多层堆叠的存储器及其制造方法

摘要

本发明揭示了一种多层堆叠的存储器及其制造方法，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特定类型的存储器，使各种存储器单元之间取长补短，实现存储器各方面性能的优化，在实际的应用中，一块存储芯片能够代替多块存储芯片，达到降低成本和提升性能的目的。

权利要求

1.一种多层堆叠的存储器，其特征在于：存储器芯片包括外围电路和至少两层存储单元层以及与之对应的选通单元，所述存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元；

在数据存储过程中，所述外围电路判断所需处理的数据类型，随后根据判断结果发送指令选择特定类型的存储器单元进行数据存储。

2.根据权利要求1所述的多层堆叠的存储器，其特征在于：在数据存储过程中对于不同类型的数据采用不同类型的存储器单元进行数据存储或处理。

3.根据权利要求1所述的多层堆叠的存储器，其特征在于：所述外围电路中包含控制模块，控制模块能够判定所需处理数据的类型，随后根据判断结果发送指令，选择相应的存储器单元进行数据存储。

4.根据权利要求1至3之一所述的多层堆叠的存储器，其特征在于：所述外围电路判断所需处理的数据类型的流程包括如下步骤之一：判断数据存储是否需要高速存储；若是，则选择高速存储类型的存储单元；

判断数据操作是否频繁，若是，则选择高疲劳类型的存储单元；

判断数据是否长期存储，若是选择高数据保持能力类型的存储模块；否则选择低数据保持能力类型的存储模块。

5.根据权利要求1至3之一所述的多层堆叠的存储器，其特征在于：多层存储单元层之间共享外围电路。

6.根据权利要求1至3之一所述的多层堆叠的存储器，其特征在于：所述存储器单元为易失性存储器，或为非易失性存储器。

7.根据权利要求1至3之一所述的多层堆叠的存储器，其特征在于：各层包含的存储器单元的类型为相变存储器，或是电阻随机存储器，或是磁阻存储器，或是动态随机存储器，或是静态随机存储器，或是闪存，或是铁电存储器。

8.一种制造多层堆叠存储器的方法，其特征在于，该方法包含如下步骤：A、在第一圆晶上制造第一类型存储器单元，并使第一圆晶具有平坦的表面，第一圆晶上还带有外围电路和与存储器单元对应的选通单元，其中外围电路包含读、写、擦驱动电路和数据判断电路及指令发送电路；

B、在第二圆晶上制造设定类型的存储器和配套的选通单元，对第二圆晶表面进行平坦化；

C、利用低温圆晶键合工艺将上述分立制造的两存储器圆晶键合到一起，并使各层电学连通；

D、在400度的以下的温度下退火，剥离第二圆晶的多余部分圆晶，剥离后对得到的多层堆叠圆晶进行平坦化工艺；

E、重复B到D三步，进行多层的存储器堆叠工艺，直到获得设定的存储器层数，多层堆叠完毕后，在特定的层中带有外围电路，各层之间的存储器单元共享外围电路；重复过程中，步骤B中存储器的类型相同或不同；

F、引线和封装。

9.根据权利要求8所述的制造多层堆叠存储器的方法，其特征在于：在存储芯片使用过程中，通过外围电路首先判断所需处理的数据类型，随后根据判断结果，通过外围电路的指令选择特定的存储单元进行相关的操作。

