具备气化器的气体供给装置转让专利

申请号 : CN200980111910.4

文献号 : CN101983418A

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发明人 : 长田厚永濑正明日高敦志平田薰松本笃咨西野功二土肥亮介池田信一

申请人 : 株式会社富士金

摘要 :

本发明提供具备气化器的气体供给装置,该气体供给装置由下列部件构成:液体收纳罐;使液体气化的气化器;对气化气体的流量进行调节的高温型压力式流量控制装置;以及加热装置,该加热装置对气化器、高温型压力式流量控制装置以及与气化器和高温型压力式流量控制装置连接的配管路径的期望部分进行加热,由此实现节能和小型化,并且不需要严格的气化器侧的温度控制,就能够稳定且简单地进行高精度的气体流量控制。

权利要求 :

1.一种具备气化器的气体供给装置,其特征在于,

该气体供给装置由下列部件构成:液体收纳罐;使从液体收纳罐压送来的液体气化的气化器;对来自气化器的流出气体的流量进行调节的高温型压力式流量控制装置;以及加热装置,该加热装置对气化器、高温型压力式流量控制装置以及与气化器和高温型压力式流量控制装置等连接的配管路径的期望部分进行加热。

2.根据权利要求1所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,液体为水、氟化氢、四乙氧基硅烷、三甲基铝或四(二乙基氨基)铪中的任一个。

3.根据权利要求1所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,该气体供给装置形成为这样的结构:在气化器的气化腔的上方装备有高温型压力式流量控制装置的装置本体。

4.根据权利要求1所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,该气体供给装置形成为这样的结构:具备液体供给控制装置,该液体供给控制装置调节从液体收纳罐向气化器压送的液体量,以使高温型压力式流量控制装置的上游侧的气体压力成为预先确定的设定压力以上。

5.根据权利要求1所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,该气体供给装置形成为这样的结构:具备温度控制装置,该温度控制装置调节气化器的加热温度,以使高温型压力式流量控制装置的上游侧压力成为预先确定的设定压力以上。

6.根据权利要求1所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,使气化器形成为由下列部件构成的气化器:具备期望的内部空间容积的气化腔;隔开间隔配置于气化腔内部的多个脉动减少用孔板;以及配设于气化腔的外侧面的加热器。

7.根据权利要求1所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,该气体供给装置形成为这样的结构:在气化器和高温型压力式流量控制装置之间的配管通路上具备溢流阀,在通路内的气体压力达到预先确定的高温压力式流量控制装置的最高使用压力附近时,该溢流阀动作。

8.根据权利要求1所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,该气体供给装置进行利用加热器将高温型压力式流量控制装置的装置本体加热至

20℃~250℃的温度的高温型压力式流量控制。

9.根据权利要求1所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,气化器的加热温度为20℃~250℃。

10.根据权利要求1所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,该气体供给装置形成为这样的结构:在气化器和高温型压力式流量控制装置之间的配管路径上夹设缓冲罐。

11.根据权利要求6所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,所述气化器形成为,气化器的气化腔为金属制气化腔,并且在该气化腔的外侧面设置有均热板,进而在该均热板的外侧具备绝热部件。

12.根据权利要求6所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,气化器的气化腔形成为具备存在于气化腔内的液体成分的积存部的气化腔的结构。

13.根据权利要求6所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,金属制气化腔形成为金属制圆筒型气化腔,并且该金属制气化腔在气化腔的内部隔开间隔呈同心状地配置有两张脉动减少用孔板,该脉动减少用孔板为圆盘型。

14.根据权利要求6所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,在气化腔的内部填充有钢制滚珠或多孔金属板制的加热促进体。

15.根据权利要求8所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,在高温型压力式流量控制装置的装置本体上固定有铝制均热板,并且在装置本体的气体入口侧通路和气体出口侧通路的附近配设有封装加热器,使气体接触部分的温度差为

6℃以下。

16.根据权利要求8或9所述的具备气化器的气体供给装置,其特征在于,该气体供给装置形成为这样的结构:在形成于铝制厚板的内侧面的加热器插入槽内插装固定期望长度的封装加热器而构成加热器,该加热器配设于高温型压力式流量控制装置的两侧面或气化器的两侧面以及底面。

