半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。在利用IC测试仪确认熔丝的熔断情况时，由于只进行电测量，因此无法测量该熔断面之间的间隙。在因熔断布线时施加应力的偏差等因素导致熔断面间隙很小的情况下，存在熔断面因受到温度应力、复原力(回复至原来连接状态的力)等的作用而重新结合等可靠性方面的问题。本发明的半导体装置包括：熔丝，通过对该熔丝通以额定电流以上的电流，能够使该熔丝的导体部分熔断；第1监控布线以及第2监控布线，其用于监控上述导体部分的熔断情况，该半导体装置的上述第1监控布线以及第2监控布线在自上述导体部分中央部离开一定距离的位置上与该导体部分相连。

权利要求

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：熔丝，通过对该熔丝通以额定电流以上的电流，能够使该熔丝的导体部分熔断；

第1监控布线以及第2监控布线，其用于监控上述导体部分的熔断情况；

上述第1监控布线以及第2监控布线分别在自上述导体部分中央部离开一定距离的位置上与该导体部分相连接；

通过判断第1监控布线以及第2监控布线与上述导体部分之间的连接关系来确定熔丝的熔断情况。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第1监控布线以及上述第2监控布线配置在与上述熔丝并列的位置，且分别与上述熔丝的要熔断的部分的两端相连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第1监控布线以及上述第2监控布线分别配置在上述熔丝两侧面中的一侧面和另一侧面上，且分别与上述熔丝的要熔断的部分的两端相连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述第1监控布线以及上述第2监控布线配置为隔着上述熔丝的要熔断的部分的单侧的电极，且分别与该电极相连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括第3监控布线和第4监控布线；

上述第1～第4监控布线配置为从上述熔丝的两侧分别与要熔断的导体部分的两端相连接。

说明书

半导体装置

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体装置以及熔丝的熔断方法，特别是具有电流熔断式熔丝的半导体装置以及熔丝的熔断方法。

背景技术

[0002] 在近年来的半导体装置中，为了提高半导体装置的通用性，通常不改变半导体装置的屏蔽状态、而是通过使设置在半导体装置内部的熔丝熔断，从而改变接线信息，由此改变半导体的状态设定。

[0003] 在熔丝的熔断处理中，为了通过切断半导体装置内的一部分布线而改变接线信息，设置有熔丝图案等布线熔断电路。对该布线熔断电路的两端施加电应力，从而使布线熔断电路电气性地断开，由此改变接线状态。

[0004] 图1是以往采用的普通熔丝的熔断示意图。熔丝包括直线状的导体部分和设置在该导体部分两端的熔丝引出焊盘(PAD)，将两端的焊盘分别视作焊盘1、焊盘2，在焊盘1与焊盘2之间形成有导体部分3。导体部3被设计的很细，通过增加导体部分3的局部电流密度，能够使导体部分3发热，从而用比较小的电流使导体部分3熔断。图1(a)表示导体部分3熔断前的状态，在通电后该导体部分3熔断。根据情况的不同，有时也会出现如图1(b)所示的情况，即、虽然导体部分3熔断，但熔断面之间的距离很小。图1(c)表示导体部分3完全熔断的情况。

[0005] 专利文献1：日本特开2007-5424号公报

[0006] 但是，对于上述半导体装置来说，在利用IC(集成电路) 测试仪确认熔丝的熔断情况时，由于只进行电测量，因此无法测量熔丝熔断面的间隙(距离)。如图1(b)所示，在因布线熔断时的应力施加偏差等因素导致熔断面的间隙很小的情况下，存在熔断面受到温度应力、复原力(回复至原来连接状态的力)等的作用而重新结合等可靠性方面的问题。 [0007] 特别是对于车载用的半导体装置来说，由于在该领域中需要考虑在温度非常高的夏季炎热天气等严酷条件下使用该种半导体装置的情况，因此存在必须使该种半导体装置具有高可靠性的问题。

