使用自组装材料以指引可寻址阵列的化学钉扎

摘要

一种方法包括：提供具有多个化学反差对准部件的衬底，以及在该衬底的至少一部分上沉积自组装材料，其中该自组装材料的大致球状或圆柱状域的位置和/或取向由该对准部件指引，以形成纳米结构图案，而且其中该对准部件的周期在该球状或圆柱状域的周期的约2倍至约10倍之间。还提供了根据该方法制造的装置。

权利要求

1.一种方法，包括：

向衬底施加聚合物刷层；

形成通过所述刷层延伸至所述衬底的分立开口，以提供多个化学反差对准部件；以及在所述刷层上沉积自组装材料，其中所述自组装材料的大致球状域的位置和/或取向由所述对准部件指引以形成纳米结构图案，并且其中所述对准部件的周期在所述球状域的周期的2倍至10倍之间。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分立开口的直径小于所述球状域。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对准部件以周期Ls定位，所述自组装材料具有自然周期Lo，并且Ls＝nLo（±10％），其中n＝2、3、...、10。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对准部件以周期Ls定位，而所述自组装材料具有自然周期Lo，并且 （±10％），其中n＝2、3、4、5。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述自组装材料包括具有分别第一组分和第二组分的嵌段共聚物，所述衬底由对所述第一组分具有亲和力的材料形成，而所述刷层由对所述第二组分具有亲和力的材料形成。

6.一种方法，包括：

在衬底上形成聚合物刷层；

使用光刻工艺同时在伺服区中形成第一多个隔开的点并在所述刷层的位区中形成第二多个隔开的点；以及在所述位区的至少一部分上沉积自组装材料，其中所述自组装材料的域的所述位置和/或取向由所述第二多个隔开的点指引以在所述位区中形成纳米结构图案，所述第一多个隔开的点提供伺服数据以促进将数据记录至所述纳米结构图案。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，使用光刻工艺的步骤包括形成通过所述聚合物刷层延伸以暴露所述衬底的局部部分的分立圆形开口，以及通过所述开口沉积所述自组装材料至暴露的所述衬底的局部部分上。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述自组装材料的域包括球状域。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述自组装材料的域包括圆柱状域，而所述纳米结构图案包括层状图案。

说明书

使用自组装材料以指引可寻址阵列的化学钉扎

背景技术

[0001] 具有纳米量级的尺寸的部件的结构被考虑应用在光学、电子学、机械学、磁学等等领域中。纳米结构包括例如称为纳米颗粒、纳米管或量子点的多种结构，并且可能用作有序及复合材料的构建嵌段。

[0002] 对于包括位元图案化(bit pattemed)介质(BPM)和离散磁轨介质(DTM)的数据存储介质，对超高密度的点阵列或线阵列的小至25nm或更小周期的图案化是合乎需要的。然而，由于光刻受到衍射极限的限制，常规光刻的分辨率通常被限制为约50nm半间距。因此常规光刻可能不适合于制造用于位元图案化磁存储介质的这种纳米结构。

[0003] 期望得到一种用于在衬底上形成纳米结构的高产量图案化方法。自组装技术有可能提供超高密度图案化和高产量。

发明内容

[0004] 一方面，本发明提供一种方法，该方法包括：提供具有多个化学反差(chemically contrasted)对准部件的衬底，以及在所述衬底的至少一部分上沉积自组装材料，其中该自组装材料的大致球状域的位置和/或取向由对准部件指引，从而形成纳米结构图案，并且其中对准部件的周期在所述球状域的周期的约2倍至约10倍之间。

[0005] 另一方面，本发明提供一种装置，该装置包括具有多个化学反差对准部件的衬底和在该衬底的至少一部分上的自组装材料，其中该自组装材料的大致球状域的位置和/或取向由对准部件指引，以形成纳米结构图案，并且其中对准部件的平均间距在球状域的周期的约2倍至约10倍之间。

[0006] 另一方面，本发明提供一种方法，该方法包括：提供具有多个分立的化学反差对准部件的衬底，以及在多个化学反差对准部件的至少一部分上沉积自组装材料，其中该自组装材料的大致圆柱状域的位置和/或取向由对准部件指引，从而形成层状图案，并且其中对准部件的周期在圆柱状域的周期的约2倍至约10倍之间。

