纳米晶硅粉的低温球磨制备方法转让专利

申请号 : CN201010501066.0

文献号 : CN101979317B

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法律信息:

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发明人 : 陈斐王志浩沈强王传彬张联盟

申请人 : 武汉理工大学

摘要 :

本发明涉及一种高纯、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉的低温球磨制备方法,即:以市售高纯硅粉(纯度:>99.9,粒度:50~500目)作为初始原料,采用液氮或者液氩作为球磨介质,不锈钢球作为研磨介质,通过低温球磨,精确控制球磨时间为1~48小时,球磨转速为100~1000转/分钟,球料质量比为10:1~100:1,即可得到一种物相单一、高纯、晶粒尺寸范围为10~100nm、表面钝化的纳米晶硅粉。本发明工艺简单,成本低廉,可重复性好,而且所制备的纳米晶硅粉具有纯度高、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化等优异性能,可广泛应用于光电子信息和纳米技术领域。

权利要求 :

1.一种纳米晶硅粉的制备方法,其特征是一种纳米晶硅粉的低温球磨制备方法,该方法采用包括以下步骤的方法:(1)将不锈钢磨球和原始硅粉按照球料质量比为10:1~100:1加入到球磨罐中;

(2)向球磨罐中通入液氮,使原始硅粉以及不锈钢磨球全部浸没在液氮中,温度为-140℃以下,并保持液氮的挥发量与通入量平衡以使液面稳定;

(3)恒温30分钟后开始球磨,球磨1~48小时;

(4)球磨完毕,将球磨罐转移至真空手套箱中,放置12~24小时;

经过上述步骤,得到晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉。

2.根据权利要求1所述的纳米晶硅粉的制备方法,其特征在于:所述原始硅粉的纯度为>99.9,粒度为50~500目。

3.根据权利要求1所述的纳米晶硅粉的制备方法,其特征在于:所述不锈钢磨球的直径寸为5~15mm。

4.根据权利要求1所述的纳米晶硅粉的制备方法,其特征在于:将液氮用液氩替换。

5.根据权利要求1所述的纳米晶硅粉的制备方法,其特征在于:采用转速为100~

1000转/分钟的立式球磨机。

6.根据权利要求1所述的纳米晶硅粉的制备方法,其特征在于:制备出的纳米晶硅粉的晶粒尺寸为10~100nm。

说明书 :

纳米晶硅粉的低温球磨制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及纳米晶硅粉的方法,属于纳米材料制备技术领域。可应用于光电子信息和纳米技术等领域。

背景技术

[0002] 近年来,硅基低维纳米材料在光电子器件应用领域取得了突飞猛进地发展,并已成功应用于非易失存储器和太阳能电池。纳米晶硅粉,作为新一代光电半导体和高功率光源材料的主要原料,具有较宽的禁带宽度(~1.65eV)和优良的物理、化学性能,如量子尺寸效应、量子隧道效应,特殊的光、电特性与高磁阻现象,非线性光学效应,可吸附色素离子、降低色素衰减,且其作为添加剂使用时可提高材料的强度、弹性、抗老化性和耐化学腐蚀性。为了将纳米晶硅粉制备成高性能光电子器件,研制高纯、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉,具有非常重要的意义。
[0003] 目前,制备纳米晶硅粉的方法主要包括真空冷凝法、物理粉碎法、机械球磨法、气相沉积法、水热合成法、微乳液法和溶胶凝胶法等。
[0004] 上述方法制备出的原料大都存在以下的不足或缺陷:
[0005] (1)由于纳米硅粉表面原子处于高度活化状态,使其具有较高的表面能,所以一般方法制得的纳米晶硅粉极易与空气中的氧气发生反应,具有较差的抗氧化性;
[0006] (2)采用真空冷凝法、水热合成法等虽然能够获得晶粒尺寸可控的纳米晶硅粉,但这些方法对设备、工艺要求较高,无法进行较大规模的工业化生产,且制备成本较高;
[0007] (3)采用物理粉碎法、普通机械球磨法等虽然设备、工艺简单,但所获得的产品纯度较低且晶粒尺寸分布不均匀;
[0008] (4)采用化学法制备工艺在生产过程中会产生有害气体,易对人体和环境造成污染。因此,迫切需要寻找一种设备、工艺简单,成本低廉,适合工业化生产,且可以制备高纯度、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉的新方法。