发明内容

[0008] 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置包括：熔丝，通过对该熔丝通以额定电流以上的电流，能够使该熔丝的导体部分熔断；第1监控布线以及第2监控布线，其用于监控上述导体部分的熔断情况。该半导体装置特征在于，该半导体装置的上述第1监控布线以及第2监控布线在自上述导体部分中央部离开一定距离的位置上与该导体部分相连接。 [0009] 本发明还提供一种半导体装置，其特征在于，上述第1监控布线以及上述第2监控布线配置在与上述熔丝并列的位置，且分别与上述熔丝的要熔断的部分的两端相连接。 [0010] 根据本发明，能够对熔断面是否相隔一定距离以上进行确认。由此，能够避免出现熔丝熔断面之间距离较短的情况，从而获得高可靠性。

附图说明

[0011] 图1是表示以往技术的结构图。

[0012] 图2是表示本实施方式的半导体装置结构的结构图。

[0013] 图3是表示本实施方式的半导体装置结构的结构图。

[0014] 图4是表示本实施方式的半导体装置结构的结构图。

[0015] 图5是表示本实施方式的半导体装置结构的结构图。

[0016] 图6是表示本实施方式的半导体装置结构的结构图。

[0017] 具体实施方式

[0018] 图2是表示本发明的半导体装置的结构图。并且，对于在以往技术中说明了的部分，由于结构相同，因此省略重复说明。以与熔丝并列的方式设置监控布线如图2(a)所示，将监控布线的检测焊盘分别视作焊盘4、焊盘5，且上述焊盘4和5在导体部分3的中央部以彼此分开间隙(d)的方式与导体部分3相连接。

[0019] 如图2(b)所示，在熔断面的间隙不够充分的情况下，通过确认焊盘1与焊盘4的电连接状态，能够简单地检测到上述间隙的不充分。同样地，通过确认焊盘2与焊盘5的电连接状态，也能够简单地检测到上述间隙的不充分。另外，导体部分3在完全熔断情况下，会变成图2(c)所示的状态，即、焊盘1、2、4、5各自独立。在该状态下，通过确认焊盘1与焊盘4、或焊盘2与焊盘5的电连接状态，能够可靠地确保熔断面的间隙。

[0020] 图3是表示本发明的半导体装置的结构图。与图2不同，在图3(a)中不是与熔丝并列地配置监控布线、而是将焊盘6配置在对角线上。所谓配置在对角线上，是指将焊盘6和焊盘4配置在熔丝两个侧面中的一边侧面和另一边侧面上，且分别与要熔断的熔丝的两端相连接。另外，如图3所示，即使将上述焊盘配置在对角线上，也同样能够如图2的配置方式那样地确认熔断面的间隙。如图3(b)所示，在熔断面间隙不够充分的情况下，通过确认焊盘1与焊盘4的电连接状态，能够简单地检测 到上述间隙的不充分。根据情况的不同，有时不能在与熔丝并列的位置上设置监控布线，因此检测焊盘若能在配置方式上富于变化，则具有适用范围广的优点。熔丝在完全熔断的情况下，会变成图3(c)所示的状态，即、焊盘1、2、4、6各自独立。

[0021] 图4是表示本发明的半导体装置的结构图。与图2及图3不同，图4(a)表示以隔着焊盘1单侧电极的方式配置监控布线的情况。在该情况下，如图4(b)所示，在熔断面间隙不够充分时，通过确认监控布线与焊盘1的电连接状态，同样能够简单地检测到上述间隙的不充分。熔丝在完全熔断情况下，会变成图4(c)所示状态，即、焊盘1、2、4、7各自独立。 [0022] 图5表示未能充分确保熔断面间隙的情况。图5(a)表示以与熔丝并列的方式配置监控布线的情况，图5(b)表示呈对角线状地配置监控布线的情况，图5(c)表示以隔着焊盘1单侧电极的方式配置监控布线的情况。由于在上述各情况下的电连接试验结果均合格，因此在可靠性方面存在问题。

[0023] 在图6中，示出了假设在如图5所示的熔断面间隙不够充分情况下，于要熔断的导体部分3的上下左右方向以包围该导体部分3的方式配置监控布线的情形。虽然该方法不利于节省成本，但却能显著提高可靠性。

[0024] 以上，描述了用于实施本发明的最佳实施方式，但上述实施方式只是为了使本发明易于理解，而非对本发明进行限定性地解释。在不脱离本发明主旨的范围内能够对本发明进行变更、改良，并且在本发明中也包含本发明的等同例。例如，图6所示的情况是自4个方向包围导体部分3，但也可以自3个方向、5个方向包围导体部分3。