主动元件阵列基板转让专利
申请号 : CN201010182405.3
文献号 : CN101853848B
文献日 : 2012-02-15
发明人 : 王参群 , 陈昱丞
申请人 : 友达光电股份有限公司
摘要 :
本发明公开一种主动元件阵列基板，包括基板、多条扫描线、多条数据线、多条扫描信号传递线以及多个像素单元。扫描线设置于基板上。数据线与扫描线交错。扫描信号传递线与扫描线交错，各扫描信号传递线分别通过一结点与其中一条扫描线连接。像素单元与对应的扫描线及数据线电性连接，像素单元包括主动元件及像素电极。主动元件具有栅极、源极及漏极。像素电极与漏极电性连接，在未与结点邻接的像素单元中，各主动元件的栅极-漏极电容为Cgd1，而在与结点邻接的像素单元中，部分主动元件的栅极-漏极电容为Cgd2，其余主动元件的栅极-漏极电容为Cgd1，且Cgd1≠Cgd2。
权利要求 :
1.一种主动元件阵列基板，其特征在于，包括：
一基板；
多条扫描线，设置于该基板上；
多条数据线，与这些扫描线交错；
多条扫描信号传递线，与这些扫描线交错，各该扫描信号传递线分别通过一结点与其中一条扫描线连接；以及多个像素单元，与对应的扫描线及数据线电性连接，未与这些结点邻接的像素单元包括一主动元件，该主动元件的栅极-漏极电容为Cgd1，而与这些结点邻接的这些像素单元包括一第一主动主动元件以及一第二主动元件，该第一主动元件的栅极-漏极电容为Cgd2，该第二主动元件的栅极-漏极电容为Cgd1，且Cgd1≠Cgd2。
2.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，在与这些结点邻接的像素单元中，该第一主动元件与该第二主动元件的栅极的图案与面积实质上相同，而该第一主动元件与该第二主动元件的漏极的图案与面积不完全相同。
3.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，在与这些结点邻接的像素单元中，该第一主动元件与该第二主动元件的漏极的图案与面积实质上相同，而该第一主动元件与该第二主动元件的栅极的图案与面积不完全相同。
4.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，在未与这些结点邻接的像素单元中，各该栅极的图案与面积实质上相同，且各该漏极的图案与面积实质上相同。
5.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，这些数据线包括多条第一数据线以及多条第二数据线，这些第一数据线与这些第二数据线交替排列，位于任二条相邻的第一数据线与第二数据线之间的像素单元排列成2行。
6.根据权利要求5所述的主动元件阵列基板，其特征在于，这些像素单元包括多个第一像素单元以及多个第二像素单元，其中各该第二像素单元通过其中一个第一像素单元与其中一条第一数据线或其中一条第二数据线电性连接。
7.根据权利要求6所述的主动元件阵列基板，其特征在于，在任二条相邻的第一数据线与第二数据线之间，排列于偶数列的第一像素单元与排列于奇数列的第二像素单元在行方向上彼此对齐，而排列于奇数列的第一像素单元与排列于偶数列的第二像素单元在行方向上彼此对齐。
8.根据权利要求7所述的主动元件阵列基板，其特征在于，第n条扫描信号传递线通过第n个结点与第n条扫描线连接，与该第n个结点邻接的其中一个第一像素单元与第n条扫描线以及其中一第一数据线连接，与该第n个结点邻接的另一个第一像素单元与第(n+1)条扫描线以及其中一条第二数据线连接，与该第n个结点邻接的其中一个第二像素单元与第(n-1)条扫描线连接，并通过其中一个第一像素单元与第n条扫描线以及其中一第一数据线连接，而与该第n个结点邻接的另一个第二像素单元与第n条扫描线连接，并通过另一个第一像素单元与第(n+1)条扫描线以及其中一条第二数据线连接。
9.根据权利要求8所述的主动元件阵列基板，其特征在于，在与第(n+1)条扫描线以及其中一条第二数据线连接的第一像素单元中，其主动元件为该第二主动元件。
10.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，第n条扫描信号传递线通过第n个结点与第n条扫描线连接，与该第n个结点邻接的部分像素单元与第n条扫描线连接，而与该第n个结点邻接的其余像素单元与第(n-1)或第(n+1)条扫描线连接，其中与该第n个结点邻接并与第n条扫描线连接的像素单元中的主动元件为第一主动元件。
11.一种主动元件阵列基板，其特征在于，包括：
