液晶显示设备的阵列基板、液晶显示设备及其制造方法

摘要

液晶显示设备的阵列基板、液晶显示设备及其制造方法。一种用于液晶显示设备的阵列基板包括：选通线，其位于基板上；位于基板上的公共线；位于非显示区域中的数据驱动集成电路；第一和第二数据线，第一和第二数据线与数据驱动集成电路相距的距离不同；连接到数据驱动集成电路的第一数据连接线和第二数据连接线，第一数据连接线和第二数据连接线分别连接到第一数据线和第二数据线；位于像素区域中的薄膜晶体管；位于像素区域中并连接到薄膜晶体管的像素电极；以及第一导电图案，其位于非显示区域中并连接到公共线，使得第一导电图案被施加公共电压，第一导电图案分别与第一数据连接线和第二数据连接线交叠而形成第一电容器和第二电容器。

权利要求

1.一种用于液晶显示设备的阵列基板，该阵列基板包括：

选通线，其位于基板上，该基板包括显示区域和位于该显示区域外围的非显示区域；

位于所述基板上的公共线；

位于所述非显示区域中的数据驱动集成电路；

第一数据线和第二数据线，所述第一数据线和第二数据线与所述选通线交叉而在所述显示区域中限定像素区域，所述第一数据线和所述第二数据线与所述数据驱动集成电路相距的距离不同；

连接到所述数据驱动集成电路的第一数据连接线和第二数据连接线，所述第一数据连接线和所述第二数据连接线分别连接到所述第一数据线和所述第二数据线；

位于所述像素区域中的薄膜晶体管，该薄膜晶体管连接到所述第一数据线和所述第二数据线其中之一以及所述选通线；

位于所述像素区域中并连接到所述薄膜晶体管的像素电极；以及第一导电图案，其位于所述非显示区域中并连接到所述公共线，使得所述第一导电图案被施加公共电压，所述第一导电图案分别与所述第一数据连接线和所述第二数据连接线交叠而形成第一电容器和第二电容器。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括公共电极，该公共电极包括连接到所述公共线的多个公共分支，其中，所述像素电极包括与所述公共分支交替设置的多个像素分支。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第二数据线比所述第一数据线更靠近所述数据驱动集成电路，并且所述第二电容器的电容大于所述第一电容器的电容。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第一导电图案为三角形。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第一数据连接线和所述第二数据连接线均为之字形，并且所述第一数据连接线的之字形数量大于所述第二数据连接线的之字形数量。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括连接部，该连接部从所述第一导电图案延伸并且接触所述公共线。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，该阵列基板还包括：

栅绝缘层，其位于所述选通线和所述公共线上；以及

钝化层，其位于所述第一数据线和所述第二数据线以及所述第一数据连接线和所述第二数据连接线上，其中，所述钝化层和所述栅绝缘层具有露出所述公共线的接触孔，并且位于所述钝化层上的所述连接部通过所述接触孔接触所述公共线。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括：

位于所述非显示区域中的选通驱动集成电路；

连接到所述选通驱动集成电路的第一选通连接线和第二选通连接线；以及第二导电图案，其位于所述非显示区域中并连接到所述公共线，使得所述第二导电图案被施加公共电压，所述第二导电图案分别与所述第一选通连接线和所述第二选通连接线交叠而形成第三电容器和第四电容器，其中，所述选通线包括分别连接到所述第一选通连接线和所述第二选通连接线的第一选通线和第二选通线。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中所述第二选通线比所述第一选通线更靠近所述选通驱动集成电路，并且所述第四电容器的电容大于所述第三电容器的电容。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述像素电极为覆盖了所述像素区域的盘形。

11.一种制造用于液晶显示设备的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：在基板上形成选通线和公共线，所述基板包括显示区域和位于该显示区域外围的非显示区域；

形成第一数据线和第二数据线以及第一数据连接线和第二数据连接线，所述第一数据线和所述第二数据线与所述选通线交叉而在所述显示区域中限定像素区域，所述第一数据连接线和所述第二数据连接线分别连接到所述第一数据线和所述第二数据线；

在所述像素区域中形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管连接到所述第一数据线和第二数据线其中之一以及所述选通线；

形成像素电极和第一导电图案，所述像素电极位于所述像素区域中并且连接到所述薄膜晶体管，所述第一导电图案位于所述非显示区域中并连接到所述公共线，使得所述第一导电图案被施加公共电压，所述第一导电图案分别与所述第一数据连接线和所述第二数据连接线交叠而形成第一电容器和第二电容器；以及在所述非显示区域中形成数据驱动集成电路，所述数据驱动集成电路连接到所述第一数据连接线和所述第二数据连接线中的各方，其中，所述第一数据线和所述第二数据线与所述数据驱动集成电路相距的距离不同。

12.根据权利要求11所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成公共电极，该公共电极包括连接到所述公共线的多个公共分支，其中，所述像素电极包括与所述公共分支交替设置的多个像素分支。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二数据线比所述第一数据线更靠近所述数据驱动集成电路，并且所述第二电容器的电容大于所述第一电容器的电容。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一导电图案为三角形。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一数据连接线和所述第二数据连接线均为之字形，并且所述第一数据连接线的之字形数量大于所述第二数据连接线的之字形数量。

16.根据权利要求11所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成连接部，该连接部从所述第一导电图案延伸并且接触所述公共线。

17.根据权利要求16所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述选通线和所述公共线上形成栅绝缘层；

在所述第一数据线和所述第二数据线以及所述第一数据连接线和所述第二数据连接线上形成钝化层；以及形成穿过所述钝化层和所述栅绝缘层的接触孔，以露出所述公共线，其中，位于所述钝化层上的所述连接部通过所述接触孔接触所述公共线。

18.根据权利要求11所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成第一选通连接线和第二选通连接线；