10.根据权利要求8所述的制造多层堆叠存储器的方法，其特征在于：多层堆叠的存储器中含有多层结构以及多种类型的存储器。

11.根据权利要求8所述的制造多层堆叠存储器的方法，其特征在于：将存储器圆晶分立制造，随后通过键合方法组合在一起，形成多层结构。

12.根据权利要求8所述的制造多层堆叠存储器的方法，其特征在于：步骤C、步骤D所采用的低温圆晶键合的工艺温度低于400度。

13.一种制造多层堆叠存储器的方法，其特征在于，所述方法包含如下的步骤：S1、首先在第一圆晶上制造最高工艺温度较高的存储器阵列和外围电路；

S2、利用圆晶键合工艺，将半导体薄层键合到平坦化后的上述第一圆晶上，半导体薄层上包含已经过高温杂质激活处理的掺杂层；

S3、采用半导体工艺，在上述的半导体薄层上制造选通管阵列，制造与之对应的第二层存储器阵列和字/位线；

S4、填充介质，并进行平坦化工艺；

S5、重复步骤S2-S4，制造得到多层堆叠的存储器芯片，重复过程中制造的存储器与S3步骤的存储器类型相同或不同。

14.根据权利要求13所述的制造多层堆叠存储器的方法，其特征在于：上述的步骤中，先制造最高工艺温度较高的存储器阵列，后制造最高工艺温度较低的存储器阵列。

15.根据权利要求13所述的制造多层堆叠存储器的方法，其特征在于：多层堆叠的存储器中含有多层结构以及多种类型的存储器。

16.根据权利要求13所述的制造多层堆叠存储器的方法，其特征在于：通过键合方法转移到第一圆晶上的表层半导体含有掺杂层，并且杂质已经经过高温的激活处理。

说明书

多层堆叠的存储器及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明属于半导体技术领域，涉及一种存储器，尤其涉及一种多层堆叠的存储器；同时，本发明还涉及上述多层堆叠的存储器的制造方法。

背景技术

[0002] 信息技术是当今国民经济的支柱产业，半导体技术又是信息技术的基石，而半导体存储器又是半导体系统的核心部件。近半个世纪以来，半导体存储器的发展日新月异，先后涌现出了各种类型的存储器件。当前，应用最广的存储器件有如下几种：动态存储器(DRAM)、静态存储器(SRAM)、磁盘、闪存(FLASH)等。这些存储器都有各自的特点和长处，在各个领域发挥着不可替代的作用。此外，新兴的存储技术还在不断的涌现，现在炙手可热的相变存储器(PCRAM)、电阻存储器(RRAM)和磁阻存储器(MRAM)等电阻转换的存储器就是其中的优秀代表。

[0003] 尽管随着半导体技术的发展，存储器技术也得到了长足的进步，诸如功耗、密度和速度等方面的性能越来越强，然而，即便如此，当前也没有一种通用的存储器在各个方面都具有突出的性能能够满足所有的存储功能。因此，在一个电子系统中往往就会同时采用多块存储芯片以获得较好的综合性能，例如在包括个人电脑和智能手机在内的电子产品中，都是采用DRAM+大容量存储器(FLASH或者磁盘)等混合模式进行数据存储，这种混合模式的目的就是充分综合FLASH的非易失性和DRAM的高速和无限的擦写次数，最终实现电子系统性能的优化。然而，通过采用多种存储芯片的系统的性能还是无法达到最佳的状态，成本也相对较高。目前并没有一种统一的存储模式能够替代上述的混合模式，如果能有一种高性能的统一的模式，那么存储器的性能将进一步提升，电子系统的结构也将进一步简化，成本也将进一步降低。

发明内容

[0004] 本发明所要解决的技术问题是：提供一种多层堆叠的存储器，可提升存储器的性能。

[0005] 此外，本发明还提供一种多层堆叠的存储器的制造方法。

[0006] 为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

[0007] 一种多层堆叠的存储器，存储器芯片中包含选通单元、外围电路和至少两层的存储单元层，且存储器芯片内包含至少两种类型的存储器单元。在数据存储过程中，通过外围电路判断所需处理的数据类型，随后发送指令选择特定类型的存储器，使各种存储器单元之间取长补短，实现存储器各方面性能的优化，在实际的应用中，一块存储芯片能够代替多块存储芯片，达到降低成本和提升性能的目的。

[0008] 作为本发明的一种优选方案，存储器芯片具有多层存储层以及与之对应的选通管。

[0009] 作为本发明的一种优选方案，存储器中包含至少两种类型的存储器单元。 [0010] 作为本发明的一种优选方案，在数据存储过程中对于不同类型的数据采用不同类型的存储单元进行数据存储和处理，数据类型的判断和处理是通过外围电路中所包含控制模块实现，控制模块能够判定所需处理数据的类型，随后发送指令选择特定的存储器单元进行数据存储。所述外围电路判断所需处理的数据类型的流程包括如下步骤之一：判断数据存储是否需要高速存储；若是，则选择高速存储类型的存储单元；判断数据操作是否频繁，若是，则选择高疲劳类型的存储单元；判断数据是否长期存储，若是选择高数据保持能力类型的存储模块；否则选择低数据保持能力类型的存储模块。

[0011] 作为本发明的一种优选方案，多层存储单元之间共享外围电路。 [0012] 作为本发明的一种优选方案，多种类型的存储器单元各自的特点在该多层堆叠存储器中得到发挥和利用，最终拥有比单一存储芯片强大的性能，在实际应用中一块芯片能够替代多块存储芯片，实现统一存储模式。