一基板；
多条扫描线，设置于该基板上；
多条数据线，与这些扫描线交错；
多条扫描信号传递线，与这些扫描线交错，各该扫描信号传递线分别通过一结点与其中一条扫描线连接；以及多个像素单元，与对应的扫描线及数据线电性连接，与这些结点邻接的这些像素单元的主动元件包括一第一主动主动元件以及一第二主动元件，该第一主动元件的栅极-漏极电容不同于该第二主动元件的栅极-漏极电容，使得这些像素电极中的任两个的馈通电位约小于0.03伏特。
说明书 :
主动元件阵列基板
技术领域
[0001] 本发明涉及一种阵列基板，且特别是有关于一种主动元件阵列基板。
背景技术
[0002] 一般而言，液晶显示面板主要是由一主动元件阵列基板、一对向基板以及一夹于主动元件阵列基板与对向基板之间的液晶层所构成，其中主动元件阵列基板具有显示区(display region)与非显示区(non-display region)，显示区内配置有多个阵列排列的像素单元，而每一像素单元包括主动元件以及与主动元件连接的像素电极。此外，显示区内更配置有多条扫描线(scan line)与数据线(data line)，每一个像素单元的主动元件与对应的扫描线与数据线电性连接。非显示区内则配置有信号线、源极驱动器(source driver)以及栅极驱动器(gate driver)。
发明内容
[0003] 本发明提供一种主动元件阵列基板，其具有较佳的显示品质。
[0004] 本发明提出一种主动元件阵列基板，其包括一基板、多条扫描线、多条数据线、多条扫描信号传递线以及多个像素单元。扫描线设置于基板上。数据线与扫描线交错。扫描信号传递线与扫描线交错，各扫描信号传递线分别通过一结点与其中一条扫描线连接。多个像素单元与对应的扫描线及数据线电性连接，各像素单元包括一主动元件以及一像素电极。主动元件具有一栅极、一源极以及一漏极。像素电极与漏极电性连接，在未与结点邻接的像素单元中，各主动元件的栅极-漏极电容为Cgd1，而在与结点邻接的像素单元中，部分主动元件的栅极-漏极电容为Cgd2，其余主动元件的栅极-漏极电容为Cgd1，且Cgd1≠Cgd2。
[0005] 本发明提出另一种主动元件阵列基板，其包括一基板、多条扫描线、多条数据线、多条扫描信号传递线以及多个像素单元。扫描线设置于基板上。数据线与扫描线交错。扫描信号传递线与扫描线交错，各扫描信号传递线分别通过一结点与其中一条扫描线连接。多个像素单元与对应的扫描线及数据线电性连接，各像素单元包括一主动元件以及一像素电极。主动元件具有一栅极、一源极以及一漏极。像素电极与主动元件电性连接，其中部分主动元件的栅极-漏极电容不同于另一部分主动元件的栅极-漏极电容，使得像素电极中的任两个的馈通(feed through)电位约小于0.03伏特。
[0006] 基于上述，本发明是根据像素单元的位置，将像素单元的主动元件设计成具有不同的栅极-漏极电容。由于扫描信号传递线会对像素单元产生不同程度的馈通效应，因此利用栅极-漏极电容的差异来补偿馈通效应的差异，使像素单元具有较为接近的电性表现，进而使主动元件阵列基板具有较佳的显示品质。
[0007] 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
[0008] 为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：
[0009] 图1为一种具有TGP布线架构的HSD主动元件阵列基板的等效电路示意图；
[0010] 图2A为本发明一实施例的一种主动元件阵列基板的等效电路示意图；
[0011] 图2B为图2A中像素单元220a’、220b’的主动元件222’的俯视示意图；
[0012] 图2C为图2A中像素单元220a、220b的主动元件222的俯视示意图；
[0013] 图3为本发明另一实施例的一种主动元件阵列基板的等效电路示意图；
[0014] 图4为本发明另一实施例的一种主动元件阵列基板的等效电路示意图。
[0015] 其中，附图标记
[0016] 100、200、300、400：主动元件阵列基板
[0017] 102、202、302、402：基板
[0018] 120a、120a’、120b、120b’、220a、220a’、220b、220b’、320、320’、420、420’：像素单元
[0019] 122、222、222’、322、322’、422、422’：主动元件
[0020] 124、224、324、424：像素电极
[0021] 223：半导体层
[0022] C1、C2：侧向电容