在所述非显示区域中形成第二导电图案，该第二导电图案连接到所述公共线，使得所述第二导电图案被施加公共电压，所述第二导电图案分别与所述第一选通连接线和所述第二选通连接线交叠而形成第三电容器和第四电容器；以及在所述非显示区域中形成选通驱动集成电路，该选通驱动集成电路连接到所述第一选通连接线和所述第二选通连接线中的各方，其中，所述选通线包括分别连接到所述选通连接线的第一选通线和第二选通线。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第二选通线比所述第一选通线更靠近所述选通驱动集成电路，并且所述第四电容器的电容大于所述第三电容器的电容。

20.根据权利要求11所述的方法，其中所述像素电极为覆盖了所述像素区域的盘形。

21.一种液晶显示设备，该液晶显示设备包括：

选通线，其位于第一基板上，该第一基板包括显示区域和位于该显示区域外围的非显示区域；

位于所述非显示区域中的数据驱动集成电路；

第一数据线和第二数据线，所述第一数据线和第二数据线与所述选通线交叉而在所述显示区域中限定像素区域，并且所述第一数据线和第二数据线与所述数据驱动集成电路相距的距离不同；

连接到所述数据驱动集成电路的第一数据连接线和第二数据连接线，所述第一数据连接线和所述第二数据连接线分别连接到所述第一数据线和所述第二数据线；

位于所述像素区域中的薄膜晶体管，该薄膜晶体管连接到所述第一数据线和第二数据线其中之一以及所述选通线；

像素电极，其位于所述像素区域中并且连接到所述薄膜晶体管；

第一导电图案，其位于所述非显示区域中，并且分别与所述第一数据连接线和所述第二数据连接线交叠而形成第一电容器和第二电容器；

公共电极，其位于与所述第一基板相对的第二基板上，并且覆盖了所述显示区域和所述非显示区域；

密封图案，其位于所述非显示区域中并且接触所述公共电极和所述第一导电图案，所述密封图案具有导电性；以及液晶层，其位于所述第一基板和所述第二基板之间。

22.根据权利要求21所述的液晶显示设备，其中所述第二数据线比所述第一数据线更靠近所述数据驱动集成电路，并且所述第二电容器的电容大于所述第一电容器的电容。

23.根据权利要求21所述的液晶显示设备，其中所述第一导电图案包括分别对应于所述第一数据连接线和所述第二数据连接线的第一导电子图案和第二导电子图案，并且所述第二导电子图案的平面面积大于所述第一导电子图案的平面面积。

24.根据权利要求21所述的液晶显示设备，其中所述第一导电图案为三角形或矩形。

25.根据权利要求21所述的液晶显示设备，其中所述第一数据连接线和所述第二数据连接线均为之字形，并且所述第一数据连接线的之字形数量大于所述第二数据连接线的之字形数量。

26.根据权利要求21所述的液晶显示设备，其中所述密封图案包括多个导电球。

27.根据权利要求21所述的液晶显示设备，该液晶显示设备还包括：选通驱动集成电路，其位于所述非显示区域中并且位于所述第一基板上；

连接到所述选通驱动集成电路的第一选通连接线和第二选通连接线；以及第二导电图案，其位于所述非显示区域中，并且分别与所述第一选通连接线和所述第二选通连接线交叠而形成第三电容器和第四电容器；

其中，所述选通线包括分别连接到所述第一选通连接线和所述第二选通连接线的第一选通线和第二选通线。

28.根据权利要求27所述的液晶显示设备，其中所述第二选通线比所述第一选通线更靠近所述选通驱动集成电路，并且所述第四电容器的电容大于所述第三电容器的电容。

29.根据权利要求21所述的液晶显示设备，该液晶显示设备还包括公共线，该公共线位于所述非显示区域中并且位于所述第一基板上，其中，所述密封图案的一端接触所述公共线和所述第一导电图案两者，并且所述密封图案的另一端接触所述公共电极。

30.一种制造液晶显示设备的方法，该方法包括以下步骤：在第一基板上形成选通线，该第一基板包括显示区域和位于该显示区域外围的非显示区域；

形成第一数据线和第二数据线，所述第一数据线和第二数据线与所述选通线交叉而在所述显示区域中限定像素区域；

形成分别连接到所述第一数据线和所述第二数据线的第一数据连接线和第二数据连接线；

在所述像素区域中形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管连接到所述第一数据线和第二数据线其中之一以及所述选通线；

形成像素电极和第一导电图案，所述像素电极位于所述像素区域中并且连接到所述薄膜晶体管，所述第一导电图案位于所述非显示区域中并且分别与所述第一数据连接线和所述第二数据连接线交叠而形成第一电容器和第二电容器；

在所述非显示区域中形成数据驱动集成电路，该数据驱动集成电路连接到所述第一数据连接线和所述第二数据连接线中的各方；

在第二基板上形成公共电极，所述公共电极覆盖了所述显示区域和所述非显示区域；

在所述第一基板和所述第二基板的非显示区域中形成具有导电性的密封图案；

附接所述第一基板和所述第二基板，使得所述密封图案接触所述公共电极和所述第一导电图案；以及在所述第一基板和所述第二基板之间形成液晶层，

其中，所述第一数据线和所述第二数据线与所述数据驱动集成电路相距的距离不同。

31.根据权利要求30所述的方法，其中所述第二数据线比所述第一数据线更靠近所述数据驱动集成电路，并且所述第二电容器的电容大于所述第一电容器的电容。

32.根据权利要求30所述的方法，其中所述第一导电图案包括分别对应于所述第一数据连接线和所述第二数据连接线的第一导电子图案和第二导电子图案，并且所述第二导电子图案的平面面积大于所述第一导电子图案的平面面积。

33.根据权利要求30所述的方法，其中所述第一导电图案为三角形或矩形。

34.根据权利要求30所述的方法，其中所述第一数据连接线和所述第二数据连接线均为之字形，并且所述第一数据连接线的之字形数量大于所述第二数据连接线的之字形数量。

35.根据权利要求30所述的方法，其中所述密封图案包括多个导电球。

36.根据权利要求30所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成第一选通连接线和第二选通连接线；

