液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机

摘要

本发明提供一种液晶面板，其包括：在透明基板(31)上形成有晶体管和像素电极以及信号线的有源矩阵基板(3)；在透明基板(32)上形成有共用电极的彩色滤光片基板(30)；配置于两基板(3、30)之间的液晶材料(40)；以及与有源矩阵基板(3)和彩色滤光片基板(30)接触的球状的主间隔物(2m)，在有源矩阵基板(3)表面，设置有距透明基板(31)的距离比从该透明基板到有源矩阵基板(3)表面和主间隔物(2m)的接触部的距离小的副间隔物区域(SA)，按照与该副间隔物区域(SA)重叠的方式配置有球状的副间隔物(2s)。这样，即使在低温下等液晶材料收缩，也能够实现难以发生液晶气泡的液晶面板。

权利要求

1.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第一基板表面，设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第一基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第一基板表面的第一凹部形成，

第二基板表面的与所述副间隔物的重叠部分凹下。

2.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第一基板表面，设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第一基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第一基板表面的第一凹部形成，

在第一基板表面，以包围所述主间隔物的方式形成有突出壁。

3.如权利要求2所述的液晶面板，其特征在于：

在所述突出壁中，包括以与数据信号线同一工序形成的金属层、或者以与晶体管的沟道同一工序形成的半导体层。

4.如权利要求2所述的液晶面板，其特征在于：

所述突出壁和由该突出壁包围的部分，与形成于第一基板的扫描信号线、形成于第一基板的保持电容配线、和形成于第二基板的遮光层的至少一个重叠。

5.如权利要求2所述的液晶面板，其特征在于：

在所述突出壁中，包括与取向控制用的肋以同一工序形成的绝缘体。

6.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第一基板表面，设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第一基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第一基板表面的第一凹部形成，

在第二基板表面，以包围该第二基板表面与所述主间隔物的重叠部分的方式形成有突出壁。

7.如权利要求6所述的液晶面板，其特征在于：

所述第二基板具备着色层，

所述突出壁的至少一部分通过着色层的端部与遮光层重叠而形成。

8.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第一基板表面，设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第一基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第一基板表面的第一凹部形成，

按照与形成于第一基板表面，并且比第一凹部浅的第二凹部重叠的方式配置有所述主间隔物。

9.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第一基板表面，设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第一基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第一基板表面的第一凹部形成，

第二基板表面的与所述副间隔物的重叠部分凹下，并且第二基板表面的与所述主间隔物的重叠部分也凹下。

10.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第一基板表面，设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第一基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第一基板表面的第一凹部形成，

在第二基板表面，以包围该第二基板表面与所述副间隔物的重叠部分的方式形成有突出壁。

11.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第一基板表面，设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第一基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第一基板表面的第一凹部形成，

所述第一凹部，通过将形成于第一基板的绝缘膜挖通或者局部地作薄而形成。

12.如权利要求11所述的液晶面板，其特征在于：

所述绝缘膜能够利用涂覆法形成。

13.如权利要求11所述的液晶面板，其特征在于：

所述绝缘膜包含有机物。

14.如权利要求11所述的液晶面板，其特征在于：

所述绝缘膜包含SOG(旋涂玻璃)材料、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛清漆树脂、和聚硅氧烷树脂中至少一种。

15.如权利要求11所述的液晶面板，其特征在于：

所述绝缘膜具有感光性。

16.如权利要求11所述的液晶面板，其特征在于：

所述绝缘膜为栅极绝缘膜。

17.如权利要求11所述的液晶面板，其特征在于：

所述绝缘膜为设置于栅极绝缘膜的上层的层间绝缘膜。

18.如权利要求16所述的液晶面板，其特征在于：

所述栅极绝缘膜由多层构成，至少一层被局部挖通。

19.如权利要求17所述的液晶面板，其特征在于：

所述层间绝缘膜由多层构成，至少一层被局部挖通。

20.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第一基板表面，设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第一基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第一基板表面的第一凹部形成，由将晶体管和像素电极电连接的接触孔形成第一凹部。

21.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第一基板表面，设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第一基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第一基板表面的第一凹部形成，

按照与第一凹部重叠的方式配置有多个副间隔物。

22.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第一基板表面，设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第一基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述主间隔物和副间隔物通过喷墨方式被配置。

23.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第一基板表面，设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第一基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第一基板表面的第一凹部形成，

通过第一凹部形成的台阶部包围副间隔物。

24.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第二基板表面，设置有距包括在第二基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第二基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第二基板表面的第三凹部形成，

在第二基板表面，以包围所述主间隔物的方式形成有突出壁。

25.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第二基板表面，设置有距包括在第二基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第二基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第二基板表面的第三凹部形成，

在第一基板表面，以包围该第一基板表面与所述主间隔物的重叠部分的方式形成有突出壁。

26.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第二基板表面，设置有距包括在第二基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第二基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第二基板表面的第三凹部形成，

按照与形成于第二基板表面，并且比第三凹部浅的第四凹部重叠的方式，配置有所述主间隔物。

27.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第二基板表面，设置有距包括在第二基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第二基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第二基板表面的第三凹部形成，

第一基板表面的与所述副间隔物的重叠部分凹下，并且第一基板表面的与所述主间隔物的重叠部分也凹下。

28.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第二基板表面，设置有距包括在第二基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第二基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第二基板表面的第三凹部形成，

在第一基板表面，以包围该第一基板表面与所述副间隔物的重叠部分的方式形成有突出壁。

29.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第二基板表面，设置有距包括在第二基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第二基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第二基板表面的第三凹部形成，

所述第三凹部，通过将遮光层局部挖通或者局部作薄而形成。

30.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第二基板表面，设置有距包括在第二基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第二基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第二基板表面的第三凹部形成，

按照与第三凹部重叠的方式配置有多个副间隔物。

31.一种液晶面板，包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第二基板表面，设置有距包括在第二基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第二基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物，所述区域由设置于第二基板表面的第三凹部形成，

通过第三凹部形成的台阶部包围副间隔物。

说明书

液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机

技术领域

[0001] 本发明涉及具备间隔物(spacer)的液晶面板。

背景技术

[0002] 在液晶面板中，在透明基板上形成有薄膜晶体管(TFT：Thin FilmTransistor)等的开关元件的有源矩阵基板、和形成有红、蓝、绿的着色层(彩色滤光片层)的彩色滤光片基板之间设置有间隔物，在由此得到的两基板的间隙中配置有液晶材料。在此，在专利文献1中公开有在有源矩阵基板上或彩色滤光片基板上利用喷墨方式配置球状的间隔物的方法。

[0003] 专利文献1：日本国公开专利公报“特开2005-10412号公报(2005年1月13日公开)”

[0004] 在此，本申请发明人发现：在低温时，当液晶材料收缩时，两基板被大气压按压，间隔物发生弹性变形，两基板的间隙变小，但当超过间隔物的弹性变形的极限而且液晶材料仍收缩时，在两基板间有可能发生液晶材料不存在的空间(液晶气泡)。

发明内容

[0005] 本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供一种在两基板间具备球状间隔物的液晶面板，其在低温下等即使液晶材料收缩，也难以产生液晶气泡。

[0006] 本发明的液晶面板包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第一基板表面，设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第一基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物。另外，也可以表达为：在第一基板表面设置有距包括在第一基板中的透明基板的距离比从该透明基板到与主间隔物的重叠部分的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物。另外，本发明的液晶面板包括：在透明基板上形成有晶体管和像素电极以及信号线的第一基板；在透明基板上形成有共用电极的第二基板；配置于第一基板和第二基板之间的液晶材料；以及与第一基板和第二基板接触的球状的主间隔物，其特征在于：在第二基板表面，设置有距包括在第二基板中的透明基板的距离比从该透明基板到该第二基板表面和主间隔物的接触部的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物。另外，也可以表达为：在第二基板表面设置有距包括在第二基板中的透明基板的距离比从该透明基板到与主间隔物的重叠部分的距离小的区域，按照与该区域重叠的方式配置有球状的副间隔物。在此，第一基板为例如有源矩阵基板，第二基板为例如彩色滤光片基板。

[0007] 在液晶面板中，通过将主间隔物的直径和副间隔物的直径形成同一程度，能够成为主间隔物与两基板接触，并且副间隔物只与一方的基板接触(相接)的状态。在此，当液晶材料因低温等原因而收缩时，两基板在大气压下被按压，主间隔物发生弹性变形。此时，两基板的间隙变小，副间隔物与两基板接触。即，在超过主间隔物的弹性变形的极限而液晶材料仍收缩的情况下，副间隔物发挥功能，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生。

[0008] 在本液晶面板中，能够构成为如下结构：上述区域与形成于第一基板的扫描信号线、形成于第一基板的保持电容配线、和形成于第二基板的遮光层的至少一个重叠。像这样，通过在遮光区域配置间隔物，能够减少间隔物对显示造成的影响。

[0009] 在本液晶面板中，能够构成为如下结构：上述区域由设置于第一基板表面的第一凹部形成。在这种情况下，也可以采用第二基板表面的与上述副间隔物的重叠部分凹下的结构。另外，也可以采用在第一基板表面，以包围上述主间隔物的方式形成有突出壁的结构。另外，也可以采用在第二基板表面以包围该第二基板表面与上述主间隔物的重叠部分的方式形成有突出壁的构成。另外，也可以采用如下构成：按照与形成于第一基板表面，并且比第一凹部浅的第二凹部重叠的方式配置有上述主间隔物。另外，也可以采用如下结构：第二基板表面的与上述副间隔物的重叠部分凹下，且第二基板表面的与上述主间隔物的重叠部分也凹下。另外，也可以采用在第二基板表面，以包围该第二基板表面与上述副间隔物的重叠部分的方式形成有突出壁的结构。这样，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够限制副间隔物(球状)及主间隔物(球状)的移动。另外，也可以为如下结构：上述第一凹部由将晶体管和像素电极电连接的接触孔形成。

[0010] 在本液晶面板中，可以采用如下结构：上述区域由设置于第二基板表面的第三凹部形成。在这种情况下，也可以采用第一基板表面的与上述副间隔物的重叠部分凹下的结构。另外，也可以采用如下结构：在第二基板表面，以包围上述主间隔物的方式形成有突出壁。另外，也可以采用如下结构：在第一基板表面，以包围该第一基板表面与上述主间隔物的重叠部分的方式形成有突出壁。另外，也可以采用如下构成：按照与形成于第二基板表面、且比第三凹部浅的第四凹部重叠的方式，配置有上述主间隔物。另外，也可以采用如下结构：第一基板表面的与上述副间隔物的重叠部分凹下，且第一基板表面的与上述主间隔物的重叠部分也凹下。另外，也可以采用如下结构：在第一基板表面，以包围该第一基板表面与上述副间隔物的重叠部分的方式形成有突出壁。这样，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够限制副间隔物(球状)和主间隔物(球状)的移动。

[0011] 在本液晶面板中，也可以采用如下结构：上述第一凹部通过将形成于第一基板的绝缘膜挖通、或者局部地作薄而形成。在这种情况下，上述绝缘膜也可以利用涂覆法形成。另外，上述绝缘膜包含有机物。另外，上述绝缘膜包含SOG(旋涂玻璃)、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛清漆树脂、和聚硅氧烷树脂中的至少一种。在此，X树脂是指含有X或X类似的化合物的树脂，例如，丙烯酸树脂是指含有丙烯酸或与丙烯酸类似的化合物的树脂(以下同样)。另外，上述绝缘膜也可以具有感光性。另外，上述绝缘膜也可以为栅极绝缘膜。在这种情况下，上述栅极绝缘膜也可以由多层构成，至少一层被局部挖通。另外，上述绝缘膜也可以为设置于栅极绝缘膜的上层的层间绝缘膜。在这种情况下，上述层间绝缘膜也可以由多层构成，至少一层被局部挖通。