发明内容

[0009] 本发明所要解决的技术问题是:提供一种比较简易的方法,采用低温球磨技术制备高纯、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉。
[0010] 本发明解决其技术问题采用以下的技术方案:
[0011] 本发明提供的纳米晶硅粉的低温球磨制备方法,具体是采用包括以下步骤的方法:
[0012] (1)将不锈钢磨球和原始硅粉按照球料质量比为10:1~100:1加入到球磨罐中;
[0013] (2)向球磨罐中通入液氮,使原始硅粉以及不锈钢磨球全部浸没在液氮中,温度为-140℃以下,并保持液氮的挥发量与通入量平衡以使液面稳定;
[0014] (3)恒温30分钟后开始球磨,球磨1~48小时;
[0015] (4)球磨完毕,将球磨罐转移至真空手套箱中,放置12~24小时;
[0016] 经过上述步骤,得到晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉。
[0017] 所述原始硅粉可以采用市售高纯硅粉,其纯度为>99.9,粒度为50~500目。
[0018] 所述不锈钢磨球的直径寸可以为5~15mm。
[0019] 上述步骤(2)中可以将液氮用液氩替换。
[0020] 本发明可以采用转速为100~1000转/分钟的立式球磨机。
[0021] 本发明制备出的纳米晶硅粉的晶粒尺寸为10~100nm。
[0022] 本发明利用控制球磨工艺参数(球料质量比、球磨时间、球磨转速)制得高纯、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉。由于高能球磨过程中,通过控制转速,可获得较小的纳米晶尺寸;而使用液氮或液氩作为球磨介质,低温有效降低了纳米晶硅粉的表面能,有助于晶粒细化,同时,通过化学作用在纳米晶硅粉的表面形成硅氮键或硅氩键壳层,可有效防止纳米晶硅粉的常温氧化,显著提高了纳米晶硅粉的抗氧化性。
[0023] 本发明与现有技术相比还具有以下的优点:
[0024] (1)设备、工艺简单,操作方便,可应用于工业化规模连续生产;
[0025] (2)制备的纳米晶硅粉的晶粒尺寸均匀可控、表面钝化能力强,可适用于生产不同规格的产品;该产品可广泛应用于光电子信息和纳米技术等领域。
[0026] (3)无环境污染,能耗低,成本低廉。

附图说明

[0027] 图1是实施例1、实施例2和实施例3产物的XRD图片。
[0028] 图2是实施例4产物的TEM图片。
[0029] 图3是实施例5产物与原料硅粉的傅里叶红外吸收光谱对比图。