在所述非显示区域中形成第二导电图案，该第二导电图案分别与所述第一选通连接线和所述第二选通连接线交叠而形成第三电容器和第四电容器；以及在所述非显示区域中形成选通驱动集成电路，该选通驱动集成电路连接到所述第一选通连接线和所述第二选通连接线中的各方，其中，所述选通线包括分别连接到所述第一选通连接线和所述第二选通连接线的第一选通线和第二选通线。

37.根据权利要求36所述的方法，其中所述第二选通线比所述第一选通线更靠近所述选通驱动集成电路，并且所述第四电容器的电容大于所述第三电容器的电容。

38.根据权利要求30所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述非显示区域中并在所述第一基板上形成公共线，其中，所述密封图案的一端接触所述公共线和所述第一导电图案两者，并且所述密封图案的另一端接触所述公共电极。

说明书

液晶显示设备的阵列基板、液晶显示设备及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及液晶显示器(LCD)设备，并且更具体地，涉及用于LCD设备的阵列基板和能够均匀化连接线中的信号延迟的LCD设备，以及所述阵列基板和所述LCD设备的制造方法。

背景技术

[0002] 本申请要求分别在2009年10月27日和2009年10月29日提交的韩国专利申请No.2009-0102511和No.2009-0103528的优先权，此处以引证的方式并入其内容。

[0003] 相关技术的液晶显示(LCD)设备使用了液晶分子的光学各向异性和偏振特性。液晶分子由于其薄且长的形状而具有确定的排列方向。可以通过在液晶分子上施加电场来控制液晶分子的排列方向。换句话说，随着电场的强度或方向改变，液晶分子的排列也改变。因为入射光基于由液晶分子的光学各向异性导致的液晶分子的取向而被折射，所以可以通过控制光透射率来显示图像。

[0004] 由于包括薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的LCD设备(称为有源矩阵LCD(AM-LCD)设备)具有高分辨率和显示运动图像的优良特性，所以AM-LCD设备得到了广泛使用。

[0005] AM-LCD设备包括阵列基板、滤色基板和夹在它们之间的液晶层。该阵列基板可以包括像素电极和TFT，并且滤色基板可以包括公共电极。AM-LCD设备通过像素电极和公共电极之间的电场来驱动，以具有良好的透射特性和孔径比特性。

[0006] 图1为相关技术的LCD设备的阵列基板的平面图。在图1中，阵列基板包括基板11(其中，限定了显示区域DR以及位于显示区域DR的外围的非显示区域NDR)、选通线13和数据线15。选通线13与数据线15交叉以限定显示区域DR中的像素区域。

[0007] 尽管未示出，但是连接到选通线13和数据线15的薄膜晶体管(TFT)和连接到TFT的像素电极设置在像素区域P中。

[0008] 在非显示区域NDR中，设置了用于将信号施加到选通线13以驱动TFT的选通驱动集成电路(IC)20和用于将信号通过数据线15施加到像素电极的数据驱动IC 30。此外，在非显示区域NDR中，设置了用于将选通驱动IC 20连接到选通线13的选通连接线14和用于将数据驱动IC 30连接到数据线15的数据连接线16。

[0009] 例如，选通驱动IC 20包括第一到第三选通驱动IC 20a、20b和20c，并且选通线13通过选通连接线14连接到第一到第三选通驱动IC 20a、20b和20c。数据驱动IC 30包括第一到第四数据驱动IC 30a、30b、30c和30d，并且数据线15通过数据连接线16连接到第一到第四数据驱动IC30a、30b、30c和30d。

[0010] 在这种情况下，数据连接线16根据数据线15的位置而在长度上具有差异，使得在数据连接线16中产生了电阻偏差。即，连接到数据线15(其与选通驱动IC 20相邻并且连接到第一数据驱动IC 20a)的数据连接16具有与其它数据连接线16不同的电阻。随着基板11的尺寸增大，电阻偏差也增大。在连接到第二到第四数据驱动IC 20b、20c和20d的数据连接线16中也会产生该电阻偏差问题。此外，在连接到选通驱动IC 20的选通连接线14中产生了电阻偏差问题。

[0011] 电阻偏差问题产生了信号延迟，使得显示图像质量降低。

[0012] 对于这些问题，引入了包括之字形的数据连接线或选通连接线的阵列基板。图2为示出了相关技术的阵列基板中的具有之字形的数据连接线的平面图。

[0013] 在图2中，在基板51上设置数据线60和向数据线60施加信号的数据驱动IC 70。此外，在基板51上设置用于将数据驱动IC 70连接到数据线60的数据连接线62。

[0014] 数据线60包括第一到第三数据线60a、60b和60c。通过与数据驱动IC 70的中心线处的数据线(称为中心数据线60)相距的距离对第一到第三数据线60a、60b和60c进行分类。即，第一数据线60a具有与中心数据线60相距的第一距离，第二数据线60b具有与中心数据线60相距的小于第一距离的第二距离，并且第三数据线60c具有与中心数据线60相距的小于第二距离的第三距离。数据连接线62还被分类成分别连接到第一到第三数据线60a、60b和60c的第一到第三数据连接线62a、62b和62c。各数据连接线62a、62b和
62c具有之字形。之字形的数量在第一到第三数据连接线62a、62b和62c中不同。即，连接到具有与中心数据线60相距的最大距离的第一数据线60a的第一数据连接线62a具有最少的之字形数量，而连接到具有与中心数据线60相距的最小距离的第三数据线60c的第三数据连接线62c具有最多的之字形数量。结果，第一到第三数据连接线62a、62b和62c的长度可以在不考虑它们与中心数据线60的距离的情况下被均匀化，使得能够防止由数据连接线62a、62b和62c的电阻偏差造成的信号延迟问题。