[0007] 另一方面，本发明提供一种装置，该装置包括具有多个分立的化学反差对准离散部件的衬底和在多个化学反差对准部件的至少一部分上的自组装材料，其中该自组装材料的大致圆柱状域的位置和/或取向由对准部件指引，以形成层状图案，并且其中对准部件的平均间距在圆柱状域的周期的约2倍至约10倍之间。

[0008] 另一方面，本发明提供一种方法，该方法包括：在衬底的伺服区中形成第一多个隔开的点；使用光刻工艺在衬底的位区中形成第二多个隔开的点；以及在位区的至少一部分上沉积自组装材料，其中该自组装材料的域的位置和/或取向由第二多个隔开的点指引，从而在该位区中形成纳米结构图案。

附图说明

[0009] 图1是根据本发明的一个方面的制造工艺的示意图。

[0010] 图2是嵌段共聚物的示意图。

[0011] 图3是衬底的横截面图。

[0012] 图4是衬底的横截面图。

[0013] 图5、6和7是点图案的示意图。

[0014] 图8、9、10和11是根据本发明一方面而构建的图案化介质的某些部分的示意图。

[0015] 图12是根据本发明一方面的图案化介质的一部分的显微照片。

[0016] 图13是根据本发明一方面构建的另一图案化介质的一部分的横截面示意图。

[0017] 图14是根据本发明一方面构建的另一图案化介质的一部分的横截面示意图。

[0018] 图15是根据本发明一方面的另一图案化介质的一部分的显微照片。

[0019] 图16是可用于制造图15所示的图案化介质的图案化表面的平面图。

[0020] 图17、18和19是根据本发明一方面构建的另一图案化介质的横截面的示意图。

[0021] 图20是根据本发明一方面的一数据存储圆盘模板的示意图。

[0022] 图21是示出本发明一方面的方法的流程图。

具体实施方式

[0023] 本发明涉及制造纳米结构器件的方法和使用这种方法制造的器件。在一个方面中，本发明提供一种在自然自组装纳米结构中实现长程有序和精确位置控制的方法。

[0024] 本发明可用于制造数据存储介质。数据存储介质一般包括伺服区和位区。该伺服区包括用于控制记录磁头的位置和读写操作的时序的信息。该位区用于存储写入该介质或从该介质读出的信息。在一个方面中，对于具有高密度周期性的点图案的位区和具有中至高密度周期性/非周期性点/线图案的伺服区，本发明允许将自组装工艺整合到BPM的纳米压印模板制造中。

[0025] 在另一方面中，本发明使用具有化学反差表面图案的衬底结构，该化学反差表面图案可用于指引纳米结构阵列的自组装或自组织。如本说明书中所使用的，化学反差衬底指的是具有对于嵌段共聚物的不同组分存在不同化学选择性或亲合性的区域或材料的衬底。这些区域或材料几乎没有形貌差异。这些区域或材料用作指引纳米结构的自组装的对准部件。自组装的意思是诸如嵌段共聚物及纳米颗粒之类的自组装材料的周期性纳米结构的形成。根据热力学特性，该周期性纳米结构可在较大区域中自发地形成。

[0026] 具有化学反差的衬底可用于指引嵌段共聚物球状或圆柱状纳米域的定位，其中纳米域具有25nm或更小的域周期，对应于位元图案化介质(BPM)的模板制备所需的大于等于2
1太点/平方英寸(≥1Tdot/in)的面密度。参照附图，图1用示意图示出了根据本发明的一个方面的制造工艺。

[0027] 在图1中，圆盘10包括衬底12并具有在该衬底上形成的表面图案14。该表面图案包括具有位于表面18之内或之上的多个区域16的化学反差表面图案。该区域16作为随后所沉积的纳米结构的对准部件。尽管为了清楚起见在图1中仅示出了少许区域16，但应当理解可在实际器件中可以使用更多的区域16。这些区域和表面对于随后将沉积在该衬底上的材料具有不同的亲和性，并用于指引纳米结构的位置和/或取向。这些区域16可通过常规光刻产生，诸如电子束光刻、纳米压印、深紫外(EUV)光刻、193nm光刻、248nm光刻、X射线光刻等等。