说明书 :

具备气化器的气体供给装置

技术领域

[0001] 本发明涉及在半导体制造装置或化学工业设备、药品工业设备等中使用的具备气化器的气体供给装置的改进,并涉及这样的具备气化器的气体供给装置:通过组合气化器和高温型压力式流量控制装置来活用压力式流量控制装置的稳定的流量控制特性,从而结构简单且实现节能和设备的小型化,而且能够容易地进行温度管理和流量控制。

背景技术

[0002] 在半导体制造设备等中,以往大多使用这样的气体供给系统:利用气化器使收纳于罐中的半导体制造用的各种液化气体气化后,将其供给到处理腔等。
[0003] 例如,图12表示由气化器Va和液体型热式质量流量控制装置LMFC构成的气体供给设备的基本构成的一例,构成为使用加压用气体Gp的压力或液体输送用泵(省略图示),利用液体型热式质量流量控制装置LMFC一边对收纳于液化气体收纳罐T内的液化气体LG进行流量控制,一边将其送至气化器Va,并将预定流量的气化气体G供给至处理腔CH。另外,H为加热区域。
[0004] 但是,在上述图12的气体供给装置中,由于使用液体型热式质量流量控制装置LMFC,因此存在这样的问题:即使液体状态下的流量控制误差小,气体流量的误差也必然增大,从而难以进行精密的气体流量控制。
[0005] 因此,如图13所示,开发出在气化器Va的下游侧连接有高温型热式质量流量控制装置HMFC的形式的气体供给装置,实现了气化气体G的质量流量控制的高精度化。
[0006] 但是,在高温型热式质量流量控制装置HMFC中,具有当一次侧的流量、压力变动时控制流量随之大幅变化的特性,因此,为了进行气体流量的高精度的流量控制,需要以高精度进行气化器Va侧的温度控制,以将气化器Va的二次侧的流量、压力保持为预定的设定值。并且,高温型热式质量流量控制装置HMFC原理上需要将传感器部分的温度设定得比主线的温度高,容易引起液体源(材料)的分解、析出。
[0007] 然而,为了以高精度将气化器Va的二次侧保持为预定的流量、压力,如上所述需要以更高的精度进行气化器Va的温度控制,结果需要增大加热容量或扩大加热区域等。因此,不仅气体供给装置自身必然大型化,而且在节能和运转成本等方面还会发生各种不良情况。
[0008] 专利文献1:日本特开平11-278987号公报
[0009] 专利文献2:日本特开2003-142473号公报
[0010] 专利文献3:日本特开2004-143591号公报
[0011] 专利文献4:日本特开2007-036265号公报

