提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的方法

摘要

本发明公开了一种提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的方法，包括如下步骤：步骤1，设计Si/Ge发射极窗口版图；步骤1具体包括：(1)将一矩形图形沿中心对称在长轴方向将图形切为三部分，其中两端部分相同大小，其余为中间部分；(2)将切分出来的两端部分与中间部分设置一个合理的间距；(3)将两端部分切分为数个有一定间距的小孔的结构；(4)最后对中间部分进行处理，可以拆分为数个有一定间距的图形的组，或保持一整个矩形结构不做拆分；步骤2，采用步骤1设计的Si/Ge发射极窗口版图进行光学临近修正，利用所述版图的小孔过曝光时会产生旁瓣的原理，使之最终形成近似于方形的图形。

权利要求

1.一种提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的方法，其特征是，包括如下步骤：步骤1，设计Si/Ge发射极窗口版图；步骤1具体包括：(1)将一矩形图形沿中心对称在长轴方向将图形切为三部分，其中两端部分相同大小，其余为中间部分；

(2)将切分出来的两端部分与中间部分设置一个合理的间距；

(3)将两端部分切分为数个有一定间距的小孔的结构；

(4)最后对中间部分进行处理，可以拆分为两个有一定间距的矩形结构，或拆分为数个有一定间距的小孔的组合，或保持一整个矩形结构不做拆分；

步骤2，采用步骤1设计的Si/Ge发射极窗口版图进行光学临近修正，利用所述版图的小孔过曝光时会产生旁瓣的原理，使之最终形成近似于方形的图形。

2.根据权利要求1所述的提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的方法，其特征是，步骤(3)和步骤(4)之间增加如下步骤：在所述两端部分的最边缘的小孔处加上提高图形保真度的附加图形进行保真度修正。

3.根据权利要求2所述的提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的方法，其特征是，所述的附加图形为衬线结构或锤头结构。

说明书

提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的方法

技术领域

[0001] 本发明属于半导体制造中Si/Ge器件的制造工艺领域，具体涉及Si/Ge器件光刻工艺中的光学临近修正方法，尤其涉及一种提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的方法。

背景技术

[0002] 基于Si/Ge(Si/Ge指SixGe1-x的合金)化合物的半导体器件，利用Si/Ge能带间隙比Si更小且与Si集成电路工艺兼容的特点，适合制造高集成度高速度并容易和Si半导体器件进行兼容的半导体器件，被广泛应用于高速通信领域。

[0003] 在Si/Ge器件中，一般用Si/Ge作为基区，多晶硅为发射极，掺杂衬底作为集电极，发射极窗口的形状会影响发射极多晶栅沉积后的厚度，对于后续发射极多晶栅掺杂和基区的Si/Ge浓度分布产生影响，对器件的截止频率和放大系数有很大的影响，因此如何得到提高图形保真度，使工艺制程得到的发射极窗口尽量接近于设计是整个Si/Ge光刻工艺中最重要的部分。现有的光学临近修正方法往往通过增加附加图形来进行修正，其效果并不能令人满意，尤其当尺寸减小时，保真度更差。

发明内容

[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种提高Si/Ge器件中发射极窗口的图形保真度的光学临近修正方法。

[0005] 为解决上述技术问题，本发明提供一种提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的方法，包括如下步骤：

[0006] 步骤1，设计Si/Ge发射极窗口版图；步骤1具体包括：

[0007] (1)将一矩形图形沿中心对称在长轴方向将图形切为三部分，其中两端部分相同大小，其余为中间部分；

[0008] (2)将切分出来的两端部分与中间部分设置一个合理的间距；

[0009] (3)将两端部分切分为数个有一定间距的小孔的结构；

[0010] (4)最后对中间部分进行处理，可以拆分为数个有一定间距的图形的组，或保持一整个矩形结构不做拆分；

[0011] 步骤2，采用步骤1设计的Si/Ge发射极窗口版图进行光学临近修正，利用所述版图的小孔过曝光时会产生旁瓣的原理，使之最终形成近似于方形的图形。

[0012] 步骤(3)和步骤(4)之间可以增加如下步骤：在所述两端部分的最边缘的小孔处加上提高图形保真度的附加图形进行保真度修正。

[0013] 所述的附加图形为衬线结构或锤头结构。

[0014] 步骤(4)所述的中间部分可以保持一整个矩形结构不做拆分，或者拆分为两个有一定间距的矩形结构，或拆分为多个有一定间距的小孔的组合。

[0015] 和现有技术相比，本发明具有以下有益效果：可以提高Si/Ge器件中发射极窗口的图形保真度，从而降低由于发射极窗口形状变化引起的Si/Ge器件的截止频率和放大系数的变化。

附图说明

[0016] 图1是本发明发射极窗口版图的设计流程示意图；

[0017] 图2是发射极窗口光刻结果模拟图，图2(A)是传统的发射极窗口光刻结果模拟图，图2(B)是本发明的发射极窗口光刻结果模拟图之一(中间部分不拆分)，图2(C)是本发明的发射极窗口光刻结果模拟图之一(中间部分拆分)。

具体实施方式

[0018] 下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。

[0019] 本发明提供了一种提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的光学临近修正方法，主要利用一系列小孔图形组成Si/Ge发射极窗口版图，利用越小的矩形产生corner rounding(边角圆滑化)的曲率半径越小的光学临近效应原理，同时过小的间距无法成像的原理，把较大的矩形拆分为小孔，曝光后corner rounding较小，图形更接近于版图，同时中间分开区域会在曝光后由于分辨率不足，且小孔过曝光时边缘会产生side lobe(旁瓣，副瓣)效应导致图形粘连的原理，使之最终形成近似于方形的图形。

[0020] 本发明按照以下方法将如图1(A)所表示的传统的矩形发射极窗口图形拆分为如图1(D)所示的三部分：

[0021] (1)将图形沿中心对称在长轴方向将图形切为三部分，其中两端部分相同大小，其余为中间部分，见图1(B)；

[0022] (2)将切分出来的两端部分与中间部分设置一个合理的间距，见图1(C)；

[0023] (3)将两端部分切分为一系列数个有一定间距的小孔的结构，见图1(D)，以3个小孔为例；

[0024] (4)可以在最边缘的小孔处加上提高图形保真度的附加图形，如衬线(serif)或锤头(hammer head)；

[0025] (5)最后对中间部分进行处理，可以拆分为一系列图形的组合(例如两个矩形(见图2(C))，或拆分为多个小孔的组合，或中间部分不拆分，形成一整个矩形结构(见图2(B))。

[0026] 本发明还可以根据需求加全面的Mask bias。Mask bias指真实光罩上一倍图形与设计的差别。同时光刻工艺窗口与mask bias相关，不同mask bias可以使工艺窗口更优化。因此实际实施中可以根据光刻工艺的表现，增加不同的mask bias。一般增减的尺寸为设计尺寸的0％～50％。其实施方式为所有的设计图形完成后在版图上统一对所有图形进行放大和缩小。