[0028] 表面图案14的半间距可以是例如数十至数百纳米。在该实施例中，区域16在表面18的平面上具有大体上圆形的形状。该区域16也可被称为点。

[0029] 自组装材料用来制备图案20，其长程有序性和位置精确度由表面图案14指引。在一个实施例中，使用嵌段共聚物制造自组装图案。该嵌段共聚物的组分将它们自身在衬底表面上定位成衬底的化学反差图案所指引的图案。可去除嵌段共聚物的一个域以在图案20中留下域22。在一个实施例中，余下的域22具有大体上球状的形状。

[0030] 衬底图案与嵌段共聚物图案之间的周期比可以在1∶1到10∶1的范围内变化。另外，衬底化学反差图案中的点阵结构不一定与嵌段共聚物图案中的结构相同。此外，化学反差图案不一定是周期性的。

[0031] 在一个实施例中，在横向测量时，对准点16的尺寸比嵌段共聚物域22的尺寸小，并且对准点的体积比嵌段共聚物域的体积小得多。

[0032] 图2是嵌段共聚物30的示意图。该嵌段共聚物包括主组分32和次组分34。

[0033] 图3是化学图案化衬底40的一部分的横截面图。聚合物刷层42形成在衬底的表面44上。在这个实施例中，开口46、48形成在该聚合物刷层中。衬底由对嵌段共聚物的第一组分具有亲和力的材料形成，并且该聚合物刷层42由对嵌段共聚物的第二组分具有亲和力的材料形成。当该嵌段共聚物被随后涂敷于该衬底上时，该嵌段共聚物的域的位置将由嵌段共聚物组分与衬底及与聚合物刷层的亲和性控制。图3的实施例包括凹陷的衬底图案。

[0034] 图4是化学图案化衬底50的一部分的横截面图。聚合物刷层52形成在衬底的表面54上。在这个实施例中，纳米柱56、58形成在该聚合物刷层上。该聚合物刷层由对嵌段共聚物的第一组分具有亲和力的材料形成，并且这些纳米柱由对嵌段共聚物的第二组分具有亲和力的材料形成。当嵌段共聚物被随后涂敷在该衬底上时，嵌段共聚物的域的位置将由嵌段共聚物组分与聚合物刷层以及与纳米柱的亲和性所控制。图4的实施例包括凸起的衬底图案。

[0035] 在本文所描述的实施例中，聚合物刷层可由聚苯乙烯(对于以聚苯乙烯作为主要嵌段的共聚物)构成。在图4的实施例中，所述纳米柱可以包括SiOx或者各种金属，诸如钽、铬、钛等等。

[0036] 为形成所述图案，通过甲苯之类的一般溶剂中的稀释溶液的旋涂可将嵌段共聚物沉积在图案化的表面上，从而形成了单层球(对于球状嵌段共聚物)或平放圆柱(对于圆柱状嵌段共聚物)，并且使用若干种已知工艺之一可将嵌段共聚物的一个域移除，从而留下点(或孔)或线(或沟槽)形态的多种纳米结构。

[0037] 嵌段共聚物纳米结构可用于形成具有约5nm到50nm量级的半间距域尺寸的结构。然而，这些嵌段共聚物纳米结构通常缺乏长程有序性。在一个方面中，本发明通过使用具有化学反差的表面图案的衬底来解决糟糕的长程有序问题从而提升嵌段共聚物纳米结构中的长程有序性。

[0038] 嵌段共聚物可包括两种有机嵌段(例如聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯)或者一种有机嵌段和一种无机嵌段(例如聚苯乙烯-嵌段-聚二甲基硅氧烷)。通过湿漂洗之后的UV降解可去除所述域中的一个。例如，通过UV曝光，聚甲基丙烯酸甲酯被降解而聚苯乙烯则被交联。在另一实施例中，可使用氧等离子体来去除有机组分。聚二甲基硅氧烷对氧等离子体具有好的耐受性。

[0039] 具有化学反差的衬底图案和定制图案布局可用于指引自组装纳米域的25nm或更小的(大于等于1太点/平方英寸)域周期的定位。这种衬底化学图案可通过诸如电子束、纳米压印、EUV、193nm、248nm、X射线等等之类各种先进的光刻技术产生。尽管嵌段共聚物在此处作为示例，但自组装材料并不限于嵌段共聚物，并且它可以是具有至少两种不同化学组分的自组装材料，例如化学官能纳米颗粒和纳米管。在化学官能纳米颗粒中，除有机纳米颗粒内核之外，还存在由与所述内核相比具有不同化学性质的有机聚合物链组成的外壳。化学官能纳米颗粒的一个示例是：3-丙氨基-(3-含氧丁酸)官能二氧化硅纳米颗粒。