[0023] D：漏极
[0024] DL、DL1、DL2：数据线
[0025] N：结点
[0026] G、G’：栅极
[0027] S：源极
[0028] SL、SLn-1、SLn、SLn+1：扫描线
[0029] TGP：扫描信号传递线
具体实施方式
[0030] 在说明本发明的主动元件阵列基板之前，先以图1所示的一种采用TGP布线架构的主动元件阵列基板来说明扫描信号传递线会对像素单元产生不同程度的馈通效应，使得主动元件阵列基板在显示上会有亮度不均的问题。图1为一种具有TGP布线架构的HSD主动元件阵列基板的等效电路示意图。请参照图1，主动元件阵列基板100包括基板102、多条扫描线SL、多条数据线DL、多条扫描信号传递线TGP以及多个像素单元120a、120a’、120b、120b’。扫描线SL配置于基板102上，数据线DL与扫描线SL交错，像素单元120a、120a’、
120b、120b’在两相邻的数据线DL之间排列成两行，且像素单元120a、120a’、120b、120b’分别与对应的扫描线SL及数据线DL电性连接。扫描信号传递线TGP与扫描线SL交错，且扫描信号传递线TGP例如是配置在两相邻的数据线DL之间。各扫描信号传递线TGP分别通过一结点N与其中一条扫描线SL连接，且这些结点N在基板102上例如是呈V型分布(未绘示)。像素单元120a、120a’、120b、120b’在两相邻的数据线DL之间排列成两行，像素单元
120a、120a’、120b、120b’分别与对应的扫描线SL及数据线DL电性连接，且像素单元120a、
120a’、120b、120b’包括一主动元件122及一像素电极124。
120b、120b’在两相邻的数据线DL之间排列成两行，且像素单元120a、120a’、120b、120b’分别与对应的扫描线SL及数据线DL电性连接。扫描信号传递线TGP与扫描线SL交错，且扫描信号传递线TGP例如是配置在两相邻的数据线DL之间。各扫描信号传递线TGP分别通过一结点N与其中一条扫描线SL连接，且这些结点N在基板102上例如是呈V型分布(未绘示)。像素单元120a、120a’、120b、120b’在两相邻的数据线DL之间排列成两行，像素单元
120a、120a’、120b、120b’分别与对应的扫描线SL及数据线DL电性连接，且像素单元120a、
120a’、120b、120b’包括一主动元件122及一像素电极124。
[0031] 如图1所示，在驱动与结点N相邻的像素单元120a、120a’、120b’时，扫描信号传递线TGP会与像素单元120a’、120b’的像素电极124形成一侧向电容C1，扫描信号传递线TGP会与像素单元120a的像素电极124形成一侧向电容C2，且侧向电容C1例如是约等于侧向电容C2。然而，侧向电容C1、C2会对像素单元120a、120a’、120b’产生不同的馈通效应(feed through effect)。一般来说，扫描信号传递线TGP对像素单元120a’、120b’的馈通效应较大，而扫描信号传递线TGP对像素单元120a的馈通效应较小。
[0032] 另一方面，在驱动未与结点N邻接的像素单元120a、120b时，扫描信号传递线TGP会与像素单元120a、120b的像素电极124会形成侧向电容C2，因此扫描信号传递线TGP对像素单元120a、120b的馈通效应亦较小。换言之，扫描信号传递线TGP会对像素单元120a、120a’、120b、120b’产生不同程度的馈通效应，导致主动元件阵列基板100在显示上有亮度不一致的问题。特别是，当结点N在基板102上呈V型分布时，主动元件阵列基板100在显示上可能会呈现V型暗带或V型亮带，进而影响液晶显示面板的显示品质。
[0033] 因此，本发明提出一种主动元件阵列基板，利用像素单元的栅极-漏极电容的差异来补偿扫描信号传递线对像素单元的馈通效应的差异，使与结点邻接及未与结点邻接的像素单元具有较为接近的电性表现，进而使主动元件阵列基板能提供较佳的显示品质。
[0034] 特别说明的是，虽然在接下来的实施例中都是将“不与结点相邻的像素单元”绘示于扫描线SLn-1及扫描线SLn+1之间，但必须了解的是，本说明书中所指的“不与结点相邻的像素单元”为主动元件阵列基板中所有未与结点相邻的像素单元，实施例中将其绘示于扫描线SLn-1及扫描线SLn+1之间仅是为了绘图上的方便。
[0035] 图2A为本发明一实施例的一种主动元件阵列基板的等效电路示意图，图2B为图2A中像素单元220a’、220b’的主动元件222’的俯视示意图，以及图2C为图2A中像素单元
