基板处理装置和基板处理方法

摘要

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和存储介质。该基板处理装置具有利用处理块将已处理过的基板向载体搬送的搬送单元，能够抑制上述搬送单元的搬送工序数的上升，提高生产率。在用于从处理块搬出基板的第二交接模块存在有基板、容纳该基板的载体没有载置在载体载置部的情况下，将第二交接模块的基板搬送到缓冲模块，在第二交接模块存在有基板、容纳该基板的载体载置在上述载体载置部的情况下，无论有无通过缓冲模块向该载体搬送的基板，都将存在于第二交接模块的基板搬送到上述载体，由此，抑制在载体、缓冲模块和第二交接模块之间搬送基板的搬送单元的搬送工序数，抑制生产率的降低。

权利要求

1.一种基板处理装置，其包括：

载体块，该载体块具备：载置容纳有多枚基板的载体的载体载置部、用于使已搬出了所述基板的载体从所述载体载置部退避的载体退避区域、在所述载体载置部和所述载体退避区域之间搬送载体的载体搬送单元；和处理块，该处理块具有至少一个对所述基板一枚一枚地进行处理的处理模块，所述基板处理装置的特征在于，包括：用于将从所述载体搬出的基板搬入所述处理块并临时载置该基板的第一交接模块；

用于将通过所述处理块完成处理后的基板搬出到载体并临时载置该基板的第二交接模块；

用于使从第二交接模块搬出的、返回到载体之前的基板待机并按照能够容纳多枚基板的方式构成的缓冲模块；

在载置于所述载体载置部的载体、所述第一交接模块、所述缓冲模块和所述第二交接模块之间搬送基板的第一搬送单元；

按照在后搬入第一交接模块的基板不会超越在先搬入第一交接模块的基板的方式，在所述第一交接模块、所述第二交接模块和设置于所述处理块的模块之间搬送基板的第二搬送单元；和向所述基板处理装置的各部输出控制信号、控制其动作的控制部，所述控制信号按照如下方式输出：

当在所述第二交接模块存在有基板、容纳该基板的载体没有载置在所述载体载置部的情况下，将所述第二交接模块的基板搬送到所述缓冲模块；

当在所述第二交接模块存在有基板、容纳该基板的载体载置在所述载体载置部的情况下，无论有无通过缓冲模块搬送到该载体的基板，将存在于第二交接模块的基板搬送到所述载体。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

被搬送到所述缓冲模块的基板，当容纳该基板的载体被载置在所述载体载置部、基板没有被搬送到所述第二交接模块、并且没有从载体向所述第一交接模块搬送的基板时，将该被搬送到所述缓冲模块的基板搬送到所述载体。

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：在容纳被搬送到所述缓冲模块的基板的载体被载置于所述载体载置部、容纳被搬送到所述第二交接模块的基板的载体没有载置在所述载体载置部的情况下，将被搬送到所述缓冲模块的基板向载体搬送。

4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：

第二交接模块设置有多个，

在全部的所述第二交接模块中搬送着基板的情况下，进行基板从所述缓冲模块向载体的搬送，在存在没有搬送着基板的第二交接模块的情况下，不进行基板从所述缓冲模块向载体的搬送。

5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述处理模块包含：

向基板供给抗蚀剂的抗蚀剂涂布模块；和

在涂布所述抗蚀剂后，向利用曝光装置进行曝光后的基板供给显影液进行显影的显影模块，基板处理装置构成为涂布、显影装置。

6.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

将容纳多枚基板的载体载置在载体载置部的工序；

将已搬出所述基板后的载体在用于使该载体退避的载体退避区域和所述载体载置部之间进行搬送的工序；

利用在处理块至少设置有一个的处理模块对基板一枚一枚地进行处理的工序；

利用第一搬送单元在载置于所述载体载置部的载体、第一交接模块、第二交接模块和缓冲模块之间交接基板的工序，其中，所述第一交接模块用于将基板从载置于所述载体载置部的载体搬入所述处理块并临时载置该基板；第二交接模块用于将利用处理块完成处理后的基板搬出到所述载体并临时载置该基板；所述缓冲模块用于使从所述第二交接模块搬出的、返回到载体之前的基板待机并按照能够容纳多枚基板的方式构成；

按照在后搬入第一交接模块的基板不会超越在先搬入第一交接模块的基板的方式，在所述第一交接模块、所述第二交接模块和设置于所述处理块的模块之间利用第二搬送单元搬送基板的工序；

在所述第二交接模块存在有基板，并且容纳该基板的载体没有载置在所述载体载置部的情况下，将所述第二交接模块的基板搬送到所述缓冲模块的工序；和在所述第二交接模块存在有基板，并且容纳该基板的载体载置在所述载体载置部的情况下，无论有无通过缓冲模块搬送到该载体的基板，将存在于该第二交接模块的基板搬送到所述载体的工序。

7.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：

在容纳被搬送到所述缓冲模块的基板的载体被载置于所述载体载置部、基板没有被搬送到所述第二交接模块，而且没有从载体向所述第一交接模块搬送的基板时，将搬送到缓冲模块的基板搬送到载体。

8.如权利要求6或7所述的基板处理方法，其特征在于：在容纳被搬送到所述缓冲模块的基板的载体被载置于所述载体载置部、容纳被搬送到所述第二交接模块的基板的载体没有被载置在所述载体载置部的情况下，将被搬送到所述缓冲模块的基板向载体搬送。

9.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于：

第二交接模块设置有多个，

在全部的所述第二交接模块搬送着基板的情况下，进行基板从所述缓冲模块向载体的搬送，在存在没有搬送着基板的第二交接模块的情况下，不进行基板从所述缓冲模块向载体的搬送。