[0015] 不幸的是，还存在问题。具体地，该问题会出现在窄边框(narrowbezel)型LCD设备中。在窄边框型中，为了减小LCD设备的尺寸，需要最小化非显示区域的面积。在这种情况下，对于通过控制数据连接线的之字形的数量使数据连接线的电阻均匀化存在限制。

发明内容

[0016] 因此，本发明涉及一种阵列基板、LCD设备和制造该设备的方法，其能够基本上克服因相关技术的局限和缺点带来的一个或更多个问题。

[0017] 本发明的附加特征和优点将在下面的描述中描述且将从描述中部分地显现，或者可以通过本发明的实践来了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其它优点。

[0018] 为了实现这些和其它优点，按照本发明的目的，作为具体和广义的描述，一种用于液晶显示设备的阵列基板包括：选通线，其位于基板上，该基板包括显示区域和位于该显示区域外围的非显示区域；位于所述基板上的公共线；位于所述非显示区域中的数据驱动集成电路；第一数据线和第二数据线，所述第一数据线和第二数据线与所述选通线交叉而在所述显示区域中限定像素区域，所述第一数据线和所述第二数据线与所述数据驱动集成电路相距的距离不同；连接到所述数据驱动集成电路的第一数据连接线和第二数据连接线，所述第一数据连接线和所述第二数据连接线分别连接到所述第一数据线和所述第二数据线；位于所述像素区域中的薄膜晶体管，该薄膜晶体管连接到所述第一数据线和所述第二数据线其中之一以及所述选通线；位于所述像素区域中并连接到所述薄膜晶体管的像素电极；以及第一导电图案，其位于所述非显示区域中并连接到所述公共线，使得所述第一导电图案被施加公共电压，所述第一导电图案分别与所述第一数据连接线和所述第二数据连接线交叠而形成第一电容器和第二电容器。

[0019] 在本发明的另一方面，一种制造用于液晶显示设备的阵列基板的方法包括以下步骤：在基板上形成选通线和公共线，所述基板包括显示区域和位于该显示区域外围的非显示区域；形成第一数据线和第二数据线以及第一数据连接线和第二数据连接线，所述第一数据线和所述第二数据线与所述选通线交叉而在所述显示区域中限定像素区域，所述第一数据连接线和所述第二数据连接线分别连接到所述第一数据线和所述第二数据线；在所述像素区域中形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管连接到所述第一数据线和第二数据线其中之一以及所述选通线；形成像素电极和第一导电图案，所述像素电极位于所述像素区域中并且连接到所述薄膜晶体管，所述第一导电图案位于所述非显示区域中并连接到所述公共线，使得所述第一导电图案被施加公共电压，所述第一导电图案分别与所述第一数据连接线和所述第二数据连接线交叠而形成第一电容器和第二电容器；以及在所述非显示区域中形成数据驱动集成电路，所述数据驱动集成电路连接到所述第一数据连接线和所述第二数据连接线中的各方，其中，所述第一数据线和所述第二数据线与所述数据驱动集成电路相距的距离不同。

[0020] 在本发明的另一方面，一种液晶显示设备包括：选通线，其位于第一基板上，该第一基板包括显示区域和位于该显示区域外围的非显示区域；位于所述非显示区域中的数据驱动集成电路；第一数据线和第二数据线，所述第一数据线和第二数据线与所述选通线交叉而在所述显示区域中限定像素区域，并且所述第一数据线和第二数据线与所述数据驱动集成电路相距的距离不同；连接到所述数据驱动集成电路的第一数据连接线和第二数据连接线，所述第一数据连接线和所述第二数据连接线分别连接到所述第一数据线和所述第二数据线；位于所述像素区域中的薄膜晶体管，该薄膜晶体管连接到所述第一数据线和第二数据线其中之一以及所述选通线；像素电极，其位于所述像素区域中并且连接到所述薄膜晶体管；第一导电图案，其位于所述非显示区域中并且分别与所述第一数据连接线和所述第二数据连接线交叠而形成第一电容器和第二电容器；公共电极，其位于与所述第一基板相对的第二基板上，并且覆盖了所述显示区域和所述非显示区域；密封图案，其位于所述非显示区域中并且接触所述公共电极和所述第一导电图案，所述密封图案具有导电性；以及液晶层，其位于所述第一基板和所述第二基板之间。

[0021] 在本发明的另一方面，一种制造液晶显示设备的方法包括以下步骤：在第一基板上形成选通线，该第一基板包括显示区域和位于该显示区域外围的非显示区域；形成第一数据线和第二数据线，所述第一数据线和第二数据线与所述选通线交叉而在所述显示区域中限定像素区域；形成分别连接到所述第一数据线和所述第二数据线的第一数据连接线和第二数据连接线；在所述像素区域中形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管连接到所述第一数据线和第二数据线其中之一以及所述选通线；形成像素电极和第一导电图案，所述像素电极位于所述像素区域中并且连接到所述薄膜晶体管，所述第一导电图案位于所述非显示区域中并且分别与所述第一数据连接线和所述第二数据连接线交叠而形成第一电容器和第二电容器；在所述非显示区域中形成数据驱动集成电路，该数据驱动集成电路连接到所述第一数据连接线和所述第二数据连接线中的各方；在第二基板上形成公共电极，所述公共电极覆盖了所述显示区域和所述非显示区域；在所述第一基板和所述第二基板的非显示区域中形成具有导电性的密封图案；附接所述第一基板和所述第二基板，使得所述密封图案接触所述公共电极和所述第一导电图案；以及在所述第一基板和所述第二基板之间形成液晶层，其中，所述第一数据线和所述第二数据线与所述数据驱动集成电路相距的距离不同。

[0022] 应当理解，上述一般描述和下述详细描述是示例性和说明性的，且旨在提供所要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

