基于氧化锡前电极的硅薄膜电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于氧化锡前电极的硅薄膜电池，它通过如下步骤制备得到：1）将氧化锡基板预加热到200-230度；2）采用等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1）加热后的基板上，采用两步沉积法，依次沉积制得第一P型层和第二P型层，所述第一P型层采用无氢沉积，第二P型层采用有氢沉积；3）在步骤2）制得的第二P型层上，依次沉积缓冲层、本征层、Ｎ型层和背电极，制得硅薄膜电池。采用本发明制得的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池，能提高氧化锡薄膜对光线的透过率，从而进一步增加硅薄膜电池的功率。

权利要求

1.一种基于氧化锡前电极的硅薄膜电池制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)将氧化锡基板预加热到200-230度；

2)采用等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上，采用两步沉积法，依次沉积制得第一P型层和第二P型层，所述第一P型层采用无氢沉积，第二P型层采用有氢沉积；

3)在步骤2)制得的第二P型层上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池；

在步骤2)的第一步沉积步骤中，所述第一P型层是通过通入300-350sccm的SiH4、

260-300sccm的B2H6、500-540sccm的CH4，按0.2-0.3kW的沉积功率沉积制得；

在步骤2)的第二步沉积步骤中，所述第二P型层是通过通入1-3.0slm的H2、

300-360sccm的SiH4、320-360sccm的B2H6、540-560sccm的CH4，按0.25-0.3kW的沉积功率沉积制得。

2.根据权利要求1所述的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池制备方法，其特征在于在第一步沉积步骤中是通过通入300-320sccm的SiH4、260-280sccm的B2H6、500-540sccm的CH4，按0.2-0.3kW的沉积功率沉积制得。

3.根据权利要求2所述的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池制备方法，其特征在于在第二步沉积步骤中通入气体的流量为：2.0slm的H2、300sccm的SiH4、320sccm的B2H6、540sccm的CH4，按0.3kW的沉积功率沉积制得。

4.根据权利要求1-3任一项所述的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池制备方法，其特征在于：所述第一P型层为5-6nm，第二P型层为9-13nm。

说明书

基于氧化锡前电极的硅薄膜电池及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种基于氧化锡前电极的硅薄膜电池及其制备方法。

背景技术

[0002] 硅薄膜(包括非晶硅，微晶硅和纳米硅薄膜)太阳能电池作为一种低成本、绿色可再生能源已成为光伏发电的重要组成部分。目前生产过程中主要以氧化锡导电透明玻璃作为前电极，采用等离子体增强化学气相沉积法，在250℃的基板上沉积10nm p(a-SiC:H)/10nm b(a-SiC:H)/300nm i(Si)/20nm n(Si)制备硅薄膜电池。在等离子体沉积过程中，人们发现现有的采用H2稀释SiH4沉积p(a-SiC:H)能减少P型层的内部缺陷和提高P型层的导电传输能力，但是稀释用的H2在反应中形成的等离子体能够还原玻璃基板上面的氧化锡薄膜，使透明的氧化锡薄膜变成透光性差的金属锡膜，从而降低太阳光在氧化锡膜层中的透过率(主要是光线波长在300-1000nm之间的光线的透过率)，影响硅薄膜电池对光线的收集效率，直接反应在薄膜电池短路电流(Isc)的降低，进一步体现在硅薄膜电池功率的降低。于是对于如何提高氧化锡薄膜在氢等离子体中的耐候性，或者在氢等离子体中如何保护氧化锡薄膜的研究相继出现。

[0003] 目前市场上硅薄膜电池价格是1.5欧元/W左右，因此，对于目前拥有几十到几百兆瓦生产线的薄膜电池厂家来说，电池功率的提高无疑具有极大的商业价值甚至是企业生存的基础。