10.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：对基板一枚一枚地进行处理的工序包括：向基板涂布抗蚀剂的工序；和向涂布有该抗蚀剂、被曝光后的基板供给显影液的工序。

说明书

基板处理装置和基板处理方法

技术领域

[0001] 本发明涉及具有利用处理块将处理完成的基板向载体运送的搬送单元的基板处理装置、基板处理方法和存储介质。

[0002] 背景技术

[0003] 在半导体器件和LCD基板的制造工艺中，利用被称为光蚀刻的技术对基板进行抗蚀剂图案的形成。该技术是利用以下的一系列工序来进行：例如在半导体晶片(以下称为晶片)等的基板上，涂布抗蚀剂在该晶片的表面形成抗蚀剂膜，使用光掩模曝光该抗蚀剂膜后，进行显影处理，由此得到希望的图案。

[0004] 这样的处理一般是通过使用将曝光装置连接到进行抗蚀剂的涂布和显影的涂布显影装置而构成的系统来进行。上述的涂布、显影装置包括：收容多枚晶片的、被称为FOUP的载体被搬入的载体块；和包含分别进行涂布处理、显影处理的单元的处理块，所述载体块具有加载端口，该加载端口具有用于载置所述载体的载体载置部。

[0005] 当载体被搬送到所述加载端口时，载体内的晶片通过设置在载体块的例如搬送臂等的搬送单元被搬送到用于将晶片搬入处理块的搬入用模块。而且，被搬送到所述搬入用模块的晶片通过设置在处理块内的搬送单元在处理块内进行搬送，在涂布了抗蚀剂后，搬送到曝光装置接受曝光处理。然后，所述晶片回到处理块，利用设置在处理块的搬送单元，在处理块内进行搬送接受显影处理。在此以后，利用所述搬送单元将晶片从处理块搬送到用于向载体块搬出的搬出用模块，从该搬出用模块通过例如所述搬送臂返回到所述载体。在此，将晶片进行交接的位置记载为模块。

[0006] 这样，就具有如下的问题：如果在晶片被从载体搬出到回到该载体为止的期间，该载体在加载端口的载体载置部处待机，由于下一个载体就变得不能搬送到该载体载置部，所以在处理块和曝光装置中， 晶片就不能交接到本来处于能够进行处理的状态的模块，结果生产率降低。

[0007] 为此，研究了以下的方案：设置具有退避区域的储料部，该退避区域使载体从所述加载端口临时退避。在这种情况下，从被搬送到加载端口的载体载置部的第一载体(先遣载体)取出晶片后，使该第一载体退避到所述退避区域，将第二载体(后发载体)载置于所述载体载置部进行晶片的取出。然后，在从第二载体将晶片取出后，使该第二载体退避到所述退避区域并且再次将第一载体载置于上述载体载置部。然后，使从该第一载体搬送的通过处理块接受了处理后的晶片返回到上述第一载体。这样，通过在载体载置部和退避区域之间搬送载体，增加了从载体向处理块取出的晶片的总数，提高了处理块和曝光装置的模块的工作效率，期待能够抑制生产率的降低。

[0008] 然而，在载体载置部和储料部之间进行搬送时，担心发生如下的状态：在晶片被搬送到上述搬出用模块时，收容该晶片的载体没有回到上述载体载置部。在此，在处理块中，存在由于对于每个批次，模块中的晶片的处理时间、处理温度等处理条件发生变更的情况，所以晶片在处理块中，按照向该处理块的搬入顺序向后段的模块进行交接，依次接受处理。即，按照如下方式在处理块中进行控制：后搬送到该处理块的晶片不会超过先搬送到处理块的晶片而接受处理。

[0009] 因此，当晶片在搬出用模块长时间停留时，不得不在处理块中使后续晶片的搬送停止，所以有可能不能充分实现生产率的提高。因此，研究了以下的方案：设立搬出用缓冲模块用于收容多个从搬出用模块搬出的晶片，利用载体块的搬送臂将搬出用模块的晶片搬送到该搬出用缓冲模块并使其停留，然后利用该搬送臂将搬出用缓冲模块的晶片送回到载体。

[0010] 在像这样设置了搬出用缓冲模块时，考虑如下的方案：例如对所有的晶片按照搬送到搬出用模块的顺序搬送到搬出用缓冲模块后，再搬送到载体，与处理块中的搬送相同，在后搬入处理块的晶片不会超过在先搬入处理块的晶片。但是如果如此进行搬送，即使在载体已经回到载体载置部时，晶片也要搬入搬出用缓冲模块，所以就变成了不需要向搬出用缓冲模块搬送的晶片也被搬送到该搬出用缓冲模块，无 效地增加了搬送臂的搬送工序数目。而且，与将晶片从搬出用模块直接搬送到载体的情况相比，在经由搬出用缓冲模块的情况下，从搬出用模块向载体的搬送时间变长，因此，由于这样增加了搬送工序数，在载体中收容最终的晶片的时间变迟，有可能不能充分地提高生产率。

发明内容

[0011] 本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于提供一种基板处理装置、基板处理方法及具备实施该方法的计算机程序的存储介质，能够在具有将利用处理块完成处理的基板向载体搬送的搬送单元的基板处理装置中，抑制上述搬送单元的搬送工序数的上升，从而提高生产率。

[0012] 本发明的基板处理装置包括：

[0013] 载体块，该载体块具备：载置容纳有多枚基板的载体的载体载置部、用于使已搬出了上述基板的载体从上述载体载置部退避的载体退避区域、在上述载体载置部和上述载体退避区域之间搬送载体的载体搬送单元；和