[0013] 作为本发明的一种优选方案，存储器单元为易失性存储器，或为非易失性存储器。各层包含的存储器单元的优选是相变存储器，或是电阻随机存储器，或是 磁阻存储器，或是动态随机存储器，或是静态随机存储器，或是闪存，或是铁电存储器。 [0014] 一种制造包含多种类型存储器单元的多层堆叠存储器的方法，其特征是包含如下步骤：

[0015] A、在圆晶甲上制造第一类型存储器单元，并使圆晶甲具有平坦的表面，圆晶甲上还带有外围电路和与存储单元对应的选通单元，其中外围电路包含读、写、擦驱动电路和数据判断电路及指令发送电路；

[0016] B、在圆晶乙上制造第二类型的存储器和配套的选通单元，对圆晶乙表面进行平坦化；

[0017] C、利用低温圆晶键合工艺将上述分立制造的两存储器圆晶键合到一起，并使各层电学连通；

[0018] D、在400度的以下的温度下退火，剥离圆晶乙的多余部分圆晶，被剥离下来的圆晶可以回收重复利用，剥离后对得到的多层堆叠圆晶进行平坦化工艺；

[0019] E、重复B到D两步，进行多层的存储器堆叠工艺，直到获得足够多的存储器层数，多层堆叠完毕后，在特定的层中带有外围电路，各层之间的存储单元可以共享外围电路，重复过程中，不必全都采用第二类型存储单元，可以是其他类型的存储单元； [0020] F、引线和封装。

[0021] 作为本发明的一种优选方案，在存储芯片使用过程中，通过外围电路首先判断所需处理数据的类型，随后通过外围电路的指令选择特定的存储单元进行相关的操作。 [0022] 作为本发明的一种优选方案，多层堆叠的存储器中含有多层结构以及多种类型的存储器；该方法是将分立制造的存储器圆晶通过键合组合在一起。

[0023] 作为本发明的一种优选方案，步骤C和D)所采用的低温圆晶键合的最高工艺温度低于400度。

[0024] 一种制造包含多种类型存储器单元的多层堆叠存储器的方法，包含如下的步 骤：

[0025] A、首先在圆晶甲上制造最高工艺温度较高的存储器阵列和外围电路； [0026] B、利用圆晶键合工艺，将半导体薄层键合到平坦化后的上述圆晶甲上，半导体薄层上包含已经过高温杂质激活处理的掺杂层；

[0027] C、采用半导体工艺，在上述的半导体薄层上制造选通管阵列，制造与之对应的第二层存储器阵列和字/位线；

[0028] D、填充介质，并进行平坦化工艺；

[0029] E、重复步骤B-D，制造得到多层堆叠的存储器芯片，重复过程中，不必全都采用步骤C采用的存储单元，可以是其他类型的存储单元；

[0030] 作为本发明的一种优选方案，上述的步骤中，先制造最高工艺温度较高的存储阵列，后制造最高工艺温度较低的存储器阵列，使得后续的工艺温度不影响已制造的存储器件的性能。

[0031] 作为本发明的一种优选方案，多层堆叠的存储器中含有多层结构以及多种类型的存储器。

[0032] 本发明的有益效果在于：本发明提出的多层堆叠存储器能够综合各类存储器的优点，采用一块存储芯片就能够达到或者超过多块芯片混合模式的效果，从而实现统一模式的存储。根据实际的需求，在应用中充分地发挥各类存储器的优势，使多层堆叠的存储器具备优越的综合性能，此外，多层堆叠的存储器在密度上将实现数倍的增长。最终存储器不仅在性能上得到大幅的提升，还使存储器单位密度成本得到显著的下降，减少了电子系统中采用存储器的种类，在成本和性能上都具有明显的优势。

[0033] 在本存储器芯片中不仅包含多层半导体存储器的堆叠结构，还包含多种类型的存储器单元，即在一块芯片内就包含了多种存储芯片，实现准“统一”模式。在数据处理过程中，通过所需要处理数据类型的判断，选择特定的存储单元进行数据存储，充分发挥存储器内部各种存储器芯片的优点，达到最大的效果。此外，多层堆叠的存储器显然在密度上具有巨大的优势(多层结构将成倍地提升器件的密度)，因为免除了超长的连线，立体堆叠的存储器在速度、功耗等方面的性能 上也将得到大幅的提升。