[0004] 现有一些改良的方案中，是采用在等离子体沉积硅薄膜之前，在氧化锡薄膜上先溅镀上一层几纳米厚的氧化锌薄膜或氧化钛薄膜，让对氢等离子体耐候性能好的氧化锌薄膜或氧化钛薄膜覆盖住对氢等离子体耐候性较差的氧化锡薄膜，从而起到保护氧化锡薄膜不被氢原子还原的作用。通过镀溅这种保护层，可以明显提高氧化锡薄膜对光线的透过率，增加薄膜电池的短路电流，从而进一步增加硅薄膜电池的功率。但是，这种改良方法，对薄膜企业现有的生产线而言，需要改变生产流程，使得生产过程变得复杂，同时需要引进额外的氧化锌或氧化钛薄膜的镀溅设备，引起成本的增加。

发明内容

[0005] 为提高氧化锡薄膜对光线的透过率，从而进一步增加硅薄膜电池的功率，本发明的目的在于提供一种基于氧化锡前电极的硅薄膜电池及其制备方法，本发明的硅薄膜电池是在不改变现有的生产流程和不引进额外的生产设备的情况下，通过对现有工艺进行调整而制得。

[0006] 为此，本发明采用如下技术方案：

[0007] 一种基于氧化锡前电极的硅薄膜电池制备方法，包括如下步骤：

[0008] 1)将氧化锡基板预加热到200-230度；

[0009] 2)采用等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上，采用两步沉积法，依次沉积制得第一P型层和第二P型层，所述第一P型层采用无氢沉积，第二P型层采用有氢沉积；

[0010] 3)在步骤2)制得的第二P型层上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池。

[0011] 在上述步骤2)的第一步沉积步骤中，所述第一P型层是通过通入300-350sccm的SiH4、260-300sccm的B2H6、500-540sccm的CH4，按0.2-0.3kW的沉积功率沉积制得。优选的，在该第一步沉积步骤中，通入气体的流量为300-320sccm的SiH4、260-280sccm的B2H6、500-540sccm的CH4，按0.2-0.3kW的沉积功率沉积制得。

[0012] 在上述步骤2)的第二步沉积步骤中，所述第二P型层是通过通入1.5-3.0slm的H2、300-360sccm的SiH4、320-360sccm的B2H6、540-560sccm的CH4，按0.25-0.3kW的沉积功率沉积制得。优选的，在该第二步沉积步骤中通入气体的流量为：2.0slm的H2、300sccm的SiH4、320sccm的B2H6、540sccm的CH4，按0.3kW的沉积功率沉积制得。

[0013] 优选的，所述第一P型层为5-6nm，第二P型层为9-13nm。

[0014] 优选的，所述氧化锡基板的预加热温度为200-230度。

[0015] 本发明的目的还在于提出一种基于氧化锡前电极的硅薄膜电池，其包括氧化锡基板以及沉积在氧化锡基板上的P型层，所述P型层由第一P型层和第二P型层构成，所述第一P型层和第二P型层是在预加热到200-230度的氧化锡基板上依次沉积制得，所述第一P型层采用无氢沉积，第二P型层采用有氢沉积。

[0016] 本发明是在不改变现有的生产流程和不引进额外的生产设备的情况下，对硅P型层沉积工艺进行调整，包括：对基板初始加热温度的调整、沉积步骤的调整以及反应气体流量和沉积功率的调整。所述基板初始温度调整，是指将基板进入P型层反应腔室之前，调整基板在预加热腔体中的加热温度，将基板加热温度由250℃调整为200-250℃。本发明中的沉积步骤的调整，是将原先的一步沉积法，改为两步沉积法，即第一步沉积时，采用无氢气稀释沉积一层5-6nm左右的P1型层，第二部沉积时，采用正常的氢气稀释沉积9-13nm的P2型层。

[0017] 与背景技术相比，本发明具有如下有益效果：通过降低基板沉积初始的温度，可以提高薄膜的沉积速率，使Si膜在较短的时间内覆盖氧化锡的表面，减少H等离子体对氧化锡表面的还原效应；采用两步沉积法，以及在第一步沉积P型层过程中采用无氢稀释，同样利于提高薄膜的沉积速度，减少氢等离子体的数量，从而缩短氧化锡暴露在氢等离子体中的时间，从而起到保护氧化锡薄膜的作用。