[0014] 处理块，该处理块具有至少一个对上述基板一枚一枚地进行处理的处理模块， [0015] 上述基板处理装置的特征在于，包括：

[0016] 用于将从上述载体搬出的基板搬入上述处理块并临时载置该基板的第一交接模块；

[0017] 用于将通过上述处理块完成处理后的基板搬出到载体并临时载置该基板的第二交接模块；

[0018] 用于使从第二交接模块搬出的、返回到载体之前的基板待机并按照能够容纳多枚基板的方式构成的缓冲模块；

[0019] 在载置于上述载体载置部的载体、上述第一交接模块、上述缓冲模块和上述第二交接模块之间搬送基板的第一搬送单元；

[0020] 按照在后搬入第一交接模块的基板不会超越在先搬入第一交接模块的基板的方式，在上述第一交接模块、上述第二交接模块和设置于上述处理块的模块之间搬送基板的第二搬送单元；和

[0021] 向上述基板处理装置的各部输出控制信号、控制其动作的控制部， [0022] 上述控制信号按照如下方式输出：

[0023] 当在上述第二交接模块存在有基板、容纳该基板的载体没有载置在上述载体载置部的情况下，将上述第二交接模块的基板搬送到上述缓冲模块；

[0024] 当在上述第二交接模块存在有基板、容纳该基板的载体载置在上述载体载置部的情况下，无论有无通过缓冲模块搬送到该载体的基板，将存在于第二交接模块的基板搬送到上述载体。

[0025] 被搬送到上述缓冲模块的基板，当容纳该基板的载体被载置在上述载体载置部、基板没有被搬送到上述第二交接模块、并且没有从载体向上述第一交接模块搬送的基板时，将该被搬送到上述缓冲模块的基板搬送到上述载体，例如在容纳被搬送到上述缓冲模块的基板的载体被载置于上述载体载置部、容纳被搬送到上述第二交接模块的基板的载体没有载置在上述载体载置部的情况下，将被搬送到上述缓冲模块的基板向载体搬送。在该情况下，第二交接模块设置有多个，在全部的上述第二交接模块中搬送着基板的情况下，进行基板从上述缓冲模块向载体的搬送，在存在没有搬送着基板的第二交接模块的情况下，不进行基板从上述缓冲模块向载体的搬送。

[0026] 上述处理模块包含：向基板供给抗蚀剂的抗蚀剂涂布模块；和在涂布上述抗蚀剂后，向利用曝光装置进行曝光后的基板供给显影液进行显影的显影模块。 [0027] 本发明的基板处理方法的特征在于，包括：

[0028] 将容纳多枚基板的载体载置在载体载置部的工序；

[0029] 将已搬出上述基板后的载体在用于使该载体退避的载体退避区域和上述载体载置部之间进行搬送的工序；

[0030] 利用在处理块至少设置有一个的处理模块对基板一枚一枚地进行处理的工序； [0031] 利用第一搬送单元在载置于上述载体载置部的载体、第一交接模块、第二交接模块和缓冲模块之间交接基板的工序，其中，上述第一交接模块用于将基板从载置于上述载体载置部的载体搬入上述处理块并临时载置该基板；第二交接模块用于将利用处理块完成处理后的基板搬出到上述载体并临时载置该基板；上述缓冲模块用于使从上述第 二交接模块搬出的、返回到载体之前的基板待机并按照能够容纳多枚基板的方式构成； [0032] 按照在后搬入第一交接模块的基板不会超越在先搬入第一交接模块的基板的方式，在上述第一交接模块、上述第二交接模块和设置于上述处理块的模块之间利用第二搬送单元搬送基板的工序；

[0033] 在上述第二交接模块存在有基板，并且容纳该基板的载体没有载置在上述载体载置部的情况下，将上述第二交接模块的基板搬送到上述缓冲模块的工序；和 [0034] 在上述第二交接模块存在有基板，并且容纳该基板的载体载置在上述载体载置部的情况下，无论有无通过缓冲模块搬送到该载体的基板，将存在于该第二交接模块的基板搬送到上述载体的工序。

[0035] 对基板一枚一枚地进行处理的工序包括：向基板供给抗蚀剂的工序；和向涂布该抗蚀剂、并曝光后的基板供给显影液的工序。

[0036] 本发明的存储介质，其存储有用于基板处理装置的计算机程序，该基板处理装置包括：处理块，其至少具有一个对上述基板一枚一枚地进行处理的处理模块；和将利用该处理块完成处理后的基板搬送到载体的搬送单元，上述计算机程序的特征在于：用于实施上述的基板处理方法。

[0037] 根据本发明，在搬出用模块存在有基板、收容该基板的载体没有载置在载体载置部的情况下，将搬出用模块的基板搬送到上述搬出用缓冲模块，而在搬出用模块存在有基板、收容该基板的载体载置在上述载体载置部的情况下，无论有无通过搬出用缓冲模块搬送到该载体的基板，都将存在于搬出用模块的基板搬送到上述载体。因此，与所有基板经由搬出用缓冲模块搬送到载体的情况相比，能够抑制在载体和搬出用缓冲模块和搬出用模块之间搬送基板的搬送单元的搬送工序数。结果是，由于能够使基板更早地返回到载体，所以能控制生产率的下降。

