一种溅射系统，包括具有用作阴极的靶材以及阳极和工件的溅射室。直流(DC)电源，其向所述阳极和所述阴极供应足以在所述溅射室内产生等离子体的电能。检测模块，其通过监控所述等离子体的电特性来检测所述溅射室中电弧的出现。在一个实施例中，所被监控的电特性是所述等离子体的阻抗。在另一实施例中，所述电特性是所述等离子体的电导。
具有用作阴极的靶材的溅射室，并且所述溅射室进一步包括阳极和工件；
直流(DC)电源，用于向所述阳极和所述阴极供应足以在所述溅射室内产生等离子体的电能；以及检测模块，其通过监控所述等离子体的阻抗和电导中的至少一个来检测所述溅射室中电弧的出现。
2.如权利要求1所述的溅射系统，其中所述系统进一步包括：电压传感器，适于对跨接所述阳极和所述阴极施加的电压进行探测，并且适于向所述检测模块提供探测到的电压信号；以及电流传感器，适于在所述溅射室内出现溅射操作时对在所述阴极与所述阳极之间流动的电流进行探测，并且适于向所述检测模块供应探测到的电流信号。
3.如权利要求2所述的溅射系统，其中所述检测模块包括：
乘法器，具有用于接收所述探测到的电流信号的第一输入端和用于接收预先选择的电阻值的第二输入端，并且适于将所述探测到的电流信号与所述预先选择的电阻值相乘以产生跳闸电压；以及比较器，具有用于接收所述探测到的电压信号的第一输入端和用于接收所述跳闸电压的第二输入端，并且将所述跳闸电压和所述探测到的电压进行比较，并且当所述跳闸电压为等于所述探测到的电压和超出所述探测到的电压中至少之一时产生跳闸指示器信号。
4.如权利要求3所述的溅射系统，其中所述乘法器包括数字乘法器。
5.如权利要求2所述的溅射系统，其中所述检测模块包括：
乘法器，具有用于接收所述探测到的电压信号的第一输入端和用于接收预先选择的电导值的第二输入端，并且适于将所述探测到的电压信号与所述预先选择的电导值相乘以产生跳闸电流；以及比较器，具有用于接收所述探测到的电流信号的第一输入端和用于接收所述跳闸电流的第二输入端，并且将所述跳闸电流和所述探测到的电流信号进行比较，并且当所述探测到的电流信号为等于所述跳闸电流和超出所述跳闸电流中至少之一时产生跳闸指示器信号。
6.如权利要求5所述的溅射系统，其中所述乘法器包括数字乘法器。
7.如权利要求1所述的溅射系统，进一步包括耦合至所述溅射室中的端口的真空泵，用于维持所述溅射室内所期望的压力。
8.如权利要求1所述的溅射系统，其中所述溅射室进一步包括：第一防护罩，用于覆盖所述工件的第一部分；以及
9.如权利要求8所述的溅射系统，其中所述工件包括具有中央开口的圆形磁盘形状的工件，并且所述第一防护罩被成形为覆盖所述工件的外径，并且所述第二防护罩适于覆盖所述工件的内径。
具有用作阴极的靶材的溅射室，并且所述溅射室进一步包括阳极和工件；
直流(DC)电源，用于向所述阳极和所述阴极供应足以在所述溅射室内产生等离子体的电能；
电压传感器电路，适于对所述DC电源的跨接所述阴极和所述阳极施加的输出电压进行探测；
电流传感器电路，适于在溅射操作期间对来自所述DC电源的在所述阴极和所述阳极之间流动的输出电流进行探测；以及检测模块，其响应于所述探测到的电流信号、所述探测到的电压信号，并且进一步响应于预先选择的电阻，用以使用所述探测到的电压信号、所述探测到的电流信号以及所述预先选择的电阻，确定在所述溅射室内所述阻抗何时下降到指示电弧条件出现的水平。
11.如权利要求10所述的溅射系统，其中所述检测模块包括：乘法器，响应于所述探测到的电流信号和所述预先选择的电阻，用于产生随所述探测到的电流信号的幅值变化的跳闸电压信号；以及比较器，响应于所述探测到的电压信号和所述跳闸电压信号，用于在所述跳闸电压信号达到等于所述探测到的电压信号的水平和大于所述探测到的电压信号的水平中之一时产生跳闸指示器输出信号。
12.如权利要求10所述的溅射系统，进一步包括与所述溅射室连通用于控制所述溅射室的内压力的真空泵。