[0023] 附图被包括在本说明书中以提供对本发明的进一步理解，并结合到本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。

[0024] 图1为相关技术的LCD设备的阵列基板的平面图。

[0025] 图2为示出了相关技术的阵列基板中的具有之字形的数据连接线的平面图。

[0026] 图3A是根据本发明的第一实施方式的LCD设备的阵列基板的平面图。

[0027] 图3B是图3A的一个像素区域的放大平面图。

[0028] 图4是沿图3B的线IV-IV所取的截面图。

[0029] 图5是沿图3A的线V-V所取的截面图。

[0030] 图6A是根据本发明的第二实施方式的LCD设备的阵列基板的平面图。

[0031] 图6B是图6A的一个像素区域的放大平面图。

[0032] 图7A到7D是示出了沿着图3B的线IV-IV所取的部分的制造工艺的截面图。

[0033] 图8A到8D是示出了沿着图3A的线V-V所取的部分的制造工艺的截面图。

[0034] 图9是根据本发明的第三实施方式的LCD设备的截面图。

[0035] 图10是根据本发明的第三实施方式的LCD设备的阵列基板的平面图。

[0036] 图11是根据本发明的第四实施方式的LCD设备的阵列基板的平面图。

[0037] 图12是根据本发明的第五实施方式的LCD设备的阵列基板的平面图。

具体实施方式

[0038] 下面将详细描述这些优选实施方式，在附图中例示出了其示例。

[0039] 图3A是根据本发明的第一实施方式的LCD设备的阵列基板的平面图，而图3B是图3A的一个像素区域的放大平面图。

[0040] 在图3A和3B中，用于LCD设备的阵列基板100包括限定了显示区域DR和位于显示区域DR外围的非显示区域NDR的基板110。

[0041] 在基板110上设置多条数据线130和沿第一方向的多条选通线114。选通线114与数据线130彼此交叉以在显示区域DR中限定多个像素区域P。

[0042] 在基板110上设置沿第一方向延伸的多条公共线116。公共线116与选通线114平行且与选通线114间隔开，并且位于相邻的两条选通线114之间。公共线116还与数据线130交叉。

[0043] 在非显示区域NDR中设置分别从数据线130延伸的多条数据连接线136。尽管未示出，数据连接线136的一端被定义为数据焊盘，并且在数据焊盘上设置接触该数据焊盘的数据焊盘电极。

[0044] 在非显示区域NDR中设置用于向数据线130施加信号的数据驱动IC 138。数据驱动IC 138电连接到各条数据连接线136上。即，数据驱动IC 138接触数据焊盘电极(未示出)，以便电连接到数据连接线136上。

[0045] 在非显示区域NDR中设置具有三角形并且与数据连接线136交叠的第一导电图案152。示出了具有倒三角形的第一导电图案152。

[0046] 连接部154从第一导电图案152沿第二方向延伸。连接部154通过露出最外公共线116的公共接触孔144接触最外公共线116，使得第一导电图案152电连接到最外公共线116。

[0047] 在像素区域P中设置连接到选通线114和数据线130的薄膜晶体管(TFT)Tr。TFT Tr包括栅极112、栅绝缘层(未示出)、半导体层(未示出)(其包括本征非晶硅的有源层(未示出)和掺杂非晶硅的欧姆接触层(未示出))、源极132和漏极134。栅极112连接到选通线114，并且栅绝缘层覆盖栅极112。半导体层设置在栅绝缘层上并且覆盖栅极112。源极132和漏极134设置在半导体层上。源极132连接到数据线130，并且与漏极134间隔开。去除欧姆接触层中对应于源极132和漏极134之间的空间的部分，使得有源层的中心通过源极132和漏极134之间的空间而露出来。

[0048] 钝化层(未示出)覆盖TFT Tr并且包括露出漏极134的漏接触孔142。在钝化层上和像素区域P中设置包括多个像素分支的像素电极150。像素电极150通过漏接触孔142接触漏极134。在像素区域P中设置包括多个公共分支并且连接到公共线116的公共电极117。公共分支与像素分支150交替设置。

[0049] 在图3A中，像素电极150和公共电极117都具有直线形状。或者，像素电极150和公共电极117都可以具有弯曲形状，以形成多域。在图3A中，公共电极117与公共线116设置在同一层上并且从公共线116延伸。或者，公共电极117可以与像素电极150设置在同一层上并通过接触孔连接到公共线116上。

[0050] 根据与设置在数据驱动IC 138的中心线上的中心数据线130相距的距离，将数据线130分类成第一到第四数据线130a、130b、130c和130d，并且根据与中心数据线130相距的距离还将数据连接线136分类成第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d。第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d分别连接到第一到第四数据线130a、130b、130c和130d。即，第一数据线130a具有与中心数据线130或数据驱动IC 138相距的第一距离，而第二数据线130b具有与中心数据线130或数据驱动IC 138相距的小于第一距离的第二距离。第三数据线130c具有与中心数据线130或数据驱动IC 138相距的小于第二距离的第三距离，而第四数据线130d具有与中心数据线130或数据驱动IC 138相距的小于第三距离的第四距离。

[0051] 第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d中的至少一个具有之字形，即，“S”形。第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d在之字形数量上不同，使得控制了第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d的长度。即，数据连接线与中心数据线越远，数据连接线具有的之字形数量越小。或者，第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d具有直线形。或者，第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d可以在宽度上不同，以控制电阻。即，具有与中心数据线130相距的最大距离的第一数据连接线136a具有最大的宽度，而具有与中心数据线130相距的最小距离的第四数据线136d具有最小的宽度。结果，补偿了与数据驱动IC 138的距离差造成的电阻偏差。