[0018] 采用本发明制得的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池，可以在原有的基础上将硅薄膜电池的功率大大提高，硅薄膜电池的功率最大能提高8W。

附图说明

[0019] 图1是依据本发明方法得到的一种基于氧化锡前电极的硅薄膜电池实施例的结构示意图；

[0020] 图2是现有技术的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池未进行P型层工艺改进的功率为109W的I-V曲线图；

[0021] 图3是本发明一种实施例的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池进行P型层工艺改进的功率为115W的I-V曲线图；

[0022] 图4是本发明一种实施例的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池进行P型层工艺改进的功率为116W的I-V曲线图；

[0023] 图5是本发明一种实施例的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池进行P型层工艺改进的功率为117W的I-V曲线图。

具体实施方式

[0024] 以下结合附图及实施例进一步说明本发明。

[0025] 参照图1，本实施例的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池，其结构层次依次为：玻璃基板1、在玻璃基板上沉积的氧化锡薄膜2、在氧化锡薄膜2上采用无氢稀释沉积的第一P型层3、在第一P型层3上采用有氢稀释沉积的第二P型层4、在第二P型层4上依次沉积B型缓冲5、本征层6、N型层7、金属背电极层8、在金属背电极层8上盖上背板9。

[0026] 下面的对照例1为基于现有方法制作基于氧化锡前电极的硅薄膜电池的操作实例，实施例1-15为基于本发明方法制备的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池的15个操作实例。

[0027] 对照例1：

[0028] 步骤1)将氧化锡基板在250℃的温度下预热；

[0029] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入氢气流量2slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm，按0.3kW沉积功率沉积10nm厚的P型层；

[0030] 步骤3)在步骤2)制得的P型层薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.62A，功率(Pmax)为109W。

[0031] 图2为该对照例1的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池在未进行P型层工艺改进的功率为109W条件下的I-V曲线图。

[0032] 实施例1：

[0033] 步骤1)将氧化锡基板在230℃的温度下预热；

[0034] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入SiH4流量320sccm、B2H6流量280sccm、CH4流量500sccm，按0.3kW沉积功率沉积6nm厚的第一P型层；

[0035] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入氢气流量2slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm，按0.3kW沉积功率沉积9nm厚的第二P型层；

[0036] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.635，功率(Pmax)为115W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了15mA，功率提高了6W。

[0037] 图3为该实施例2的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池在进行P型层工艺改进后的功率为115W的I-V曲线图。

[0038] 实施例2：

[0039] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0040] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入SiH4流量320sccm、B2H6流量280sccm、CH4流量500sccm，按0.3kW沉积功率沉积6nm厚的第一P型层；

[0041] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入氢气流量2slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm，按0.3kW沉积功率沉积9nm厚的第二P型层；

[0042] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.64A，功率(Pmax)为116W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加20mA，功率提高了7W。

[0043] 图4为该实施例3的基于氧化锡前电极的硅薄膜电池在进行P型层工艺改进后的功率为116W的I-V曲线图。

[0044] 实施例3：

[0045] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0046] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量300sccm、B2H6流量280sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.28kW沉积5nm厚的P1层；

[0047] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量2slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.3kW沉积10nm厚的P2层；

[0048] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.65A，功率(Pmax)为117W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了30mA，功率提高了8W。

[0049] 图5所示为实施例4对应的改进后最佳工艺点的薄膜电池功率为117W条件下的I-V曲线图。

[0050] 实施例4：

[0051] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0052] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量300sccm、B2H6流量280sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.2kW沉积5nm厚的P1层；

[0053] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量2slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.3kW沉积10nm厚的P2层；

[0054] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.657A，功率(Pmax)为116W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了37mA，功率提高了7W。

[0055] 薄膜电池的功率计算公式：Pmax＝Isc*Voc*FF，Isc为短路电流，Voc为开路电压，FF为电池填充因子。一味的追求提高Isc，可能就会降低Voc或FF，反而会使电池的功率Pmax降低，因此，有必要选择一个适当的工艺使各参数均达到最佳。

