本发明公开了一种具有上下电极的发光二极管封装结构，并公开了该封装结构的封装方法。本发明将发光二极管芯片安置于第一金属板，以打线方式将发光二极管芯片的表面电极电性耦合至第二金属板。将第一金属板向上C型弯折产生上电极，将第二金属板向下C型弯折产生下电极，完成上下电极发光二极管封装。
1.一种具有上下电极的发光二极管封装结构，其特征是，包含C型金属片、下层反C型金属片、发光二极管和封装胶体，C型金属片具有上端水平区域与下端水平区域，下层反C型金属片具有上端水平区域与下端水平区域，下层反C型金属片的上端水平区域与C型金属片的下端水平区域共平面；发光二极管安置于C型金属片的下端水平区域，发光二极管芯片的底面电极电性耦合至C型金属片，发光二极管表面电极电性耦合至下层反C型金属片的上端水平区域；封装胶体封装固着C型金属片、下层反C型金属片和发光二极管，裸露C型金属片的上端水平区域形成上电极，裸露下层反C型金属片的下端水平区域形成下电极。
2.权利要求1所述的具有上下电极的发光二极管封装结构的制造方法，其特征是，该方法包含如下步骤：准备一片金属基材；
将发光二极管芯片安置于第一金属第一端，且芯片的底面电极电性耦合至第一金属；
将发光二极管芯片的表面电极以金属线电性耦合到第二金属第一端；
将第一金属第二端向上弯折90度，然后水平弯折90度，形成C型弯折，具有上端水平区域；
将第二金属第二端向下弯折90度，然后水平弯折90度，形成下层反C型弯折，具有下端水平区域。
3.一种具有上下电极的发光二极管封装结构，其特征是，包含H型金属、下层反C型金属片、发光二极管和封装胶体，H型金属具有两个上层C型金属区段与两个上层反C型金属区段，构成四个上端水平区域与一个横梁为共同的下端水平区域；下层反C型金属片具有上端水平区域与下端水平区域，安置于上层两个反C型金属区段中间下方，且下层反C型金属区段的上端水平区域与H型金属的横梁共平面；发光二极管安置于H型金属片的横梁上，发光二极管表面电极以金属线电性耦合至下层反C型金属片的上端水平区域；封装胶体封装固着H型金属、下层反C型金属片、发光二极管和金属线，裸露两个上层C型金属片的上端水平区域形成第一第二上电极，裸露两个上层反C型金属片的上端水平区域形成第三第四上电极，裸露下层反C型金属片的下端水平区域形成下电极。
4.权利要求3所述的具有上下电极的发光二极管封装结构的制造方法，其特征是，该方法包含如下步骤：准备一片金属基材；
将金属基材冲压出共平面的H型第一金属与矩形第二金属；
将发光二极管芯片安置于第一金属中间横梁，且将发光二极管芯片的下层电极电性耦合至第一金属；
将发光二极管芯片的表面电极以金属线电性耦合到第二金属的第一端；
将第一金属左边两个延伸端向上弯折90度，然后水平弯折90度，形成C型弯折，产生第一第二两个上端水平区域；将第一金属右边两个延伸端向上弯折90度，然后水平弯折90度，形成反C型弯折，产生第三第四两个上端水平区域；
将第二金属第二端向下弯折90度，然后水平弯折90度，形成反C型弯折，产生下端水平区域。
具有上下电极的发光二极管封装结构及其封装方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种具有上下电极的发光二极管封装结构；本发明还涉及上述具有上下电极的发光二极管封装结构的封装方法。
背景技术
[0002] 如图1A所示，美国专利US7527391B2于2009年5月5日公开了一种具有上下电极的发光二极管封装产品200，包含上电极21与下电极22。此一平行且重迭上下电极21，22的制作，必须先准备第一金属基材21，下方迭合一片绝缘材料25、冲压出通孔，再准备第二金属基材22迭合于下方、安装发光二极管芯片20于通孔中的下层金属22表面，最后以打线24电性耦合发光二极管芯片25的表面电极到第一金属基材21、再以胶体23加以封装。其封装方法比较复杂，在量产上若是可以开发出制程简单且功能相同的产品，一直是制程工程师努力寻找的方向。如图1B所示，第一金属21左右对称，位于第二金属22上方。第二金属22位于产品底部，构成底部为全面金属的第二电极22型态。
发明内容
[0003] 本发明所要解决的技术问题是提出一种封装过程较现有技术简化、制作成本更低、整体结构不同于现有技术的具有上下电极的发光二极管封装结构，并提出该封装结构的封装方法。