[0012] 在本液晶面板中，也可以采用如下的结构：上述第三凹部通过将遮光层局部挖通、或者局部作薄而形成。在这种情况下，上述遮光层也可以构成黑矩阵。另外，上述遮光层也能够用涂覆法形成。另外，上述第三凹部也可以通过将形成于遮光层的上层的绝缘膜局部挖通、或者局部作薄而形成。

[0013] 在本液晶面板中，在上述突出壁，也可以包括以与数据信号线同一工序形成的金属层(金属层)、或者以与晶体管的沟道部同一工序形成的半导体层。另外，上述突出壁和由该突出壁包围的部分也可以与形成于第一基板的扫描信号线、形成于第一基板的保持电容配线、和形成于第二基板的遮光层中的至少一个重叠。另外，上述突出壁，也可以包括以与取向控制用的肋同一工序形成的绝缘体。另外，上述第二基板也可以具备着色层，上述突出壁的至少一部分也可以通过着色层的端部与遮光层重叠而形成。

[0014] 在本液晶面板中，也可以按照与第一凹部重叠的方式配置有多个副间隔物。另外，也可以按照与第三凹部重叠的方式配置有多个副间隔物。另外，上述主间隔物和副间隔物也可以通过喷墨方式配置。另外，上述第一凹部的面积也可以基于在此配置的副间隔物的个数、和各副间隔物的大小被设定。上述第三凹部的面积也可以基于在此配置的副间隔物的个数、和各副间隔物的大小被设定。另外，副间隔物也可以利用喷墨装置被配置，上述面积也可以也基于喷墨装置的着落精度被设定。

[0015] 在本液晶面板中，也可以为如下的结构：由第一凹部形成的台阶部包围副间隔物。另外，也可以为如下的结构：由第三凹部形成的台阶部包围副间隔物。这样，能够通过台阶部限制副间隔物的移动，即使副间隔物因面板的振动或对面板的碰撞而移动，也能够将其移动量抑制为非常小。由此，能够提高单元间隙的均一性。该效果在因振动、碰撞而易弯曲(即，副间隔物易移动)的大型面板中使用球状的间隔物时较显著。

[0016] 另外，本发明液晶显示单元的特征在于：具备上述液晶面板和驱动器。另外，本发明液晶显示装置的特征在于：具备上述液晶显示单元和照明装置。本发明电视接收机的特征在于：具备上述液晶显示装置、和接收电视播放的调谐部。

[0017] 根据本液晶面板，在超过主间隔物的弹性变形的极限而液晶材料仍然收缩的情况下，副间隔物发挥功能，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生。

附图说明

[0018] 图1是表示本液晶面板的结构的平面图；

[0019] 图2是表示本液晶面板的其他结构的平面图；

[0020] 图3是图1所示的液晶面板的通常时的截面图；

[0021] 图4是图1所示的液晶面板的液晶收缩时的截面图；

[0022] 图5是图2所示的液晶面板的通常时的截面图；

[0023] 图6是图2所示的液晶面板的液晶收缩时的截面图；

[0024] 图7是表示本液晶面板的其他结构的平面图；

[0025] 图8是表示本液晶面板的其他结构的平面图；

[0026] 图9是表示实施方式1的液晶面板的其他结构的截面图；

[0027] 图10是表示实施方式2的液晶面板的其他结构的截面图；

[0028] 图11是表示实施方式3的液晶面板的结构的截面图；

[0029] 图12是表示实施方式3的液晶面板的其他结构的截面图；

[0030] 图13是表示实施方式4的液晶面板的结构的截面图；

[0031] 图14是表示实施方式5的液晶面板的结构的截面图；

[0032] 图15是表示实施方式6的液晶面板的结构的截面图；

[0033] 图16是表示实施方式7的液晶面板的结构的截面图；

[0034] 图17是表示实施方式8的液晶面板的结构的截面图；

[0035] 图18是表示实施方式8的液晶面板的其他结构的截面图；

[0036] 图19是表示实施方式9的液晶面板的结构的截面图；

[0037] 图20是表示实施方式9的液晶面板的其他结构的截面图；

[0038] 图21是表示实施方式9的液晶面板的其他结构的截面图；

[0039] 图22是表示实施方式9的液晶面板的其他结构的截面图；

[0040] 图23是表示实施方式10的液晶面板的结构的截面图；

[0041] 图24是表示实施方式11的液晶面板的结构的截面图；

[0042] 图25是表示实施方式12的液晶面板的结构的截面图；

[0043] 图26是表示本液晶面板的其他结构的平面图；

[0044] 图27是表示本液晶面板的其他结构的平面图；

[0045] 图28是表示其他实施方式的液晶面板的结构的截面图；

[0046] 图29是表示其他实施方式的液晶面板的结构的截面图；

[0047] 图30(a)～(e)是表示本液晶面板的制造工序(一部分)的工序图；

[0048] 图31(a)～(f)是表示本液晶面板的其他制造工序(一部分)的工序图；

[0049] 图32是表示实施方式13的液晶面板的结构的截面图；

[0050] 图33是表示本液晶面板的彩色滤光片基板的结构例的截面图；

[0051] 图34是表示本液晶显示单元的结构的示意图；

[0052] 图35是说明本液晶显示装置的功能的框图；

[0053] 图36是说明本电视接收机的功能的框图；

[0054] 图37是表示本电视接收机的结构的分解立体图；

[0055] 符号说明

[0056] 2m 主间隔物

[0057] 2s 副间隔物

[0058] 3 有源矩阵基板

[0059] 9、19 取向膜

[0060] 13 遮光层(黑矩阵)

[0061] 14 着色层

[0062] 15 数据信号线

[0063] 16 扫描信号线

[0064] 17 像素电极

[0065] 18 保持电容配线

[0066] 21 有机栅极绝缘膜

[0067] 22 无机栅极绝缘膜

[0068] 25 无机层间绝缘膜

[0069] 26 有机层间绝缘膜

[0070] 28 共用电极

[0071] 30 彩色滤光片基板

[0072] 31、32透明基板

[0073] 40 液晶材料

[0074] 100 液晶显示单元

[0075] 110 液晶显示装置

[0076] 601 电视接收机

具体实施方式

[0077] 下面，基于图1～图35对本发明的实施方式的例子进行说明。

[0078] 图1是表示本液晶面板的一个结构例的平面图。本液晶面板具备：有源矩阵基板、与该有源矩阵基板相对的彩色滤光片基板、和设置于两基板间的液晶材料。

[0079] 有源矩阵基板包括沿行方向(图中横方向)延伸的扫描信号线16、沿行方向(图中横方向)延伸的保持电容配线18、沿列方向(图中纵方向)延伸的数据信号线15、像素电极17和晶体管(未图示)。该晶体管(未图示)形成于数据信号线15和扫描信号线16的交叉部附近，其栅极电极连接于扫描信号线16，其漏极电极连接于像素电极17，其源极电极连接于数据信号线15。像素电极17设置于由扫描信号线16和数据信号线15划分的像素区域。保持电容配线18以横切像素区域的方式(按照与像素电极17重叠的方式)设置，与像素电极17形成保持电容。另外，在上述各配线(数据信号线15、扫描信号线16、保持电容配线18)上使用有遮光性的金属膜。

[0080] 在彩色滤光片基板中包括：有源矩阵即遮光层13；形成于由遮光层13包围的区域的具有红(R)、绿(G)、蓝(B)的任意的色的着色层14(彩色滤光片)、共用电极(未图示)。遮光层13按照与有源矩阵基板的数据信号线15和扫描信号线16重叠的方式形成，着色层
14以与有源矩阵基板的像素电极重叠的方式形成。另外，在由有源矩阵基板和彩色滤光片基板以及两基板间的密封件(未图示)包围的部分封入液晶材料。而且，按照包括：有源矩阵基板的像素区域、彩色滤光片基板中与该像素区域相对的区域、和夹在这两个区域中间的液晶材料的方式构成一个像素。

[0081] 图3表示图1的A-A向视剖面和B-B向视剖面。如图1和图3所示，在本实施方式中，在有源矩阵基板3和彩色滤光片基板30之间设置有主间隔物2m和副间隔物2s。主间隔物2m和副间隔物2s都为呈球状的珠状间隔物。

[0082] 具体而言，在有源矩阵基板3的液晶材料侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，矩形的主间隔物区域MA和矩形的副间隔物区域SA隔开一定的间隔交替地形成，在各主间隔物区域MA上(按照与各主间隔物区域MA重叠的方式)配有三个主间隔物2m，在各副间隔物区域SA上(按照与各副间隔物区域SA重叠的方式)配有三个副间隔物2s。另外，副间隔物区域SA为在有源矩阵基板表面设置的局部性的凹部(第一凹部)，由该凹部形成的台阶部(成为副间隔物区域SA的边缘的四边)包围各副间隔物2s。另外，主间隔物区域MA为有源矩阵基板表面的与主间隔物2m的重叠区域。

[0083] 主间隔物区域MA或副间隔物区域SA设置于每一像素，各区域(MA、SA)配置为交错状。例如，如果在某扫描信号线上主间隔物区域MA与第偶数列的像素对应而形成，并且副间隔物区域SA与第奇数列的像素对应而形成，则在与该扫描信号线相邻的扫描信号线上，主间隔物区域MA与第奇数列的像素对应而形成，并且副间隔物区域SA与第偶数列的像素对应而形成。

[0084] 在此，如图3所示，由于副间隔物区域SA为设置于有源矩阵基板3表面的凹部，因此距透明基板31(有源矩阵基板3所包括的透明基板)的距离与主间隔物区域MA相比小。另外，主间隔物2m的直径与副间隔物2s的直径基本上相等(例如，变动系数CV值在不足百分之3)。

[0085] 即，在通常状态下，主间隔物2m与有源矩阵基板3和彩色滤光片基板30接触(相接)，但是副间隔物2s只与有源矩阵基板3接触(相接)，不与彩色滤光片基板30接触。另一方面，当因低温等原因液晶材料收缩时，有源矩阵基板3和彩色滤光片基板30被大气压按压，如图4所示，主间隔物2m发生弹性变形。这时，两基板的间隙变小，副间隔物2s与两基板(3、30)接触。因此，在超过主间隔物2m的弹性变形的极限而且液晶材料仍然收缩的情况下，副间隔物2s发挥功能，能够防止在低温下等产生液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)。此外，由副间隔物区域SA(第一凹部)形成的台阶部为包围副间隔物2s的结构，因此副间隔物2s的移动受台阶部限制，即使副间隔物2s因面板的振动或对面板的碰撞而移动，也能够将其移动量抑制为非常小。由此，能够提高单元间隙的均匀性。在因振动或碰撞而易于弯曲的(即，间隔物2s易移动)大型面板中使用球状间隔物的情况下，该效果较显著。

[0086] 图1中，在有源矩阵基板3的液晶材料侧的表面形成有主间隔物区域MA和副间隔物区域SA，但也可以如图2、图5所示，在彩色滤光片基板30的液晶材料侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa。另外，图5表示图2的A-A向视剖面和B-B向视剖面。在该构成中，也在各主间隔物区域Ma上(按照与各主间隔物区域Ma重叠的方式)配置有三个主间隔物2m，在各副间隔物区域Sa上(按照与各主间隔物区域Sa重叠的方式)配置有三个副间隔物2s。另外，副间隔物区域Sa为设置于彩色滤光片基板表面的凹部(第三凹部)，由该凹部形成的台阶部(成为副间隔物区域Sa的边缘的四边)包围各副间隔物2s。另外，主间隔物区域Ma为彩色滤光片基板表面的与主间隔物2m的重叠区域。

