旋转天线及包括该旋转天线的半导体装置转让专利
申请号 : CN200880127604.5
文献号 : CN101960928A
文献日 : 2011-01-26
发明人 : 徐基源
申请人 : 技术发现者联合有限公司 , 徐基源
摘要 :
公开了一种旋转天线和设置有该旋转天线的半导体生产装置。该旋转天线包括多个线圈，该多个线圈并联到高频能量源并且以相对于轴成对称关系地围绕轴以规定间隔布置，其中，当所述线圈绕该轴旋转时，均匀地形成用于产生感应耦合等离子体的电磁场。
权利要求 :
1.一种旋转天线，包括：
多个线圈，该多个线圈并联到高频能量源并且以相对于轴成对称关系地围绕轴以规定间隔布置，其中，当所述线圈绕该轴旋转时，均匀地形成用于产生感应耦合等离子体的电磁场。
2.如权利要求1所述的旋转天线，其中所述线圈包括：
中心线圈，该中心线圈被施加高频能量并作为旋转中心轴；以及多个支线圈，该多个支线圈围绕所述中心线圈以规定间隔布置，从而所述支线圈相对于该中心轴对称布置，并且支线圈在其第一端连接到中心线圈，每个支线圈远离中心线圈延伸然后朝着中心线圈延伸，支线圈在其第二端具有接地部分。
3.如权利要求1所述的旋转天线，其中大致上恒定的平均电压沿着远离线圈围绕着旋转的起点延伸的方向被施加给所述线圈。
4.如权利要求1所述的旋转天线，其中每个线圈由冷却剂流过的导体管形成。
5.一种半导体生产装置，包括：
用于接收晶片的室，该室被供应反应气体；以及
旋转天线，其包括多个线圈，该多个线圈并联到高频能量源并且以相对于轴成对称关系地围绕轴以规定间隔布置，其中，当所述线圈绕该轴旋转时，均匀地形成用于产生感应耦合等离子体的电磁场。
6.如权利要求5所述的半导体生产装置，其中所述线圈包括被施加了高频能量并作为旋转中心轴的中心线圈、以及多个围绕所述中心线圈以规定间隔布置的支线圈，从而所述支线圈相对于该中心轴对称布置，支线圈在其第一端被连接到中心线圈以接收所述高频能量，所述支线圈在其第二端具有接地部分，所述接地部分邻近所述中心线圈布置。
7.如权利要求6所述的半导体生产装置，其中所述中心线圈和支线圈中的每一个具有冷却剂流过的冷却剂路径。
8.如权利要求5所述的半导体生产装置，其中所述旋转天线被旋转安装到所述室的外侧或者内侧。
9.如权利要求5所述的半导体生产装置，还包括：
转子，所述旋转天线被附接到该转子，用于与转子整体地旋转；以及壳体，用于旋转支撑所述转子。
10.如权利要求9所述的半导体生产装置，其中所述壳体具有冷却剂供应部分和冷却剂排出部分，其中，所述转子具有冷却剂通道，冷却剂通过该冷却剂通道被传递到所述旋转天线，以及其中，在所述冷却剂供应部分和所述冷却剂通道之间、以及在所述冷却剂排出部分和所述冷却剂通道之间设置密封件。
11.如权利要求9所述的半导体生产装置，其中所述线圈包括被施加了高频能量并作为旋转中心轴的中心线圈、以及多个围绕所述中心线圈以规定间隔布置的支线圈，所述中心线圈和所述转子电绝缘，所述支线圈在其远端具有接地部分，所述接地部分和所述转子接地接触。
12.如权利要求5所述的半导体生产装置，还包括：
具有沿径向和圆周方向形成的气槽和气孔的气体供应板，用于均匀地喷射反应气体。
13.如权利要求5所述的半导体生产装置，其中大致上恒定的平均电压沿着远离所述线圈围绕着旋转的起点延伸的方向被施加给所述线圈。
1.一种旋转天线，包括：
多个线圈，该多个线圈并联到高频能量源并且以相对于轴成对称关系地围绕轴以规定间隔布置，其中，当所述线圈绕该轴旋转时，均匀地形成用于产生感应耦合等离子体的电磁场。
2.如权利要求1所述的旋转天线，还包括：
中心线圈，该中心线圈被施加高频能量并作为旋转中心轴，其中，所述多个线圈是围绕所述中心线圈以规定间隔布置的多个支线圈，从而所述支线圈相对于该中心轴对称布置，所述支线圈在其第一端连接到中心线圈，每个支线圈远离中心线圈延伸然后朝着中心线圈延伸，所述支线圈在其第二端具有接地部分。