13.如权利要求10所述的溅射系统，其中所述溅射室包括在溅射工艺期间用于覆盖所述工件的第一部分的第一防护罩和用于覆盖所述工件的第二部分的第二防护罩。
14.如权利要求13所述的溅射系统，其中所述工件包括具有中央开口的圆形磁盘形状的工件，并且所述第一防护罩被成形为覆盖所述工件的外径，并且所述第二防护罩适于覆盖所述工件的内径。
提供具有用作阴极的靶材的溅射室，并且所述溅射室进一步包括阳极和工件；
向所述阳极和所述阴极供应足以在所述溅射室内产生等离子体的直流(DC)电能；以及在所述溅射室内执行溅射操作期间通过监控所述等离子体的阻抗和电导中的至少一个来检测所述溅射室中电弧的出现。
16.如权利要求15所述的方法，其中通过监控所述等离子体的阻抗和电导中的至少一个来检测所述溅射室中电弧的出现，包括监控所述等离子体的所述阻抗，并且其中所述监控进一步包括：监控跨接所述阳极和所述阴极施加的电压，并且产生从所述阳极和所述阴极探测到的电压信号；以及当所述溅射室内出现溅射操作时，同时监控在所述阴极和所述阳极之间流动的电流。
17.如权利要求16所述的方法，进一步包括将所述探测到的电压信号乘以预先选择的电阻以产生跳闸电压，并且将所述探测到的电压信号与所述跳闸电压进行比较，以确定所述溅射室内何时已出现电弧。
18.如权利要求15所述的方法，其中通过监控所述等离子体的阻抗和电导中的至少一个来检测所述溅射室中电弧的出现，包括监控所述等离子体的所述电导，并且其中所述监控进一步包括监控在所述阳极和所述阴极之间流动的电流并且产生从所述阳极和所述阴极探测到的电流信号。
19.如权利要求18所述的方法，进一步包括在所述溅射室内出现溅射操作时，同时监控跨接所述阴极和所述阳极的电压。
20.如权利要求19所述的方法，进一步包括将所述探测到的电流信号乘以电导以产生跳闸电流，并且将所述探测到的电流信号与所述跳闸电流进行比较，以确定所述溅射室内何时已出现电弧。
包括电弧检测系统的溅射系统和方法
技术领域
[0001] 本公开内容一般涉及基于等离子体的溅射系统，更具体地说，涉及采用检测DC(直流)等离子体溅射室内何时出现电弧用的电弧检测系统的溅射系统。
背景技术
[0002] 随着对于诸如CD、DVD、MD、MO、DLC膜以及硬盘之类的光学和磁盘介质的需求日益增加，用于制造这些介质的溅射工艺的重要性不断增加。存在许多类型的溅射系统，所有这些溅射系统都被用来将绝缘或导电镀层沉积在范围从半导体到钻头的设备上。一般镀到光学和磁盘介质上的膜通常利用对溅射气体具有限制控制的溅射工艺来产生。更准确地说，利用现今的溅射系统和方法，在溅射工艺的开始阶段会有相当大份额的大气和石化产品挥发性存在于溅射室内。
[0003] 在通常的基于DC等离子体的溅射系统中，大气在溅射工艺的一开始就被引入等离子体室中。这些大气与存在于该室内的游离的靶材相结合。最后得到的通常包括氧化物和氮化物的化合物可以在靶的表面上形成膜。这被称为“靶中毒”，并且将在溅射室内的阴极和阳极之间引起电弧放电。电弧放电虽然在基于DC等离子体的溅射系统中不可避免，却是喜忧参半之事。电弧经常将中毒从靶上去除，但它也可以生成并不期望的颗粒，这些颗粒可能损害材料正要沉积在其中的工件。电弧放电的另外来源包括溅射室内的诸如湿气、大气气体和内含物之类的污染物。除气也可能引起电弧放电。除气是在溅射工艺期间释放被镀膜的工件中或者靶材自身中俘获的气体和/或杂质时发生的条件。