220a、220b的主动元件222的俯视示意图请参照图2A，主动元件阵列基板200为HSD形式的主动元件阵列基板，其包括一基板202、多条扫描线SLn-1、SLn、SLn+1、多条第一数据线DL1、多条第二数据线DL2、多条扫描信号传递线TGP、多个第一像素单元220a、220a’以及多个第二像素单元220b、220b’。扫描线SLn-1、SLn、SLn+1设置于基板202上，且扫描线SLn-1、SLn、SLn+1例如是沿着列方向延伸。第一数据线DL1与第二数据线DL2例如是交替排列且与扫描线SLn-1、SLn、SLn+1交错，且第一数据线DL1与第二数据线DL2例如是沿着行方向延伸。扫描信号传递线TGP与扫描线SLn-1、SLn、SLn+1交错，且扫描信号传递线TGP例如是位于相邻的第一数据线DL1与第二数据线DL2之间并沿着行方向延伸。各扫描信号传递线TGP分别通过一结点N与其中一条扫描线SLn-1、SLn、SLn+1连接，且第n条扫描信号传递线TGP例如是通过第n个结点N与第n条扫描线SLn连接。
220a、220b的主动元件222的俯视示意图请参照图2A，主动元件阵列基板200为HSD形式的主动元件阵列基板，其包括一基板202、多条扫描线SLn-1、SLn、SLn+1、多条第一数据线DL1、多条第二数据线DL2、多条扫描信号传递线TGP、多个第一像素单元220a、220a’以及多个第二像素单元220b、220b’。扫描线SLn-1、SLn、SLn+1设置于基板202上，且扫描线SLn-1、SLn、SLn+1例如是沿着列方向延伸。第一数据线DL1与第二数据线DL2例如是交替排列且与扫描线SLn-1、SLn、SLn+1交错，且第一数据线DL1与第二数据线DL2例如是沿着行方向延伸。扫描信号传递线TGP与扫描线SLn-1、SLn、SLn+1交错，且扫描信号传递线TGP例如是位于相邻的第一数据线DL1与第二数据线DL2之间并沿着行方向延伸。各扫描信号传递线TGP分别通过一结点N与其中一条扫描线SLn-1、SLn、SLn+1连接，且第n条扫描信号传递线TGP例如是通过第n个结点N与第n条扫描线SLn连接。
[0036] 在本实施例中，任二条相邻的第一数据线DL1与第二数据线DL2之间的第一像素单元220a、220a’与第二像素单元220b、220b’例如是排列成2行，其中排列于偶数列的第一像素单元220a、220a’与排列于奇数列的第二像素单元220b、220b’例如是在行方向上彼此对齐，而排列于奇数列的第一像素单元220a、220a’与排列于偶数列的第二像素单元220b、220b’例如是在行方向上彼此对齐。第一像素单元220a、220a’分别与对应的扫描线SLn-1、SLn、SLn+1及第一数据线DL1或第二数据线DL2电性连接，第二像素单元220b、220b’分别与对应的扫描线SLn-1、SLn、SLn+1电性连接，且第二像素单元220b、220b’例如是通过其中一个第一像素单元220a、220a’与其中一条第一数据线DL1或其中一条第二数据线DL2电性连接。详言之，在与第n个结点N邻接的第一像素单元220a、220a’与第二像素单元220b’中，其中一个第一像素单元220a’(位于扫描线SLn及SLn-1之间)与第n条扫描线SLn以及第一数据线DL1连接，与第n个结点N邻接的另一个第一像素单元220a(位于扫描线SLn+1及SLn之间)与第(n+1)条扫描线SLn+1以及第二数据线DL2连接，与第n个结点N邻接的其中一个第二像素单元220b’(位于扫描线SLn及SLn-1之间)与第(n-1)条扫描线SLn-1连接，并通过第一像素单元220a’与第n条扫描线SLn以x第一数据线DL1连接，而与第n个结点N邻接的另一个第二像素单元220b’(位于扫描线SLn+1及SLn之间)与第n条扫描线SLn连接，并通过第一像素单元220a与第(n+1)条扫描线SLn+1以及第二数据线DL2连接。
[0037] 请参照图2A，在本实施例中，第一像素单元220a、220a’与第二像素单元220b、220b’包括一主动元件222、222’以及一像素电极224。主动元件222、222’具有一栅极G、G’、一源极S、一漏极D以及一半导体层223(请参照图2B及图2C)，像素电极224与漏极D电性连接。在未与结点N邻接的像素单元220a、220b中，各主动元件222的栅极-漏极电容为Cgd1，而在与结点N邻接的像素单元220a、220a’、220b’中，部分主动元件222’(即像素单元220a’、220b’的主动元件222’)的栅极-漏极电容为Cgd2，其余主动元件222(即像素单元220a的主动元件222)的栅极-漏极电容为Cgd1，且Cgd1≠Cgd2。