3.如权利要求1所述的旋转天线，其中大致上恒定的平均电压沿着远离线圈围绕着旋转的起点延伸的方向被施加给所述线圈。
4.如权利要求1所述的旋转天线，其中每个线圈由导体管形成，冷却剂流过该导体管。
5.一种半导体生产装置，包括：
用于接收晶片的室，该室被供应反应气体；以及
旋转天线，其包括多个线圈，该多个线圈并联到高频能量源并且以相对于轴成对称关系地围绕轴以规定间隔布置，其中，当所述线圈绕该轴旋转时，均匀地形成用于产生感应耦合等离子体的电磁场。
6.如权利要求5所述的半导体生产装置，还包括中心线圈，该中心线圈被施加高频能量并作为旋转中心轴，其中，所述多个线圈是围绕所述中心线圈以规定间隔布置的多个支线圈，从而所述支线圈相对于该中心轴对称布置，所述支线圈在其第一端被连接到中心线圈以接收所述高频能量，所述支线圈在其第二端具有接地部分，所述接地部分邻近所述中心线圈布置。
7.如权利要求6所述的半导体生产装置，其中所述中心线圈和支线圈中的每一个具有冷却剂流过的冷却剂路径。
说明书 :
旋转天线及包括该旋转天线的半导体装置
技术领域
[0001] 本发明涉及一种在半导体生产装置中作为等离子体源的旋转天线，半导体生产装置比如蚀刻装置或者沉积装置(包括等离子体增强化学气相沉积装置，高密度等离子体化学气相沉积装置和等离子体增强原子层沉积装置)，它们被用于使用等离子体加工基片(在下文中，术语“基片”被用于覆盖晶片和LCD玻璃基片)。同时本发明还涉及具有作为等离子体源的旋转天线的半导体生产装置。
背景技术
[0002] 鉴于在半导体领域中精确地形成电路图案线宽的需求和在玻璃基片制成的LCD领域中增加玻璃基片尺寸的需求，已经发展出了各种形状的用于在基片表面上形成精确图案的等离子体源。
[0003] 用于在半导体生产装置中产生等离子体的等离子体源的典型示例包括具有平行板几何形状的电容耦合等离子体(CCP)源和使用天线线圈的感应耦合等离子体(ICP)源。所述CCP源已经由日本的Tokyo Electron Ltd.和美国的Lam Research Corp.研制，而ICP源已经由美国的Applied Materials Technologies Inc和Lam Research Corp.研制。
[0004] 虽然CCP源在发出均匀等离子体上有优势，但是电磁场对作为工件的基片有直接影响。所以，电磁场易于对在工件上形成精确的图案产生不利的影响。另外，由于CCP源的等离子体产生密度小于ICP源，所以CCP源在适当地形成线宽变窄的图案方面是不利的。此外，由于CCP源被施加了高级能量，因此可能对工件和半导体生产装置造成严重损坏，这会导致生产成本和困难度的上升。
[0005] 另一方面，采用被施加了高频能量(或射频能量)的天线线圈的ICP源具有的优点是能在低压下产生等离子体以及享有增加的等离子体产生密度。但是，由于天线的结构所固有地导致等离子体不均匀地产生，所以ICP源导致作为工件的基片产生许多问题。在使用玻璃基片的LCD领域中，ICP源提出的问题是等离子体不能随着玻璃基片尺寸的增加而被均匀的产生。然而，只要能在等离子体的产生中将均匀度固定，ICP源就能够作为一种能处理电路线宽的超精细度和玻璃基片变大的极好等离子体源。所以，要求对天线结构的改进进行研究。
发明内容
[0006] 技术问题
[0007] 针对传统感应耦合等离子体源所提出的问题，本发明的目的在于改进传统天线线圈结构中固有的电磁场损失，传统天线线圈结构的设计会引起电压差，以及同时改进传统固定式天线线圈结构中固有的等离子体产生密度的不均匀性。
[0008] 本发明的另一个目的是提供一种感应耦合等离子体源，其能获得在具有固定式天线线圈的传统感应耦合等离子体源中不能实现的均匀等离子体密度，能减少工件中产生的电压差以使电容耦合电磁场的损失最小，以及能使室内的等离子体产生空间最小以增加能量使用效率。
[0009] 技术方案