[0040] 图5、6和7是具有不同周期性点阵结构的衬底点图案的示意图，其中Ls是衬底图案的周期(即对准点之间的间距)，Lsx是笛卡尔坐标系的X方向的周期，而Lsy是笛卡尔坐标系的Y方向的周期。

[0041] 图5示出定位成使Lsy＝0.866Lsx的对准点的六边形图案。图6示出定位成使Lsy＝Lsx的对准点的交错图案。图7示出定位成使Lsy＝Lsx的对准点的正方形图案。

[0042] 自然嵌段共聚物图案中，衬底图案的周期不一定等于域周期(1X)，这有助于缓解产生衬底图案所使用的常规光刻技术的压力，例如通过电子束光刻或光学光刻。自组装材料的自然图案指的是不经外部场的引导而形成的自组装纳米结构，诸如衬底形貌图案或化学反差图案。通过此处所述的方法，仅稀疏的衬底图案(例如化学反差)需要通过常规光刻产生，常规光刻将用于指引密集自组装图案。因此自组装缓解了常规光刻的分辨率压力。

[0043] 图案倍增(即衬底图案周期与嵌段共聚物图案周期的比率)的范围为约1到10。例如，如果不经任何表面引导可在自然嵌段共聚物纳米图案中典型地形成10×10嵌段共聚物域的单个颗粒从而成为多颗粒结构的形式，则可使用比率10。

[0044] 这种图案倍增对于面点密度为1-2太点/平方英寸及更大的图案化介质制造来说是有益的。这种方法的图案化分辨率仅受可用自组装材料的性质限制，对应于1-50太点/平方英寸的面密度，该材料的半间距尺寸对于嵌段共聚物为约4nm到大50nm、对于纳米颗粒为约3nm到约10nm以及对于纳米管为约1nm到约5nm。

[0045] 图8、9和10是由具有相同或不同点阵结构的周期性衬底图案所指引的嵌段共聚物图案的示意图。

[0046] 图8示出了在具有对准点的衬底上形成的纳米结构的图案，其中对准点位于附图标记60所示的位置处。所述对准点定位成使Lsy＝0.866Lsx。图8示出了具有3倍(3X)倍增的对准点六边形图案，其中Ls＝nLo(±10％)，其中n＝1、2、...、10，并且其中Lo是一自然(即未受指引的)嵌段共聚物图案中的周期。然而，图8中的对准点图案不限于3X的倍增。

[0047] 图9示出了在具有对准点的衬底上所形成的纳米结构的图案，其中对准点位于附图标记62所示的位置处。所述对准点定位成使Lsy＝Lsx处。图9示出了具有3X倍增的对准点的交错图案，其中Ls＝nLo(±10％)，其中n＝1、2、...、10。然而，图9中的对准点图案不限于3X的倍增。

[0048] 图8示出了在具有对准点的衬底上所形成的纳米结构的图案，其中对准点位于附图标记64所示的位置处。所述对准点定位成使Lsy＝Lsx。

[0049] 图10示出了具有4倍(4X)倍增的对准点正方形图案，其中Ls＝2nLo(±10％)，其中n＝1、2、...、5。然而，图10中的对准点图案不限于3X的倍增。

[0050] 在图8、9和10的结构中，设想不经由任何衬底导引而可在嵌段共聚物图案中获得10×10的自然点阵结构。

[0051] 衬底图案的所述点阵结构也可以与自然自组装结构的不同。例如具有六边形、交错或正方形阵列的衬底图案均能对准具有自然六边形点阵的嵌段共聚物球状/圆柱状域。此外，衬底图案不一定是周期性的，只要它可以通过在一些点处将一些嵌段共聚物纳米域钉扎到下层衬底从而指引嵌段共聚物域结构的长程有序即可。

[0052] 图11是由具有对准点的非周期性衬底图案所指引的一嵌段共聚物图案的示意图，其中所述对准点位于附图标记66所示的位置处。在这个实施例中，Ls的的平均尺寸是，并且在约2Lo到约10Lo的范围内。

[0053] 衬底图案可通过光学光刻制造。具有化学反差表面的衬底可包括交互的疏水/亲水区域，或包括对于共聚物中的不同嵌段而言具有不同亲和力的交替的极性/非极性区域。