[0087] 在此，如图2、图5所示，由于副间隔物区域Sa为设置于彩色滤光片基板30表面的凹部，因此距离透明基板32(包括彩色滤光片基板的透明基板)的距离与主间隔物区域Ma相比小。另外，主间隔物2m的直径与副间隔物2s的直径大致相等(例如，变动系数CV值不足百分之3)。

[0088] 即，在通常状态下，主间隔物2m与有源矩阵基板3和彩色滤光片基板30接触(相接)，但副间隔物2s只与彩色滤光片基板30接触(相接)，不与有源矩阵基板3接触。另一方面，当因低温等原因液晶材料收缩时，有源矩阵基板3和彩色滤光片基板30被大气压按压，如图6所示，主间隔物2m发生弹性变形。这时，两基板的间隙变小，副间隔物2s与两基板接触。因此，在超过主间隔物2m的弹性变形的极限而液晶材料仍然收缩的情况下，副间隔物2s发挥功能，能够防止在低温下等产生液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)。此外，由副间隔物区域Sa(第三凹部)形成的台阶部为包围副间隔物2s的结构，因此副间隔物2s的移动受台阶部限制，即使副间隔物2s因面板的振动或对面板的碰撞而移动，也能够将其移动量限制为非常小。由此，能够提高单元间隙的均匀性。在因振动或碰撞而易弯曲的(即，间隔物2s易移动)大型面板上使用球状间隔物时该效果较显著。

[0089] 另外，图1、图2所示的液晶面板中，遮光层13成为矩阵形状，但如图7、图8所示，遮光层13和着色层14也可以为条纹形状。另外，图1、图2所示的液晶面板为在一个像素区域中设置有一个像素电极的结构，但本液晶面板也可以为如图26所示的在一个像素区域中设置有两个像素电极的结构(像素分割结构多像素驱动方式)。

[0090] 下面，对有源矩阵基板的制造方法的一例进行说明。

[0091] 首先，在透明绝缘性基板(透明基板)上，将钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等金属或这些金属的合金通过溅射法等方法进行成膜。然后，将该金属膜或合金膜通过光刻法等形成图案为必要的形状，由此形成具有0.5μm左右的膜厚的扫描信号线(各晶体管的栅极电极)和保持电容配线。

[0092] 接下来，将0.4μm左右的膜厚的无机栅极绝缘膜、0.2μm左右的膜厚的半导体层(高电阻半导体层及低电阻半导体层)通过等离子体CVD(化学气相成长法)等连接成膜后，通过光刻法等进行图案形成。另外，也存在在无机栅极绝缘膜的下层(透明基板上)形成比无机栅极绝缘膜厚的有机栅极绝缘膜(例如，平坦化膜)，且形成图案为所希望的形状的情况。

[0093] 其次，形成0.3μm作用的膜厚的数据信号线、晶体管的漏极电极及源极电极。这些可以通过同一工序形成。具体而言，将钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等金属或这些金属的合金利用溅射法等方法进行成膜，将该金属膜或合金膜通过光刻法等形成图案为必要的形状。

[0094] 然后，相对于非晶硅膜等的高电阻半导体层(i层)、n+非晶硅膜等的低电阻半导体层(n+层)，将数据信号线、源极电极、和漏极电极的图案形成掩膜，通过干式蚀刻进行沟道蚀刻。通过该工艺优化i层的膜厚，形成晶体管(TFT)。在此，未被数据信号线、源极电极、和漏极电极覆盖的半导体层被蚀刻除去，留下TFT的能力所必要的i层膜厚。

[0095] 接着，形成保护TFT的沟道(覆盖沟道)的层间绝缘膜。例如，使用等离子体CVD法等，将0.3μm左右的膜厚的氮化硅、氧化硅等无机层间绝缘膜成膜。另外，也存在在无机层间绝缘膜上形成比其厚的有机层间绝缘膜的情况。并且，将层间绝缘膜蚀刻形成为所希望的形状。在此，例如将感光性抗蚀剂利用影印法(photolithography)(曝光和显影)进行形成图案，并进行蚀刻。

[0096] 接着，在层间绝缘膜上，将0.1μm左右的膜厚的ITO、IZO、氧化锌、氧化锡等的具有透明性的导电膜通过溅射法等方法进行成膜，将其通过光刻法等方法形成图案为必要的形状。

[0097] 然后，将取向膜通过喷墨法等进行涂覆。通过以上方法形成有源矩阵基板。

[0098] 接下来，对彩色滤光片基板的制造方法进行说明。

[0099] 首先，形成对应于三原色(红、绿、蓝)的第一～第三着色层。即，将分散有红色颜料的负型的丙烯酸感光性树脂通过旋涂法等涂覆于透明基板之后，进行干燥，再进行使用光掩膜的曝光和显影，形成红的着色层。此后，通过同样的工序形成绿的着色层和蓝的着色层。

[0100] 接着，将分散有碳的微粒的负型丙烯酸黑色感光性树脂膜通过旋涂法等以覆盖各着色层的方式涂覆后，进行干燥，再进行使用光掩膜的曝光和显影，形成遮光层(黑矩阵)。

[0101] 如上所述，在形成着色层和遮光层后，通过溅射法形成由ITO等透明电极构成的共用电极(共用电极)，如果在其上通过喷墨法等涂覆取向膜，就形成彩色滤光片基板。另外，也存在在着色层和遮光层与共用电极之间形成作为绝缘膜的外涂层(overcoat)膜，并形成图案为所希望的形状的情况。着色层的各色不限定于三原色(红、绿、蓝)，也可以形成青绿色、深红色、黄色等着色层。

[0102] 另外，下述中“～上”意思是指“～的液晶层侧”，“～的上层”意思是指“～的液晶层侧的层”。

[0103] 〔实施方式1〕

[0104] 图9(a)～(d)是表示图1所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域MA和副间隔物区域SA的截面图。在本实施方式中，在有源矩阵基板3的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域MA和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域SA。副间隔物区域SA和主间隔物区域MA都为矩形。

[0105] 对图9(a)的构成进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成有机栅极绝缘膜21和比该有机栅极绝缘膜更薄的无机栅极绝缘膜22。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机栅极绝缘膜21的对应于副间隔物区域SA的部分挖通为矩形。在无机栅极绝缘膜22上形成有无机层间绝缘膜25，在其上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13，以覆盖该遮光层的方式形成共用电极28。在此，由于在彩色滤光片基板的表面上形成包围与主间隔物区域MA相对的区域(以下，称MA相对区域)的突出壁W2，所以在共用电极28的与突出壁W2对应的部分上形成肋35，以覆盖共用电极28和肋35的方式形成有取向膜19。另外，肋35能够与形成于彩色滤光片基板的取向限制用肋同时形成。

[0106] 这样，在图9(a)的结构中，通过将有机栅极绝缘膜21局部地挖通，形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，通过在共用电极28上形成肋35从而形成包围MA相对区域的突出壁W2。由此，能够抑制低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1限制副间隔物2s的移动，用突出壁W2限制主间隔物2m的移动。

[0107] 对图9(b)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25和比无机层间绝缘膜25厚的有机层间绝缘膜26。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机层间绝缘膜26的对应于副间隔物区域SA的部分挖通为矩形。在有机层间绝缘膜26的上层形成有取向膜9。彩色滤光片基板的结构与图9(a)相同。

[0108] 像这样，在图9(b)的结构中，通过将有机层间绝缘膜26局部地挖通而形成第一凹部K1，并且通过在共用电极28上形成肋35从而形成包围主间隔物区域MA的突出壁W2。由此，能够抑制低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1限制副间隔物2s的移动，用突出壁W2限制主间隔物2m的移动。

[0109] 另外，也可以代替图9(a)中的肋35，而是如该图(c)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，通过使遮光层层叠在该着色层14上而形成突起55。另外，在突起55上形成有共用电极28。另外，也可以代替图9(b)的肋35，而是如该图(d)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上而形成突起55。

[0110] 实施方式1的有机栅极绝缘膜21的挖通，可以与在(为了提高TFT特性)晶体管的沟道区域、或者在和(为了提高保持电容值)保持电容配线的重叠部分除去较厚的有机栅极绝缘膜21的工序同时进行。

[0111] 〔实施方式2〕

[0112] 图10(a)～(d)是表示图1所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域MA和副间隔物区域SA的截面图。在本实施方式中，在有源矩阵基板3的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域MA和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域SA。

[0113] 对图10(a)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成有机栅极绝缘膜21和比该有机栅极绝缘膜21更薄的无机栅极绝缘膜22。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机栅极绝缘膜21中对应于副间隔物区域SA的区域挖通为矩形。此外，为了形成包围主间隔物区域MA的突出壁W1，在无机栅极绝缘膜22的与突出壁W1对应的部分上形成有具有半导体层和金属层的层叠结构的突起37。在无机栅极绝缘膜22上形成有无机层间绝缘膜25，在其上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13，以覆盖该遮光层的方式形成共用电极28，在共用电极28上形成有取向膜
19。

[0114] 像这样，在图10(a)的结构中，通过将有机栅极绝缘膜21局部地挖通，形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37从而形成包围主间隔物区域MA的突出壁W1。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1限制主间隔物2m的移动。

[0115] 对图10(b)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在此，为了形成包围主间隔物区域MA的突出壁W1，在无机栅极绝缘膜22的与突出壁W1对应的部分上形成有具有半导体层和金属层的层叠结构的突起37。在无机栅极绝缘膜22上形成有无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机层间绝缘膜26中与副间隔物区域SA对应的部分挖通为矩形。在有机层间绝缘膜26的上层形成有取向膜9。彩色滤光片基板的结构与图10(a)相同。

[0116] 像这样，在图10(b)的构成中，通过将有机层间绝缘膜26局部地挖通，形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37，从而形成包围主间隔物区域MA的突出壁W1。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1限制主间隔物2m的移动。

[0117] 另外，也可以代替图10(a)的突起37，而是如图10(c)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，另外，也可以代替图10(b)的突起37，而是如图10(d)所示(在有机层间绝缘膜26上)形成肋45。

[0118] 在实施方式2中，由于第一凹部K1和突出壁W1都形成于有源矩阵基板，因此通过与现有的彩色滤光片基板的组合能够得到上述效果。

[0119] 〔实施方式3〕

[0120] 图11(a)～(d)是表示图1所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域MA和副间隔物区域SA的截面图。在本实施方式中，在有源矩阵基板3的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域MA和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域SA。

[0121] 对图11(a)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成有机栅极绝缘膜21和比该有机栅极绝缘膜21更薄的无机栅极绝缘膜22。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机栅极绝缘膜21中与副间隔物区域SA对应的部分挖通为矩形。此外，为了形成包围主间隔物区域MA的突出壁W1，在无机栅极绝缘膜22的与突出壁W1对应的部分上形成有具有半导体层和金属层的层叠结构的突起37。在无机栅极绝缘膜22上形成有无机层间绝缘膜25，在其上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13，以覆盖该遮光层的方式形成有共用电极28。在此，由于在彩色滤光片基板的表面形成包围与主间隔物区域MA相对的区域(以下，称MA相对区域)的突出壁W2，在共用电极28的与突出壁W2对应的部分上形成肋35，以覆盖共用电极28和肋35的方式形成有取向膜19。