[0038] 图2B与图2C分别为图2A中像素单元220a’、220b’的主动元件222’及像素单元220a、220b的主动元件222的俯视示意图，为了清楚说明栅极G与栅极G’的图案与面积的差异，在图2C中以虚线表示图2B中的栅极G’的图案与面积。请同时参照图2A至图2C，在与结点N邻接的像素单元220a、220a’、220b’中，各像素单元220a、220a’、220b’的漏极D的图案与面积例如是实质上相同，而像素单元220a的栅极G的图案与面积例如是大于像素单元220a’、220b’的栅极G’的图案与面积。如此一来，在与结点N邻接的像素单元220a、
220a’、220b’中，像素单元220a的栅极G与漏极D之间会具有栅极-漏极电容Cgd1，像素单元220a’、220b’的栅极G’与漏极D之间会具有栅极-漏极电容Cgd2，且由于漏极D与栅极G的重叠面积例如是大于漏极D与栅极G’的重叠面积，因此像素单元220a的栅极-漏极电容Cgd1例如是大于像素单元220a’、220b’的栅极-漏极电容Cgd2，即Cgd2＜Cgd1。
220a’、220b’中，像素单元220a的栅极G与漏极D之间会具有栅极-漏极电容Cgd1，像素单元220a’、220b’的栅极G’与漏极D之间会具有栅极-漏极电容Cgd2，且由于漏极D与栅极G的重叠面积例如是大于漏极D与栅极G’的重叠面积，因此像素单元220a的栅极-漏极电容Cgd1例如是大于像素单元220a’、220b’的栅极-漏极电容Cgd2，即Cgd2＜Cgd1。
[0039] 请同时参照图2A与图2C，另一方面，在未与结点N邻接的像素单元220a、220b中，各像素单元220a、220b的栅极G的图案与面积例如是实质上相同，且各像素单元220a、220b的漏极D的图案与面积例如是实质上相同。因此，在未与结点N邻接的像素单元220a、220b中，各像素单元220a、220b的栅极G与漏极D之间具有实质上相同栅极-漏极电容Cgd1。换言之，未与结点N邻接的像素单元220a、220b的栅极-漏极电容Cgd1实质上等同于与结点N邻接的部分像素单元220a的栅极-漏极电容Cgd1，且栅极-漏极电容Cgd1例如是大于与结点N邻接的部分像素单元220a’、220b’的栅极-漏极电容Cgd2。
[0040] 在本实施例中，像素单元220a、220b的各漏极D的图案与面积是与像素单元220a’、220b’的各漏极D的图案与面积实质上相同，以及像素单元220a、220b的各栅极G的图案与面积与像素单元220a’、220b’的各栅极G的图案与面积不同。然而，任何能使像素单元220a、220b的栅极-漏极电容Cgd1与像素单元220a’、220b’的栅极-漏极电容Cgd2不同的方法都可以应用于本实施例中。举例来说，在一实施例中(未绘示)，将像素单元220a、
220b的各栅极G的图案与面积设计成与像素单元220a’、220b’的各栅极G的图案与面积实质上相同，但将像素单元220a、220b的各漏极D的图案与面积设计成与像素单元220a’、
220b’的各漏极D’的图案与面积不同。如此一来，由于像素单元220a、220b的漏极D与栅极G的重叠面积例如是大于像素单元220a’、220b’的漏极D’与栅极G的重叠面积，因此像素单元220a、220b的栅极-漏极电容Cgd1大于像素单元220a’、220b’的栅极-漏极电容Cgd2。
220b的各栅极G的图案与面积设计成与像素单元220a’、220b’的各栅极G的图案与面积实质上相同，但将像素单元220a、220b的各漏极D的图案与面积设计成与像素单元220a’、
220b’的各漏极D’的图案与面积不同。如此一来，由于像素单元220a、220b的漏极D与栅极G的重叠面积例如是大于像素单元220a’、220b’的漏极D’与栅极G的重叠面积，因此像素单元220a、220b的栅极-漏极电容Cgd1大于像素单元220a’、220b’的栅极-漏极电容Cgd2。
[0041] 值得一提的是，在本实施例中，由于部分主动元件222的栅极-漏极电容Cgd1不同于另一部分主动元件222’的栅极-漏极电容Cgd2，使得像素单元220a、220a’、220b、220b’中的任两个像素电极224的馈通(feed through)电位约小于0.03伏特。一般而言，馈通电位 其中Vgh为主动元件处于开启状态的栅极电压，
