表面电极(第二表面电极)；24c表面电极(第三表面电极)；24d表面电极(第四表面电极)；26a表面布线(第一表面布线)；26b表面布线(第二表面布线)；28感应器(阻抗变换电路)。

具体实施方式

[0020] 实施方式1

[0021] 图1、图2是表示实施方式1的半导体芯片的斜视图。半导体芯片10具有彼此相对的顶面和底面以及连接顶面与底面的侧面。半导体芯片10的顶面是具有角部12a、与角部12a邻接的角部12b、存在于角部12a的对角线上的角部12c、以及存在于角部12b的对角线上的角部12d的四边形。

[0022] 在半导体芯片10的顶面，形成顶面布线14a，以连接角部12a与角部12b，且形成顶面布线14b，以连接角部12c与角部12d。在半导体芯片10的顶面形成电子电路16。电子电路16具有与顶面布线14a连接的输入端子16b和与顶面布线14b连接的输出端子16a。在与半导体芯片10顶面的角部12a对应的底面的角部形成底面电极18a，且在与角部12c对应的底面的角部形成底面电极18b。

[0023] 在半导体芯片10的角部12a侧面形成侧面布线20a，在半导体芯片10的角部12c侧面形成侧面布线20b。侧面布线20a连接顶面布线14a与底面电极18a。侧面布线20b连接顶面布线14b与底面电极18b。电子电路16的输入端子16b经由顶面布线14a连接到侧面布线20a，输出端子16a经由顶面布线14b连接到侧面布线20b。

[0024] 图3是表示实施方式1的半导体装置的剖视图。利用焊锡或导电性膏(paste)，在搭载部22表面安装半导体芯片10。半导体芯片10利用模压树脂24来封装。如此无需利用导线布线而能够搭载半导体芯片10，因此能够将封装件小体积化。

[0025] 图4、图5是表示在搭载部搭载实施方式1的半导体芯片的样子的斜视图。在搭载部22表面，构成四边形地配置表面电极24a～24d。表面电极24b与表面电极24a邻接。表面电极24c存在于表面电极24a的对角线上。表面电极24d存在于表面电极24b的对角线上。

[0026] 表面电极24a、24b与表面布线26a连接。但是，在表面电极24b与表面布线26a之间连接有感应器28。因而相对于从表面布线26a传播到表面电极24a的信号，从表面布线26a经由感应器28传播到表面电极24b的微波或毫米波的信号的振幅及相位不同。此外，表面电极24c、24d与表面布线26b连接。

[0027] 在搭载部22搭载半导体芯片10时，如图4所示，底面电极18a与表面电极24a连接且底面电极18b与表面电极24c连接。或者，使半导体芯片10旋转90度，如图5所示，底面电极18a与表面电极24b连接且底面电极18b与表面电极24d连接。

[0028] 接着，对实施方式1的半导体芯片的制造方法进行说明。图6是表示制造实施方式1的半导体芯片的工序的斜视图。在半导体晶片30上，以矩阵形地形成多个电子电路16。
接着，按每个电子电路16形成顶面布线14a、14b。接着，在切割线32的交点形成贯通孔34。
将该贯通孔34内部金属化。然后，在半导体芯片10底面形成底面电极18a、18b。然后，沿着切割线32切断半导体晶片30，将各个半导体芯片10分离。这时通过切断贯通孔34来形成侧面布线20a、20b。通过以上工序制造半导体芯片10。

[0029] 如以上所做的说明，在实施方式1中，在半导体芯片的角部形成侧面布线。因此，如图6所示，能够由1个贯通孔形成4个半导体芯片的侧面布线。因而，与在半导体芯片的边形成侧面布线的场合相比，能够将形成在晶片面内的贯通孔的数目减少至一半，能够加强晶片的强度，因此容易制造。此外，能够将侧面布线的面积从1/2个贯通孔减少至1/4个，能够缩小芯片面积。

[0030] 此外，如图6所示，相邻的每个芯片上贯通孔的位置会变化。与之相对，在实施方式1中，顶面布线以连接彼此邻接的2个角部地形成，电子电路经由顶面布线连接到侧面布线。因而，例如不仅贯通孔34在角部12a的场合还是在角部12b的场合，贯通孔34都经由顶面布线14a连接到电子电路16。因而，在各芯片能够采用共同的表面布局，因此与在每个芯片改变布局的场合相比，设计更加省力。

[0031] 此外，以往根据想要得到的半导体装置的特性，必须对各个半导体装置准备形成所需阻抗的表面布线的搭载部。与之相对，在实施方式1中，能够根据是图4那样在搭载部搭载半导体芯片，还是图5那样搭载，而改变信号的振幅以及相位。因而，能够使用相同的半导体芯片和搭载部得到具有不同特性的半导体装置。

[0032] 此外，在实施方式1中对在半导体芯片的2个角部形成侧面布线的半导体装置进行了说明，但并不限于此，可在半导体芯片的1个、3个或4个角部形成侧面布线。此外，也可采用陶瓷封装件等，以取代模压树脂。

[0033] 此外，在实施方式1中，使用感应器28作为阻抗变换电路，但并不限于此，能够采用电阻、电容器、线等能够变换阻抗器件。

[0034] 此外，对将半导体芯片旋转90度后在搭载部搭载的半导体装置进行了说明，并不限于此，使半导体芯片的旋转角度达到60度或45度等任意角度也可。

[0035] 此外，说明了对于1个底面电极存在2个能够连接的表面电极的半导体装置，但对于1个底面电极存在3个以上能够连接的表面电极也可，该表面电极和表面布线之间连接分别不同的感应器或电阻等也可。

[0036] 实施方式2

[0037] 图7是表示实施方式2的半导体芯片的斜视图。半导体芯片10具有彼此相对的顶面和底面以及连接顶面与底面的侧面。半导体芯片10的顶面为四边形。

[0038] 在半导体芯片10的顶面，沿着顶面的外周而形成顶面布线14。在半导体芯片10的顶面形成电子电路16。电子电路16具有与顶面布线14连接的输入端子16b和与导线焊盘36连接的输出端子16a。在半导体芯片10的底面形成底面电极18。

[0039] 在半导体芯片10的侧面形成侧面布线20。侧面布线20连接顶面布线14与底面电极18。电子电路16的输入端子16b经由顶面布线14连接到侧面布线20。

[0040] 接着，对实施方式2的半导体芯片的制造方法进行说明。图8是表示制造实施方式2的半导体芯片的工序的斜视图。在半导体晶片30上，以矩阵形形成多个电子电路16。接着，按每个电子电路16形成顶面布线14。接着，在切割线32上形成贯通孔34。将该贯通孔34的内部金属化。然后，在半导体芯片10的底面形成底面电极18。然后，沿着切割线
32切断半导体晶片30，将各个半导体芯片10分离。这时通过切断贯通孔34来形成侧面布线20。通过以上工序制造出半导体芯片10。

[0041] 如以上所做的说明，在实施方式2中，将半导体芯片10顶面的4个边和4个角部全部连接地形成。因此，如图8所示，不管将侧面布线20形成在半导体芯片10外周的哪个部位，侧面布线20都与顶面布线14电连接。因而，能够提高侧面布线20的位置自由度。

[0042] 此外，如上所述，即使在半导体芯片10的整个外周不形成顶面布线14，只要顶面布线14在顶面的外周上的长度在顶面的一边以上即可。从而，能够在形成顶面布线14的半导体芯片10的边或角部的任意位置形成侧面布线20，因此能够提高侧面布线20的位置自由度。