[0054] 可通过衬底化学图案指引自组装纳米点阵列，其中该衬底化学图案具有的图案间距比纳米点阵列的间距大的多。通过使用精心设计的自组装系统，已经制造了在具有低形貌化学反差的衬底六边形点图案上自组装的球状嵌段共聚物，具有通过具有24nm/48nm/72nm/96nm的周期的衬底点阵列指引的24nm间距(1.3太点/平方英寸)的高可寻址嵌段共聚物点阵列。此外，还成功证实了被指引的大于2太点/平方英寸的点阵列。
在这个示例中，所述点以图5的阵列形式排列。

[0055] 虽然其他人已经研究过垂直取向的圆柱状嵌段共聚物，在圆柱状嵌段共聚物情况下，为实现域取向垂直于衬底/共聚物界面和共聚物/空气界面这两者，需要一中性表面润湿状态。在一个方面中，本发明包括不涉及中立表面润湿来形成可寻址点阵列的球状嵌段共聚物，其处于热力学均衡状态并因此固有地具有一低缺陷密度和长期稳定性。

[0056] 图12是根据本发明的一方面的图案化介质的一部分的显微照片。图12示出通过具有3X周期的六边形衬底图案所指引的1.3太点/平方英寸的球状PSPDMS嵌段共聚物图案。

[0057] 图13是与图12所示的相似的图案化介质的一部分的横截面示意图。在图13的示例中，具有化学反差表面72的衬底70包括聚合物刷层74和在该聚合物刷层中的开口76、78。嵌段共聚物80沉积在化学反差表面上。该嵌段共聚物在第二组分90中包括多个第一组分的大致球状的域82、84、86和88。域82和88对于衬底具有亲和性并且因此形成在聚合物刷层中的开口位置处。

[0058] 图14是图13的图案化介质所述部分在第二组分已基本上被去除之后的横截面示意图。

[0059] 在本发明的另一方面中，通过将衬底化学图案与圆柱状嵌段共聚物结合，可制造出高度有序的密集线图案。图15是由衬底点图案指引的柱状聚(苯乙烯-二甲基硅氧烷)(PS-PDMS)嵌段共聚物图案的显微照片。图15示出了图案化部分92和未图案化部分94而未示出下层衬底图案。在未图案化区域不存在明显的域取向。

[0060] 如图16所示，衬底上的化学反差图案包括多个点96。在图16的图案中，其中n＝1、2、...、5，而其中Lo是自然(即未经指引的)嵌段共聚物图案的周期。当将圆柱状嵌段共聚物沉积到图案化表面上时，所述圆柱体附着到所述图案化点上并在基本上平行于图案化表面的方向平放。

[0061] 图17、18和19是根据本发明的一个方面由圆柱状嵌段共聚物构建的图案化介质的横截面的示意图。

[0062] 图17示出了交叉磁轨方向上的横截面示意图。在图17的示例中，具有化学反差表面102的衬底100包括聚合物刷层104和位于聚合物刷层中的开口106。在化学反差表面上沉积了圆柱状嵌段共聚物108。该嵌段共聚物在第二组分116中包括第一组分的大致圆柱状的多个域110、112和114。域110和114对于衬底具有亲和性并因而形成在所述聚合物刷层中的开口位置处。

[0063] 图18是图17的图案化介质的部分在所述第二组分已被基本去除之后的横截面示意图。

[0064] 图19是图18的所述结构在下磁轨方向上的横截面示意图。

[0065] 所述嵌段共聚物材料可以是具有两种(或更多)高度不融合嵌段/组分A和B(或更多)的任何球状(对于纳米结构的点阵列而言)或圆柱状(对于纳米结构的点或线阵列而言)的嵌段共聚物，其可以形成域间距为25nm或更小的纳米结构，诸如聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-PMMA)(小至～20-25nm)、聚(苯乙烯-二甲基硅氧烷)(PS-PDMS)(小至～10nm)、聚苯乙烯-聚(氧化乙烯)(PS-PEO)(小至～15nm)、PS-P2VP(小至～12nm)、聚苯乙烯-嵌段-聚(4-乙烯基吡啶)(PS-P4VP)(小至～15nm)等等。