发明内容

[0012] 本发明的主要目的在于提供一种具备气化器的气体供给装置,解决以往的液体型热式质量流量控制装置LMFC和气化器Va的组合、或气化器Va和高温型热式质量流量控制装置HMFC的组合的气体供给装置中的如上问题,即解决如下等问题:(a)在使用液体型热式质量流量控制装置的情况下,即使存在略微的液体量的误差,也会由于膨胀而成为大的气体量的误差,无法进行精密的气化气体G的流量控制;以及(b)在使用高温型热式质量流量控制装置HMFC的情况下,需要气化器Va的高精度的温度控制,导致气体供给装置的大型化和温度控制装置的复杂化,本发明的气体供给装置通过组合气化器Va和高温型压力式质量流量控制装置HFCS,从而不特别需要高精度的温度控制和流量控制,是所谓的粗略的温度控制等小型化的气体供给装置,并能够进行高精度的气化气体G的流量控制。
[0013] 为了达到上述的发明目的,本发明的第一方面的具备气化器的气体供给装置的基本结构为,该气体供给装置由下列部件构成:液体收纳罐;使从液体收纳罐压送来的液体气化的气化器;对来自气化器的流出气体的流量进行调节的高温型压力式流量控制装置;以及加热装置,该加热装置对气化器、高温型压力式流量控制装置以及与气化器和高温型压力式流量控制装置等连接的配管路径的期望部分进行加热。
[0014] 本发明第二方面的具备气化器的气体供给装置在第一方面中,液体为水(H2O)、氟化氢(HF)、四乙氧基硅烷(TEOS)、三甲基铝(TMA)或四(二乙基氨基)铪(TDEAH)中的任一个。
[0015] 本发明第三方面的具备气化器的气体供给装置在第一方面中,该气体供给装置形成为这样的结构:在气化器的气化腔的上方装备有高温型压力式流量控制装置的装置本体。
[0016] 本发明第四方面的具备气化器的气体供给装置在第一方面中,该气体供给装置形成为这样的结构:具备液体供给控制装置,该液体供给控制装置调节从液体收纳罐向气化器压送的液体量,以使高温型压力式流量控制装置的上游侧的气体压力成为预先确定的设定压力以上。
[0017] 本发明第五方面的具备气化器的气体供给装置在第一方面中,该气体供给装置形成为这样的结构:具备温度控制装置,该温度控制装置调节气化器的加热温度,以使高温型压力式流量控制装置的上游侧压力成为预先确定的设定压力以上。
[0018] 本发明第六方面的具备气化器的气体供给装置在第一方面中,使气化器形成为由下列部件构成的气化器:具备期望的内部空间容积的气化腔;隔开间隔地配置于气化腔内部的多个脉动减少用孔板;以及配设于气化腔的外侧面的加热器。
[0019] 本发明第七方面的具备气化器的气体供给装置在第一方面中,该气体供给装置形成为这样的结构:在气化器和高温型压力式流量控制装置之间的配管通路上具备溢流阀,在通路内的气体压力达到预先确定的高温压力式流量控制装置的最高使用压力附近时,该溢流阀动作。
[0020] 本发明第八方面的具备气化器的气体供给装置在第一方面中,该气体供给装置进行利用加热器将高温型压力式流量控制装置的装置本体加热至20℃~250℃的温度的高温型压力式流量控制。
[0021] 本发明第九方面的具备气化器的气体供给装置在第一方面中,气化器的加热温度为20℃~250℃。
[0022] 本发明第十方面的具备气化器的气体供给装置在第一方面中,在气化器和高温型压力式流量控制装置之间的配管路径上夹设有缓冲罐。
[0023] 本发明第十一方面的具备气化器的气体供给装置在第六方面中,所述气化器形成为,气化器的气化腔为金属制气化腔,并且在该气化腔的外侧面设置有均热板,进而在该均热板的外侧具备绝热部件。
[0024] 本发明第十二方面的具备气化器的气体供给装置在第六方面中,气化器的气化腔形成为具备存在于气化腔内的液体成分的积存部的气化腔的结构。
[0025] 本发明第十三方面的具备气化器的气体供给装置在第六方面中,金属制气化腔形成为金属制圆筒型气化腔,并且该金属制气化腔在气化腔的内部隔开间隔呈同心状地配置有两张脉动减少用孔板,该脉动减少用孔板为圆盘型。
[0026] 本发明第十四方面的具备气化器的气体供给装置在第六方面中,在气化腔的内部填充有钢制滚珠或多孔金属板制的加热促进体。
[0027] 本发明第十五方面的具备气化器的气体供给装置在第八方面中,在高温型压力式流量控制装置的装置本体上固定有铝制均热板,并且在装置本体的气体入口侧通路和气体出口侧通路的附近配设有封装加热器,使气体接触部分的温度差为6℃以下。
[0028] 本发明第十六方面的具备气化器的气体供给装置在第八或九方面中,该气体供给装置形成为这样的结构:在形成于铝制厚板的内侧面的加热器插入槽内插装固定期望长度的封装加热器而构成加热器,该加热器配设于高温型压力式流量控制装置的两侧面或气化器的两侧面以及底面。
[0029] 发明效果
[0030] 在本发明中,由于利用流量控制特性稳定的高温型压力式流量控制装置来控制由气化器气化后的气体流量,因此,即使气化器侧的条件稍微变动,也不会对流量控制装置侧的流量测定精度造成大的影响。其结果为,即使气化器侧的温度控制精度或压力控制(液体流入量控制)精度有些许降低或些许变动,气体侧的流量控制精度也不会降低,能够稳定地进行高精度的气体流量控制。
[0031] 并且,由于利用脉动减少用孔板将气化器的气化腔的内部空间划分为多个区域,并且设置残留于气化腔内的液体成分的积存部并将积存部内的液体成分排出到外部,因此,由于液体成分的残留而引起的气化腔内的压力变动大幅减少。
[0032] 另外,通过在气化器和高温型压力式流量控制装置之间设置缓冲罐,使得气体对流量控制流量的供给压力稳定,能够进行更高精度的气体流量控制。
[0033] 由于利用加热器对气化腔进行加热,并且在气化腔的外侧面配设均热板,因此,气化腔均匀地被加热而能够进行更稳定的液体成分的气化。
[0034] 利用筒式加热器将高温型压力式流量控制装置加热至50℃~200℃,并且,在流量控制装置的本体安装铝制均热板,或在气体入口侧通路和气体出口侧通路设置辅助封装加热器,由此,能够将气体接触部分的温度差抑制在大约6℃以下,能够完全防止流量控制装置本体内产生液体成分。