[0010] 根据本发明的一个方面，提供一种旋转天线，其包括多个线圈，该多个线圈并联到高频能量源并且以相对于轴成对称关系地围绕轴以规定间隔布置，其中，当所述线圈绕着该轴旋转时，均匀地形成用于产生感应耦合等离子体的电磁场。换句话说，为了改善等离子体产生密度的非均匀性，所有所述天线线圈都以恒定的速度或者以从几rpm到几百rpm的变速度旋转，因此，在预定压力范围(从几毫托到几托)内产生能够符合加工条件的具有均匀高密度的感应耦合等离子体。
[0011] 在上述的旋转天线中，所述线圈可包括：被施加高频能量并作为旋转中心轴的中心线圈；以及多个围绕所述中心线圈以规定间隔布置的支线圈，这样所述支线圈关于该中心轴对称布置，支线圈在其第一端连接到中心线圈，每个支线圈远离中心线圈延伸然后朝着中心线圈延伸，支线圈在其第二端具有接地部分。换句话说，为了改善引起电压差的传统天线线圈结构的目的，所述天线线圈的几何结构被设计成确保能量输入部分和接地部分彼此邻近地定位。这将施加到天线线圈的平均电压均匀地分布，从而使得电容耦合电磁场的损失最小化。
[0012] 在上述的旋转天线中，每个线圈可由导体管形成，冷却剂流过该导体管。结果，本发明的线圈享有优化的容积和所占空间以及增强的冷却性能，所以能够提高装置的使用期和可靠性。
[0013] 根据本发明的另一方面，提供一种半导体生产装置，其包括：接收晶片的室，该室被供应反应气体；以及旋转天线，包括多个线圈，该多个线圈并联到高频能量源并且以相对于轴成对称关系地围绕轴以规定间隔布置，其中，当所述线圈绕该轴线旋转时，均匀地形成了用于产生感应耦合等离子体的电磁场。
[0014] 在上述半导体生产装置中，所述线圈可包括：被施加高频能量并作为旋转中心轴的中心线圈以及多个围绕所述中心线圈以规定间隔布置的支线圈，这样所述支线圈关于中心轴对称布置，支线圈在其第一端连接到中心线圈以接受高频能量，支线圈在其第二端具有接地部分，所述接地部分邻近中心线圈布置。
[0015] 在上述半导体生产装置中，中心线圈和支线圈中的每一个有冷却剂流过的冷却剂路径。
[0016] 在上述半导体生产装置中，所述旋转天线可以旋转地安装到所述室的外侧或内侧。
[0017] 在上述半导体生产装置中，还包括转子，旋转天线被附接到该转子，用于与该转子整体地旋转；以及用于旋转支撑该转子的壳体。
[0018] 在上述半导体生产装置中，所述壳体具有冷却剂供应部分和冷却剂排出部分，其中该转子具有冷却剂通道，冷却剂通过该冷却剂通道传递给所述旋转天线，以及其中在所述冷却剂供应部分和所述冷却剂通道之间，以及在冷却剂排出部分和冷却剂通道之间设置密封件。
[0019] 在上述半导体生产装置中，线圈可包括被施加高频能量并作为旋转中心轴的中心线圈，以及多个围绕所述中心线圈以规定间隔布置的支线圈，所述中心线圈和所述转子电绝缘，所述支线圈在其远端具有接地部分，所述接地部分接地地和所述转子接触。
[0020] 在上述半导体生产装置中，所述高频能量源的频率从几百KHz到几百MHz。
[0021] 上述半导体生产装置还可包括气体供应板，其具有沿径向和圆周方向形成的气槽和气孔，用于均匀地喷射反应气体。
[0022] 在上述半导体生产装置中，基本恒定的平均电压沿着远离所述线圈围绕着旋转的起点延伸的方向被施加给所述线圈。
[0023] 有益效果
[0024] 本发明改善了设置在感应耦合等离子体源中且被设计为产生电压差的传统天线线圈结构，从而使得由于电压降将发生的电容耦合电磁场的损失最小化。另外，本发明通过提供可旋转的天线线圈能实现均匀的等离子体密度分布，作为结果能改善传统固定式天线线圈中将发生的等离子体密度分布中的不均匀性。
[0025] 结果，本发明能使得传统天线线圈中的等离子体产生空间最小化，同时使得射频能量传递效率最大化。另外，本发明使得即使在受限的空间内改变或者调整天线线圈的几何结构变得容易，这有助于增加等离子体密度以及使得等离子体产生密度均匀。
附图说明
[0026] 图1是显示根据本发明的具有旋转天线的半导体生产装置的侧面剖视图；
[0027] 图2是显示根据本发明的一个实施例的旋转天线的透视图；
[0028] 图3是图2所示的旋转天线的示意图；