[0056] 实施例5：

[0057] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0058] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量350sccm、B2H6流量280sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.28kW沉积6nm厚的P1层；

[0059] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量2slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.3kW沉积10nm厚的P2层；

[0060] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.66A，功率(Pmax)为115.6W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了40mA，功率提高了6.6W。

[0061] 实施例6：

[0062] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0063] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量300sccm、B2H6流量300sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.28kW沉积5nm厚的P1层；

[0064] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量2slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.3kW沉积10nm厚的P2层；

[0065] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.65A，功率(Pmax)为115W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了30mA，功率提高了6W。

[0066] 实施例7：

[0067] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0068] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量300sccm、B2H6流量260sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.28kW沉积5nm厚的P1层；

[0069] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量2slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.3kW沉积10nm厚的P2层；

[0070] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.66A，功率(Pmax)为116W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了40mA，功率提高了7W。

[0071] 实施例8：

[0072] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0073] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量300sccm、B2H6流量260sccm、CH4流量520sccm沉积功率0.28kW沉积5nm厚的P1层；

[0074] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量2slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.3kW沉积10nm厚的P2层；

[0075] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.66A，功率(Pmax)为116W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了40mA，功率提高了7W。

[0076] 实施例9：

[0077] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0078] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量300sccm、B2H6流量280sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.28kW沉积5nm厚的P1层；

[0079] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量3slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.3kW沉积9nm厚的P2层；

[0080] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.635A，功率(Pmax)为115W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了15mA，功率提高了6W。

[0081] 实施例10：

[0082] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0083] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量300sccm、B2H6流量280sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.28kW沉积5nm厚的P1层；

[0084] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量1slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.3kW沉积13nm厚的P2层；

[0085] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.64A，功率(Pmax)为114W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了20mA，功率提高了5W。

[0086] 实施例11：

[0087] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0088] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量300sccm、B2H6流量280sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.28kW沉积5nm厚的P1层；

[0089] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量2slm、SiH4流量360sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.3kW沉积12nm厚的P2层；

[0090] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.63A，功率(Pmax)为115W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了10mA，功率提高了6W。

[0091] 实施例12：

[0092] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0093] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量300sccm、B2H6流量280sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.28kW沉积5nm厚的P1层；

[0094] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量2slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量320sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.3kW沉积10nm厚的P2层；

[0095] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.63A，功率(Pmax)为115.2W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了10mA，功率提高了6.2W。

[0096] 实施例13：

[0097] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0098] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量300sccm、B2H6流量280sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.28kW沉积5nm厚的P1层；

[0099] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量2slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量560sccm沉积功率0.3kW沉积10nm厚的P2层；

[0100] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.64A，功率(Pmax)为116.4W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了20mA，功率提高了7.4W。

[0101] 实施例14：

[0102] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0103] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量300sccm、B2H6流量280sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.28kW沉积5nm厚的P1层；

[0104] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量2slm、SiH4流量300sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.25kW沉积9nm厚的P2层；

[0105] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.63A，功率(Pmax)为115W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了10mA，功率提高了6W。

[0106] 实施例15：

[0107] 步骤1)将氧化锡基板的预加热温度设定为200℃；

[0108] 步骤2)采用13.56MHZ的等离子体化学气相沉积镀膜设备，在步骤1)加热后的基板上通入H2流量0sccm、SiH4流量300sccm、B2H6流量280sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.28kW沉积5nm厚的P1层；

[0109] 步骤3)在步骤2)制得的P1薄膜上，通入H2流量2slm、SiH4流量360sccm、B2H6流量360sccm、CH4流量540sccm沉积功率0.3kW沉积12nm厚的P2层；

[0110] 步骤4)在步骤3)制得的P2薄膜上，依次沉积缓冲层、本征层、N型层和背电极，制得硅薄膜电池，电池短路电流(Isc)为1.63A，功率(Pmax)为115W，比未进行工艺改进的薄膜电池电流增加了10mA，功率提高了6W。