附图说明

[0038] 图1是基于本发明的实施方式的涂布、显影装置的俯视图。

[0039] 图2是上述涂布、显影装置的立体图。

[0040] 图3是上述涂布、显影装置的纵断面侧视图。

[0041] 图4是从载体搬送单元一侧看上述涂布、显影装置的主视图。

[0042] 图5是表示载体的主视图。

[0043] 图6是上述涂布、显影装置的搬送路径图。

[0044] 图7是表示在控制部作用下的载体块中的搬送的流程图。

[0045] 图8是表示上述涂布、显影装置的载体块中的基板的搬送路径的说明图。 [0046] 图9是表示上述涂布、显影装置的载体块中的基板的搬送路径的说明图。 [0047] 图10是表示上述涂布、显影装置的载体块中的基板的搬送路径的说明图。 [0048] 图11是表示上述涂布、显影装置的载体块中的基板的搬送路径的说明图。 [0049] 图12是表示上述涂布、显影装置的载体块中的基板的搬送路径的说明图。 [0050] 图13是表示上述涂布、显影装置的载体块中的基板的搬送路径的说明图。 [0051] 符号说明：

[0052] W 晶片

[0053] TRS 交接模块

[0054] C 载体

[0055] CPL 交接模块

[0056] E1 载体块

[0057] E2 处理块

[0058] E4 曝光装置

[0059] 1 涂布、显影装置

[0060] 1A 搬送臂

[0061] 10 载体站

[0062] 15 搬出用缓冲模块

[0063] 16 载体载置部

[0064] 21 加载端口

[0065] 3 载体搬送单元

[0066] 51 抗蚀剂膜形成部

[0067] 52 抗蚀剂涂布模块

[0068] 100 控制部

具体实施方式

[0069] 针对作为本发明的基板处理装置的一个例子的涂布、显影装置1进行说明。图1表示曝光装置E4连接于涂布、显影装置1的抗蚀剂图案形成系统的平面图，图2是该系统的立体图。另外，图3是涂布、显影装置1的纵截面图。图中E1是用于将密闭收容多枚晶片W的载体C搬入搬出的载体块，E2是对上述晶片W进行涂布、显影处理的处理块，E3是接口块。

[0070] 载体块E1具有：载体C被搬入的载体站10；和与载体站10连接的、构成晶片W的搬送区域的主体部11。图中12是开闭部，对在设置于载体站10的载体载置部16所载置的载体C的盖进行开闭，具有连接和分隔载体C内与主体部11内的作用。

[0071] 若针对主体部11进行说明，在主体部11内例如层叠设置有搬入用缓冲模块14、搬出用缓冲模块15，各缓冲模块14、15能够分别容纳6枚晶片W。搬入用缓冲模块14具有使从载体C取出要向处理块E2搬入的晶片W待机，并使晶片W从载体C的取出早点结束的作用。搬出用缓冲模块15具有使通过处理块E2完成处理被搬出到载体C的晶片W待机、防止在处理块E2中晶片W的搬送停止的作用。

[0072] 另外，载体块E1中设置有在载体C、搬入用缓冲模块以及搬出用缓冲模块14、15和设置于后述的搁板单元U5中的各模块之间交接晶片W的作为第一搬送单元的搬送臂1A。搬送臂1A，为了像这样地进行晶片W的交接，而构成为在与各块E1～E3的排列方向(X方向)正交的Y方向上自由移动、自由升降、围绕铅垂轴自由转动以及自由进退。 [0073] 载体站10包括：为了在与搬送臂1A之间交接晶片W而具有载置载体C的例如4个载体载置部16的加载端口21；和在该加载端口21的上方一侧设置的、用于使载体C临时退避的由上层一侧的搁板部23 及下层一侧的搁板部24构成的储料部22。在搁板部23、
24分别设置有成为使载体C临时退避的退避区域的例如8个退避用载置部17。 [0074] 如图4所示，在搁板部23的上方一侧，如图4所示配置有在图中Y方向上延伸的轨道R。在轨道R设置有在该涂布、显影装置1与外部的其他处理装置之间交接载体C的外部载体搬送单元25，载体搬送单元25构成为沿着该轨道R自由移动。在外部载体搬送单元
25，设置有从左右方向夹着载体C的侧方并对载体C的侧方加以把持的把持部26。把持部
26自由升降地构成，能够在与搁板部23的退避用载置部17之间交接载体C。 [0075] 并且如图1～图3所示，载体块E1具有用于对载体站10的各载置部16、17进行载体C的交接的载体搬送单元3。该载体搬送单元3，具有沿着升降轴31自由升降的基部
32、和与该基部32连接的相对于该基部32绕着铅垂轴自由转动的多关节的搬送臂33。该升降轴31，例如构成为在载体块E1的顶棚部，沿着在图1中Y方向上延伸地设置的导轨36自由移动。

[0076] 在这里说明载体C的形状，如图2～图4所示，在该载体C的上部通过支承部41设置有板状的保持板42。并且上述臂33，如图5所示，包围上述载体C的保持板42的周围，以悬吊的状态支承载体C，针对载体载置部16和退避用载置部17的各个进行载体C的移载。

[0077] 继续说明处理块E2。如图2所示，处理块E2在该例子中构成为，从下依次层叠有用于进行显影处理的第一块(DEV层)F1、用于涂布抗蚀剂进行抗蚀剂膜的形成的第二块(COT层)F2。

[0078] 因为处理块E2的各层构成为与俯视图相同，若以第二块(COT层)F2举例说明，则COT层F2具备抗蚀剂膜形成部51。在该例子中，抗蚀剂膜形成部51具有将抗蚀剂作为药液向晶片供给并加以涂布的抗蚀剂涂布模块COT52A～52C。另外，COT层F2具有：构成处理模块组的搁板单元U1～U4，该处理模块组用于进行使用抗蚀剂涂布模块52进行的处理的前处理及后处理；和在上述抗蚀剂膜形成部51和加热/冷却系统的处理模块组之间设置的、在它们之间进行晶片W的交接的搬送臂G2。