而Vgl为主动元件处于关闭状态的栅极电压，Cgd为栅极-漏极电容且与栅极及漏极之间的重叠面积有关，以及Ctotal约为像素单元内的液晶电容CLC、储存电容Cst、栅极-漏极电容Cgd以及像素-漏极电容Cpd等电容的总合。
而Vgl为主动元件处于关闭状态的栅极电压，Cgd为栅极-漏极电容且与栅极及漏极之间的重叠面积有关，以及Ctotal约为像素单元内的液晶电容CLC、储存电容Cst、栅极-漏极电容Cgd以及像素-漏极电容Cpd等电容的总合。
[0042] 一般来说，在主动元件阵列基板200的布局方式下，在驱动与结点N邻接的像素单元220a、220a’、220b’时，扫描信号传递线TGP会与像素单元220a’、220b’的像素电极224形成侧向电容C1，以及扫描信号传递线TGP会与像素单元220a形成侧向电容C2，且侧向电容C1通常约等于侧向电容C2。另一方面，在驱动未与结点N邻接的像素单元220a、220b时，扫描信号传递线TGP会与像素单元220a、220b之间形成侧向电容C2。换言之，扫描信号传递线TGP对与结点N邻接及未邻接的像素单元220a、220a’、220b、220b’会产生不同程度的馈通效应，如此一来有可能会影响主动元件阵列基板200的显示品质。然而，在本实施例中，将像素单元220a、220b的栅极-漏极电容Cgd1设计成大于像素单元220a’、220b’的栅极-漏极电容Cgd2，且使栅极-漏极电容Cgd1及栅极-漏极电容Cgd2的差异实质上等同于侧向电容C1对像素单元220a、220a’、220b’、220b及侧向电容C2对像素单元220a、220a’、220b’、220b的馈通效应差异。如此一来，可以通过像素单元220a、220b的栅极-漏极电容Cgd1与像素单元220a’、220b’的栅极-漏极电容Cgd2的差异来补偿像素单元220a、220b的侧向电容C2与像素单元220a’、220b’的侧向电容C1的馈通效应差异，也就是通过像素单元220a、220a’、220b、220b’的栅极-漏极电容Cgd1、Cgd2的差异来补偿扫描信号传递线TGP对像素单元220a、220a’、220b、220b’所产生的馈通效应的差异，进而使与结点N邻接及未与结点N邻接的像素单元220a、220a’、220b、220b’具有较为接近的电性表现。如此一来，主动元件阵列基板200的显示不易受到结点N的分布影响，而有诸如V型暗带或V型亮带等显示缺陷。如此一来，主动元件阵列基板200能提供较佳的显示品质。
[0043] 特别注意的是，虽然在上述的实施例中是以图2A所示的HSD形式主动元件阵列基板200来描述本发明，但本发明也可应用于其他HSD形式的主动元件阵列基板或者是HSD形式以外的其他种类主动元件阵列基板。图3为本发明另一实施例的一种主动元件阵列基板的等效电路示意图。请参照图3，主动元件阵列基板300包括一基板302、多条扫描线SLn-1、SLn、SLn+1、多条数据线DL、多条扫描信号传递线TGP以及多个像素单元320、320’。扫描线SLn-1、SLn、SLn+1设置于基板302上，数据线DL与扫描线SLn-1、SLn、SLn+1交错。扫描信号传递线TGP与扫描线SLn-1、SLn、SLn+1交错，且扫描信号传递线TGP例如是位于二条相邻的数据线DL之间。各扫描信号传递线TGP分别通过一结点N与其中一条扫描线SLn-1、SLn、SLn+1连接。在本实施例中，第n条扫描信号传递线TGP例如是通过第n个结点N与第n条扫描线SLn连接，与第n个结点N邻接的部分像素单元320’(位于扫描线SLn与扫描线SLn+1之间)例如是与第n条扫描线SLn连接，而与第n个结点N邻接的其余像素单元320(位于扫描线SLn-1与扫描线SLn之间)例如是与第(n-1)条扫描线SLn-1连接。
[0044] 在本实施例中，像素单元320、320’包括一主动元件322、322’以及一像素电极324。主动元件322、322’具有一栅极G、G’、一源极S以及一漏极D，像素电极324与漏极D电性连接。在未与结点N邻接的像素单元320中，各主动元件322的栅极-漏极电容为Cgd1，而在与结点N邻接的像素单元320、320’中，部分主动元件322’的栅极-漏极电容为Cgd2，其余主动元件322的栅极-漏极电容为Cgd1，且Cgd1≠Cgd2。换言之，未与结点N邻接的像素单元320的主动元件322皆具有栅极-漏极电容Cgd1，与第n个结点N邻接并与第(n-1)条扫描线SLn-1连接的像素单元320的主动元件322亦具有栅极-漏极电容Cgd1，而与第n个结点N邻接并与第n条扫描线SLn连接的像素单元320’的主动元件322’则具有栅极-漏极电容Cgd2。