[0122] 这样，在图11(a)的结构中，通过将有机栅极绝缘膜21局部地挖通，形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37从而形成包围主间隔物区域MA的突出壁W1，通过在共用电极28上形成肋35，从而形成包围MA相对区域的突出壁W2。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1、W2限制主间隔物2m的移动。

[0123] 对图11(b)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在此，为了形成包围主间隔物区域MA的突出壁W1，在无机栅极绝缘膜22的与突出壁W1对应的部分上形成有具有半导体层和金属层的层叠结构的突起37。在无机栅极绝缘膜22上形成有无机层间绝缘膜25和比无机层间绝缘膜25厚的有机层间绝缘膜26。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机层间绝缘膜26中与副间隔物区域SA对应的区域挖通为矩形。在有机层间绝缘膜26的上层形成有取向膜9。彩色滤光片基板的结构与图11(a)相同。

[0124] 像这样，在图11(b)的结构中，通过将有机层间绝缘膜26局部地挖通，形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37，从而形成包围主间隔物区域MA的突出壁W1，通过在共用电极28上形成肋35，从而形成包围MA相对区域的突出壁W2。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1、W2限制主间隔物2m的移动。

[0125] 另外，也可以代替图11(a)的肋35，而是如该图(c)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。另外，在突起55上形成有共用电极28。另外，也可以代替图11(b)的肋35，而是如该图(d)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。

[0126] 另外，也可以代替图11(a)的突起37，而是如图12(a)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图11(b)的突起37，而是如图12(a)所示(在有机层间绝缘膜26上)形成肋45，也可以代替图11(c)的突起37，而是如图12(c)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图11(d)的突起37，而是如图12(d)所示(在有机层间绝缘膜26上)形成肋45。

[0127] 在实施方式3中，由于能够用突出壁W1、W2限制主间隔物2m的移动，因此能够提高其移动限制效果。

[0128] 〔实施方式4〕

[0129] 图13的(a)(c)(d)(f)是表示图1所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域MA和副间隔物区域SA的截面图。另外，图13的(b)(e)是表示图7所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域MA和副间隔物区域SA的截面图。在本实施方式中，在有源矩阵基板3的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域MA和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域SA。

[0130] 对图13(a)的构成进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机层间绝缘膜26中与副间隔物区域SA对应的区域挖通为矩形。在有机层间绝缘膜26的上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成有遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板的表面形成与副间隔物区域SA相对的凹部K8，将遮光层13中与副间隔物区域SA对应的部分挖通为矩形，另外，为了在彩色滤光片基板的表面形成与主间隔物区域MA相对凹部K6，将遮光层13中与主间隔物区域MA对应的部分挖通为矩形。另外，在遮光层13上形成有共用电极28，以覆盖共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0131] 这样，在图13(a)的构成中，通过将有机层间绝缘膜26局部地挖通，形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，通过将遮光层13局部地挖通，形成与副间隔物区域SA相对的凹部K8和与主间隔物区域MA相对的凹部K6。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1和凹部K8限制副间隔物2s的移动，用凹部K6限制主间隔物2m的移动。

[0132] 图13(b)是如图7所示遮光层13为条纹形状的结构(参照图7)的图，该结构通过将图13(a)的遮光层13置换为着色层14可以得到。

[0133] 对图13(c)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图13(a)相同。在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13，在其上层形成外涂层膜34。另外，外涂层膜34为实现平坦化的目的和易于进行共用电极28的图案形成而设置，例如，使用感光性丙烯酸树脂。在此，为了在彩色滤光片基板的表面形成与副间隔物区域SA相对的凹部K8，将外涂层膜34中与副间隔物区域SA对应的部分挖通为矩形，另外，为了在彩色滤光片基板的表面形成与主间隔物区域MA相对的凹部K6，将外涂层膜34中与主间隔物区域MA对应的部分挖通为矩形。另外，在遮光层13上形成有共用电极28，以覆盖共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0134] 像这样，在图13(a)的结构中，通过将有机层间绝缘膜26局部地挖通，形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，通过将外涂层膜34局部地挖通，形成与副间隔物区域SA相对的凹部K8和与主间隔物区域MA相对的凹部K6。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1和凹部K8限制副间隔物2s的移动，用凹部K6限制主间隔物2m的移动。

[0135] 对图13(d)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成有机栅极绝缘膜21和比该有机栅极绝缘膜21更薄的无机栅极绝缘膜22。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机栅极绝缘膜21中与副间隔物区域SA对应的区域挖通为矩形。在无机栅极绝缘膜22上形成有无机层间绝缘膜25，在其上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板的表面形成与副间隔物区域SA相对的凹部K8，将遮光层13中与副间隔物区域SA对应的部分挖通为矩形，另外，为了在彩色滤光片基板的表面形成与主间隔物区域MA相对的凹部K6，将遮光层13中与主间隔物区域MA对应的部分挖通为矩形。另外，在遮光层13上形成有共用电极28，以该覆盖共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0136] 像这样，在图13(d)的结构中，通过将有机栅极绝缘膜21局部地挖通，形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，通过将遮光层13局部地挖通，形成与副间隔物区域SA相对的凹部K8和与主间隔物区域MA相对的凹部K6。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1和凹部K8限制副间隔物2s的移动，用凹部K6限制主间隔物2m的移动。

[0137] 图13(e)是如图7所示遮光层13为条纹形状的结构(参照图7)的图，该结构通过将图13(d)的遮光层13置换为着色层14能够得到。

[0138] 对图13(f)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图13(d)相同。另外，彩色滤光片基板的结构与图13(c)相同。在图13(f)的结构中，通过将有机栅极绝缘膜21局部地挖通，形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，通过将外涂层膜34局部地挖通，形成与副间隔物区域SA相对的凹部K8和与主间隔物区域MA相对的凹部K6。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1和凹部K8限制副间隔物2s的移动，用凹部K6限制主间隔物2m的移动。

[0139] 在实施方式4中，由于在各基板(3、30)表面仅形成凹部(K1、K6、K8)，因此能够抑制取向膜的涂覆不良。另外，由于能够用第一凹部K1和凹部K8限制副间隔物2s的移动，因此能够提高其移动限制效果。

[0140] 〔实施方式5〕

[0141] 图14(a)～(d)是表示图1所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域MA和副间隔物区域SA的截面图。在本实施方式中，在有源矩阵基板3的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域MA和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域SA。

[0142] 对图14(a)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将无机栅极绝缘膜22中与副间隔物区域SA对应的区域挖通为矩形。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26，在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机层间绝缘膜26中与副间隔物区域SA对应的区域挖通为矩形。此外，为了在有源矩阵基板表面形成成为主间隔物区域MA的第二凹部K2，将有机层间绝缘膜26中与主间隔物区域MA对应的区域挖通为矩形。在有机层间绝缘膜26的上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13，以覆盖该遮光层的方式形成有共用电极28，以覆盖共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0143] 像这样，在图14(a)的结构中，通过将无机栅极绝缘膜22和有机层间绝缘膜26各自的与副间隔物区域SA对应的部分挖通而形成第一凹部K1(较深的凹部)，通过将有机层间绝缘膜26的与主间隔物区域MA对应的部分挖通而形成第二凹部K2(较浅的凹部)。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1限制副间隔物2s的移动，用第二凹部K2限制主间隔物2m的移动。

[0144] 对图14(b)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成有机栅极绝缘膜21和比有机栅极绝缘膜21更薄的无机栅极绝缘膜22。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机栅极绝缘膜21中与副间隔物区域SA对应的区域挖通为矩形。此外，为了在有源矩阵基板表面形成成为主间隔物区域MA的第二凹部K2，将有机栅极绝缘膜21中与主间隔物区域MA对应的区域挖通为矩形。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将无机层间绝缘膜25的与副间隔物区域SA对应的部分挖通为矩形。在有机层间绝缘膜26的上层形成有取向膜9。彩色滤光片基板的结构与图14(a)相同。

[0145] 像这样，在图14(b)的结构中，通过将有机栅极绝缘膜21和无机层间绝缘膜25各自的与副间隔物区域SA对应的部分挖通而形成第一凹部K1(较深的凹部)，通过将有机栅极绝缘膜21的与主间隔物区域MA对应的部分挖通而形成有第二凹部K2(较浅的凹部)。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1限制副间隔物2s的移动，用第二凹部K2限制主间隔物2m的移动。

[0146] 对图14(c)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机层间绝缘膜26中与副间隔物区域SA对应的区域挖通为矩形。此外，为了在有源矩阵基板表面形成成为主间隔物区域MA的第二凹部K2，将无机层间绝缘膜25中与主间隔物区域MA对应的区域挖通为矩形。在有机层间绝缘膜26的上层形成有取向膜9。彩色滤光片基板的结构与图14(a)相同。

[0147] 像这样，在图14(c)的结构中，通过将有机层间绝缘膜26的与副间隔物区域SA对应的部分挖通而形成第一凹部K1(较深的凹部)，通过将无机层间绝缘膜25的与主间隔物区域MA对应的部分挖通而形成第二凹部K2(较浅的凹部)。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1限制副间隔物2s的移动，用第二凹部K2限制主间隔物2m的移动。

[0148] 对图14(d)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成有机栅极绝缘膜21和比该有机栅极绝缘膜21更薄的无机栅极绝缘膜22。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机栅极绝缘膜21中与副间隔物区域SA对应的区域挖通为矩形。此外，为了在有源矩阵基板表面形成成为主间隔物区域MA的第二凹部K2，将无机栅极绝缘膜22中与主间隔物区域MA对应的区域挖通为矩形。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25，在其上层形成有取向膜9。彩色滤光片基板的结构与图14(a)相同。

[0149] 像这样，在图14(d)的结构中，通过将有机栅极绝缘膜21的与副间隔物区域SA对应的部分挖通而形成第一凹部K1(较深的凹部)，通过将无机栅极绝缘膜22的与主间隔物区域MA对应的部分挖通而形成第二凹部K2(较浅的凹部)。由此，能够抑制低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1限制副间隔物2s的移动，用第二凹部K2限制主间隔物2m的移动。

[0150] 在实施方式5中，由于第一凹部K1和第二凹部K2都形成于有源矩阵基板，因此通过与现有的彩色滤光片基板的组合，能够得到上述效果。另外，由于在各基板(3、30)表面仅形成凹部(K1、K2)，因此能够抑制取向膜的涂覆不良。

[0151] 〔实施方式6〕

[0152] 图15的(a)(c)(d)(f)是表示图2所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。另外，图15的(b)(e)是表示图8所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。在本实施方式中，在彩色滤光片基板30的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域Ma和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域Sa。

[0153] 对图15(a)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26。在有机层间绝缘膜26的上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将遮光层13中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在遮光层13上形成有共用电极28。在此，为了在彩色滤光片基板的表面形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，在共用电极28的与突出壁W2对应的部分上形成肋35，以覆盖共用电极28和肋35的方式形成有取向膜19。另外，由于对扫描信号线16使用了遮光性的金属，因此，即使如上所述遮光层13的一部分被挖通(被除去)，也几乎没有因漏光造成的对显示品质的影响。

[0154] 像这样，在图15(a)的结构中，通过将遮光层13局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过在共用电极28上形成肋35，从而形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3限制副间隔物2s的移动，用突出壁W2限制主间隔物2m的移动。

[0155] 图15(b)是如图7所示遮光层13为条纹形状的结构(参照图7)的图，该结构通过将图15(a)的遮光层13置换为着色层14能够得到。

[0156] 对图15(c)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图15(a)相同。在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在其上层形成外涂层膜34。在此，为了在彩色滤光片基板的表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将外涂层膜34中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在外涂层膜34上形成有共用电极28。在此，为了在彩色滤光片基板的表面形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，在共用电极28的与突出壁W2对应的部分上形成肋35，以覆盖共用电极28和肋35的方式，形成有取向膜19。