[0066] 在一个示例中，如果一个组分/嵌段包括诸如钴、铁之类的磁性元素，则该嵌段共聚物纳米结构可以被直接用作记录介质。

[0067] 如图20所示，所述自组装纳米域可被集成到包括规则位元图案和不规则伺服图案的BPM纳米压印模板制造中。

[0068] 图20是根据本发明的一个方面的数据存储圆盘模板120的示意图。该圆盘模板包括多个磁轨122，仅示出了所述磁轨的其中一个。各个磁轨包括多个数据位区124和多个伺服区126。使用在这里所描述的工艺可制造这些数据位区。使用诸如电子束写入之类的光刻工艺可制备这些伺服区。

[0069] 图21是示出在BPM模板制备中使用受指引的自组装嵌段共聚物纳米结构的方法的流程图，其中BPM模板制备包括位图案和伺服图案。照这种方法，电子束写入(EBW)用于在所述伺服区中产生伺服图案，而自组装材料/工艺用于在该位区中制备高密度点阵列。块130示出该方法通过用薄聚合物刷层涂覆衬底开始。在一个示例中，该薄聚合物刷层可具有约1nm到约10nm的厚度。

[0070] 然后利用具有例如约20nm到约50nm厚度的光刻胶层覆盖该薄聚合物刷层。可使用已知工艺将光刻胶图案化为包括规则点图案(在位区)和不规则伺服图案(在伺服区)。利用例如电子束光刻、光学光刻等可将光刻胶图案化(块132)。

[0071] 接着，可使用第一蒸镀和剥离工艺在位区和伺服区形成第一硬掩模图案(使用例如铬、钽等)。

[0072] 位区中的规则点图案将被用作用于引导随后涂敷的嵌段共聚物图案，而伺服区中的不规则伺服图案将被用作最终的伺服图案(块134)。

[0073] 块136示出涂敷嵌段共聚物并进行退火(例如通过热工艺/溶解工艺)，以在位区形成被之前所形成的所述硬掩模点图案指引的高度有序的嵌段共聚物图案。

[0074] 块138示出可使用第二蒸镀和剥离工艺在位区中形成第二硬掩模图案，该第二硬掩模图案可在某些些区域与第一硬掩模图案部分重叠。

[0075] 接着，如块140所示，通过蚀刻(或其它方法)将包括位图案(来自于第二硬掩模图案)和伺服图案(来自于第一硬掩模图案)的最终硬掩模图案转移到衬底(对于紫外线(UV)压印而言其可以是石英)中，并通过湿法蚀刻可去除所有的硬掩模图案。

[0076] 可将图21所示的方法集成到包括位图案(具有规则周期、高图案密度、单一形状、精确尺寸/位置σ)和伺服图案(其可以是非周期性的或周期性的、具有中至高等的图案密度、可变的形状等等)的BPM纳米压印主模板的制造中。受指引的自组装图案可用于位区，而通过电子束定义的图案可用于伺服区。

[0077] 该嵌段共聚物可包括两种有机嵌段(例如聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯)或者一种有机嵌段、一种无机嵌段(例如：聚苯乙烯-嵌段-聚二甲基硅氧烷)。通过湿漂洗之后的UV降解可去除所述域中的一个。例如，通过UV曝光，聚甲基丙烯酸甲酯被降解而聚苯乙烯则被交联。在另一实施例中，可以使用氧等离子体来去除有机-无机混合嵌段共聚物中的有机组分。该无机嵌段(即聚二甲基硅氧烷)对于氧等离子体具有好的耐受性。

[0078] 在一个示例中，具有定制点图案布局的化学反差衬底图案可指引球状嵌段共聚物，以产生具有超高图案密度的高度有序性密集点阵列。

[0079] 在另一示例中，具有定制点图案布局的化学反差衬底图案可指引圆柱状嵌段共聚物，以产生具有高图案密度的高度有序性线阵列。

[0080] 在一个方面中，通过使用以上所描述的受指引的自组装方法而制备的高度有序的点阵列可与电子束光刻工艺集成，以制造包括伺服图案和位图案的完整圆盘BPM模板。

[0081] 在另一方面中，本发明提供使用上述方法之一制造的装置。

[0082] 尽管根据若干示例描述了本发明，但对于本领域技术人员而言显而易见的是，可对所公开的示例作出多种改变，而不背离所附权利要求所限定的本发明的范围。上述实现和其它实现均在所述权利要求的范围内。