[0045] 在本实施例中，在主动元件322、322’中，漏极D的图案与面积例如是实质上相同，且栅极G的图案与面积例如是大于栅极G’的图案与面积，如此一来主动元件322的栅极-漏极电容Cgd1大于主动元件322’的栅极-漏极电容Cgd2。然而，任何能使像素单元320的栅极-漏极电容Cgd1与像素单元320’的栅极-漏极电容Cgd2不同的方法都可以应用于本实施例中。举例来说，在一实施例中(未绘示)，将主动元件322、322’的栅极G的图案与面积设计成实质上相同，且将主动元件322的漏极D的图案与面积设计成大于主动元件322’的漏极D’的图案与面积，使像素单元320、320’具有不同的栅极-漏极电容Cgd1、Cgd2。特别一提的是，在一实施例中，由于部分主动元件322的栅极-漏极电容Cgd1不同于另一部分主动元件322’的栅极-漏极电容Cgd2，使得像素单元320、320’中的任两个像素电极324的馈通(feed through)电位约小于0.03伏特。
[0046] 一般来说，在主动元件阵列基板300的布局方式下，在驱动与结点N邻接的像素单元320、320’时，扫描信号传递线TGP会与像素单元320’的像素电极324形成侧向电容C1，以及扫描信号传递线TGP会与像素单元320形成侧向电容C2，且侧向电容C1通常约等于侧向电容C2。另一方面，在驱动未与结点N邻接的像素单元320时，扫描信号传递线TGP会与像素单元320之间形成侧向电容C2。换言之，扫描信号传递线TGP会对像素单元320、320’产生不同程度的馈通效应，如此一来有可能会影响主动元件阵列基板300的显示品质。
[0047] 然而，在本实施例中，将像素单元320的栅极-漏极电容Cgd1设计成大于像素单元320’的栅极-漏极电容Cgd2，且使栅极-漏极电容Cgd1及栅极-漏极电容Cgd2的差异实质上等同于侧向电容C1及侧向电容C2的馈通效应差异。如此一来，可以通过像素单元320的栅极-漏极电容Cgd1与像素单元320’的栅极-漏极电容Cgd2的差异来补偿像
素单元320之侧向电容C2与像素单元320’的侧向电容C1的馈通效应差异，也就是通过像素单元320、320’的栅极-漏极电容Cgd1、Cgd2的差异来补偿扫描信号传递线TGP对像素单元320、320’所产生的馈通效应的差异，进而使与结点N邻接及未邻接的像素单元320、
320’具有较为接近的电性表现。因此，主动元件阵列基板300的显示不易受到结点N的分布影响，而有诸如V型暗带或V型亮带等显示缺陷。如此一来，主动元件阵列基板300能提供较佳的显示品质。
素单元320之侧向电容C2与像素单元320’的侧向电容C1的馈通效应差异，也就是通过像素单元320、320’的栅极-漏极电容Cgd1、Cgd2的差异来补偿扫描信号传递线TGP对像素单元320、320’所产生的馈通效应的差异，进而使与结点N邻接及未邻接的像素单元320、
320’具有较为接近的电性表现。因此，主动元件阵列基板300的显示不易受到结点N的分布影响，而有诸如V型暗带或V型亮带等显示缺陷。如此一来，主动元件阵列基板300能提供较佳的显示品质。
[0048] 图4为本发明另一实施例的一种主动元件阵列基板的等效电路示意图。请参照图4，主动元件阵列基板400包括一基板402、多条扫描线SLn-1、SLn、SLn+1、多条数据线DL、多条扫描信号传递线TGP以及多个像素单元420、420’。扫描线SLn-1、SLn、SLn+1设置于基板402上，数据线DL与扫描线SLn-1、SLn、SLn+1交错。扫描信号传递线TGP与扫描线SLn-1、SLn、SLn+1交错，且扫描信号传递线TGP例如是位于二条相邻的数据线DL之间。各扫描信号传递线TGP分别通过一结点N与其中一条扫描线SLn-1、SLn、SLn+1连接。在本实施例中，第n条扫描信号传递线TGP例如是通过第n个结点N与第n条扫描线SLn连接，与第n个结点N邻接
的部分像素单元420’(位于扫描线SLn与扫描线SLn+1之间)例如是与第n条扫描线SLn连接，而与第n个结点N邻接的其余像素单元420(位于扫描线SLn-1与扫描线SLn之间)例如是与第(n-1)条扫描线SLn-1连接。
的部分像素单元420’(位于扫描线SLn与扫描线SLn+1之间)例如是与第n条扫描线SLn连接，而与第n个结点N邻接的其余像素单元420(位于扫描线SLn-1与扫描线SLn之间)例如是与第(n-1)条扫描线SLn-1连接。