[0079] 搁板单元U1～U4沿着搬送臂G2进行移动的搬送区域R1排列， 这些搁板单元U1～U4通过层叠模块而构成。搁板单元U1～U4中包括加热模块，该加热模块具有用于加热所载置的晶片W的加热板，作为该加热模块，具有疏水化模块ADH61A、61B以及加热抗蚀剂涂布后的晶片W的涂布后加热模块62A～62C，其中疏水化模块在向抗蚀剂涂布前的晶片W供给进行疏水化处理的气体的同时加热晶片W。

[0080] 关于第一块(DEV层)F1，在一个DEV层F1内将与抗蚀剂膜形成部51对应的显影处理部层叠设置为2段。关于显影处理部，除作为药液向晶片W供给显影液外，是与抗蚀剂膜形成部同样的结构，包含有显影模块DEV64A～64F。而且，在该DEV层F1内，设置有用于将晶片W搬送到这2段的显影处理部和上述加热/冷却系统的处理模块的搬送臂G1。因此构成为对于2段的显影处理部共用搬送臂G1。另外，DEV层F1与COT层F2同样地具有搁板单元U1～U4，这些搁板单元U1～U4具有加热模块63A～63F。

[0081] 处理块E2的各加热模块、抗蚀剂涂布模块COT52A～52C、显影模块DEV64A～64F一枚一枚地处理被搬入的晶片W。而且，形成处理块E2的第二搬送单元的各搬送臂G具备2该晶片W的支承体，从预定的模块用一个支承体将先搬送到处理块E2中的晶片W搬出，用另一个支承体将后搬送到处理块E2的晶片W搬入该模块。并且，针对每个块F1、F2根据预先设定的搬送计划，各搬送臂G将放置在上游侧的模块中的晶片W一枚一枚地依次向下游侧的模块搬送，以各搬送路为1周。由此，形成为从载体C先被搬入处理块E2的晶片W与从载体C后被搬入处理块E2的晶片W相比位于下游侧的模块的状态，这样通过各搬送臂G周而复始，晶片W在各模块之间移动。

[0082] 并且如图1和图3所示，在处理块E2中，在载体块E1侧设置有搁板单元U5。该搁板单元U5具有：交接模块TRS1～TRS3、交接模块CPL1～CPL4、和缓冲模块50，这些各模块互相被层叠。另外，搁板单元U5具有用于将晶片W向后述的穿梭体(shuttle)54进行交接的搬入部55。交接模块TRS和CPL具有载置晶片W的台体，CPL还具有对所载置的晶片W加以调温的功能。

[0083] 交接模块TRS1～TRS3和CPL1～CPL2设置在能够访问搬送臂1A的位置，另外，CPL1～CPL2设置在能够访问搬送臂G1的位置。交接 模块CPL3～CPL4和缓冲模块50设置在能够访问搬送臂G2的位置。在该例子中，交接模块TRS1～TRS3为了将晶片W搬入处理块E2设置有临时载置晶片W的搬入用模块(第一交接模块)，交接模块CPL1、CPL2为了将处理完毕的晶片W从处理块E2搬出并返还到载体C，设置有临时载置该晶片W的搬出用模块(第二交接模块)。

[0084] 在搁板单元U5的附近，为了在构成这些搁板单元U5的各模块间交接晶片W，设置有自由升降地、自由进退地构成的交接臂D1。

[0085] 而且，进一步，在处理块E2中，在接口块E3一侧，如图3所示，设置有搁板单元U6。该搁板单元U6具有交接模块TRS4～TRS5，这些各模块互相层叠。而且，搁板单元U6具有用于从穿梭体54取出晶片W的搬出部56。在DEV层F1内的上部，设置有从上述搁板单元U5的搬入部55将晶片W直接搬送到搁板单元U6的搬出部56的穿梭体54。

[0086] 接口块E3具有在搁板单元U6的模块和曝光装置C4之间搬送晶片W的接口臂57。 [0087] 该涂布、显影装置1中，例如设置有由计算机组成的控制部100。控制部100具有由程序、存储器、CPU组成的数据处理部，在上述程序中，按照从控制部100向涂布、显影装置1的各部发送控制信号，使后述的各处理工序得以进行的方式编入有命令(各步骤)。而且，例如在存储器中具有写入处理温度、处理时间、各药液的供给量或者电力值等的处理参数的值的区域，CPU执行程序的各命令时读出这些处理参数，将与该参数值对应的控制信号发送到涂布、显影装置1的各部。

[0088] 该程序(包括与处理参数的输入操作和显示有关的程序)，被存储在计算机存储介质例如软盘、磁盘(compact disc)、硬盘、MO(光磁盘)或者存储卡等的存储介质中并安装在控制部100。

[0089] 而且，按照以下方式构成上述程序，即：多枚晶片W被上下层叠地排列收容在各载体C中，以该排列顺序被搬送到处理块E2，并且以该排列顺序在处理块E2内被搬送。各载体C具有以下两种情况：只含有在处理块E2中在相同处理条件下接受处理的同一批次的晶片W的情况；和含有在互相不同的处理条件下接受处理的多个批次的晶片W 的情况，在载体C含有不同批次的晶片W的情况下，在该载体C内，同批次的晶片W彼此连续排列，在一批次的晶片W全部被搬送到处理块E2之后其他批次的晶片W向处理块E2被搬送接受处理。另外，控制部100，对于1个载体C内的晶片W，按照每一批次向处理块E2的搬入顺序从1号开始按顺序设定号码，如上所述进行搬送，因此在处理块E2中较大号码的晶片W就不会超过较小号码的晶片W。在载体块E1中如后所述存在不按照该号码顺序进行搬送的情况。 [0090] 作为上述处理条件包括：被供给到晶片W的药液的温度和供给时间、晶片W的加热温度、冷却温度和它们的处理时间等。另外，例如直至各载体C被搬入涂布、显影装置1为止，在工厂内的包含涂布、显影装置1的装置间从控制载体的搬送的上位计算机对控制部100发送与各载体C中包含的批次数、每批次的晶片W的数目相关的信息，控制部100按照该信息进行后述的搬送控制。