[0004] 过去，已经存在许多用于确定等离子体室中何时出现电弧的检测方法。这些方法涉及利用限制电压和/或限制电流来检测电压或电流何时达到预定的阈值。其它用于检测电弧的方法涉及探测DC电源的输出电压随时间的变化(dV/dT)，和/或探测DC电源的输出电流随时间的变化(dI/dT)。以上提及的方法中的每种方法已利用若干独特的技术和各种各样的电路来实施。然而，每种方法具有一些局限性，可能妨碍精确的电弧检测，并且导致或者假的电弧检测或者未能检测到电弧出现。例如，当使用基于限制电压的检测系统时，取决于该工艺和所遇到的触发条件，开启限制电压的检测电路快到足以检测该触发条件是不太可能的。并且，如果溅射工艺使用相对于所选择的电压阈值为较低的DC输出电压设定，则降低的DC输出电压可能达到开始妨碍电弧检测电路的可靠操作的程度。更准确地说，DC电源电压可能足够低，使得电弧检测错误地探测到电弧条件正在出现。而且，当等离子体中最终出现点火或者等离子体由电弧产生时，必须小心起动限制电压的检查电路，否则可能指示假的电弧。
[0005] 当使用基于dV/dT或dI/dT的电弧检测监控时，人们查找从DC电源输出的快速瞬变电压或电流，并且依靠检测来自DC电源的或者输出电压或者输出电流的快速增量(Δ)，以发出电弧条件已经出现的信号。然而，使用基于dI/dT的系统可能会遇到这样的情况，在这种场合，由于已出现的电弧正相对较慢地移动，因此在所探测的来自DC电源的输出电流中不会产生快速增量。在业界，这些类型的电弧已经被称为“火球电弧”或“高阻抗”电弧。在输出电流中没有快速增量的情况下，dI/dT检测系统可能未能检测到电弧的出现。类似地，基于dV/dT的检测电路，由于探测到的DC电源的输出电压缓慢下降而遭遇有时不能识别缓慢移动的电弧出现的限制。
发明内容
[0006] 一方面，本公开内容涉及一种溅射系统。该系统可包括：具有用作阴极的靶材的溅射室，并且所述溅射室进一步包括阳极和工件；直流(DC)电源，用于向所述阳极和所述阴极供应足以在所述溅射室内产生等离子体的电能；以及检测模块，其通过监控所述等离子体的电特性来检测所述溅射室中电弧的出现。
[0007] 另一方面，本公开内容涉及一种溅射系统，包括：具有用作阴极的靶材的溅射室，并且所述溅射室进一步包括阳极和工件；直流(DC)电源，用于向所述阳极和所述阴极供应足以在所述溅射室内产生等离子体的电能；电压传感器电路，适于对所述DC电源的跨接所述阴极和所述阳极施加的输出电压进行探测；电流传感器电路，适于在溅射操作期间对来自所述DC电源的在所述阴极和所述阳极之间流动的输出电流进行探测；以及检测模块，其响应于所探测到的电流信号、所探测到的电压信号，并且进一步响应于预先选择的电阻，用以使用所述探测到的电压信号、所述探测到的电流信号以及所述预先选择的电阻，确定在所述溅射室内所述阻抗何时下降到指示电弧条件出现的水平。
[0008] 又一方面，本公开内容涉及一种用于形成溅射系统的方法。该方法可以包括：提供具有用作阴极的靶材的溅射室，并且所述溅射室进一步包括阳极和工件；向所述阳极和所述阴极供应足以在所述溅射室内产生等离子体的直流(DC)电能；以及在所述溅射室内执行溅射操作期间通过监控所述等离子体的电特性来检测所述溅射室中电弧的出现。
[0009] 根据这里提供的描述，进一步的适用性领域将变得明显。应当理解，该描述和具体实例旨在仅仅为了图示说明的目的，而非旨在限制本公开内容的范围。
附图说明
[0010] 这里描述的附图仅仅用于图示说明的目的，而非旨在以任何方式限制本公开内容的范围。
[0011] 图1是根据本公开内容的一个实施例构建的溅射系统的框图；
[0012] 图2是表示当电弧出现时与给等离子体室供电的DC电源的输出相关联的电压波形和阻抗波形的信号图；
[0013] 图3是被设计为在溅射操作期间监控溅射室内等离子体的阻抗的本公开内容的检测模块的一个实施例的示意图；以及
[0014] 图4是在溅射操作期间监控溅射室内等离子体的电导的检测模块的另一实施例的示意图。
具体实施方式
[0015] 下列各种实施例的描述本质上仅仅是示例性的，并且决非旨在限制当前的教导、应用或使用。