[0049] 在本实施例中，像素单元420、420’包括一主动元件422、422’以及一像素电极424。主动元件422、422’具有一栅极G、G’、一源极S以及一漏极D，像素电极424与漏极D电性连接。在未与结点N邻接的像素单元420中，各主动元件422的栅极-漏极电容为Cgd1，而在与结点N邻接的像素单元420、420’中，部分主动元件422’的栅极-漏极电容为Cgd2，其余主动元件422的栅极-漏极电容为Cgd1，且Cgd1≠Cgd2。换言之，未与结点N邻接的像素单元420的主动元件422皆具有栅极-漏极电容Cgd1，与第n个结点N邻接
并与第(n-1)条扫描线SLn-1连接之像素单元420的主动元件422亦具有栅极-漏极电容Cgd1，而与第n个结点N邻接并与第n条扫描线SLn连接的像素单元420’及与第n个结点N邻接并与第(n-1)条扫描线SLn-1连接的像素单元420’的主动元件422’则具有栅极-漏极电容Cgd2。
并与第(n-1)条扫描线SLn-1连接之像素单元420的主动元件422亦具有栅极-漏极电容Cgd1，而与第n个结点N邻接并与第n条扫描线SLn连接的像素单元420’及与第n个结点N邻接并与第(n-1)条扫描线SLn-1连接的像素单元420’的主动元件422’则具有栅极-漏极电容Cgd2。
[0050] 在本实施例中，在主动元件422、422’中，漏极D的图案与面积例如是实质上相同，且栅极G的图案与面积例如是大于栅极G’的图案与面积，如此一来主动元件422的栅极-漏极电容Cgd1大于主动元件422’的栅极-漏极电容Cgd2。然而，任何能使像素单元420的栅极-漏极电容Cgd1与像素单元420’的栅极-漏极电容Cgd2不同的方法都可以应用于本实施例中。举例来说，在一实施例中，将主动元件422、422’的栅极G的图案与面积设计成实质上相同， 且将主动元件422的漏极D的图案与面积设计成大于主动元件422’的漏极D’的图案与面积，使像素单元420、420’具有不同的栅极-漏极电容Cgd1、Cgd2。特别一提的是，在一实施例中，由于部分主动元件422的栅极-漏极电容Cgd1不同于另一部分主动元件422’的栅极-漏极电容Cgd2，使得像素单元420、420’中的任两个像素电极424的馈通(feed through)电位约小于0.03伏特。
[0051] 一般来说，在主动元件阵列基板400的布局方式下，在驱动与结点N邻接的像素单元420、420’时，扫描信号传递线TGP会与像素单元420’的像素电极424形成侧向电容C1，以及扫描信号传递线TGP会与像素单元420形成侧向电容C2，且侧向电容C1等于侧向电容C2。另一方面，在驱动未与结点N邻接的像素单元420时，扫描信号传递线TGP会与像素单元420之间形成侧向电容C2。换言之，扫描信号传递线TGP会对像素单元420、420’产生不同程度的馈通效应，如此一来有可能会影响主动元件阵列基板400的显示品质。然而，在本实施例中，将像素单元420的栅极-漏极电容Cgd1设计成大于像素单元420’的栅极-漏极电容Cgd2，且使栅极-漏极电容Cgd1及栅极-漏极电容Cgd2的差异实质上等同于侧向电容C1及侧向电容C2的馈通效应差异。如此一来，可以通过像素单元420的栅极-漏极电容Cgd1与像素单元420’的栅极-漏极电容Cgd2的差异来补偿像素单元420的侧向电容C2与像素单元420’的侧向电容C1的馈通效应差异，也就是通过像素单元420、420’的栅极-漏极电容Cgd1、Cgd2的差异来补偿扫描信号传递线TGP对像素单元420、420’所产生的馈通效应的差异，进而使与结点N邻接及未邻接的像素单元420、420’具有较为接近的电性表现。因此，主动元件阵列基板400的显示不易受到结点N的分布影响，而有诸如V型暗带或V型亮带等显示缺陷。如此一来，主动元件阵列基板400能提供较佳的显示品质。
[0052] 综上所述，本发明是根据像素单元的位置，将像素单元的主动元件设计成具有不同的栅极-漏极电容。如此一来，虽然扫描信号传递线会对像素单元产生不同程度的馈通效应，但栅极-漏极电容的差异能补偿馈通效应的差异，使与结点邻接或未邻接的像素单元皆具有较为接近的电性表现，进而使主动元件阵列基板具有较佳的显示品质。特别是，由于本发明是针对采用TGP布线架构的主动元件阵列基板所设计，因此使用本发明的主动元件阵列基板的显示面板能具有符合美观的边框面积，且具有良好的显示品质。
[0053] 当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。