附图说明

[0035] 图1是本发明的具备气化器的气体供给装置A的基本构成图。
[0036] 图2是在本发明中使用的气化器1的剖视概要图。
[0037] 图3是在本发明中使用的高温型压力式流量控制装置2的基本构成图。
[0038] 图4是在本发明中使用的高温型压力式流量控制装置2的控制装置本体部分的剖视概要图。
[0039] 图5是表示一个实施例的加热器13的概要的立体图。
[0040] 图6是表示一个实施例的气化腔3的概要的局部剖开的立体图。
[0041] 图7是表示本发明的一个实施例的具备气化器的气体供给装置A的概要的立体图。
[0042] 图8是利用本发明的气化器1进行的气化试验的说明图。
[0043] 图9是表示试验1中的经过时间与各部分的压力之间的关系的线图。
[0044] 图10是表示试验1中的经过时间与高温型压力式流量控制装置的流量之间的关系的线图。
[0045] 图11是表示试验2中的经过时间与各部分的压力以及压力式流量控制装置的流量之间的关系的线图。
[0046] 图12是表示以往的具备气化器的气体供给装置的一例的说明图。
[0047] 图13是表示以往的具备气化器的气体供给装置的其他示例的线图。
[0048] 标号说明
[0049] A具备气化器的气体供给设备;T液体收纳罐;LG液体;G气体;V1液体供给量控制阀;V2~V7开闭阀;Q液体供给量控制装置;M加热温度控制装置;L溢流阀;Gp液体收纳罐加压用气体;To加热器温度检测器;P0~P1压力检测器;T1温度检测器;1气化器;2高温型压力式流量控制装置;3气化腔;3a、3b、3c块体;3d液体入口;3e气体出口;3f、3g加热促进体;4脉动减少用孔板;4a节流孔;5液体积存部;6~8加热装置;9控制阀;9a驱动部;9b隔膜阀芯;10节流孔;11缓冲罐;12均热板;13加热器;13a铝板;13b加热器插入槽;
13c盘管式加热器;14绝热部件;15运算控制装置;15a流量运算部;15b比较部;15c放大/AD转换部;15d设定输入部;16控制装置本体;16a气体出口;17筒式加热器;18辅助封装加热器;19配管路径;20处理腔;21真空泵;22节流孔;23配管路径。