[0157] 像这样，在图15(c)的结构中，通过将外涂层膜34局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过在共用电极28上形成肋35而形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3限制副间隔物2s的移动，用突出壁W2限制主间隔物2m的移动。

[0158] 另外，也可以代替图15(a)的肋35，如该图(d)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。另外，在突起55上形成有共用电极28。另外，也可以代替图15(b)中的肋35，如该图(e)所示，在与突出壁W2对应的部分留下遮光层，由此形成突起55。另外，在突起55上形成有共用电极28。另外，也可以代替图15(c)的肋35，如该图(f)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。另外，在突起55上形成外涂层膜34。

[0159] 在实施方式6中，由于第三凹部K3和突出壁W2都形成于彩色滤光片基板，因此通过与现有的有源矩阵基板的组合能够得到上述效果。

[0160] 〔实施方式7〕

[0161] 图16的(a)(c)(d)(f)是表示图2所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。另外，图16的(b)(e)是表示图8所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。在本实施方式中，在彩色滤光片基板30的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域Ma和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域Sa。

[0162] 对图16(a)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在此，为了形成包围与主间隔物区域Ma相对的区域(以下，称Ma相对区域)的突出壁W1，在无机栅极绝缘膜22的与突出壁W1对应的部分上形成有具有半导体层和金属层的层叠结构的突起37。在无机栅极绝缘膜22的上层形成无机层间绝缘膜25，在其上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将遮光层13中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在遮光层13上形成有共用电极28，以覆盖该共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0163] 像这样，在图16(a)的结构中，通过将遮光层13局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37而形成有包围Ma相对区域的突出壁W1。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1限制主间隔物2m的移动。

[0164] 图16(b)是如图7所示遮光层13为条纹形状的结构(参照图7)的图，该结构通过将图16(a)的遮光层13置换为着色层14能够得到。

[0165] 对图16(c)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图16(a)相同。在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在其上层形成外涂层膜34。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将外涂层膜34中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在外涂层膜34上形成有共用电极28，以覆盖该共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0166] 像这样，在图16(c)的结构中，通过将外涂层膜34局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37，从而形成包围Ma相对区域的突出壁W1。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1限制主间隔物2m的移动。

[0167] 另外，也可以代替图16(a)的突起37，如图16(d)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图16(b)的突起37，如图16(e)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图16(c)的突起37，如图16(f)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45。

[0168] 〔实施方式8〕

[0169] 图17的(a)(c)(d)(f)是表示图2所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。另外，图17的(b)(e)是表示图8所示的液晶面板的具体的结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。在本实施方式中，在彩色滤光片基板30的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域Ma和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域Sa。

[0170] 对图17(a)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在此，为了形成包围与主间隔物区域Ma相对的区域(以下，称Ma相对区域)的突出壁W1，在无机栅极绝缘膜22的与突出壁W1对应的部分上，形成有具有半导体层和金属层的层叠结构的突起37。在无机栅极绝缘膜22的上层形成无机层间绝缘膜25，在其上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将遮光层13中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。此外，为了在彩色滤光片基板表面形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，在共用电极28的与突出壁W2对应的部分上形成肋35，以覆盖共用电极28和肋35的方式形成有取向膜19。

[0171] 像这样，在图17(a)的结构中，通过将遮光层13局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过在共用电极28上形成肋35，从而形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37，从而形成包围Ma相对区域的突出壁W1。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1、W2限制主间隔物2m的移动。

[0172] 图17(b)是如图7所示遮光层13为条纹形状的结构(参照图7)的图，该结构通过将图17(a)的遮光层13置换为着色层14可以得到。

[0173] 对图17(c)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图17(a)相同。在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13，在其上层形成外涂层膜34。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将外涂层膜34中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在外涂层膜34上形成有共用电极28。在此，为了在彩色滤光片基板的表面形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，在共用电极28的与突出壁W2对应的部分上形成肋35，以覆盖共用电极28和肋35的方式形成有取向膜19。

[0174] 像这样，在图17(c)的结构中，通过将外涂层膜34局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过在共用电极28上形成肋35，从而形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37，从而形成包围Ma相对区域的突出壁W1。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1、W2限制主间隔物2m的移动。

[0175] 另外，也可以代替图17(a)的肋35，如该图(d)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。另外，在突起55上形成有共用电极28。另外，也可以代替图17(b)的肋35，如该图(e)所示，在与突出壁W2对应的部分留下遮光层，由此形成突起55。另外，在突起55上形成有共用电极28。另外，也可以代替图17(c)的肋35，如该图(f)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。另外，在突起55上形成外涂层膜34。

[0176] 另外，也可以代替图17(a)中的突起37，如图18(a)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图17(b)中的突起37，如图18(b)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图17(c)中的突起37，如图18(c)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图17(d)中的突起37，如图18(d)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图17(e)中的突起37，如图18(e)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图17(f)中的突起37，如图18(f)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45。

[0177] 在实施方式8中，由于能够用突出壁W1、W2限制主间隔物2m的移动，因此能够提高其移动限制效果。

[0178] 〔实施方式9〕

[0179] 图19的(a)(c)(d)(f)是表示图2所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。另外，图19的(b)(e)是表示图8所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。在本实施方式中，在彩色滤光片基板30的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域Ma和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域Sa。

[0180] 对图19(a)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在此，为了形成包围与主间隔物区域Ma相对的区域(以下，称Ma相对区域)的突出壁W1，在无机栅极绝缘膜22的与突出壁W1对应的部分上，形成有具有半导体层和金属层的层叠结构的突起37。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25和比该无机层间绝缘膜25更厚的有机层间绝缘膜26。在此，为了形成与副间隔物区域Sa相对的凹部K7，将有机层间绝缘膜26中与副间隔物区域Sa对应的区域挖通为矩形。在有机层间绝缘膜26的上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将遮光层13中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。此外，为了在彩色滤光片基板的表面形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，在共用电极28的与突出壁W2对应的部分上形成肋35，以覆盖共用电极28和肋35的方式形成有取向膜19。

[0181] 像这样，在图19(a)的结构中，通过将遮光层13局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过将有机层间绝缘膜26局部地挖通而形成与副间隔物区域Sa相对的凹部K7，通过在共用电极28上形成肋35，从而形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37，从而形成包围Ma相对区域的突出壁W1。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3和凹部K7限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1、W2限制主间隔物2m的移动。

[0182] 图19(b)是如图7所示遮光层13为条纹形状的结构(参照图7)的图，该结构通过将图19(a)的遮光层13置换为着色层14可以得到。

[0183] 对图19(c)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图19(a)相同。在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13，在其上层形成外涂层膜34。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将外涂层膜34中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在外涂层膜34上形成有共用电极28。在此，为了在彩色滤光片基板的表面形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，在共用电极28的与突出壁W2对应的部分上形成肋35，以覆盖共用电极28和肋35的方式形成有取向膜19。

[0184] 像这样，在图19(c)的结构中，通过将外涂层膜34局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过将有机层间绝缘膜26局部地挖通，从而形成与副间隔物区域Sa相对的凹部K7，通过在共用电极28上形成肋35，从而形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37，从而形成包围Ma相对区域的突出壁W1。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3和凹部K7限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1、W2限制主间隔物2m的移动。

[0185] 对图19(d)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成有机栅极绝缘膜21和比该有机栅极绝缘膜21更薄的无机栅极绝缘膜22。在此，为了形成与副间隔物区域Sa相对的凹部K7，将有机栅极绝缘膜21中与副间隔物区域Sa对应的区域挖通为矩形。此外，为了形成包围与主间隔物区域Ma相对的区域(以下，称Ma相对区域)的突出壁W1，在无机栅极绝缘膜22的与突出壁W1对应的部分上，形成有具有半导体层和金属层的层叠结构的突起37。在无机栅极绝缘膜22上的上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将遮光层13中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。此外，为了在彩色滤光片基板的表面形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，在共用电极28的与突出壁W2对应的部分上形成肋35，以覆盖共用电极28和肋35的方式形成有取向膜19。

[0186] 像这样，在图19(d)的结构中，通过将遮光层13局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过将有机栅极绝缘膜21局部地挖通而形成与副间隔物区域Sa相对的凹部K7，通过在共用电极28上形成肋35，从而形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37，从而形成包围Ma相对区域的突出壁W1。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3和凹部K7限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1、W2限制主间隔物2m的移动。

[0187] 图19(e)是如图7所示遮光层13为条纹形状的结构(参照图7)的图，该结构通过将图19(d)的遮光层13置换为着色层14可以得到。

[0188] 对图19(f)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图19(d)相同。彩色滤光片基板的结构与图19(c)相同。

[0189] 像这样，在图19(f)的结构中，通过将外涂层膜34局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过将有机栅极绝缘膜21局部地挖通，从而形成与副间隔物区域Sa相对的凹部K7，通过在共用电极28上形成肋35，从而形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37，从而形成包围Ma相对区域的突出壁W1。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3和凹部K7限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1、W2限制主间隔物2m的移动。

[0190] 另外，也可以代替图19(a)中的肋35，如图20(a)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。另外，在突起55上形成有共用电极28。另外，也可以代替图19(b)的肋35，如图20(b)所示，在与突出壁W2对应的部分留下遮光层，由此形成突起55。另外，在突起55上形成有共用电极28。另外，也可以代替图19(c)的肋35，如图20(c)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。另外，在突起55上形成外涂层膜34。另外，也可以代替图19(d)的肋35，如图20(d)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。并且，在突起55上形成共用电极28。另外，也可以代替图19(e)的肋35，如图20(e)所示，在与突出壁W2对应的部分留下遮光层，由此形成突起55。并且，在突起55上形成共用电极28。另外，也可以代替图19(f)的肋35，如图20(f)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。并且，在突起55上形成外涂层膜34。

[0191] 另外，也可以代替图19(a)中的突起37，如图21(a)所示(在有机层间绝缘膜26上)形成肋45，也可以代替图19(b)的突起37，如图21(b)所示(在有机层间绝缘膜26上)形成肋45，也可以代替图19(c)中的突起37，如图21(c)所示(在有机层间绝缘膜26上)形成肋45，也可以代替图19(d)中的突起37，如图21(d)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图19(e)中的突起37，如图21(d)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图19(f)中的突起37，如图21(f)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45。

[0192] 另外，也可以代替图21(a)中的肋35，如图22(a)所示在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。并且，在突起55上形成共用电极28。另外，也可以代替图21(b)中的肋35，如图22(b)所示，在与突出壁W2对应的部分留下遮光层，由此形成突起55。并且，在突起55上形成共用电极28。另外，也可以代替图21(c)中的肋35，如图22(c)所示在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。并且，在突起55上形成外涂层膜34。另外，也可以代替图21(d)中的肋35，如图22(d)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。并且，在突起55上形成共用电极28。另外，也可以代替图21(e)中的肋35，如图22(e)所示，在与突出壁W2对应的部分留下遮光层，由此形成突起55。并且，在突起55上形成共用电极28。另外，也可以代替图21(f)中的肋35，如图22(f)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。并且，在突起55上形成外涂层膜34。

[0193] 在实施方式9中，由于能够用第三凹部K3和凹部K7限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1、W2限制主间隔物2m的移动，因此能够提高各间隔物的移动限制效果。