[0004] 为了解决上述技术问题，本发明提供的一种具有上下电极的发光二极管封装结构，包含C型金属片、下层反C型金属片、发光二极管和封装胶体，C型金属片具有上端水平区域与下端水平区域，下层反C型金属片具有上端水平区域与下端水平区域，下层反C型金属片的上端水平区域与C型金属片的下端水平区域共平面；发光二极管安置于C型金属片的下端水平区域，发光二极管芯片的底面电极电性耦合至C型金属，发光二极管表面电极电性耦合至下层反C型金属片的上端水平区域；封装胶体封装固着C型金属片、下层反C型金属片和发光二极管，裸露C型金属片的上端水平区域形成上电极，裸露下层反C型金属片的下端水平区域形成下电极。
[0005] 上述具有上下电极的发光二极管封装结构的封装方法，包含如下步骤：
[0006] 准备一片金属基材；
[0007] 将金属基材冲压出共平面的第一金属与第二金属；
[0008] 将发光二极管芯片安置于第一金属第一端，且芯片的底面电极电性耦合至第一金属；
[0009] 将发光二极管芯片的表面电极以金属线电性耦合到第二金属第一端；
[0010] 用封装胶体封装固着前述组件；
[0011] 将第一金属第二端向上弯折两个90度，形成C型弯折，具有上端水平区域；
[0012] 将第二金属第二端向下弯折两个90度，形成下层反C型弯折，具有下端水平区域。
[0013] 本发明提供的另一种具有上下电极的发光二极管封装结构，包含H型金属、下层反C型金属片、发光二极管和封装胶体，H型金属具有两个上层C型金属区段与两个上层反C型金属区段，构成四个上端水平区域与一个横梁为共同的下端水平区域；下层反C型金属片具有上端水平区域与下端水平区域，安置于上层两个反C型金属区段中间下方，且下层反C型金属区段的上端水平区域与H型金属片的横梁共平面；发光二极管安置于H型金属片的横梁上，发光二极管表面电极以金属线电性耦合至下层反C型金属片的上端水平区域；封装胶体封装固着H型金属、下层反C型金属片、发光二极管和金属线，裸露两个上层C型金属片的上端水平区域形成第一第二上电极，裸露第两个上层反C型金属片的上端水平区域形成第三第四上电极，裸露下层反C型金属片的下端水平区域形成下电极。
[0014] 上述具有上下电极的发光二极管封装结构的封装方法，包含如下步骤：
[0015] 准备一片金属基材；
[0016] 将金属基材冲压出共平面的H型第一金属与矩形第二金属；
[0017] 将发光二极管芯片安置于第一金属中间横梁，且将发光二极管芯片的下层电极电性耦合至第一金属；
[0018] 将发光二极管芯片的表面电极以金属线电性耦合到第二金属的第一端；
[0019] 用封装胶体封装固着前述组件；
[0020] 将第一金属左边两个延伸端向上弯折两个90度，形成C型弯折，产生第一第二两个上端水平区域；将第一金属右边两个延伸端向上弯折两个90度，形成反C型弯折，产生第三第四两个上端水平区域；
[0021] 将第二金属第二端向下弯折两个90度，形成反C型弯折，产生下端水平区域。
[0022] 相对于现有的具有上下电极的发光二极管，本发明发光二极管封装结构的封装过程较现有技术简化，发光二极管封装结构在整体上不同于现有的上下电极发光二极管产品，但是仍然具有上下电极，且可用较低的成本制作完成，以取代现有技术的上下电极发光二极管。
附图说明
[0023] 图1A为美国专利US7527391B2公开的具有上下电极的发光二极管封装产品的俯视图。
[0024] 图1B为图1A的侧面剖视图。
[0025] 图2A为本发明第一较佳实施例之具有上下电极的发光二极管封装步骤示意图。
[0026] 图2B为图2A的侧视图。
[0027] 图3A为本发明第一较佳实施例之具有上下电极的发光二极管成品俯视图。
[0028] 图3B为图3A的侧视图。
[0029] 图4A为本发明第二较佳实施例之具有上下电极的发光二极管封装步骤示意图。
[0030] 图4B为图4A的S1-S1’剖面图。
[0031] 图5A为本发明第二较佳实施例之具有上下电极的发光二极管封装成品俯视图。
[0032] 图5B为图5A的侧视图。
[0033] 图6A为图5B的俯视图。
[0034] 图6B为图5B的仰视图。
[0035] 图6C为图5B的左视图。
[0036] 图6D为图5B的右视图。
[0037] 其中：50为发光二极管芯片；52为打线；53为封装胶体；511、611为第一金属；512、612为第二金属；511T、611T为上电极；512B、612B为下电极。
具体实施方式