[0052] 如上所述，第一导电图案152通过连接部154电连接到最外公共线116，使得向第一导电图案152施加公共电压。由于第一导电图案152具有三角形，因此第一导电图案152在与第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d的交叠面积上不同。即，第一导电图案152与第一数据连接线136a具有第一交叠面积，而与第二数据连接线136b具有大于第一交叠面积的第二交叠面积。第一导电图案152与第三数据连接线136c具有大于第二交叠面积的第三交叠面积，而与第四数据连接线136d具有大于第三交叠面积的第四交叠面积。即，第一导电图案152和各条数据连接线136a、136b、136c和136d的交叠面积与各条数据线130a、130b、130c和130d和数据驱动IC 138之间的距离成反比。

[0053] 由于钝化层(未示出)设置在第一导电图案152下方以及第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d上，所以生成了第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4。即，第一导电图案152、第一数据连接线136a和钝化层构成了第一电容器Cp1，而第一导电图案152、第二数据连接线136b和钝化层构成了第二电容器Cp2。第一导电图案152、第三数据连接线136c和钝化层构成了第三电容器Cp3，而第一导电图案152、第四数据连接线136d和钝化层构成了第四电容器Cp4。

[0054] 如上所述，第一导电图案152与第一数据连接线136a之间的交叠面积最小，而第一导电图案152与第四数据连接线136d之间的交叠面积最大。因此，第二电容器Cp2和第三电容器Cp3中各电容器的电容大于第一电容器Cp1的电容而小于第四电容器Cp4的电容，并且第二电容器Cp2的电容小于第三电容器Cp3的电容。电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4延迟了通过数据连接线136的信号，使得由于具有不同电容的第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4而在第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d中均匀化了信号延迟。具体地，在不需要增大非显示区域NDR的尺寸的情况下，由于第一导电图案152而均匀化了信号延迟。因此，该阵列基板适用于窄边框型LCD设备。

[0055] 尽管未示出，选通连接线从选通线114延伸到非显示区域NDR，并且第二导电图案设置成与选通连接线交叠。类似于第一导电图案152，由于第二导电图案而均匀化了选通连接线中的信号延迟。

[0056] 图4是沿图3B的线V-V所取的截面图，而图5是沿图3A的线V-V所取的截面图。

[0057] 参照图3A到图5，沿第一方向的选通线114、从选通线114延伸的栅极112和沿第一方向并且与选通线114间隔开的公共线116设置在基板110上。包括从公共线116延伸的公共分支的公共电极117设置在基板110上并且在像素区域P中。此外，在基板110上设置从选通线114延伸到非显示区域NDR的选通连接线(未示出)。选通连接线的一端被定义为栅焊盘。

[0058] 选通线114、栅极112、公共线116、公共电极117和选通连接线由第一金属材料形成，例如，铝(Al)、Al合金、钼(Mo)、铜(Cu)或Cu合金。Al合金可以是铝钕(AlNd)。

[0059] 栅绝缘层118设置在选通线114、栅极112、公共线116、公共电极117和选通连接线上。栅绝缘层118由无机绝缘材料形成，例如，硅氧化物或硅氮化物。

[0060] 半导体层120设置在栅绝缘层118上并且对应于栅极112。半导体层120包括本征非晶硅的有源层120a和掺杂非晶硅的欧姆接触层120b。

[0061] 彼此间隔开的源极132和漏极134设置在半导体层上。连接到源极132的数据线130设置在栅绝缘层118上并且与选通线114交叉以限定像素区域P。去除欧姆接触层中对应于源极132和漏极134之间的空间的部分，使得有源层的中心通过源极132和和漏极
134之间的空间而露出来。

[0062] 栅极112、栅绝缘层118、半导体层120、源极132和漏极134构成了TFT Tr。即，像素区域P中的TFT Tr连接到选通线114和数据线130。

[0063] 此外，从数据线130延伸的数据连接线136设置在栅绝缘层118上并且在非显示区域NDR中。数据连接线136的一端被定义为数据焊盘。

[0064] 数据线130、源极132、漏极和数据连接线136由第二金属材料形成，例如，铝(Al)、Al合金、钼(Mo)、铜(Cu)或Cu合金。Al合金可以是铝钕(AlNd)。

[0065] 根据与对应于数据驱动IC 138的中心的中心数据线130相距的距离将数据线130和数据连接线136分别分类成第一到第四数据线130a、130b、130c和130d以及第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d。

[0066] 第一数据线130a具有与数据驱动IC 138的中心(即，中心数据线130)相距的第一距离，而第二数据线130b具有与数据驱动IC 138的中心相距的小于第一距离的第二距离。第三数据线130c具有与数据驱动IC138的中心相距的小于第二距离的第三距离，而第四数据线130d具有与数据驱动IC 138的中心相距的小于第三距离的第四距离。第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d分别连接到第一到第四数据线130a、130b、130c和130d。第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d中的至少一条数据连接线具有之字形。之字形的数量是不同的，使得能够在不考虑第一到第四数据连接线136a、136b、136c和
136d相对于数据驱动IC 138的位置的情况下对它们的长度进行均匀化。

[0067] 包括公共接触孔144(其露出最外公共线116)和漏接触孔142(其露出漏极134)的钝化层140设置在源极132、漏极134、数据线130和数据连接线136上。钝化层
140由无机绝缘材料(例如，硅氮化物或硅氧化物)或有机绝缘材料(例如，苯并环丁烯(benzocyclobutene)或感光压克力(photo-acryl))形成。由于公共线116设置在栅绝缘层118下方，所以公共接触孔144形成为不仅穿过钝化层140还穿过栅绝缘层118。

[0068] 尽管未示出，钝化层140包括分别露出栅焊盘和数据焊盘的接触孔。

[0069] 在像素区域P中在钝化层140上设置像素电极150。包括像素分支的像素电极150通过漏接触孔142接触漏极134。像素分支与公共分支交替设置。像素电极150与公共电极117生成水平电场。