具体实施方式

[0030] 本发明涉及一种高纯、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉的低温球磨制备方法,即:以市售高纯硅粉(纯度:>99.9,粒度:50~500目)作为初始原料,采用液氮或者液氩作为球磨介质,不锈钢球作为研磨介质,通过低温球磨,精确控制球磨时间为1~48小时,球磨转速为100~1000转/分钟,球料质量比为10:1~100:1,即可得到一种物相单一、高纯、晶粒尺寸范围为10~100nm、表面钝化的纳米晶硅粉。本发明工艺简单,成本低廉,可重复性好,而且所制备的纳米晶硅粉具有纯度高、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化等优异性能,可广泛应用于光电子信息和纳米技术领域。
[0031] 下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明。
[0032] 实施例1:
[0033] 将直径为5mm的不锈钢磨球与粒度为200目的原始硅粉按球料质量比32:1加入球磨罐中,向球磨罐中通入液氮,使原始硅粉和不锈钢磨球全部浸没在液氮中,并保持液面稳定;恒温30分钟开始球磨,控制球磨时间6h和球磨转速250转/分钟;球磨完毕,将球磨罐转移至真空手套箱中,放置12小时,收集制得的纳米晶硅粉,其平均晶粒尺寸为95nm。由图1可看出,球磨之后本实施例产物为纳米晶硅,且晶粒尺寸随球磨时间的延长显著降低。
[0034] 实施例2:
[0035] 将直径为5mm的不锈钢磨球与粒度为200目的原始硅粉按球料质量比32:1加入球磨罐中,向球磨罐中通入液氮,使原始硅粉和不锈钢磨球全部浸没在液氮中,并保持液面稳定;恒温30分钟开始球磨,控制球磨时间12h和球磨转速250转/分钟;球磨完毕,将球磨罐转移至真空手套箱中,放置12小时,收集制得的纳米晶硅粉,其平均晶粒尺寸为40nm。由图1可看出,球磨之后本实施例产物为纳米晶硅,且晶粒尺寸随球磨时间的延长显著降低。
[0036] 实施例3:
[0037] 将直径为5mm的不锈钢磨球与粒度为200目的原始硅粉按球料质量比32:1加入球磨罐中,向球磨罐中通入液氮,使原始硅粉和不锈钢磨球全部浸没在液氮中,并保持液面稳定;恒温30分钟开始球磨,控制球磨时间24h和球磨转速250转/分钟;球磨完毕,将球磨罐转移至真空手套箱中,放置12小时,收集制得的纳米晶硅粉,其平均晶粒尺寸为25nm。由图1可看出,球磨之后本实施例产物为纳米晶硅,且晶粒尺寸随球磨时间的延长显著降低。
[0038] 实施例4:
[0039] 将直径为5mm的不锈钢磨球与粒度为300目的原始硅粉按球料质量比32:1加入球磨罐中,向球磨罐中通入液氮,使原始硅粉和不锈钢磨球全部浸没在液氮中,并保持液面稳定;恒温30分钟开始球磨,控制球磨时间5h和球磨转速600转/分钟;球磨完毕,将球磨罐转移至真空手套箱中,放置24小时,收集制得的纳米晶硅粉,其平均晶粒尺寸为30nm。由图2可看出本实施例制得的纳米晶硅粉的尺寸为30nm。
[0040] 实施例5:
[0041] 将直径为10mm的不锈钢磨球与粒度为300目的原始硅粉按球料质量比32:1加入球磨罐中,向球磨罐中通入液氮,使原始硅粉和不锈钢磨球全部浸没在液氮中,并保持液面稳定;恒温30分钟开始球磨,控制球磨时间5h和球磨转速300转/分钟;球磨完毕,将球磨罐转移至真空手套箱中,放置24小时,收集制得的纳米晶硅粉,其平均晶粒尺寸为76nm。由图3可看出本实施例制备的纳米晶硅粉表面形成硅氮键。
[0042] 实施例6:
[0043] 将直径为15mm的不锈钢磨球与粒度为500目的原始硅粉按球料质量比100:1加入球磨罐中,向球磨罐中通入液氮,使原始硅粉和不锈钢磨球全部浸没在液氮中,并保持液面稳定;恒温30分钟开始球磨,控制球磨时间48h和球磨转速1000转/分钟;球磨完毕,将球磨罐转移至真空手套箱中,放置24小时,收集制得的纳米晶硅粉,其平均晶粒尺寸为10nm。
[0044] 实施例7:
[0045] 将直径为5mm的不锈钢磨球与粒度为50目的原始硅粉按球料质量比10:1加入球磨罐中,向球磨罐中通入液氮,使原始硅粉和不锈钢磨球全部浸没在液氮中,并保持液面稳定;恒温30分钟开始球磨,控制球磨时间4h和球磨转速100转/分钟;球磨完毕,将球磨罐转移至真空手套箱中,放置24小时,收集制得的纳米晶硅粉,其平均晶粒尺寸为100nm。
[0046] 上述实施例中,可以将液氮用液氩替换。