[0016] 参见图1，示出了根据本公开内容的一个实施例的DC溅射系统10。系统10用于将镀层沉积在工件12上。工件12可以包括诸如光盘(CD)和数字化视频光盘(DVD)之类的光盘存储介质、钻头、玻璃面板、切削工具、玩具或任何其它需要溅射的表面膜供其使用和操作的组件或衬底。溅射系统10包括为沉积工艺提供受控环境的溅射室14。真空泵16耦合至溅射室14中的端口14a，并且用于维持该溅射室内的受控内压力。作为阴极被配置的溅射靶18(在下文中简称为“阴极”18)，用作在溅射工艺期间将被镀到工件12上的溅射镀层的材料源。
[0017] 布置在溅射室14内的另一块导电材料是阳极20。阴极18和阳极20耦合至DC电源22的输出端，且此DC电源22跨接阴极18和阳极20供应高DC电压(通常在约200Vdc至1000Vdc之间，但并不限于此范围)。从DC电源22输出的DC电压分别经由输出信号线24和26跨接阴极18和阳极20被供应。这在溅射室14内感应出等离子体状态。阴极18可由铝(Al)或任何其它适合在溅射工艺中使用的材料构成。其它适合材料可由例如金(Au)、钽(Ta)和钛(Ti)构成，这里仅仅列举了几种。
[0018] 在通常的溅射工艺中，在该工艺的开始阶段引入的大气气体是污染物。该污染物可能在将部件装入溅射室14中时被引入。用于提供在等离子体内流动的阴离子的受控量的溅射气体，也供应给溅射室14。虽然本公开内容并不限于与任何特定类型的溅射气体一起使用，但通常，氩或其它惰性气体被用作溅射气体。
[0019] 图1还图示说明了一个示例性的制造应用，其中工件12形成需要镀以溅射膜的圆形光盘。对于该特定应用，外防护罩28和内防护罩30位于溅射室14中与工件12相邻，并且分别用来遮盖工件12的外缘12a和内缘12b。防护罩28和30为工件12提供限定得很好的外径和内径。优选，外防护罩28位于阴极18和工件12之间，以防止溅射材料沉积在外缘12a上。内防护罩30位于外防护罩28内并且与工件12的内径12b紧密相邻，以防止使用来自阴极18的溅射材料对该内缘进行镀膜。
[0020] DC电源22提供出现溅射工艺所需的电能。DC电源22将未稳压的AC线路电能转换为适合于启动溅射室14内的溅射工艺的稳压DC电能。DC电源22可以包括任何适合形式的电源，例如，开关式电源、SCR(晶闸管)电源或二极管变换器电源。然而，本公开内容的范围并不受所采用的特定类型的DC电源的限制。如本领域技术人员将会认识到的那样，由DC电源22产生的标称电压需要适合于特定的靶材和被执行的溅射操作。因此，本公开内容的范围考虑采用宽范围的DC电源电压的溅射工艺。
[0021] 在系统10中，将来自阴极18的溅射镀层实际沉积在工件12上需要对溅射室12内等离子体点火。通过将高到足以使包含在室14内的至少一部分溅射气体电离的电压施加在阳极20与阴极18之间来产生等离子体。与所施加的DC电压相关的强烈电场使电子从气体原子上剥脱，从而产生在等离子体内流动的阴离子和电子。该阴离子被溅射室14内产生的稳态电场以足够的动能加速到阴极18，以使阴离子替换来自阴极18的原子。来自阴极18的游离原子中的一些原子在溅射工艺的开始阶段与溅射室14内存在的大气结合。来自阴极18的未结合的剩余游离原子还在整个溅射室14中扩散，并且对工件12的暴露的表面进行镀膜。在整个上述溅射工艺中，由于诸如靶中毒、从工件12中除气、污染物以及溅射室14内存在材料薄片之类的各种因素而断断续续地出现电弧放电。
[0022] 在溅射应用中，“电弧”是指由相对低的电压和相对高的电流支持的等离子体状态。当溅射室12内出现电弧时，存在于阴极18和阳极20之间的等离子体的阻抗显著地下降。这有效地使得0或接近0的“阻抗”条件出现，从而使阴极18的电流快速增加。更准确地说，在电弧区域内，等离子体的阻抗由于电弧放电的再生增益和热电离而暴跌。然后，由DC电源22供应的所有可用电能被驱动成电弧放电，这依次生成极高的温度和更多的热电离。这依次继续降低该溅射室的电弧阻抗。正是等离子体能量(壳层)暴跌至本质上电弧放电的程度，产生了大的能量密度，导致靶或工件12的微粒和对靶或工件12的破坏。
