降低表面复合减反膜电池的工艺转让专利

申请号 : CN201010238256.8

文献号 : CN101976703B

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基本信息:

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 陈亮吴国强

申请人 : 常州天合光能有限公司

摘要 :

本发明涉及太阳能电池结构及制作工艺技术领域,尤其是一种降低表面复合减反膜电池的工艺,其具有如下工艺步骤:a.硅片进行扩散处理;b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理;c.再对硅片表面进行减反和/或钝化处理;d.再在减反和/或钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒;e.最后进行丝网印刷,烧结制成成品。本发明通过对传统电池工艺流程步骤改变,改变了传统电池的结构,不直接在硅片表面进行制绒而是在ARC(表面减反射膜)层上进行制绒,这样制绒后可达到同样的表面限光效果,同时也不会在硅片表面造成刻蚀损伤,达到了提升电池效率的目标。

权利要求 :

1.一种降低表面复合减反膜电池的工艺,其特征是:具有如下工艺步骤:a.硅片进行扩散处理;b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理;c.再对硅片表面进行减反钝化处理;

d.再在减反钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒;e.最后进行丝网印刷,烧结制成成品。

2.一种降低表面复合减反膜电池的工艺,其特征是:具有如下工艺步骤:a.硅片进行扩散处理;b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理;c.再对硅片表面进行钝化处理;d.再在钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒;e.再在制绒后的硅片表面进行减反处理;f.最后进行丝网印刷,烧结制成成品。

说明书 :

降低表面复合减反膜电池的工艺

技术领域

[0001] 本发明涉及太阳能电池结构及制作工艺技术领域,尤其是一种降低表面复合减反膜电池的工艺。

背景技术

[0002] 晶体硅太阳能工艺开发中会引入RIE制绒工艺(等离子体反应刻蚀)相对于一般使用的化学液体腐蚀制绒可以增加其光吸收量,一般制绒后反射率可控制在10%以下,ARC后反射率可控制在4%以下,但同时会增加硅片的表面损伤,加剧其表面复合,从而降低电池的Voc,Isc等性能。所以工艺中一般要处理好ARC镀膜前的处理,在对电池片正面做好其ARC(表面减反射膜)的减反调节的同时做好其表面的钝化效果。
[0003] 传统电池工艺制作流程为:硅片-RIE制绒-扩散-去PSG+刻边-表面减反膜处理-丝网印刷-烧结,一般是直接对硅片进行绒面处理以增加广吸收,这一方法在化学腐蚀的理论下,不会对电池表面造成制绒损伤;但RIE制绒是采用干法刻蚀原理,其工艺过程会在硅片表面造成刻蚀损伤,由于损伤层的存在会造成电池性能的降低。

发明内容

[0004] 本发明要解决的技术问题是:为了解决RIE制绒对硅片表面造成的刻蚀损伤,本发明提供一种降低表面复合减反膜电池的工艺。
[0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种降低表面复合减反膜电池的工艺,其特征是:具有如下工艺步骤:a.硅片进行扩散处理;b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理;c.再对硅片表面进行减反钝化处理;d.再在减反钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒;e.最后进行丝网印刷,烧结制成成品。
[0006] 作为本发明的另一个技术方案,一种降低表面复合减反膜电池的工艺,具有如下工艺步骤:a.硅片进行扩散处理;b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理;c.再对硅片表面进行钝化处理;d.再在钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒;e.再在制绒后的硅片表面进行减反处理;f.最后进行丝网印刷,烧结制成成品。
[0007] 本发明的有益效果是,本发明降低表面复合减反膜电池的工艺,通过对传统电池工艺流程步骤改变,改变了传统电池的结构,不直接在硅片表面进行制绒而是在ARC(表面减反射膜)层上进行制绒,这样制绒后可达到同样的表面限光效果,同时也不会在硅片表面造成刻蚀损伤,达到了提升电池效率的目标。

附图说明

[0008] 下面结合附图对本发明进一步说明。
[0009] 图1是现有太阳能电池的结构示意图;
[0010] 图2是本发明实施例一的结构示意图。
[0011] 其中:1.SiN膜,2.RIE制绒层,3.ARC层。

具体实施方式

[0012] 实施例一
[0013] 如图2所示是本发明实施例一的结构示意图,降低表面复合减反膜电池的工艺,具有如下工艺步骤:a.硅片进行扩散处理;b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理;c.再对硅片表面进行减反钝化膜处理;d.再在减反和/或钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒;e.最后进行丝网印刷,烧结制成成品。
[0014] 上述实施例一中的减反钝化膜采用SiN膜,厚度为1um;减反膜工艺完成后进行RIE制绒工艺,直接在SiN表面形成RIE制绒层2。
[0015] 在此工艺流程下RIE制绒后的反射率可以达到1%以下,达到最佳光吸收效果。
[0016] 实施例二
[0017] 降低表面复合减反膜电池的工艺,具有如下工艺步骤:a.硅片进行扩散处理;b.然后对硅片进行去PSG和刻边处理;c.再对硅片表面进行钝化膜处理;d.再在钝化处理后的硅片表面进行RIE制绒;e.再在制绒后的硅片表面进行减反膜处理;f.最后进行丝网印刷,烧结制成成品。
[0018] 上述实施例二中的钝化膜采用SiO2膜,厚度为1um;减反膜采用SiN膜,厚度为80nm;此工艺是在SiO2层上进行RIE制绒,再用SiN膜进行覆盖,采用SiO2钝化可以达到更好的表面钝化效果,再加上RIE制绒和SiN膜的表面减反处理,同样可以达到1%以下的表面反射率,同时由于采用了SiO2膜又增加了表面钝化效果可进一步提升电池效率。
[0019] 改变工艺顺序后,其制绒结构的位置也改变了,从而保证了其表面的复合不增加,同时应用其RIE制备为出来的微结构应用在ARC膜上,从而保证电池的光吸收。
[0020] 以上述依据本发明的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。