[0091] 针对涂布、显影装置1中的载体C的搬送路径进行说明。通过外部载体搬送单元25，被搬送到搁板部23的退避用载置部17的一个载体C(为了便于说明记载为先遣载体)，通过载体搬送单元3被载置在载体载置部16，在从先遣载体C取出全部的晶片W之后，该先遣载体C通过载体搬送单元3被搬送到搁板部23或者搁板部24的退避用载置部17。然后，其他的载体C(为了便于说明，记载为后发载体)，以与先遣载体C同样的路径从外部载体搬送单元25交接到载体载置部16，进行从后发载体C取出晶片W。

[0092] 晶片W的取出结束后的后发载体C以与先遣载体C同样的途径被搬送到退避用载置部17。然后，通过载体搬送单元3将先遣载体C再次搬送到载体载置部16，从该先遣载体C搬出的处理过的晶片W被搬入载置在该载体载置部16的先遣载体C。然后，先遣载体C被载置于搁板部23的退避用载置部17，通过外部载体搬送单元25从涂布、显影装置1搬出。此后，后发载体C与先遣载体C同样被再次搬送到载体载置部16，从该后发载体C搬出的处理过的晶片W被搬入载置在该载体载置部16的后发载体C。之后，后发载体C以与先遣载体C同样的途径从涂布、显影装置1搬出。此外，因为载体载置部16有4个，所以不限于各载体回到与已进行过晶片W的取出的载体载置部16相 同的载体载置部16。 [0093] 接着针对晶片W的搬送途径参照图6进行说明。首先，载体C如上述那样载置在载体载置部16时，通过开闭部12取下载体C的盖，晶片W通过搬送摇臂1A被从载体C临时搬送到搬入用缓冲模块14，并且再次停留之后，搬送到交接模块TRS1～TRS3的任意一个。

[0094] 晶片W从交接模块TRS1～TRS3通过交接臂D 1搬送到交接模块CPL3或者CPL4，通过COT层F2的搬送臂G2按照从搁板单元U1～U4的疏水化模块ADH61A或者61B→抗蚀剂涂布模块COT52A～52C的任意一个的顺序加以搬送，在已涂布抗蚀剂之后通过搬送臂G2搬送到搁板单元U1～U4的加热模块62A～62C接受加热处理形成抗蚀剂膜。 [0095] 接着，通过搬送臂G2将晶片W搬送到缓冲模块50后，通过交接臂D1搬送到搬入部55交接给穿梭体54，搬送到搬出部56。之后，晶片W被交接给接口臂57，搬送到曝光装置C4接受曝光处理。

[0096] 然后，晶片W被搬送到交接模块TRS4或者TRS5，通过搬送臂G1被搬送到搁板单元U1～U4的加热模块63A～63C的任意一个，接受加热处理(PEB处理)。之后，晶片W通过搬送臂G1被搬送到显影模块DEV，在接收了显影处理之后，被搬送到搁板单元U1～U4的加热模块63D～63F的任意一个接受加热处理。在加热处理之后，通过搬送臂G1搬送到搁板单元U5的CPL1或者CPL2。

[0097] 然后，晶片W通过搬送臂1A被直接送回到该晶片W被取出的载体C、或者在被临时搬入搬出用缓冲模块15并停留之后，再搬入上述载体C。在后文中，针对在什么样的情况下晶片W被搬送到搬出用缓冲模块15、或者直接被送回到载体C进行叙述。 [0098] 接着，为了从处理块E2的搁板单元U5的交接模块CPL1、CPL2将处理过的晶片W返还到载体C，针对控制部100进行的判断工序，参照表示该工序的流程图的图7进行说明。该图7的一系列的判断及根据该判断决定的搬送臂1A的动作，按照处理块E2的搬送臂G1、G2在其搬送路径上行进1周为一个循环进行。

[0099] 首先，控制部100判定是否至少有一枚晶片被搬送到设定为搬出用模块的交接模块CPL1～CPL2(步骤S1)。当判定为在交接模块CPL1～ CPL2至少有一枚晶片W时，控制部100判定能否将该交接模块CPL1～CPL2的晶片W搬送到该晶片W被取出的载体C(步骤S2)。在上述载体C已经从退避用载置部17返回到载体载置部16时，在步骤S2中控制部100判断为能够将交接模块CPL1～CPL2的晶片W搬送到该载体C，通过搬送臂A1将位于交接模块CPL1～CPL2的晶片W搬送到载体C(步骤S3)。

[0100] 当将位于交接模块CPL1～CPL2的晶片W取出后的载体C没有被返回到载体载置部16，在步骤S2中控制部100判定为不能将该晶片W搬送到载体C时，控制部100判断能否将位于交接模块CPL1～CPL2的晶片W搬送到搬出用缓冲模块15(步骤S4)。当搬出用缓冲模块15有空间时，在步骤S4中控制部100判定为能够将位于交接模块CPL1～CPL2的晶片W搬送到搬出用缓冲模块15，上述晶片W被搬送到搬出用交接模块15(步骤S5)。 [0101] 在搬出用交接模块15没有空间时，在步骤S4中控制部100判定为不能将位于交接模块CPL1～CPL2的晶片W搬送到搬出用缓冲模块15，控制部100继续进行在所有的交接模块CPL1～CPL2中是否有晶片W的判断(步骤S6)。并且，在判定为仅在交接模块CPL1～CPL2的任意某个中有晶片W的情况下，控制部100决定在该循环中不进行晶片W向载体C或搬出用缓冲模块15的搬送(步骤S7)。