[0023] 图2的曲线图中还示出了在电弧条件期间DC电源的输出电压与等离子体的阻抗(即电阻)之间的关系。在图2中，DC电源的输出电压由具有部分A1和A2的电压波形A来描绘。波形部分A1表示在溅射室12内出现电弧之前的DC电源22的输出电压，并且波形部分A2图示说明电弧事件之后的DC电源电压。DC电源22“遭遇”的等离子体的阻抗(即，实际上是，阴极18到阳极20的阻抗)由具有部分B1和B2的波形B来表示。图2的横轴X表示时间，而纵轴Y和Y’分别表示阻抗和电压。
[0024] 如之前所讨论的，当电弧出现时，如图1中图示说明的，从阴极18到阳极20的阻抗显著地下降。如图2中所示，阴极18到阳极20的阻抗，在指示等离子体内出现电弧的波形部分B1和B2之间急剧减小。在相同的时间间隔期间，DC电源22的电压输出电平经历了从波形部分A1到波形部分A2的急剧增加。
[0025] 为了检测溅射工艺过程期间电弧的出现，系统10包括检测模块32，其同时既监控来自DC电源22的输出电压又监控来自DC电源22的输出电流。所探测到的电压信号由跨接输出信号线24和26安置的电压传感器电路34提供。电流传感器电路36与输出信号线26串联布置，并且提供所探测到的电流信号。如在以下段落中更详细地描述的那样，检测模块32利用所探测到的电压、所探测到的电流和预先选择的电阻值来检测等离子体的阻抗何时下降到表明电弧已经出现的水平。在这种方式下，检测模块32能够有效地监控溅射工艺过程期间溅射室14内等离子体的状态(即阻抗)，更准确地说，监控阴极18和阳极20之间的阻抗。这与依靠限制电压、限制电流或监控电压的变化率(dV/dT)或电流的变化率(dI/dT)来检测电弧出现的传统的电弧检测系统和方法形成对比。
[0026] 参见图3，检测模块32的一个实施例被详细示出。检测模块32包括预先选择的电阻值“R”、数字乘法器38和比较器40。数字乘法器38从电流传感器电路36接收表示由DC电源22供应的实时输出电流(I)的输入信号以及预先选择的电阻值R。当已知溅射室14内出现电弧时，或者在研究等离子体的正常操作之后，R的值根据之前观测到的用于特定DC等离子体应用的DC输出电压和输出电流的特性来选择。电阻值R作为比例因子或乘数，其调节检测模块32至适应所使用的特殊DC电源的输出以及特定溅射应用的已知的电弧放电特性。虽然R的特定值取决于特定的应用，不过可以预料，在许多情况下，适当的值将在大约1欧姆至6欧姆的范围内，但并不限于此范围。数字乘法器38将这些值相乘以形成I×R“跳闸(trip)”电压。该跳闸电压被施加到比较器40的正相(+)输入端。比较器
40的倒相输入端(-)从电压传感器电路34接收所探测到的电压信号，该电压信号表示跨接阴极18和阴极20施加的实时DC电压输出信号(V)。
[0027] 当电弧出现时，输入到比较器40的正相(+)输入端的跳闸电压在很短的时段内显著升高。比较器40不断地将施加到其正相输入端的I×R跳闸电压与施加在其倒相输入端的来自电压传感器34的采样电压信号相比较。比较器40提供形成“跳闸指示器”信号的输出42。该跳闸指示器信号意味着I×R跳闸电压已经上升到等于或大于在比较器42的倒相输入端上的采样DC电压信号的程度。此条件意味着阴极18和阳极20之间的等离子体的阻抗已经充分下降到其精确地、一贯地且可重复地定义电弧处于出现状态的程度。
[0028] 当检测模块32生成跳闸指示器信号时，该信号能够可选地施加到一控制器，该控制器能够或者关断DC电源22或者暂时降低该电源的DC输出电压。可替代地，该跳闸指示器信号能够被施加到溅射系统10的致力于暂时中断或减小DC输出电能以改善电弧条件的不同组件。