[0034] 该存储器不仅具有多层的结构(因此在密度上具备优势)，同时在单一的存储芯片中具备多种存储单元，从而实现了准“统一”模式存储，可以替代现有的“混合”模式。在实际的应用中，通过芯片内的外围电路对所需处理的数据类型进行判断和选择，发送指令，选择合适的存储单元类型进行数据存储和处理；通过多层、多层存储单元的集成，实现多层堆叠的存储芯片内所含的各种存储单元之间取长补短，使存储器具备强大的综合性能。 [0035] 例如在某一电子系统中，有些数据需要经常性地被读取，那么这些数据就需要被存放在读取速度快、功耗低以及疲劳特性好的存储单元中；而有些大容量的数据不需要经常读取，那么就可以存入大容量的非易失性存储器中，而这些存储器往往在速度和功耗上不具备优势。总之，可以根据数据类型分类，将不同类型的数据存入不同的存储单元内。在现有的电子系统中，上述过程的实现是通过多种不同类型存储单元的混合模式实现的，而采用本发明，用一块芯片就能够实现混合模式的多块芯片的综合作用，并且大幅提升密度。 附图说明

[0036] 图1A为具有多层立体堆叠存储器的结构示意图，以1层MARAM、2层RRAM和1层PCRAM为例进行说明(图所示仅是局部示意，并没有绘制外围电路、选通管等，也非等比例绘制)。

[0037] 图1B为图1A中涉及到的三种不同存储器的单元示意图。

[0038] 图1C-1F为制造该结构的工艺流程图。

[0039] 图2A-C为具有判断功能的模块在数据处理时进行判断的示意图。 具体实施方式

[0040] 下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。

[0041] 实施例一

[0042] 图1A所示的具有多层堆叠结构的电阻转换存储器的结构示意图，以此更好 的说明，但并不代表本发明就是如图1A所示的此种结构，现在可以改变存储器的层数、种类、尺寸、排布和结构，这些都不是限制本发明的要素。

[0043] 从图1A可以看到器件具有多层的堆叠结构，包含一层MRAM层101，两层RRAM层102和一层PCRAM层103。上述的各层不仅包含电阻存储单元，还包含与之对应的选通单元(虽然没有在图上绘出，但是并不代表没有)。此外，在101层上不仅包含磁阻存储单元和选通单元，一般还包含有外围电路，外围电路为各层所共享，起到对上述四层存储器的选通、操作作用，还具有对数据的判断、安排作用。

[0044] 图1B所示分别是MRAM、RRAM和PCRAM三种存储器单元的结构示意图。 [0045] MRAM的上磁铁电极层15、绝缘体层14以及下磁铁电极层13构成一个简单的存储单元，一般情况下，下磁铁电极层13的磁化方向固定，而通过控制上磁铁电极层中流过电流的方向，改变上磁铁电极层的磁化方向，进而改变整个器件单元的电阻：即如果上磁铁电极层与下层同向，器件的电阻就会减少，就为逻辑“0”状态；如果上磁铁电极层与下层反向，器件的电阻就会增大，就为逻辑“1”状态。显然在图1A中，101层内，有两个MRAM单元的状态为“1”，有一个单元的状态为“0”(举例说明)。MRAM的特点是具有极快的速度，缺点是密度较低，成本较高，适合作为小容量的快速存储器。

[0046] RRAM的结构由上下电极(24和26)和金属氧化物25构成，上下电极一般为贵金属，通过具有强关联效应的金属氧化物25在施加电信号产生的电阻转换来进行数据存储，例如高阻为逻辑“1”，低阻为逻辑“0”。RRAM的结构、制造工艺简单，成本低，但是可擦写次数很差，不太适合经常被用于频繁操作的产品中使用，却适合大容量的数据存储。 [0047] PCRAM的结构与RRAM大体相似，也是由电极对和存储单元构成，因为PCRAM的功耗随着单元的尺寸的缩小而不断地降低，因此在多数情况下，除了上下电极33、36，往往还会有侧墙34来限制相变材料35的体积，从而使相变材料35与下电极33的接触面积大大变小，获得更好的性能，同时限制在加热过程中相变材料的扩散。PCRAM的结构和制造工艺也很简单，成本也较低，数据保持能力和疲劳特性具佳，然对高温工艺的容忍性较低。 [0048] 综上所述，上述三种存储器在各方面各有千秋，能够形成很好的互补，如果能够集成在一起，将大大提升存储芯片的综合性能。