[0029] 图4是示出根据本发明的另一个实施例的旋转天线的示意图；
[0030] 图5是示出根据本发明的再一个实施例的旋转天线的示意图；
[0031] 图6是示出图1所示的半导体生产装置的气体供应部分的局部放大剖视图；
[0032] 图7是示出根据本发明的气体供应板的俯视图；
[0033] 图8是图7示出的气体供应板的主视图。
具体实施方式
[0034] 下文中，本发明的实施例将参考附图被详细描述。关于这点，应当明白某些图中所示的零件的尺寸和形状以扩大的比例示出，为了便于清楚的说明。另外，考虑到本发明的结构和功能本文中所专门定义的术语根据用户或者操作者的目的以及现有技术中的实践可具有不同的含义。这些术语的定义应当从说明书中给出的整个描述方面来解释。
[0035] 本发明针对一种用于大面积工件的等离子体源，其可被用于加工圆形基片。另外，本发明涉及一种具有增强了对圆形基片的尺寸的适应性的等离子体源，尤其是，适合用于将晶片作为工件的半导体生产工艺中。更具体地，本发明涉及一种用于沉积装置(包括PECVD，HDPCVD和PEALD装置)、蚀刻装置(包括灰化装置)等的感应耦合等离子体源，这些装置被设计为用等离子体处理基片。所述感应耦合等离子体自身可以产生等离子体。
[0036] 根据本发明的所述等离子体源不受到工件面积的限制，所以具有提高的适应性。因此，本等离子体源能够适合用于处理LCD或者碳纳米管(CNT)的玻璃基片。通过阻抗匹配器从高频能量源(射频能量源)供给到单一电极的射频能量被连接到至少两个平行的天线线圈。该天线线圈以几rpm到几百rpm的速度旋转以产生等离子体。
[0037] 本发明提供一种感应耦合等离子体源，其允许用户增加所述天线线圈的长度或者允许用户容易地改变天线线圈的几何外形，以和作为工件的基片的尺寸相一致。所述感应耦合等离子体源位于沉积装置或者蚀刻装置的上方。
[0038] 图1是显示根据本发明的具有旋转天线的半导体生产装置的侧向剖视图。图2是显示根据本发明的一个实施例的旋转天线的透视图。根据本实施例的旋转天线和具有该旋转天线的半导体生产装置的结构和功能将参考图1和2详细地描述。
[0039] 在室20的上部分，设置有作为等离子体源的旋转天线100、转子200和用于旋转支撑转子200的壳体300，其中，旋转天线100安装到转子200。室20的下部分连接到泵，这样真空可以被引入到室20内。O形环40置于室20的上端，然后O形环40被盖30覆盖和密封。优选地，所述盖30由石英玻璃板形成。基片10和用于均匀供应反应气体的气体供应板500定位在所述室20内。所述反应气体由布置在所述室20上的等离子体源激发到等离子状态。
[0040] 虽然可选择的实施例没有在图中示出，但是可以想象出所述旋转天线和转子被布置在所述室内。在这种情况下，位于所述室外侧的所述壳体和位于所述室内侧的转子需要彼此密封隔离，这样所述室的内部空间能保持在真空状态。这是因为具有冷却剂供应部分和冷却剂排出部分的所述壳体理想地是布置在所述室的外侧。
[0041] 如同后面参考图6到8所进一步描述的那样，适合用于激活等离子体的反应气体比如氩气(Ar)或者类似物，从所述等离子体源的外侧经过气体入口50、气体通道55和气体供应板500被均匀地引入到所述室20内。
[0042] 高频能量通过具有例如阻抗匹配器的高频能量连接部410和然后的滑环420从高频能量源400被供应到旋转天线100。旋转天线100中感应的电磁场穿过石英玻璃板构成的所述盖30，并在室20内被激发从而产生等离子体。置于基片支撑上的基片10被该等离子体处理。此时，能采用几百KHz到几百MHz的射频能量。