具体实施方式

[0050] 以下,根据附图对本发明的实施方式进行说明。
[0051] 图1是表示本发明的具备气化器的气体供给装置A的基本构成的构成框图,在图1中,T是液体收纳罐,Q是液体供给量控制装置,M是加热温度控制装置,V1是液体供给量控制阀,L是溢流阀,Gp是液体收纳罐加压用气体,To是加热器温度检测器,V2~V7是开闭阀,P0~P1是压力检测器,T1是温度检测器,1是气化器,2是高温型压力式流量控制器,3是气化腔,4是脉动减少用孔板,5是液体积存部,6~8是加热装置,9是控制阀,10是节流孔,
11是缓冲罐,19是配管路径,20是处理腔。另外,上述液体积存部5和缓冲罐11也可以去掉。
[0052] 本发明的具备气化器的气体供给设备A(以下简称为气体供给设备)由液体收纳罐T、液体供给量控制装置Q、气化器1、高温型压力式流量控制装置(以下简称为压力式流量控制装置)2、加热装置6、7、8等形成,气化器1、压力式流量控制装置2以及两者的组合结构构成本发明的主要部分。
[0053] 图2是在本发明中使用的气化器1的剖视概要图,包括:平面形状为四边形的壳体(气化腔)3;将气化腔3的内部划分为三个区域的两张脉动减少用孔板4;液体积存部5;自液体积存部5的排液机构;固定于气化腔3的上/下两面以及前/后侧面(省略图示)的铝制的均热板12;配设于均热板12的外侧面的加热器13;覆盖加热器13的外侧的绝热部件14;以及压力传感器P0等。
[0054] 上述气化腔3通过不锈钢形成为内部容积为10cm3以上的具有适当容积的壳体,与液体LG的种类和所需气体流量对应地适当确定内部容积值。另外,如后所述,在液体LG3
为纯水且所需气体流量为100SCCM的情况下,气化腔3的内部容积为大约18cm。
[0055] 并且,上述脉动减少用孔板4也由不锈钢形成,该脉动减少用孔板4的节流孔4a的内径根据液体的种类及其液体气化量来适当地选定。另外,在液体LG为水且所需气体流量为100SCCM的情况下,两张孔板4、4的各孔径为φ0.2mm。
[0056] 另外,在图2中将气化腔3的内部空间划分为三个区域,但根据腔出口侧的内压P0的允许变动幅度,划分数量选定为2~5。
[0057] 上述气化器1通过由加热器13和铝制的均热板12等构成的加热装置6加热至大约50℃~300℃,成为温度为20℃~250℃的气体G而向压力式流量控制装置2侧流出。
[0058] 另外,在上述图2的气化器1中,将气化腔3形成为壳型,但也可以将其形成为圆筒型并将脉动减少用孔板4形成为圆盘型,将多个孔板4呈圆心状地配置,并焊接固定于气化腔3的内壁面。
[0059] 在图2的实施方式中,将气化腔3的内部中除了孔板4之外的部分作为空间部,但为了实现液体(液化气体)LG的加热的促进以及气化后的气体的热量的保持,也可以将由小径的钢制滚珠或多孔质金属板的层叠体构成的加热促进体(省略图示)按照期望量填充到气化腔3内的内部空间中。并且,在图2中,将液体积存部5设置于气化腔3的出口侧,但也可以省略该液体积存部5和排液机构。
[0060] 图3是在本发明中使用的高温型压力式流量控制装置2的基本构成图。
[0061] 在图3中,9是控制阀,9a是驱动部,10是节流孔,15是运算控制部,压力检测器P1和温度检测器T1的检测值通过放大/AD转换部15c输入到流量运算部15a,流过节流孔10的气体流量作为Qc=KP1运算。然后,在比较部15b中将来自设定输入部15d的设定流量值Qs和上述运算流量值Qc进行比较,并将两者的差信号Qy输入到控制阀9的驱动部9a,由此,控制阀9向上述差信号Qy成为零的方向开/闭。
[0062] 该压力式流量控制装置2在流过节流孔10的气体流速为声速以上的所谓临界状态下的流体流的情况下,通过节流孔10的气体流量Q能够作为Q=KP1(K为常数,P1为节流孔上游侧压力)运算是基本的,流量控制的响应性极高且稳定,具有热式质量流量控制装置所不能比的优异的控制响应性和高的控制精度。
[0063] 另外,压力式流量控制装置自身由日本特开平8-338546号等其他公报所公知,因此,在这里省略其详细的说明。