[0102] 另外，当在步骤S6中判断为在交接模块CPL1和CPL2全部都有晶片W时，控制部100接着进行如下的判断：能否将位于搬出用缓冲模块15的晶片W搬送到该晶片W被取出的载体C(步骤S8)。并且，在将位于搬出用缓冲模块15的晶片W取出后的载体C返回到载体载置部16时，在步骤S8中控制部100判定为能够将位于搬出用缓冲模块15的晶片W搬送到该载体C，搬出用缓冲模块15的晶片W被搬送到载体C(步骤S9)。

[0103] 而且，在将位于搬出用缓冲模块15的晶片W取出后的载体C没被返回到载体载置部16时，在步骤S8中控制部100判定为不能将位于搬出用缓冲模块15的晶片W搬送到该载体C，从而决定在该循环中不进行晶片W向载体C或搬出用缓冲模块15的搬送(步骤S10)。

[0104] 另外，在步骤S1判定为交接模块CPL1和CPL2中没有晶片W时， 控制部100进行如下的判断：在被载置在载体载置部16的载体C和搬入用缓冲模块14是否有除搬出用缓冲模块15的晶片W以外能够搬送的晶片W(步骤S11)。然后，在不能从上述载体C向搬入用缓冲模块14搬送晶片W或者不能从搬入用缓冲模块14向交接模块TRS1～TRS3搬送晶片W时，控制部100在步骤S11判定为没有能够搬送的晶片W，随后进行上述的步骤S8的判断。

[0105] 在能够从上述载体C向搬入用缓冲模块14搬送晶片W或者能够从搬入用缓冲模块14向交接模块TRS1～TRS3搬送晶片W时，控制部100在步骤S11判定为在搬出用缓冲模块15的晶片W以外存在能够搬送的晶片W，在此也执行步骤S10的、不进行晶片W向载体C或搬出用缓冲模块15的搬送这一决定。

[0106] 若针对上述各判断的结果进行的搬送的概要进行说明，在能够将交接模块CPL1～CPL2的晶片W向载体C搬送的情况下，不经由搬出用缓冲模块15而直接向载体C搬送上述晶片W。另外，交接模块CPL1～CPL2的晶片W超过被搬送到搬出用缓冲模块15的晶片W而在先被搬送到载体C。

[0107] 另外，即使已经被搬入到搬出用缓冲模块15的晶片W是，从与被搬送到交接模块CPL1～CPL2的晶片W互相不同的载体C取出的晶片W、或与上述晶片W互相不同的批次的晶片W，作为按照上述的步骤进行搬送的结果，存在被搬送到该交接模块CPL1～CPL2的晶片W被搬入搬出用缓冲模块15的情况。因此，在搬出用缓冲模块15存在不同批次的晶片W和从不同的载体C取出的晶片W混合存在的情况。

[0108] 并且，搬出用缓冲模块15的晶片W，在没有由搬送臂1A向其他处进行搬送的晶片W时，被搬送到载体C。但是，在所有交接模块CPL1～CPL2中有晶片W，而这些交接模块CPL1～CPL2的晶片W不能被搬送到载体C、搬出用缓冲模块15的任一方时，将搬出用缓冲模块15的晶片W搬送到载体C，像这样在进行了搬出用缓冲模块15的搬送后，进行交接模块CPL1～CPL2的晶片W的搬送。另外，在上述判断工序中当成为搬送对象的晶片W有多个时，先从在先搬入处理块E2的晶片W开始进行搬送。

[0109] 下面，参照图8～图13按照载体块E1的晶片的每个搬送状况，关 于从处理块E2向载体C的晶片的搬送路径进行具体的说明。在后文的说明中为了方便，关于各晶片W按照被搬送到处理块E2的批次的顺序用A、B……这些拉丁字母依次表示，并且在该拉丁字母之后按照在该批次内被搬送到处理块E2的顺序附加表示数字号码。即，例如某批次内的晶片W是在该批次内第三个被搬送到处理块E2的晶片W因而表示为A3。并且，在上述批次的下一个批次被搬送到处理块E2的后续批次中，在该后续批次内第五个被搬送到该处理块E2的晶片W表示为B5。

[0110] 图8～图13中，将载体块E1的各模块和搁板单元U5的各模块展开并表示在同一平面，而且表示在搬出用缓冲模块15中的晶片的停留状态。在图8中，表示按上文所述的搬送路径在处理块E2中被搬送的批次A的晶片A1、A2被载置于交接模块CPL1、CPL2的状态，取出了该批次A后的载体C已经返回到载体载置部16，成为能够容纳晶片A的状态。这时控制部100依次执行上文已述的步骤S1、S2、S3的工序，交接模块CPL1的晶片A1被搬送到载体C。

[0111] 图9表示在载体C未被返回到载体载置部16这一点上与图8不同的搬送状况。而且，晶片W没有被搬入到搬出用缓冲模块15。这时，控制部100依次执行步骤S1、S2、S4、S5的工序，晶片A1被搬送到搬出用缓冲模块15。另外，在该图9所示的搬送状况中，即使搬出用缓冲模块15不是空的、而是如上文所述那样在搬出用缓冲模块15中停留有与批次A不同批次的晶片W或者从与批次A被取出的载体C不同的载体C取出的晶片W的情况下，只要搬出用缓冲模块15还有空间，晶片A1就被搬送到搬出用缓冲模块15。 [0112] 图10表示如下的状态：批次A的晶片A1、A2停留于搬出用缓冲模块15，晶片A3、A4分别被搬送到交接模块CPL1、CPL2。取出了批次A后的载体C已经被返回到载体载置部16。在该情况下，控制部100依次执行步骤S1、S2、S3，交接模块CPL1的晶片A3超过缓冲模块15的晶片A1、A2而先被搬送到载体C。