[0049] 事实上，不仅局限于上述的三种存储器，对于其他类型的存储器也是如此，在此不过是为了阐述方便清楚，以上述三种存储器为例说明。在实际的应用中，同样可以将DRAM或SRAM等存储器与FLASH等存储器集成，形成上述的多层堆叠结构，这显然也在本发明的保护范围之内，在此不再赘述。

[0050] 请参阅图1A-图1F，本发明揭示了一种多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：

[0051] 【步骤1】首先在硅基底11上制造外围电路(图1C未显示)和MRAM单元阵列，MRAM单元16的结构如图1B所示。其中外围电路不仅包含读、写、擦电路，还包含判断和发送指令电路部分，MRAM阵列由MRAM存储单元和MOSFET选通管构成，MOSFET选通管也没有在图中画出。制造完成后实现平坦化，如图1C所示。

[0052] 【步骤2】通过半导体工艺，在上述101层上方形成一层硅层(单晶或者多晶)，作为制造选通管的基础，在硅基底21上掺杂后形成PN结或者肖特基势垒(需加金属层)，PN结或者肖特基势垒将在后续的步骤中用来制造选通单元，如图1D所示。

[0053] 【步骤3】在对应的选通单元上方制造RRAM单元，具备三明治结构，单元结构如图1B所示，各单元之间由介质材料12进行电学隔离。

[0054] 【步骤4】重复步骤2和3，形成第二层RRAM层，如图1E所示。

[0055] 【步骤5】在硅基底丙上掺杂后形成PN结或者肖特基势垒，PN结或者肖特基势垒将在后续的步骤中用来制造选通单元。

[0056] 【步骤6】通过键合法将硅基底丙的表层带有PN结或者肖特基势垒的表层硅转移到上述在步骤4得到的存储器阵列上(如图1F所示)，去除多余的硅基底(可采用剥离或者减薄法。

[0057] 【步骤7】在上述键合得到硅基底上通过半导体工艺制造选通单元和对应的相变存储阵列，相变存储单元具备侧墙结构。

[0058] 【步骤8】通过封装就得到含有一层MRAM、多层RRAM和一层相变存储器的多层堆叠存储器，如图1A所示。显然，上述工艺步骤中采用的存储器的类型和堆叠的层数都可以根据实际的需要进行改变，在这里是一个简要的举例说明。

[0059] 【步骤9】在得到的多层堆叠的存储器中，MRAM的速度快，然而密度低；RRAM的特点是结构简单，因为采用金属氧化物作为存储介质材料，因此对工艺温度的容忍性较强，即可以容忍更高的工艺温度。而相对来说，较高的工艺温度对于相变存储器可能造成破坏，因此，相应的高温制造工艺放置在工艺前端

[0060] 【步骤10】实际应用。相变存储器在可靠性和可擦写次数上相比RRAM具有较大的优势，可以很大程度上弥补高密度、低成本RRAM器件性能的不足，同时弥补MRAM的密度劣势，最终，得到的多层堆叠的存储器不仅具有超高的密度，还具有较好的综合性能和较低的成本。因此，在实际操作过程中，外围电路可以对数据进行判断是否需要高速器件，如果是，采用MRRAM，如果不是，则采用RRAM器件进行数据存储。具体判断流程可以为：所述外围电路首先判断数据存储是否需要高速存储；若是，则选择高速存储类型的存储单元；否则，判断数据操作是否频繁，若是，则选择高疲劳类型的存储单元；否则，判断数据是否长期存储，若是选择高数据保持能力类型的存储模块；否则选择低数据保持能力类型的存储模块。 [0061] 综上所述，本发明提出的多层堆叠存储器能够综合各类存储器的优点，采用一块存储芯片就能够达到或者超过多块芯片混合模式的效果，从而实现统一模式的存储。根据实际的需求，在应用中充分地发挥各类存储器的优势，使多层堆叠的存储器具备优越的综合性能，此外，多层堆叠的存储器在密度上将实现数倍的增长。最终存储器不仅在性能上得到大幅的提升，还使存储器单位密度成本得到显著的下降，减少了电子系统中采用存储器的种类，在成本和性能上都具有明显的优势。

[0062] 实施例二

[0063] 本实施例中，本发明多层堆叠电阻转换存储器的制造方法包括如下步骤： [0064] 【步骤1】在圆晶甲上制造外围电路和两层DRAM存储层，这两层DRAM单元将作为高速的存储器使用。