[0070] 第一导电图案152设置在钝化层140上并且在非显示区域NDR中。第一导电图案152与第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d交叠。第一导电图案152具有三角形，使得第一导电图案152与第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d之间的交叠面积是不同的。从第一导电图案152延伸的连接部154通过公共接触孔144接触最外公共线116，使得第一导电图案152电连接到最外公共线116。

[0071] 像素电极150、第一导电图案152和连接部154由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和钼钛合金(MoTi)中的一种形成。

[0072] 由于钝化层140设置在第一导电图案152下方以及第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d上，所以生成了第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4。即，第一导电图案152、第一数据连接线136a和钝化层构成了第一电容器Cp1，而第一导电图案152、第二数据连接线136b和钝化层构成了第二电容器Cp2。第一导电图案152、第三数据连接线136c和钝化层构成了第三电容器Cp3，而第一导电图案152、第四数据连接线136d和钝化层构成了第四电容器Cp4。

[0073] 尽管未示出，选通连接线从选通线114延伸到非显示区域NDR，并且第二导电图案被设置成与选通连接线交叠。类似于第一导电图案152，由于第二导电图案而均匀化了选通连接线中的信号延迟。

[0074] 如上所述，第一导电图案152与第一数据连接线136a之间的交叠面积最小，而第一导电图案152与第四数据连接线136d之间的交叠面积最大。因此，第二电容器Cp2和第三电容器Cp3中各电容器的电容大于第一电容器Cp1的电容而小于第四电容器Cp4的电容，并且第二电容器Cp2的电容小于第三电容器Cp3的电容。电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4延迟了通过数据连接线136的信号，使得由于具有不同电容的第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4而在第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d中均匀化了信号延迟。

[0075] 图6A是根据本发明的第二实施方式的LCD设备的阵列基板的平面图，而图6B是图6A的一个像素区域的放大平面图。

[0076] 在图6A和6B中，用于LCD设备的阵列基板200包括限定了显示区域DR和位于显示区域DR外围的非显示区域NDR的第一基板210。

[0077] 在第一基板210上设置多条数据线230和沿第一方向的多条选通线214。选通线214与数据线230彼此交叉以在显示区域DR中限定多个像素区域P。

[0078] 公共线216设置在第一基板210上并且在非显示区域NDR中。尽管未示出，公共线216向具有盘形并且设置在与第一基板210相对的第二基板上的公共电极施加公共电压。

[0079] 在非显示区域NDR中设置分别从数据线230延伸的多条数据连接线236。尽管未示出，数据连接线236的一端被定义为数据焊盘，在数据焊盘上设置接触该数据焊盘的数据焊盘电极。

[0080] 在非显示区域NDR中设置用于向数据线230施加信号的数据驱动IC 238。数据驱动IC 238电连接到各条数据连接线236上。即，数据驱动IC 238接触数据焊盘电极(未示出)上，以便电连接到数据连接线236上。

[0081] 在非显示区域NDR中设置具有三角形并且与数据连接线236交叠的第一导电图案252。示出了具有倒三角形的第一导电图案252。

[0082] 连接部254从第一导电图案252沿第二方向延伸。连接部254通过露出公共线216的公共接触孔244接触公共线216，使得第一导电图案252电连接到公共线216。

[0083] 在像素区域P中设置连接到选通线214和数据线230的薄膜晶体管(TFT)Tr。TFT Tr包括栅极212、栅绝缘层(未示出)、半导体层(未示出)(其包括本征非晶硅的有源层(未示出)和掺杂非晶硅的欧姆接触层(未示出))、源极232和漏极234。栅极212连接到选通线214，并且栅绝缘层覆盖栅极212。半导体层设置在栅绝缘层上并且覆盖栅极212。源极232和漏极234设置在半导体层上。源极232连接到数据线230，并且与漏极234间隔开。去除欧姆接触层中对应于源极232和漏极234之间的空间的部分，使得有源层的中心通过源极232和和漏极234之间的空间露出来。

[0084] 钝化层(未示出)覆盖TFT Tr并且包括露出漏极234的漏接触孔242。在钝化层上和像素区域P中设置具有盘形的像素电极250。像素电极250通过漏接触孔242接触漏极234。像素电极250由透明导电材料(例如，ITO或IZO)形成。

[0085] 像素电极250与第二基板(未示出)上的公共电极(未示出)生成垂直电场。公共电极通过导电点连接到第一基板210上的公共线216上。导电点可以由银形成。

[0086] 根据与设置在数据驱动IC 238的中心线上的中心数据线230相距的距离，将数据线230分类成第一到第四数据线230a、230b、230c和230d，并且根据与中心数据线230相距的距离还将数据连接线236分类成第一到第四数据连接线236a、236b、236c和236d。第一到第四数据连接线236a、236b、236c和236d分别连接到第一到第四数据线230a、230b、230c和230d。即，第一数据线230a具有与中心数据线230相距的第一距离，而第二数据线230b具有与中心数据线230相距的小于第一距离的第二距离。第三数据线230c具有与中心数据线230相距的小于第二距离的第三距离，而第四数据线230d具有与中心数据线230相距的小于第三距离的第四距离。

[0087] 第一到第四数据连接线236a、236b、236c和236d中的至少一条具有之字形，即，“S”形。第一到第四数据连接线236a、236b、236c和236d在之字形数量上不同，使得控制了第一到第四数据连接线236a、236b、236c和236d的长度。即，数据连接线与中心数据线越远，数据连接线具有的之字形数量越小。或者，第一到第四数据连接线236a、236b、236c和236d具有直线形。或者，第一到第四数据连接线236a、236b、236c和236d可以在宽度上不同，以控制电阻。即，具有与中心数据线230相距的最大距离的第一数据连接线236a具有最大的宽度，而具有与中心数据线230相距的最小距离的第四数据连接线236d具有最小的宽度。结果，补偿了与数据驱动IC 238相距的距离差造成的电阻偏差。