[0064] 另外,构成上述高温型压力式流量控制装置2的控制阀9和节流孔10、压力检测器P1、温度检测器T1以及运算控制装置15等如图4示出的概要图所示,全部一体地组装于不锈钢制的装置本体16。
[0065] 即,在装置本体(主体)16中插装有筒式加热器17,由此,装置本体16和控制阀9的隔膜阀芯9b的部分被加热至大约50℃~300℃。
[0066] 并且,在形成于装置本体16内的流体通路的部分配设有辅助封装加热器18,由此,入口流体通路和出口流体通路的附近被加热,其结果为,在液体LG为纯水(H2O)或氟化氢(HF)、四乙氧基硅烷(TEOS·Si(OC2H5)4)那样的情况下,流通的气体G的温度最低也保持于20℃~250℃的范围,能够完全防止液体成分附着于控制阀9的隔膜阀芯9b,并且两个流体通路内的气体温度的差保持在大约6℃以下。另外,在本发明中,作为供给的源用的液体LG,存在三甲基铟(TMI·(CH3)3In)、二甲基锌(DMZ·(CH3)2Zn)、二乙基锌(DEZ·(C2H5)2Zn)、三甲基镓(TMG·(CH3)3Ga)、三乙基镓(TEG·(C2H5)3Ga)、三 甲 基 铝(TMA·(CH3)3Al)、三 乙 基 铝(TEA·(C2H5)3Al)、四(二 乙 基 氨 基) 铪(TDEAH·Hf[N(C2H5)2]4)、四双(乙基甲基氨)铪(Hf[N(CH3)(C2H5)]4)、四(乙基甲基氨基)铪(TEMAZ·(Zr[N(CH3)(C2H5)]4)、五乙氧基钽(TAETO·Ta(C2H5)5)、三(二甲胺基)硅烷(TDMAS·SiH[N(CH3)2]3)、三甲基硅烷(3MS·(CH3)3SiH)、四甲基硅烷(4MS·(CH3)4Si)、双叔丁基氨基硅烷(BTBAS·H2Si[NH(t-C4H9)]2)、磷酸三乙酯(TEPO·PO(C2H5O)3)、硼酸三乙酯(TEB·B(OC2H5)3)、四氯化钛(TiCl4)等。
[0067] 另外,在装置本体16的上表面侧和前后的两侧面(省略图示)紧贴固定着比较厚的铝制的均热板12,由此,控制装置本体16的各部分的温度变得均匀。
[0068] 另外,在图4中,使用筒式加热器17和辅助封装加热器18形成压力式流量控制装置2的加热装置7,但是,当然使用的加热器的形式和使用方式怎样都可以。
[0069] 图5是表示在本发明中使用的加热器13的概要的立体图,在厚度为4~8mm的四边形的铝板13a的内侧面设置加热器插入槽13b,并将线状的盘管式加热器13c插装固定于该加热器插入槽13b内,由此构成加热器13。
[0070] 图6是表示本发明的实施例的气化器的概要的局部剖开的立体图,通过气密状地组装三个块体3a、3b、3c来形成气化腔3,使从液体入口3d送入的液体LG在通过孔板4的节流孔4a流通期间气化,并从气体出口3e流出。另外,3f和3g是由小径的钢球滚珠或多孔质金属板的层叠体构成的加热促进体。
[0071] 图7是表示本发明的具备气化器的气体供给装置A的实施例的概要立体图,在图6所示的气化器1的上方装备高温型压力式流量控制装置2,在气化器1和高温型压力式流量控制装置2的装置本体16的两侧面以及底面配设图5所示的板状的加热器13,形成为对其进行加热的结构。另外,图7的标号16a为气体出口。并且省略最外层的绝热部件的图示。
[0072] 接着对本发明的动作概要进行说明。参照图1,经由液体供给量控制装置Q调节罐T内的内压和液体供给量控制阀V1的开度,由此控制来自液体收纳罐T内的液体LG的供给量,根据来自气化器1的出口侧的压力检测器P0的信号,控制液体LG的供给量,使得高温型压力式流量控制装置2的上游侧的气体压力成为预定的压力值以上。
[0073] 同样,根据来自气化器1的加热温度检测器T0的信号,经由加热温度控制装置M调节对加热装置6的加热器13的输入和液体供给量控制阀V1的开度,利用上述液体供给量控制装置Q和加热温度控制装置M进行控制,使得高温型压力式流量控制装置2的上游侧的气体压力成为期望的流量以及压力值以上。
[0074] 另外,在连接气化器1和高温型压力式流量控制装置2的管路中设置有溢流阀L,在万一气化器1的出口侧气体压力异常上升的情况下,将气体G排出到外部。