[0065] 【步骤2】通过在圆晶甲上采用低温工艺制造多晶硅，通过半导体工艺制造多晶硅二极管和与之对应的相变存储器阵列，经介质材料的填充和平坦化制造得到多晶硅二极管选通的相变存储层，所述的多晶硅二极管可以是PN二极管，也可以是肖特基二极管。 [0066] 【步骤3】继续在上述得到的多层存储器的圆晶上沉积多晶硅，制造后续的存储层，直到达到所要的层数。

[0067] 【步骤4】引线封装。

[0068] 【步骤5】实际应用。DRAM相比于相变存储器的优势在于其速度和近乎无限的可擦写次数，而相变存储器的优势在于其高密度和非易失性，在同一圆晶上将DRAM和相变存储器集成，将在同一存储芯片内拥有DRAM高速和近乎无限的可擦写次数的同时，还具备高密度和非易失性的特点，在消费电子中将有重要的应用价值。同时，DRAM和相变存储器的叠加将在同一芯片的面积上获得更大的密度。在实际应用中，可以首先通过外围电路进行判断所需处理的数据是否是需要频繁操作，如果是，选用DRAM部分进行存储，如果不是则选用相变存储器。

[0069] 实施例三

[0070] 本发明揭示了一种多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤： [0071] 【步骤1】首先在硅基底甲上制造外围电路和RRAM阵列，其中外围电路不仅包含读、写、擦电路，还包含判断和发送指令电路部分，RRAM阵列由RRAM存储单元和选通管构成。制造完成后实现平坦化。

[0072] 【步骤2】在硅基底乙上掺杂后形成PN结或者肖特基势垒，PN结或者肖特基势垒将在后续的步骤中用来制造选通单元。

[0073] 【步骤3】通过键合法将硅基底乙的表层带有PN结或者肖特基势垒的表层硅转移到上述在硅基底甲得到的阵列上，去除多余的硅基底(可采用剥离或者减薄法。 [0074] 【步骤4】平坦化后，在上述键合得到硅基底上通过半导体工艺制造选通单 元和对应的RRAM阵列。

[0075] 【步骤5】重复步骤2到步骤4，直到获得足够多的RRAM存储层。

[0076] 【步骤6】在硅基底丙上掺杂后形成PN结或者肖特基势垒，PN结或者肖特基势垒将在后续的步骤中用来制造选通单元。

[0077] 【步骤7】通过键合法将硅基底丙的表层带有PN结或者肖特基势垒的表层硅转移到上述在步骤5得到的阵列上，去除多余的硅基底(可采用剥离或者减薄法。在上述键合得到硅基底上通过半导体工艺制造选通单元和对应的相变存储阵列。

[0078] 【步骤8】重复步骤6到步骤7，直到获得足够多的PCRAM存储层。 [0079] 【步骤9】通过封装就得到含有多层RRAM和多层相变存储器的多层堆叠存储器。显然，上述工艺步骤中采用的存储器的类型和堆叠的层数都可以根据实际的需要进行变化。 [0080] 【步骤9】实际应用过程中，外围电路可以判断数据类型来选择选用PCRAM还是RRAM进行数据存储，判断的标准可以由用户自己来设定。如，所述外围电路判断所需处理的数据类型的流程包括如下步骤之一：判断数据存储是否需要高速存储；若是，则选择高速存储类型的存储单元；判断数据操作是否频繁，若是，则选择高疲劳类型的存储单元；判断数据是否长期存储，若是选择高数据保持能力类型的存储模块；否则选择低数据保持能力类型的存储模块。

[0081] 在应用中，外围电路根据类似于图2A-C中的数据判断过程，选择合适类型的存储单元进行数据的存储和处理。

[0082] 如，首先判断数据存储是否需要高速存储；若是，则选择高速存储类型的存储单元；否则，判断数据读取是否频繁，若是，则选择高疲劳类型的存储单元；否则，选择高数据操持类型的存储模块。

[0083] 显然，在实际应用中，存储器芯片拥有不同数量和种类的存储芯片类型，在简单的电子系统中，也许只需要一个判断(例如是否高速、是否频繁，如2B和2C所示)就可以选择数据类型；而在复杂的电子系统中，就可能存在两种以上的存储芯片，则相应的判断就显得复杂一些。

[0084] 虽然在此演示了集中判断的方法，但是需要指出，这可以根据实际的需要进行调整，甚至可以在存储芯片中留下一个选项供用户来自行设定判断的标准，在此都不是限定本发明的特征。

[0085] 这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。