[0194] 〔实施方式10〕

[0195] 图23的(a)(c)(d)(f)是表示图2所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。另外，图23的(b)(e)是表示图8所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。在本实施方式中，在彩色滤光片基板30的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域Ma和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域Sa。

[0196] 对图23(a)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25和比该无机层间绝缘膜25更厚的有机层间绝缘膜26。在此，为了形成与副间隔物区域Sa相对的凹部K7，将有机层间绝缘膜26中与副间隔物区域Sa对应的区域挖通为矩形。此外，为了形成与主间隔物区域Ma相对的凹部K5，将有机层间绝缘膜26中与主间隔物区域Ma对应的区域挖通为矩形。在有机层间绝缘膜26的上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将遮光层13中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在遮光层13的上层形成共用电极28，以覆盖该共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0197] 像这样，在图23(a)的结构中，通过将遮光层13局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过将有机层间绝缘膜26局部地挖通而形成与副间隔物区域Sa相对的凹部K7和与主间隔物区域Ma相对的凹部K5。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3和凹部K7限制副间隔物2s的移动，用凹部K5限制主间隔物2m的移动。

[0198] 图23(b)是如图7所示遮光层13为条纹形状的结构(参照图7)的图，该结构通过将图23(a)的遮光层13置换为着色层14可以得到。

[0199] 对图23(c)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图23(a)相同。在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13，在其上层形成外涂层膜34。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将外涂层膜34中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在外涂层膜34上形成共用电极28，以覆盖该共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0200] 像这样，在图23(c)的结构中，通过将外涂层膜34局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过将有机层间绝缘膜26局部地挖通而形成与副间隔物区域Sa相对的凹部K7和与主间隔物区域Ma相对的凹部K5。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3和凹部K7限制副间隔物2s的移动，用凹部K5限制主间隔物2m的移动。

[0201] 对图23(d)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成有机栅极绝缘膜21和比该有机栅极绝缘膜21更薄的无机栅极绝缘膜22。在此，为了形成与副间隔物区域Sa相对的凹部K7，将有机栅极绝缘膜21中与副间隔物区域Sa对应的区域挖通为矩形。此外，为了形成与主间隔物区域Ma相对的凹部K5，在有机栅极绝缘膜21中与主间隔物区域Ma对应的区域挖通为矩形。在无机栅极绝缘膜22上的上层形成有无机层间绝缘膜25，在其上层形成有取向膜9。彩色滤光片基板的结构与图23(a)相同。

[0202] 像这样，在图23(d)的结构中，通过将遮光层13局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过将有机栅极绝缘膜21局部地挖通而形成与副间隔物区域Sa相对的凹部K7和与主间隔物区域Ma相对的凹部K5。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3和凹部K7限制副间隔物2s的移动，用凹部K5限制主间隔物2m的移动。

[0203] 图23(e)是如图7所示遮光层13为条纹形状的结构(参照图7)的图，该结构通过将图23(d)的遮光层13置换为着色层14可以得到。

[0204] 对图23(f)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图23(d)相同。彩色滤光片基板的结构与图23(c)相同。

[0205] 这样，在图23(f)的结构中，通过将外涂层膜34局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过将有机栅极绝缘膜21局部地挖通而形成与副间隔物区域Sa相对的凹部K7和与主间隔物区域Ma相对的凹部K5。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3和凹部K7限制副间隔物2s的移动，用凹部K5限制主间隔物2m的移动。

[0206] 在实施方式10中，由于在各基板(3、30)的表面仅形成凹部(K3、K5、K7)，因此能够抑制取向膜的涂覆不良。另外，由于能够用第三凹部K3和凹部K7限制副间隔物2s的移动，因此能够提高其移动限制效果。

[0207] 〔实施方式11〕

[0208] 图24的(a)(c)(d)(f)是表示图2所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。另外，图24的(b)(e)是表示图8所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。在本实施方式中，在彩色滤光片基板30的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域Ma和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域Sa。

[0209] 对图24(a)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在此，为了形成包围与主间隔物区域Ma相对的区域(以下，称Ma相对区域)的突出壁W1，在无机栅极绝缘膜22的与突出壁W1对应的部分上，形成有具有半导体层和金属层的层叠结构的突起37。此外，为了形成包围与副间隔物区域Sa相对的区域(以下，称Sa相对区域)的突出壁W3，在无机栅极绝缘膜22的与突出壁W3对应的部分上，形成有具有半导体层和金属层的层叠结构的突起38。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25，在其上层形成有取向膜9。

[0210] 另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将遮光层13中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在遮光层13上形成有共用电极28，以覆盖该共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0211] 像这样，在图24(a)的结构中，通过将遮光层13局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37，而形成包围Ma相对区域的突出壁W1，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起38，而形成包围Sa相对区域的突出壁W3。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3和突出壁W3限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1限制主间隔物2m的移动。

[0212] 图24(b)是如图7所示遮光层13为条纹形状的结构(参照图7)的图，该结构通过将图24(a)的遮光层13置换为着色层14可以得到。

[0213] 对图24(c)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图24(a)同样。在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13，在其上层形成外涂层膜34。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将外涂层膜34中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在外涂层膜34上形成有共用电极28，以覆盖该共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0214] 像这样，在图24(c)的结构中，通过将外涂层膜34局部地挖通而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起37，而形成包围Ma相对区域的突出壁W1，通过在无机栅极绝缘膜22上形成突起38，而形成包围Sa相对区域的突出壁W3。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3和突出壁W3限制副间隔物2s的移动，用突出壁W1限制主间隔物2m的移动。

[0215] 另外，也可以代替图24(a)的突起37，如图24(d)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图24(b)中的突起37，如图24(e)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45，也可以代替图24(c)的突起37，如图24(f)所示(在无机层间绝缘膜25上)形成肋45。

[0216] 在实施方式11中，由于能够用第三凹部K3和突出壁W3限制副间隔物2s的移动，因此能够提高其移动限制效果。

[0217] 〔实施方式12〕

[0218] 图25的(a)(c)(d)(f)是表示图2所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。另外，图25的(b)(e)是表示图8所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域Ma和副间隔物区域Sa的截面图。在本实施方式中，在彩色滤光片基板30的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域Ma和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域Sa。

[0219] 对图25(a)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25，在其上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3(较深的凹部)，将遮光层13中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在遮光层13的上层形成外涂层膜34。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3(较深的凹部)，将外涂层膜34中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。此外，为了在彩色滤光片基板表面形成成为主间隔物区域Ma的第四凹部K4(较浅的凹部)，将外涂层膜34中与主间隔物区域Ma对应的部分挖通为矩形。在外涂层膜34的上层形成有共用电极28，以覆盖该共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0220] 这样，在图25(a)的结构中，通过将遮光层13的与副间隔物区域Sa对应的部分挖通，并且将外涂层膜34的与副间隔物区域Sa对应的部分挖通，从而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部(较深的凹部)K3，通过将外涂层膜34的与主间隔物区域Ma对应的部分挖通，而形成成为主间隔物区域Ma的第四凹部(较浅的凹部)K4。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3限制副间隔物2s的移动，用第四凹部K4限制主间隔物2m的移动。

[0221] 图25(b)是如图7所示遮光层13为条纹形状的结构(参照图7)的图，该结构通过将图25(a)的遮光层13置换为着色层14可以得到。

[0222] 对图25(c)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图25(a)相同。在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3(较深的凹部)，将遮光层13中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。此外，为了在彩色滤光片基板表面形成成为主间隔物区域Ma的第四凹部K4(较浅的凹部)，将遮光层13中与主间隔物区域Ma对应的部分挖通为矩形。在遮光层13的上层形成外涂层膜34。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3(较深的凹部)，将外涂层膜34中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在外涂层膜34的上层形成共用电极28，以覆盖该共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0223] 像这样，在图25(a)的结构中，通过将遮光层13的与副间隔物区域Sa对应的部分挖通，并且将外涂层膜34的与副间隔物区域Sa对应的部分挖通，从而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部(较深的凹部)K3，通过将遮光层13的与主间隔物区域Ma对应的部分挖通，从而形成成为主间隔物区域Ma的第四凹部(较浅的凹部)K4。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3限制副间隔物2s的移动，用第四凹部K4限制主间隔物2m的移动。

[0224] 对图25(d)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图25(a)相同。在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3(较深的凹部)，将遮光层13中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。为了在彩色滤光片基板表面形成成为主间隔物区域Ma的第四凹部K4(较浅的凹部)，将遮光层13中的与主间隔物区域Ma对应的部分局部较薄地形成。在遮光层13的上层形成有共用电极28，以覆盖该共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0225] 像这样，在图25(d)的结构中，通过将遮光层13的与副间隔物区域Sa对应的部分挖通，从而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部(较深的凹部)K3，通过较薄地形成遮光层13的与主间隔物区域Ma对应的部分，从而形成成为主间隔物区域的第四凹部(较浅的凹部)K4。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3限制副间隔物2s的移动，用第四凹部K4限制主间隔物2m的移动。

[0226] 图25(e)是如图7所示遮光层13为条纹形状的结构(参照图7)的图，该结构通过将图25(d)的遮光层13置换为着色层14可以得到。

[0227] 对图25(f)的结构进行说明如下。有源矩阵基板的结构与图25(a)相同。在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在遮光层13的上层形成外涂层膜34。在此，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3(较深的凹部)，将其中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。此外，为了在彩色滤光片基板表面形成成为主间隔物区域Ma的第四凹部K4(较浅的凹部)，局部较薄地形成外涂层膜34中与主间隔物区域Ma对应的部分。在外涂层膜34的上层形成共用电极28，以覆盖该共用电极28的方式，形成有取向膜19。

[0228] 像这样，在图25(f)的结构中，通过将外涂层膜34的与副间隔物区域Sa对应的部分挖通，从而形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部(较深的凹部)K3，通过较薄地形成外涂层膜34的与主间隔物区域Ma对应的部分，从而形成成为主间隔物区域的第四凹部(较浅的凹部)K4。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡的发生，同时能够用第三凹部K3限制副间隔物2s的移动，用第四凹部K4限制主间隔物2m的移动。

[0229] 在实施方式12中，由于第三凹部K3和凹部K4都形成于彩色滤光片基板，因此通过与现有的有源矩阵基板的组合，能够得到上述效果。

[0230] 〔实施方式13〕

[0231] 图32(a)～(d)是表示图1所示的液晶面板的具体结构例的图，是该图的主间隔物区域MA和副间隔物区域SA的截面图。在本实施方式中，在有源矩阵基板3的液晶材料40侧的表面，按照与扫描信号线16和遮光层13重叠的方式，形成有用于配置主间隔物2m的主间隔物区域MA和用于配置副间隔物2s的副间隔物区域SA。副间隔物区域SA和主间隔物区域MA都为矩形。

[0232] 对图32(a)的结构进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成有机栅极绝缘膜21和比该有机栅极绝缘膜21更薄的无机栅极绝缘膜22。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机栅极绝缘膜21的与副间隔物区域SA对应的部分挖通为矩形。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25，在其上层形成有取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13，以覆盖该遮光层的方式形成共用电极28。在此，为了在彩色滤光片基板的表面形成包围与主间隔物区域MA相对的区域(以下，称MA相对区域)的突出壁W2，在共用电极28的与突出壁W2对应的部分上形成肋35，并且为了在彩色滤光片基板的表面形成包围与副间隔物区域SA相对的区域(以下，称SA相对区域)的突出壁W4，在共用电极28的与突出壁W4对应的部分上形成肋35，以覆盖共用电极28和肋35的方式形成有取向膜19。另外，肋35能够与形成于彩色滤光片基板的取向限制用肋同时形成。