[0043] 如上面描述中明显的是，传统感应耦合等离子体源和本感应耦合等离子体源的最明显的区别在于本发明具有旋转天线100。本发明的特征在于旋转线圈，该特征能沿圆周方向均匀地产生等离子体，而具有固定天线线圈的传统感应耦合等离子体源无法实现。旋转天线100被安装到转子200，两者之间插入有绝缘件280，天线随着转子200一起旋转。组装有旋转天线100的转子200可旋转地装配到壳体300中。轴承350插在壳体300的旋转接触面和转子200之间。马达380附接到壳体300。马达380和转子200通过皮带290和皮带轮390可操作地彼此连接。一旦运转马达380，旋转力或者转矩就被施加给转子200和旋转天线100。由于所述高频能量连接部410需要被一起旋转，所以所述滑环420被用于传递所述射频能量。
[0044] 在本发明的一个实施例中，所述天线由限定了旋转中心的中心线圈130a和并联到中心线圈130a的三个支线圈130b，130c和130d构成。所述支线圈130b，130c和130d具有部分打开的环路形状，比如类U形或者类C形，这样连接到中心线圈130a的它的们近端和具有接地部分140的它们的远端能够被大致上布置在同一个轴向位置。连接器150被用于将支线圈130b，130c和130d和中心线圈130a组装在一起。
[0045] 通过滑环420连接到高频能量源400的能量输入部分120被设置在中心线圈130a的远端。具有接地部分140的支线圈130b，130c和130d的远端和转子200接触，这样它们都能够被接地。
[0046] 通过壳体300的冷却剂供应部分310供应的冷却剂经槽312被引入冷却剂通道220，该槽312限定在壳体300的旋转接触面和转子200之间。
[0047] 被引入冷却剂通道220的冷却剂抵达冷却剂连接部分210。由于转子200接地以及来自高频能量源400的所述高频能量被施加给中心线圈130a，所以为了绝缘的目的，所述冷却剂连接部分210和中心线圈130a的冷却剂入口110通过绝缘软管215彼此连接。
[0048] 为了保证所述冷却剂能流经所述线圈以及来自高频能量源400的所述高频能量能通过该线圈被传递，优选所述线圈包括导体管。当冷却剂可能不流过所述线圈时，冷却剂的使用对于防止热损失来说是理想的，否则当射频能量被施加给所述线圈时会发生热损失。进入冷却剂入口110的所述冷却剂通过中心线圈130a流到和中心线圈130a并联连接的各个支线圈130b，130c和130d，然后通过形成在接地部分140的冷却剂出口141排出。
[0049] 因为所述接地部分140和转子200接触并随之一起旋转，所以接地部分140的所述冷却剂出口141被连接到形成在转子200上的冷却剂通道240。所以，通过支线圈130b，130c和130d排出的冷却剂通过冷却剂出口141被引入冷却剂通道240中，并且冷却剂被允许通过由密封件345所密封的槽342流向所述冷却剂排出部分340。所述槽312和342被限定在壳体300中以沿着圆周方向延伸。所述槽312和342分别由密封件315和345密封，所述密封件被构造成不妨碍转子200相对于壳体300的旋转。冷却剂的供应和排出路径由图1中的箭头标出。
[0050] 图3是图2中显示的旋转天线的示意图。参考图2和3，根据本发明的旋转天线100的另一个特征在于能量输入部分120和接地部分140大致上共轴布置。当沿着旋转天线100的轴线即图2中的虚线C-C看过去时，中心线圈130a的电压例如是V，靠近虚线C-C的接地部分140的电压是0。同样，在支线圈130b，130c和130d的每一个中，对应于在沿径向的任何位置施加给每个线圈的两部分的电压之和的平均电压也恒定为V。本文所用的术语“径向”是指远离旋转天线100围绕着旋转的起点延伸且垂直于中心线圈130a的方向。
例如，在图2中，径向是指从中心线圈130a朝着参考标记A和A’延伸的方向。所以，在本发明中，给线圈施加的电压的差值能被最小化，因为能量输入部分120和中心线圈130a共轴布置，并且接地部分140位于与中心线圈130a相邻的位置。
例如，在图2中，径向是指从中心线圈130a朝着参考标记A和A’延伸的方向。所以，在本发明中，给线圈施加的电压的差值能被最小化，因为能量输入部分120和中心线圈130a共轴布置，并且接地部分140位于与中心线圈130a相邻的位置。