[0113] 如图10那样在处于从搬出用缓冲模块15、交接模块CPL1、CPL2能够分别向载体C搬送晶片W的状态时，就进行从交接模块CPL1、CPL2搬送晶片W的工序，成为后续的晶片W能够搬入交接模块CPL1、 CPL2的状态。在图10的状态中，无论搬出用缓冲模块15中所停留的晶片W与搬送到交接模块CPL1、CPL2的晶片W是互相不同的批次或者是从互相不同的载体取出的晶片，都进行从交接模块CPL1、CPL2向载体C的搬送。

[0114] 图11表示如下的状态：批次A的晶片A1～A6在搬出用缓冲模块15中停留，搬出用缓冲模块15变满，交接模块CPL1、CPL2中没有被搬送晶片W。而且，虽然取出了批次A后的载体C已经被返回到载体载置部16，但是除该载体C之外将晶片W取出到处理块E2的载体C未被搬送，而且也没有为了利用搬入用缓冲模块14被搬送到交接模块TRS1～TRS3而待机的晶片W。在该情况下控制部100依次执行步骤S1、S11、S8、S9，被搬入到搬出用缓冲模块15中号码最小的晶片A1被搬送到载体C。

[0115] 在该图11中，容纳批次A的载体C没有返回到载体载置部16时，控制部100依次实行步骤S1、S11、S8、S10，结果是搬出用缓冲模块15的晶片A不被搬送。 [0116] 图12表示如下的状态：批次A的晶片A1～A6在搬出用缓冲模块15中停留，搬出用缓冲模块15变满，交接模块CPL1、CPL2中被分别搬送有批次B的晶片B1、B2。批次A、批次B从互相不同的载体C被排出，取出了批次A后的载体C虽然被返回到载体载置部16，但是取出了批次B后的载体C未被返回到载体载置部16。在该情况下控制部100依次执行步骤S1、S2、S4、S6、S8、S9，如图中点画线的箭头符号L1显示的那样，被搬入到搬出用缓冲模块15中号码最小的晶片A1被搬送到载体C。

[0117] 于是，通过上述晶片A1的搬送，除了搬出用缓冲模块15中出现空间之外载体块E1的各晶片存在于与图12相同的模块。在该状态下，控制部100依次执行步骤S1、S2、S4、S5，如图中点画线的箭头符号L2表示的那样向搬出用缓冲模块15搬送晶片B1。 [0118] 图13虽然与图12同样表示晶片A1～A6在搬出用缓冲模块15中停留，被交接模块CPL1、CPL2中分别被搬送批次B的晶片B1、B2的状态，但是容纳晶片A1～A6的载体C未被搬送到载体载置部16。在该情况下控制部100依次执行步骤S1、S2、S4、S6、S8、S10，从处 理块E2向载体C的晶片的搬送不被进行。

[0119] 利用该涂布、显影装置1，从交接模块CPL1、CPL2能够向载体C搬送晶片W的情况是，在不能将交接模块CPL1、CPL2的晶片W向取出过该晶片W的载体C搬送时，搬送到搬出用缓冲模块15，不论在搬出用缓冲模块15中有无晶片W，对于能够从交接模块CPL1、CPL2向载体搬送晶片W的情况下，就进行向该载体的搬送。因此，与对于全部的晶片W经由搬出用缓冲模块15向载体C进行搬送的情况相比，抑制了搬送臂1A的搬送工序数的上升，结果是由于晶片W能够尽早地回到载体，所以能抑制生产率的降低。

[0120] 通过这样进行向搬出用缓冲模块15的搬送，抑制了交接模块CPL1、CPL2中长时间滞留晶片W的情况，所以就能够防止在处理块E2中后续的晶片W超过在先搬入处理块E2的晶片W，因此能够防止使晶片W的搬送停止的情况。

[0121] 并且，被搬入到搬出用缓冲模块15的晶片W，当在交接模块CPL1、CPL2全部中都有晶片W，并且不能向载体C搬送这些晶片W的情况下；和当在交接模块CPL1、CPL2中没有晶片W且没有从载体C或搬入用缓冲模块14向处理块E2一侧取出的晶片W的情况下，被搬送到载体C。因此防止对处理块E2中的处理造成影响，更加可靠地抑制了生产率的降低。 [0122] 在上述的例子中，虽然作为搬出用模块(第二交接模块)设置有CPL1、CPL2，但作为搬出用模块的数量不限于2个，例如也可以设置有CPL1～CPL3这3个，除了CPL1、CPL2以外将交接模块TRS1～TRS3中的1个或者2个设定为搬出用模块也可以。上述的图7的控制部100的判断工序为：根据作为搬出用模块而设定的模块，变更成为判断对象的模块。例如由于在上述例子中CPL1、CPL2被设定为搬出用模块，所以控制部100在步骤S1判断CPL1、CPL2中是否有至少1枚晶片W，但是在CPL1、CPL2、TRS1被设定为搬出用模块的情况下，就成为判断这些模块中是否至少有1枚晶片W。另外，搬出用缓冲模块15的数量和晶片W的容纳个数也不限于上述例子。例如关于搬入用缓冲模块14被作为搬出用缓冲模块来使用，在这种情况下，从载体C将晶片W搬送到作为直接搬入用模块(第一交接模块)的交接模块TRS1～TRS3 也可以。