[0075] 并且,图1的缓冲罐11贮存预定量的气体G,由此来防止流入压力式流量控制装置2的气体G的流量(压力)的大幅变动。如上所述,压力式流量控制装置2的响应性优异,因此,即使来自气化器1的流出气体G的流量(压力)稍微变动,流量控制自身也不存在障碍。因此,缓冲罐11的容积可以小,或者也可以取而代之,在配管路径19呈分支状地设置通气管(省略图示)。
[0076] 实施例1
[0077] 图8是使用本发明的气化器1(内部容积约18cm3)的水的气化试验的说明图,利用真理泵(ベリタスポンプ)Pm2使罐T内的纯水LG通过φ=0.8mm的节流孔22,并将其压入气化器1的气化腔3内,通过φ=0.2mm的节流孔4a和φ=0.2mm的节流孔4b,利用以I/H加热器13为主体的加热装置6进行加热,使气化后的气体(水蒸气气体)G通过流量为100SCCM的高温型压力式流量控制装置2而流通。另外,压力式流量控制装置2的出口侧配管路径23的末端由涡旋泵型真空泵21抽真空。
[0078] 上述高温型压力式流量控制装置2的加热装置7以筒式加热器17为主体形成,并且配管路径23等的加热装置8以橡胶加热器为主体构成。
[0079] 首先,使构成加热装置6的I/H加热器、形成加热装置7的筒式加热器和形成加热装置8的橡胶加热器动作,确认I/H加热器的预热后的气化腔3的温度稳定。然后,开始供给纯水LG,持续供给纯水GL直到气化腔3的内压保持140~160KPa的位置,然后开通压力式流量控制装置2。
[0080] 另外,压力式流量控制装置2的设定流量为100SCCM。并且,进行真理泵Pm2的流量调节,以使气化腔3内的内压保持在140~160KPa。另外,通风阀V8的开放设定压力为300KPa。
[0081] 在上述的试验状态下,利用压力检测器P01、P02测定气化腔3内的压力,利用压力检测器P2测定配管路径23内的压力,利用温度检测器TM1测定气化腔内的温度,利用温度检测器TM2测定控制装置本体16的外表面温度。
[0082] [试验1]
[0083] 设气化器的加热装置6(I/H加热器13)的设定温度为160℃,液体压送用的真理泵Pm2的流量为0.58cc/min,压力式流量控制装置2的设定流量为100sccm,压力式流量控制装置2的加热装置(筒式加热器17)7的设定温度为120℃,进行纯水LG的气化试验。
[0084] 图9和图10示出其结果,图9示出经过时间与各部分的压力以及压力流量控制装置的流量的关系,并且图10示出经过时间与各部分的温度的关系。
[0085] [试验2]
[0086] 设气化器的加热装置6(I/H加热器13)的设定温度为160℃,液体压送用的真理泵Pm1的流量为0.63cc/min,压力式流量控制装置2的设定流量为100sccm,压力式流量控制装置2的加热装置(筒式加热器17)的设定温度为120℃,进行纯水LG的气化试验。
[0087] 图11示出其试验结果,示出经过时间与各部分的压力以及压力式流量控制装置的流量。
[0088] 根据上述各试验的结果,可知以下方面等:a.相对于一定量的液体LG的供给产生些许压力变动,但通过将气化腔内的压力保持为大约150kpa以上,能够保持稳定的流量供给;b.在液体LG为水的情况下,气化腔3的设定温度为160℃左右足够,若气化腔3的出口侧的气体压力为140kpa以上,则与上游侧压力的变动无关,压力式流量控制装置2能够进行恒定流量的流量控制;c.与控制液体LG的供给量相比,控制气化腔3内的压力更好,因此,优选设置使开放的气体迅速返回液体罐T的机构;d.在配管部被冷却而液化后的水落到气化腔3内,由此产生不稳定的压力,因此,需要留意气化腔3的出口侧的配管的缩短和加热。
[0089] 工业实用性
[0090] 本发明不仅能够应用于半导体制造、化学工业、药品工业、食品工业中的使用液化气体的气体供给装置,而且能够应用于所有工业中的使用液化气体的气体供给装置。
[0091] 并且,本发明不仅能够应用于以水或半导体制造用的液化气体为原料的气体供给装置,还能够应用于以通过加温而气化的所有液体为原料的气体供给装置。