[0233] 像这样，在图32(a)的结构中，通过将有机栅极绝缘膜21局部地挖通而形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，通过在共用电极28上形成肋35，从而形成包围MA相对区域的突出壁W2和包围SA相对区域的突出壁W4。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1和突出壁W4限制副间隔物2s的移动，用突出壁W2限制主间隔物2m的移动。

[0234] 对图32(b)的构成进行说明如下。即，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成扫描信号线16，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在无机栅极绝缘膜22上形成无机层间绝缘膜25和比该无机层间绝缘膜25更厚的有机层间绝缘膜26。在此，为了在有源矩阵基板表面形成成为副间隔物区域SA的第一凹部K1，将有机层间绝缘膜26的与副间隔物区域SA对应的部分挖通为矩形。在有机层间绝缘膜26的上层形成有取向膜9。彩色滤光片基板的构成与图32(a)相同。

[0235] 像这样，在图32(b)的结构中，通过将有机层间绝缘膜26局部地挖通而形成第一凹部K1，通过在共用电极28上形成肋35，从而形成包围MA相对区域的突出壁W2和包围SA相对区域的突出壁W4。由此，能够抑制在低温下等的液晶气泡(两基板间的液晶材料不存在的空间)的发生，同时能够用第一凹部K1和突出壁W4限制副间隔物2s的移动，用突出壁W2限制主间隔物2m的移动。

[0236] 另外，也可以代替图32(a)中的肋35，如该图(c)所示，在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。另外，在突起55上形成有共用电极28。另外，也可以代替图32(b)中的肋35，如该图(d)所示在与突出壁W2对应的部分留下着色层14，使遮光层层叠在该着色层14上，由此形成突起55。

[0237] 〔关于上述各实施方式〕

[0238] 在上述各结构中，也可以代替有机栅极绝缘膜21，而使用比无机栅极绝缘膜22更厚的无机绝缘膜(例如，由硅氧烷化合物形成的绝缘膜)。另外，也可以代替有机层间绝缘膜26，而使用比无机层间绝缘膜25更厚的无机绝缘膜。

[0239] 在图13的(a)～(f)中，副间隔物2s按照与有源矩阵基板接触的方式配置，但也可以将副间隔物2s按照与彩色滤光片基板接触的方式配置。另外，在图19的(a)～(f)、图20的(a)～(f)、图21的(a)～(f)、图22的(a)～(f)、图23的(a)～(f)和图24的(a)～(f)中，副间隔物2s按照与彩色滤光片基板接触的方式配置，但也可以将副间隔物2s按照与有源矩阵基板接触的方式配置。

[0240] 在图10的(a)、(b)、图11的(a)～(d)、图16的(a)～(c)、图17、19、20、24各自的(a)～(f)的结构中，由于突起37的半导体层在形成晶体管的沟道部的工序中形成，突起37的金属层在形成数据信号线等的工序中形成，因此具有无需另外设置形成突起37的工序等的优点。

[0241] 在图10的(d)、图12的(b)、(d)、和图21、22各自的(a)～(c)中，在具有平坦化效果的有机层间绝缘膜26(较厚的层间绝缘膜)上设置有突起(突起37或突起45)，因此具有易于确保突出壁的高度等的优点。

[0242] 在上述的图9、11、12各自的(c)、(d)、图15、17、18各自的(d)、图20、图22各自的(a)、(d)、和图32的(c)、(d)所示的各结构中，也可以如图33(a)所示，代替突起55而形成由着色层14和遮光层13的层叠膜构成的突起61。在这种情况下，在与突出壁W2对应的部分留下双层(双色)的着色层，在其上层形成遮光层13。另外，在上述各结构中，也可以如图33(b)所示，代替突起55而形成由双层(双色)的着色层(例如，14(G)、14(B))的层叠膜形成的突起62。在这种情况下，在与突出壁W2对应的部分留下三层的着色层14(R)、14(G)、14(B)，除去与突出壁W2对应的部分的遮光层。另外，在形成遮光层之后形成着色层的情况下，在上述各构成中，也可以如图33(c)所示，代替突起55而形成由着色层构成的突起63。即，在遮光层13形成之后再形成着色层14时，不除去而是留下与突出壁W2对应的部分的着色层。

[0243] 在上述的图15、17、18各自的(f)、图20、22各自的(c)、(f)所示的各结构中，也可以如图33(d)所示，代替突起55，而形成由着色层14和遮光层13的层叠膜形成的突起61。在这种情况下，在对应于突出壁W2的部分留下双层(双色)的着色层，在其上层形成遮光层13。另外，在上述各结构中，也可以如图33(e)所示，代替突起55，而形成由双层的着色层(例如，14(G)、14(B))的层叠膜形成的突起62。在这种情况下，在与突出壁W2对应的部分留下三层的着色层14(R)、14(G)、14(B)，除去与突出壁W2对应的部分的遮光层。另外，在形成遮光层之后再形成着色层的情况下，在上述各结构中，也可以如图33(f)所示，代替突起55而形成由着色层形成的突起63。即，在遮光层13形成后再形成着色层时，不除去而是留下与突出壁W2对应的部分的着色层。

[0244] 在上述的图15、17、18各自的(e)、图20、22各自的(b)、(e)所示的各结构中，也可以如图33(g)所示，代替突起55而形成由着色层14和遮光层13的层叠膜形成的突起61。在这种情况下，在着色层14上的与突出壁W2对应的部分留下一层着色层，在其上层形成遮光层13。另外，在上述各结构中，也可以如图33(h)所示，代替突起55而形成由双层的着色层(例如，14(G)、14(B))的层叠膜形成的突起62。在这种情况下，在着色层14上的与突出壁W2对应的部分留下双层的着色层14(G)、14(B)，除去与突出壁W2对应的部分的遮光层。另外，在形成遮光层之后再形成着色层的情况下，在上述各结构中，也可以如图33(i)所示，代替突起55而形成由着色层构成的突起63。即，在与突出壁W2对应的部分留下遮光层13，使着色层层叠在该遮光层13上。

[0245] 在上述各实施方式中，将副间隔物区域和主间隔物区域按照与扫描信号线16重叠的方式形成，但不局限于此。例如，也可以如图27所示将副间隔物区域和主间隔物区域按照与保持电容配线18重叠的方式形成。图28表示该情况下的各区域(MA、SA)的截面图。如该图所示，在有源矩阵基板中，在透明基板31上形成保持电容配线18，在其上层形成无机栅极绝缘膜22。在无机栅极绝缘膜22上形成与晶体管的漏极电极连接的漏极引出电极27，在其上层形成无机层间绝缘膜25和比该无机层间绝缘膜25更厚的有机层间绝缘膜26。在此，按照与漏极引出电极27重叠的方式，将无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜26挖通形成接触孔11，由此像素电极17和漏极引出电极27连接。并且，将由该接触孔11形成的有源矩阵基板表面的凹部K1作为副间隔物区域SA而利用。在有机层间绝缘膜26的上层形成取向膜9。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成着色层14，以覆盖该着色层14的方式形成共用电极28。在此，为了在彩色滤光片基板的表面形成包围与主间隔物区域MA相对的区域的突出壁W2，在共用电极28的与突出壁W2对应的部分上形成肋
35，以覆盖共用电极28和肋35的方式形成有取向膜19。在图28的构成中，由连接像素电极17和漏极引出电极27的接触孔形成第一凹部K1，因此也具有省略在另外的工序中形成第一凹部K1的麻烦等的效果。

[0246] 另外，在彩色滤光片基板侧形成突出壁的结构中，也可以将该突出壁由着色层和遮光层的重叠(隆起)而形成。图29表示这一例。有源矩阵基板的构成与图15(a)相同。另一方面，在彩色滤光片基板中，在透明基板32上形成遮光层(黑矩阵)13。在此，为了在彩色滤光片基板的表面形成包围主间隔物区域Ma的突出壁W2，将遮光层13的端部和着色层14的端部重叠，该重叠部以与突出壁W2对应的方式构成。此外，为了在彩色滤光片基板表面形成成为副间隔物区域Sa的第三凹部K3，将遮光层13中与副间隔物区域Sa对应的部分挖通为矩形。在遮光层13和着色层14的上层形成共用电极28，以覆盖该共用电极28的方式形成有取向膜19。

[0247] 在此，利用图30对用于将遮光层13局部挖通的一个方法进行说明。如该图所示，首先，形成与三原色(红、绿、蓝)对应的第一～第三着色层14(参照图30(a))。其次，将分散有碳微粒的负型丙烯酸黑色感光性树脂膜13x通过旋涂法等以覆盖着色层的方式涂覆(参照图30(b))后，进行干燥，利用光掩模从表面进行曝光(参照图30(c))。此时所使用的光掩模FM具有与形成有各着色层14的像素区域相当的部位、和与位于各着色层14的间隙区域的挖通部(长方形形状)相当的部位未被曝光的图案，因此，上述两个部位因未被曝光而未固化，其它部分(例如，挖通部的周围)通过曝光而固化。此后，通过进行显影，除去大致未固化的状态的部分。另外，大致未固化状态包括从通过显影而基本上能够除去的程度的固化状态到完全未固化状态。该结果是，在与形成有各着色层14的像素区域相当的部位，黑色感光性树脂膜被除去，在与位于各着色层14的间隙区域的挖通部相当的部位，黑色感光性树脂膜也被除去，在与挖通部的周围相当的部位，黑色感光性树脂膜13x原封不动地被留下，得到形成图案为所希望形状的遮光层(黑矩阵)13(参照图30(d))。

[0248] 另外，在如图25(d)所示局部较薄地形成遮光层13的情况下，进行图31所示的工序。即，形成第一着色层14(红)、第二着色层14(绿)、和第三着色层14(蓝)(参照图31(a))，将分散有碳微粒的负型丙烯酸黑色感光性树脂膜13x通过旋涂法等以覆盖着色层的方式涂覆(参照图31(b))后，进行干燥，利用光掩模FM从表面进行曝光(参照图31(c))。此时使用的光掩模具有与形成有各着色层14的像素区域相当的部位、和与位于各着色层14的间隙区域的薄膜部(长方形形状)相当的部位未被曝光的图案，因此，上述两个部位因未被曝光而未固化，其它部分(例如，薄膜部的周围)因曝光而固化。接着，以着色层14为掩模，将黑色感光性树脂膜13x从透明基板32的背面进行曝光(背面曝光)(参照图31(d))。由此，位于各着色层14的间隙区域的部分其背面附近进行固化。此后，通过进行显影，除去大致未固化状态的部分。该结果是，在与形成有各着色层14的像素区域相当的部位，黑色感光性树脂膜被除去，在与位于各着色层的间隙区域的薄膜部相当的部位，黑色感光性树脂膜较薄地留下，在与薄膜部的周围相当的部位，黑色感光性树脂膜原封不动(较厚)地留下，得到形成图案为所希望形状的黑矩阵13(参照图31(e))。另外，通过调整背面曝光时的曝光量，能够调整薄膜部的黑色感光性树脂的膜厚。另外，该方法在局部较薄地形成着色层的情况下也可适用。在这种情况下，只要对负型着色感光性树脂膜实施从使用了光掩模的表面的曝光、和以其它着色层和遮光层为掩模的从透明基板的背面的曝光，并且进行显影即可。

[0249] 如上所述，形成着色层14和黑矩阵13之后，通过溅射形成由ITO等透明电极构成的共用电极28(参照图30(e)、图31(f))，在其上通过喷墨法等涂覆取向膜。另外，在上述制造工序中，在形成着色层(R、G、B)后再形成遮光层(黑矩阵)，但不限定于此。也可以在形成遮光层(黑矩阵)后再形成着色层(R、G、B)。

