BCD工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法

摘要

本发明公开了一种BCD工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法，其采用先光刻刻蚀完成低压区的工艺，接着淀积氧化沉淀层，而后光刻刻蚀完成高压区的工艺，离子注入形成第一注入区和第二注入区，从而避免面内产生的光刻胶涂布不均一性的问题。

权利要求

1.一种BCD工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在多晶硅淀积完成之后，利用光刻工艺定义出低压区的源漏注入区的位置；

2)刻蚀位于所述源漏注入区的位置处的多晶硅至硅衬底表面，之后去除光刻胶；

3)在上述整个结构表面淀积氧化衬垫层；

4)利用光刻工艺定义出高压区的第一注入区的位置；

5)刻蚀第一注入区位置处的氧化衬垫层至多晶硅表面，再刻蚀第一注入区的位置处的多晶硅至硅衬底表面，之后进行离子注入形成第一注入区；

6)去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出高压区的第二注入区的位置；

7)刻蚀第二注入区位置处的氧化衬垫层至多晶硅表面，再刻蚀第二注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后离子注入形成第二注入区；

8)去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出低压区的源漏注入区的位置；

9)进行低压区的源漏离子注入，形成源区和漏区。

2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中氧化衬垫层的淀积方法为：化学气相淀积法，氧化衬垫层的厚度范围为：1埃-10000埃。

说明书

BCD工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种BCD工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法。

背景技术

[0002] BCD(Bipolar CMOS)工艺通常为集成有高压器件、低压器件和双极性晶体管这三种器件的制备。目前的BCD工艺中，对于自对准沟道SAC(selfalignment channel)DMOS(字母D形MOS管)的制作工艺，一直是采用先进行高压器件的注入，后进行低压器件的注入。其制作工艺流程为(见图1)：

[0003] 1)在多晶硅淀积完成后，利用光刻工艺定义出高压区(高压器件区域)的第一注入区位置(见图1a，图中STI区为浅沟槽隔离区域)；

[0004] 2)刻蚀第一注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后离子注入形成第一次注入区(见图1b)；

[0005] 3)去除光刻胶，后利用光刻工艺定义出高压区的第二注入区位置(见图1c)；

[0006] 4)刻蚀第二注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后离子注入形成第二次注入区(见图1d)；

[0007] 5)去除光刻胶，后利用光刻工艺定义出低压区(低压器件区域)源漏注入区的位置(即第三注入区，见图1e)；

[0008] 6)刻蚀第三注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后去除光刻胶(见图1f)；

[0009] 7)重新利用光刻工艺定义出低压区源漏注入区的位置(见图1g)；

[0010] 8)进行低压区的源漏离子注入，形成源区和漏区(见图1h)；

[0011] 上述工艺流程的缺点在于：由于高压区的CD(critical dimension，工艺中所要达到的最小尺寸)与低压区的CD相比大很多，因此做完高压区的工艺之后，再做低压区的光刻胶涂布和光刻，会产生面内的不均一性(因为光刻胶在大片的空旷区域和密集的线宽区域，实际的光刻胶厚度不同)。

发明内容

[0012] 本发明要解决的技术问题是BCD工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法，其能避免面内产生光刻胶涂布不均一性的问题。

[0013] 为解决上述技术问题，本发明的BCD工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法，包括如下步骤：

[0014] 1)在多晶硅淀积完成之后，利用光刻工艺定义出低压区的源漏注入区的位置；

[0015] 2)刻蚀位于所述源漏注入区的位置处的多晶硅至硅衬底表面，之后去除光刻胶；

[0016] 3)在上述整个结构表面淀积氧化衬垫层；

[0017] 4)利用光刻工艺定义出高压区的第一注入区的位置；

[0018] 5)刻蚀第一注入区的位置处的多晶硅至硅衬底表面，之后进行离子注入形成第一注入区；

[0019] 6)去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出高压区的第二注入区的位置；

[0020] 7)刻蚀第二注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后离子注入形成第二注入区；

[0021] 8)去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出低压区的源漏注入区的位置；

[0022] 9)进行低压区的源漏离子注入，形成源区和漏区。

[0023] 利用本发明的制备方法，先制备低压器件区域的，并采用氧化衬垫层以防止注入损伤衬底，后制备高压器件，这样因为低压器件的线宽小，间隙小，而高压器件的线宽大，间隙大，最终使光刻胶涂布的均一性得到改善。

附图说明

[0024] 下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

[0025] 图1为与现有工艺中实施步骤相应的截面结构示意图；

[0026] 图2为本发明的制备方法流程示意图；

[0027] 图3为与本发明的制备方法相应的截面结构示意图。

具体实施方式

[0028] 本发明的BCD工艺中自对准沟道的DMOS的制备方法，包括如下步骤(见图2)：

[0029] 1)在多晶硅淀积完成之后，利用光刻工艺(涂光刻胶，而后采用光刻掩膜版进行光刻，之后显影即形成光刻胶图形)定义出低压区的源漏注入区的位置，使光刻后位于源漏注入区的多晶硅暴露出来，而其它位置被光刻胶所覆盖(见图3a)；

[0030] 2)刻蚀位于源漏注入区的位置处(也即图3i中所示的第三注入区的位置)的多晶硅至硅衬底表面，之后去除剩余的光刻胶(见图3b)；

[0031] 3)在上述整个结构表面淀积氧化衬垫层，使多晶硅上及暴露出的硅衬底表面均为氧化层所覆盖(见图3c)，氧化衬垫层的淀积可采用化学气相淀积(CVD)工艺，厚度范围为：1埃-10000埃；

[0032] 4)再次利用光刻工艺定义出高压区的第一注入区(一般为P型DMOS的源漏区)的位置(见图3d)；

[0033] 5)刻蚀第一注入区的位置处的多晶硅至硅衬底表面，之后进行离子注入形成第一注入区(见图3e)；

[0034] 6)去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出高压区的第二注入区(一般为N型DMOS的源漏区)的位置(见图3f)；

[0035] 7)刻蚀第二注入区位置处的多晶硅至硅衬底表面，而后离子注入形成第二注入区(见图3g)；

[0036] 8)去除剩余的光刻胶，再次利用光刻工艺定义出低压区的源漏注入区的位置(见图3h)；

[0037] 9)进行低压区的源漏离子注入，形成源区和漏区，即为图3i中所述的第三注入区。最后去除光刻胶和氧化衬垫层。