[0051] 参考图3，在三个被弯曲成类U形且具有彼此邻接的近端和远端的支线圈中，如果1的射频输入电压被施加给支线圈被连接到中心线圈处的点Ain，那么就会发生电压降。所以，在作为接地点的点Aout处的电压V就变成0。同样，在每个由两股线构成的支线圈中，如果施加给其中一股的电压是1/4，那么施加给另一股的电压就是3/4。施加给每个支线圈的两股线的电压之和成为1。另外，由于在每个支线圈的径向最远端的点处施加给两股线的电压是1/2，所以平均电压成为1。
[0052] 从置于所述线圈下方的作为工件的基片10的角度来看，提供了一个效果，就是平均电压Vave＝1是沿着径向通过支线圈130b，130c和130d被均匀地施加给基片10。这有助于将传统天线结构中会发生的电压差最小化。这是因为支线圈130b，130c和130d具有类U形或者类C形，这样所述能量输入部分120和接地部分140能够被大致上共轴布置。
[0053] 在传统固定式天线线圈中，在线圈之间存在真空区(比如图3中的阴影线区)。所以，当施加高频能量时，在这些空间中等离子体密度是被非均匀地分布的。相比之下，由于在本发明中线圈组件被旋转以偏离真空区，所以由于支线圈130b，130c和130d之间所存在的真空区(见图3)而导致的电压差能够彼此抵消。
[0054] 因此，在根据本发明的感应耦合等离子体源中，其中，支线圈130b，130c和130d具有类U形或者类C形，这样能量输入部分120和接地部分140能被大致上共轴地布置，在径向和圆周方向上能获得均匀的等离子体分布，所述特征在传统的感应耦合等离子体源中无法实现。
[0055] 均匀的等离子体分布有助于缩小所述室20的容积。即使在所述基片10的尺寸被扩大时，仍然可以仅通过增加类U形或类C形线圈的长度而获得所述的均匀等离子体分布。所以，本发明能够容易地适应直径为300mm、450mm或者更大的下一代晶片。
[0056] 图4是示出根据本发明另一个实施例的旋转天线的示意图。图5是示出根据本发明的又一个实施例的旋转天线的示意图。图4所示的情况是使用了一个支线圈，而图5所示的情况是两个支线圈并联。当使用一个支线圈时，不必区分串联和并联。
[0057] 如果在所述天线旋转期间，给支线圈(们)被连接到中心线圈处的点Ain施加1的射频输入电压，那么产生电压降并且在作为接地点(们)的点(们)Aout处的电压(们)V成为0。从置于线圈(们)下方的作为工件的基片10的角度来看，提供的效果是通过支线圈(们)平均电压Vave＝1被沿着径向均匀地施加给基片10。这有助于将旋转天线结构中所产生的电压差(们)最小化。
[0058] 图6是示出图1所示的半导体生产装置的气体供应部分的局部扩大剖视图。图7是示出根据本发明的气体供应板500的俯视图。图8是图7中所示的气体供应部分的主视图。根据本发明的所述半导体生产装置的所述气体供应板500将参考图6到8详细描述。
[0059] 首先参考图6，通过限定在所述室20的壁中的气体入口50被引入的反应气体经过限定在气体供应板500中的气体通道55、气槽520和气孔510被供应到所述室20内。
[0060] 接下来参考图7和8，通过沿气体供应板500的圆周方向和径向限定的气槽520被均匀分散的反应气体经过所述气孔510被喷入室20内。在被精确限定在气体供应板500中的气槽520和气孔510中，所述气体压力局部高。所以，通过由射频能量感应的电磁场没有等离子体在其中产生。所以，等离子体只在所述室20内产生，气体供应通道内的不希望的等离子体的产生被抑制。
[0061] 上文中所描述和显出的实施例不应当被认为是限制本发明的保护范围。本发明的范围应当仅由权利要求中所述的主题来确定。本领域技术人员应当明白的是在不脱离权利要求中所限定的发明的范围的情况下，可以做出各种改变和变动。
[0062] 工业适用性
[0063] 根据本发明的旋转天线能够有利地用于确保半导体生产装置中均匀的等离子体密度分布，从而能够降低成本并提高效率地加工基片，例如晶片。