[0250] 在本实施方式中，将遮光层13(黑矩阵)的膜厚设定为2.0μm左右(较薄的部分为1.0μm左右)，将着色层的膜厚设定为1.8μm左右，将第三凹部K3的深度设定为2.0μm左右。另外，将副间隔物区域的凹部(第一或第三凹部K1、K3)的形状设定为边长约60μm的正方形。

[0251] 在本液晶面板中，将位于数据信号线上的遮光层13局部地挖通，由此能够在彩色滤光片基板表面形成凹部。但是，由于扫描信号线、保持电容配线与数据信号线相比，配线宽度宽，因此可以说在扫描信号线上或保持电容配线上形成主间隔物区域、副间隔物区域较容易。即，即使在凹部突出数据信号线的情况下，如果是扫描信号线、保持电容配线的宽度，则有可能不突出而被容纳，另外，即使在配合凹部加大配线宽度的情况下，也减少对开口率的影响即可。顺便说明，扫描信号线的宽度比数据信号线宽的理由是，在按平均每一根考虑的情况下，形成于扫描信号线和数据信号线交叉的部位的寄生电容部的数量为，相比于数据信号线在扫描信号线一方较多，另外配线长度也是扫描信号线一方较大，因此为了抑制信号延迟，需要降低电阻(加大配线宽度)。另外，为了确保必要的保持电容，对于保持电容配线，往往为了赢得其与像素电极或漏极引出电极重叠的面积加宽配线宽度。

[0252] 另外，在上述各实施方式中，对于无机栅极绝缘膜22，也可以使用SiNx(氮化硅)，对于无机层间绝缘膜25，也可以使用膜厚约0.3μm的SiNx，对于有机层间绝缘膜26，也可以使用膜厚约2.0μm的丙烯酸树脂。

[0253] 另外，有机栅极绝缘膜21只要是绝缘性的材料都可以，但优选含有机物的材料、旋涂玻璃(SOG)材料。SOG材料是通过旋涂法等涂覆法能够形成玻璃膜(硅膜)的材料。在SOG材料中，更优选例如含有有机成分的旋涂玻璃材料(所谓的有机SOG材料)。作为有机SOG材料，尤其可以优选使用以Si-O-C键为骨架的SOG材料、以Si-C键为骨架的SOG材料。有机SOG材料介电常数低，容易形成较厚的膜。即，如果使用有机SOG材料，则能够降低有机栅极绝缘膜21的介电常数同时易于将其较厚地形成，并且能够进行平坦化。在本实施方式中，将有机栅极绝缘膜21的厚度设定为1.5μm～2.0μm左右。另外，作为含有机物的材料，除上述SOG材料以外，还具有丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚硅氧烷树脂等。

[0254] 在上述实施方式中，利用旋涂法，按照覆盖保持电容配线18和扫描信号线16的方式，将SOG材料等涂覆，形成有机栅极绝缘膜21(平坦化膜)。在此，在将有机栅极绝缘膜21局部挖通的情况下，在有机栅极绝缘膜21上涂覆光致抗蚀剂，利用光掩模进行曝光，再实施显影。接下来，进行干式蚀刻。对于该干式蚀刻，使用例如四氟化氢(CF4)和氧(O2)的混合气体。

[0255] 另外，在将有机栅极绝缘膜局部形成为较薄的情况下，只要对该区域的正型光致抗蚀剂实施半曝光即可。显影之后，已实施了半曝光的区域与其他的抗蚀剂区域相比，抗蚀剂膜厚变薄，因此在干式蚀刻处理进行中，抗蚀剂被蚀刻除去，在干式蚀刻结束时，能够得到局部变薄的有机栅极绝缘膜。上述的将有机栅极绝缘膜局部挖通的方法、将有机栅极绝缘膜局部形成得较薄的方法可适用于各种树脂材料。

[0256] 另外，在SOG材料或各种树脂材料具有正型感光性的情况下，将SOG材料或各种树脂材料通过旋涂法涂覆之后，利用光掩模实施曝光，由此在显影后，已实施了曝光的区域被局部挖通，另外，通过利用光掩模实施半曝光，当显影后，已实施了半曝光的区域局部地形成得较薄。这样，在绝缘性的材料为感光性的情况下，由于不需要实施干式蚀刻处理等，因此可以缩短工序，并且在局部地形成较薄的区域的情况下，具有只以半曝光的精度就可以控制残留膜量(不影响干式蚀刻的精度)等的优点。另外，上述的将有机栅极绝缘膜局部挖通、或局部形成得较薄的方法对于有机层间绝缘膜、外涂层膜也可适用。

[0257] 在此，对用上述的彩色滤光片基板和有源矩阵基板制造液晶面板的一个方法进行说明如下。

[0258] 首先，如下所述，在形成于彩色滤光片基板表面的凹部通过喷墨法设置间隔物。另外，在此表示在彩色滤光片基板表面设置间隔物的制造方法，但在有源矩阵基板表面设置间隔物的情况下，也可以通过同样的方法进行设置。通过喷墨法将间隔物配置于规定位置的方法在日本国公开特许公报“特开昭57-58124”等中有记载。

[0259] 即，将含有间隔物的异丙醇等液滴从喷墨涂覆装置喷射，使其着落于凹部。在此，间隔物为表面以粘结剂包覆且由合成树脂构成的球状的粒子(直径约3μm)。之后，当使墨水(液滴)干燥时，间隔物通过其表面的粘接剂固定于凹部。另外，粘接剂优选具有热固化型的粘接剂，在这种情况下，在将两基板粘合前，将涂覆有间隔物的基板加热，使间隔物固定于基板。

[0260] 关于液晶的封入方法，例如也可以用如下的真空注入法等方法进行，即：用热固化型密封树脂在基板周边局部设置用于液晶注入的注入口，在真空下将注入口浸没于液晶，通过大气开放将液晶注入，其后，用UV固化树脂等密封注入口。另外，也可以利用如下所述的液晶滴落粘合法。

[0261] 即，在有源矩阵基板侧的周围涂覆UV固化型密封树脂，在彩色滤光片基板通过滴落法将最佳的液晶量规则地滴落于密封材料的内侧部分。该滴落量根据单元间隙值和在单元内应该填充液晶的容积值来决定。

[0262] 另外，为了将如上所述进行了密封处理和液晶滴落的彩色滤光片基板和有源矩阵基板粘合，将粘合装置内的氛围减压到1Pa，在该减压下进行基板的粘合后，将氛围气恢复到大气压。

[0263] 接着，对得到所希望的单元间隙的结构体，用UV固化装置进行UV照射，进行密封树脂的临时固化。另外，为了进行密封树脂的最终固化而进行烘焙。在该时刻，达到液晶遍布密封树脂的内侧并且液晶充填于单元内的状态。在烘焙结束后，通过将结构体分割，完成液晶面板制造。

[0264] 在本实施方式中，如下所述构成本液晶显示单元和液晶显示装置。

[0265] 即，在清洗后的液晶面板的两面粘贴偏光板。另外，也可以根据需要在偏光板上层叠光学补偿片等。接着，如图34(a)所示，连接驱动器(栅极驱动器102、源极驱动器101)。在此，作为一例，对将驱动器基于TCP(Tape Career Package：卷带式封装)方式的连接进行说明。首先，在液晶面板的端子部临时压接ACF(Anisotoropi ConduktiveFilm：异方性导电膜)。其次，从载带冲压装载有驱动器的TCP，与面板端子电极对位，进行加热、正式压接。
其后，通过ACF将用于连结驱动器TCP彼此的电路基板103(PWB：Printed Wiring Board)和TCP的输入端子连接。由此，完成液晶显示单元100。

[0266] 其后，如图34(b)所示，在液晶显示单元的各驱动器(101、102)，经由电路基板103连接显示控制电路113，通过与照明装置(背光源单元)104一体化，由此成为液晶显示装置110。

[0267] 接着，对将本液晶显示装置应用于电视接收机时的一个结构例进行说明。图35是表示电视接收机用的液晶显示装置110的构成的框图。液晶显示装置110具备：液晶显示单元100、Y/C分离电路80、视频色度电路81、A/D转换器82、液晶控制器83、背光源驱动电路85、背光源86、微型电子计算机(微型计算机)87、灰度等级电路98。

[0268] 上述液晶显示单元100包括上述各实施方式所示的液晶面板、和用于驱动该液晶面板的源极驱动器和栅极驱动器。

[0269] 在上述结构的液晶显示装置110中，首先，作为电视信号的复合彩色视频信号Scv从外部输入到Y/C分离电路80，于是，分离为亮度信号和色信号。这些亮度信号和色信号由视频色度电路81转换为对应于光的三原色的模拟RGB信号，并且，该模拟RGB信号通过A/D转换器82转换为数字RGB信号。该数字RGB信号被输入到液晶控制器83。另外，在Y/C分离电路80中，从由外部输入的复合彩色视频信号Scv中也取出水平和垂直同步信号，这些同步信号也经由微型电子计算机87输入到到液晶控制器83。

[0270] 数字RGB信号与基于上述同步信号的定时信号一同以规定的定时从液晶控制器83输入到液晶显示单元100。另外，在灰度等级电路98中生成彩色显示的三原色R、G、B各自的灰度等级电压，这些灰度等级电压也供给到液晶显示单元100。在液晶显示单元100中，基于这些RGB信号、定时信号和灰度等级电压，由内部的源极驱动器和栅极驱动器等生成驱动用信号(数据信号、扫描信号等)，基于这些驱动用信号，在内部的显示部显示彩色图像。另外，为了通过该液晶显示单元100显示图像，需要从液晶显示单元100的后方照射光，在该液晶显示装置110中，在微型电子计算机87的控制下，背光灯驱动电路85驱动背光灯86，由此对本液晶面板的背面照射光。

[0271] 包括上述的处理，系统整体的控制都是微型电子计算机87进行。另外，作为从外部输入的视频信号(复合彩色视频信号)，不仅基于电视播放的视频信号能够使用，而且由摄像机拍摄的视频信号、经由网络线路供给的视频信号等也能够使用，在该液晶显示装置110中，可以基于多种视频信号进行图像显示。

[0272] 在用液晶显示装置110显示基于电视播放的图像时，如图36所示，在液晶显示装置110连接有调谐部90，由此构成本电视接收机601。该调谐部90从由天线(未图示)接收到的接收波(高频信号)中选出应接受的信道的信号，转换为中频信号，通过对该中频信号进行检波，取得作为电视信号的复合彩色视频信号Scv。如上所述，该复合彩色视频信号Scv被输入到液晶显示装置110，基于该复合彩色视频信号Scv的图像通过液晶显示装置110进行显示。

[0273] 图37是本表示本电视接收机的一个结构例的分解立体图。如图37所示，本电视接收机601的结构为：作为其构成元件，除具有液晶显示装置110以外，还具有第一框体801和第二框体806，用第一框体801和第二框体806将液晶显示装置110包入夹持。在第一框体801中形成有使由显示装置800显示的图像透过的开口部801a。另外，第二框体806为覆盖显示装置800的背面侧的框体，设有用于操作该显示装置800的操作用电路805，并且在下方安装有支承用部件808。

[0274] 本发明不局限于上述的各实施方式，在权利要求所示的范围内，可以进行各种变更，关于将不同的实施方式中分别公示的技术方法适当组合而得到的实施方式，也包含在本发明的技术范围内。

[0275] 产业上的可利用性

[0276] 本发明的液晶面板和液晶显示装置适合于例如液晶电视机。