[0038] 下面结合附图和具体实施例，进一步阐述本发明。这些实施例应理解为仅用于说明本发明而不用于限制本发明的保护范围。在阅读了本发明记载的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等效变化和修饰同样落入本发明权利要求所限定的范围。
[0039] 如图2A所示，本发明第一较佳实施例提供的具有上下电极的发光二极管封装结构的封装包括如下步骤：
[0040] (1)准备一片金属基材，冲压出共平面的第一金属511与第二金属512；
[0041] (2)将发光二极管芯片50安置于第一金属511第一端，且将发光二极管芯片50的下层电极电性耦合至第一金属511；
[0042] (3)将发光二极管芯片50的表面电极以金属线52，电性耦合到第二金属512的第一端；
[0043] (4)准备封装胶体53，封装固着前述组件；
[0044] 如图2B所示，第一金属511左边准备向上弯折，第二金属512右边准备向下弯折。
[0045] 接着执行下述步骤，产生如图3A所示的产品：
[0046] (1)将第一金属511第二端向上弯折两个90度，形成C型弯折，产生上端水平区域511T；
[0047] (2)将第二金属512第二端向下弯折两个90度，形成反C型弯折，产生下端水平区域512B。
[0048] 如图3A所示，本发明第一较佳实施例提供的具有上下电极的发光二极管封装结构中，第一金属511左端向上弯折两次90度，产生一个上端水平端511T，作为上电极。第二金属512右端向下弯折两次90度，请参考图3B。图3B显示第一金属511左端向上弯折两次90度，产生一个上端水平端511T，作为上电极。第二金属512右端向下弯折两次90度，产生一个下端水平端512B，作为上电极。
[0049] 如图4A所示，本发明第二较佳实施例提供的具有上下电极的发光二极管封装结构的封装包括如下步骤：
[0050] (1)准备一片金属基材，冲压出共平面的H型第一金属611与矩形第二金属612；
[0051] (2)将发光二极管芯片60安置于H型第一金属611中间横梁，且将发光二极管芯片60的下层电极电性耦合至第一金属611；
[0052] (3)将发光二极管芯片60的表面电极以金属线62，电性耦合到第二金属612的第一端；
[0053] (4)准备封装胶体63，封装固着前述组件；
[0054] 如图4B所示，第一金属611四个延伸端准备向上弯折，第二金属612右边延伸端准备向下弯折。
[0055] 接着执行下述步骤，产生如图5A所示的产品：
[0056] (1)将第一金属611左边两个延伸端向上弯折两个90度，形成C型弯折，产生第一第二两个上端水平区域611T；将第一金属611右边两个延伸端向上弯折两个90度，形成反C型弯折，产生第三第四两个上端水平区域611T；以及
[0057] (2)将第二金属612第二端向下弯折两个90度，形成反C型弯折，产生下端水平区域612B。
[0058] 如图5A所示，本发明第二较佳实施例提供的具有上下电极的发光二极管封装结构中，第一金属611左端两个延伸端向上弯折两次90度，产生第一第二两个上端水平端611T，作为上电极。第一金属611右端两个延伸端向上弯折两次90度，产生第三第四两个上端水平端611T，作为下电极。第二金属612右端向下弯折两次90度，请参考图5B。图5B显示第一金属611左端延伸端向上弯折两次90度，产生一个上端水平端611T，作为上电极。
右端延伸端也向上弯折两次90度，产生一个上端水平端611T，作为上电极。第二金属612右端向下弯折两次90度，产生一个下端水平端612B，作为下电极。
[0059] 图6A显示本发明第二较佳实施例提供的具有上下电极的发光二极管封装结构中，发光二极管封装的四个上电极611T分别位于产品的封装胶体63上面四个角落。
[0060] 图6B显示本发明第二较佳实施例提供的具有上下电极的发光二极管封装结构中，发光二极管封装的下电极612B，位于产品的封装胶体63下面右边。
[0061] 图6C显示本发明第二较佳实施例提供的具有上下电极的发光二极管封装结构中，发光二极管封装的第一金属611左边两个延伸端弯折90度的状态。
[0062] 图6D显示本发明第二较佳实施例提供的具有上下电极的发光二极管封装结构中，发光二极管封装的第一金属611右边两个延伸端弯折90度的状态以及第二金属612右边延伸端弯折90度的状态。