[0029] 对于图3中图示说明的实施例，重要的是，应当指出在DC电源22的初始启动阶段优选将检测模块32关闭一短的时段，通常在约10μs至100μs之间。这样做是为了避免出现假的电弧指示。如果检测模块32与DC电源22同时被赋予能量，则在开启的瞬间可能会产生这样的条件，其中比较器40正在其倒相输入端接收0电压信号，并且在其正相输入端接收0电压信号，因此这能够立即使比较器在其输出端42处产生假的跳闸指示器信号。这种在启动阶段的非常短的延迟可以通过合适的硬件控制系统或软件控制来实现，其将比较器40的接通延迟一短的瞬间，即允许DC电源的DC输出电压爬升至预定的值的时间。一旦检测模块32运转，它将不会产生跳闸指示器信号，除非检测到电弧条件。
[0030] 因此，检测模块32能够在溅射系统10的操作期间实时监控溅射室14内的等离子体的变动的阻抗。通过将跳闸电压确定为固定的R和在DC电源22的输出端测量的电流的函数，检测模块32的电弧检测或跳闸指示电平变得与溅射室14内执行溅射工艺时产生的等离子体的变动的阻抗成正比。
[0031] 检测模块32的特殊优点在于，通过使用预先选择的电阻值，电压跳闸电平可以容易地适应于采用不同DC电源电压的各种溅射系统。检测模块32不会遭受能够影响到限制电压系统、限制电流系统、基于dI/dT的系统或基于dV/dT的系统的操作的限制。由于电压跳闸指示器利用表示DC电源22的输出的采样DC输出电压和输出电流信号，所以该电压跳闸电平能够相对于来自DC电源22的输出而变化或“浮动”。因此，如果针对特殊的溅射操作需要减少来自DC电源22的电能，则跳闸电压将因数字乘法器38从电流传感器36看到的输出电流的下降而自动按比例减小。此外，检测模块32并不依赖于来自DC电源22的DC输出电压或输出电流的急剧下降(相对于时间)的出现。因此，检测模块32能够检测到一般在探测到的电压或电流没有急剧变化的情况下出现的“火球”或“高阻抗”电弧。检测模块32还不易受到提供错误地指示电弧出现的跳闸信号的影响。
[0032] 检测模块32的又一优点在于，由于它监控等离子体的阻抗，因此它基本上不受假操作的影响，而先前开发的检测系统由于仅仅关注探测到的电压或仅仅关注探测到的电流而受这些假操作的影响。无论在触发条件结束时还是在电弧恢复期间的时间，都将在等离子体中产生其阻抗将下降到足以接近值R的条件。作为这种限制的结果，在溅射工艺正在执行的同时，禁止检测模块32在“触发结束”和“恢复”条件期间不正确地运行。
[0033] 在上述实施例中，应当理解，尽管检测模块32可以对溅射系统10在特定的功率水平利用R来识别电弧的存在，但本公开内容的范围并不限于仅监控等离子体的阻抗。例如，检测模块32能够恰好容易地被配置为监控等离子体的电导(即1/电阻或“G”)。图4中示出检测模块的这种实施例，其中检测模块被标记为32′。检测模块32′中与图3的组件共用的其它组件用相应附图标记来标记，这些标记还用撇(′)符号来指定。在该实施中，当出现电弧时，等离子体的电导显著增加，并且基本上与等离子体的阻抗相反。该跳闸信号包括通过将探测到的电压信号(V)乘以1/R产生的跳闸电流，其中1/R表示预先选择的电导值。跳闸电流被施加到比较器40′的倒相输入端(-)，同时探测到的电流信号被直接施加到比较器40′的正相(+)输入端。当溅射工艺发生而电弧放电未出现时，跳闸电流将正常地高于探测到的电流信号。然而，当电弧出现时，等离子体的电导将显著上升，并且通常在较短的时段内显著上升。当比较器40′的正相输入端上的探测到的电流信号等于或超出施加到其倒相输入端的跳闸电流时，比较器40′探测到该条件。然后，比较器40′生成指示电弧放电出现的跳闸指示器信号42′。
[0034] 检测模块32的各种实施例可以在单个集成电路中实施或者由分离的组件来实施。另外，检测模块32可以依据特定应用的需要与软件、固件或其它硬件一起实施。
[0035] 上述描述本质上仅是示例性的，因而，并不偏离本教导要点的变化也旨在其范围内。这种变化并不被认为是偏离了这里所提出的教导的精神和范围。