[0088] 如上所述，第一导电图案252通过连接部254电连接到公共线216，使得向第一导电图案252施加公共电压。第一导电图案252与像素电极250设置在同一层上并且由与像素电极250相同的材料形成。由于第一导电图案252具有三角形，因此第一导电图案252在与第一到第四数据连接线236a、236b、236c和236d的交叠面积上不同。即，第一导电图案252与第一数据连接线236a具有第一交叠面积，而与第二数据连接线236b具有大于第一交叠面积的第二交叠面积。第一导电图案252与第三数据连接线236c具有大于第二交叠面积的第三交叠面积，而与第四数据连接线236d具有大于第三交叠面积的第四交叠面积。
即，第一导电图案252和各条数据连接线236a、236b、236c和236d的交叠面积与各条数据线230a、230b、230c和230d和数据驱动IC 238之间的距离成反比。

[0089] 由于钝化层(未示出)设置在第一导电图案252下方以及第一到第四数据连接线236a、236b、236c和236d上，所以生成了第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4。即，第一导电图案252、第一数据连接线236a和钝化层构成了第一电容器Cp1，而第一导电图案252、第二数据连接线236b和钝化层构成了第二电容器Cp2。第一导电图案252、第三数据连接线236c和钝化层构成了第三电容器Cp3，而第一导电图案252、第四数据连接线236d和钝化层构成了第四电容器Cp4。

[0090] 如上所述，第一导电图案152与第一数据连接线136a之间的交叠面积最小，而第一导电图案152与第四数据连接线136d之间的交叠面积最大。因此，第二电容器Cp2和第三电容器Cp3中各电容器的电容大于第一电容器Cp1的电容而小于第四电容器Cp4的电容，并且第二电容器Cp2的电容小于第三电容器Cp3的电容。电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4延迟了通过数据连接线136的信号，使得由于具有不同电容的第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4而在第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d中均匀化了信号延迟。具体地，在不需要增大非显示区域NDR的尺寸的情况下，由于第一导电图案152而均匀化了信号延迟。因此，该阵列基板适用于窄边框型LCD设备。

[0091] 尽管未示出，选通连接线从选通线114延伸到非显示区域NDR，并且第二导电图案设置成与选通连接线交叠。类似于第一导电图案152，由于第二导电图案而均匀化了选通连接线中的信号延迟。

[0092] 参照图7A到7D和图8A到图8D，下面来说明根据本发明的第一实施方式的阵列基板的制造方法。

[0093] 图7A到7D是示出了沿着图3B的线IV-IV所取的部分的制造工艺的截面图，而图8A到8D是示出了沿着图3A的线V-V所取的部分的制造工艺的截面图。

[0094] 在图7A和8A中，在基板110上形成第一金属层(未示出)并通过掩模工艺对该第一金属层进行构图以形成沿第一方向的选通线114、从该选通线114延伸的栅极112、和沿第一方向并与选通线114间隔开的公共线116。同时，在基板110上并且在像素区域P中形成从公共线116延伸的公共电极117，并且在基板110上形成从选通线114延伸到非显示区域NDR的选通连接线(未示出)。第一金属层可由铝(Al)、Al合金、钼(Mo)、铜(Cu)、Cu合金中的一种形成。Al合金可以是铝钕(AlNd)。

[0095] 接着，通过沉积无机绝缘材料(例如，硅氧化物或硅氮化物)在选通线114、栅极112、公共线116、公共电极117和选通连接线上形成栅绝缘层118。

[0096] 接着，在图7B和8B中，在栅绝缘层118层上顺序地形成本征非晶硅层(未示出)掺杂非晶硅层(未示出)。然后，通过掩模工艺对掺杂非晶硅层和本征非晶硅层进行构图，以形成有源层120a和欧姆接触层120b。有源层120a和欧姆接触层120b对应于栅极112并且构成了半导体层120。

[0097] 接着，在半导体层120和栅绝缘层118上形成第二金属层(未示出)并且通过掩模工艺对该第二金属层进行构图，以形成数据线130、源极132、漏极134和数据连接线136。数据线130设置在栅绝缘层118上并与选通线114交叠，以限定像素区域P。源极132和漏极134设置在半导体层120上并且彼此间隔开。源极132从数据线130延伸并连接到数据线130。去除欧姆接触层120b中通过源极132和漏极134之间的空间而露出的一部分，使得露出有源层120a的一部分。栅极112、栅绝缘层118、半导体层120、源极132和漏极134构成了TFT Tr。

[0098] 数据连接线136从数据线130延伸并连接到数据线130。数据连接线136设置在栅绝缘层118上并且位于非显示区域NDR中。数据连接线136的一端被定义为数据焊盘。根据与对应于数据驱动IC 138的中心的中心数据线130相距的距离，数据连接线136包括第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d。

[0099] 接着，在图7C和8C中，通过沉积无机绝缘材料(例如，硅氧化物或硅氮化物)在源极132、漏极134、数据线130和数据连接线136上形成钝化层140。或者，钝化层140可以由有机绝缘材料(苯并环丁烯(BCB)或感光压克力)形成。通过掩模工艺对钝化层140进行构图，以形成露出漏极134的漏接触孔142。此外，对钝化层140和该钝化层140下方的栅绝缘层118进行构图，以形成露出公共线116的公共接触孔144。尽管没有示出，穿过钝化层140形成露出数据焊盘的数据接触孔，并且穿过钝化层140和栅绝缘层118形成露出栅焊盘的栅接触孔。

[0100] 在图7D和8D中，通过沉积ITO或IZO在钝化层140上形成透明导电材料层(未示出)。通过掩模工艺对透明导电材料层进行构图以形成像素电极150、第一导电图案152和连接部154。像素电极150位于像素区域P中，并且通过漏接触孔142连接到漏极134。像素电极150的像素分支与公共电极117的公共分支交替设置。第一导电图案152位于非显示区域NDR中，并且与第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d交叠以形成第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4。连接部154位于非显示区域NDR中并且从第一导电图案152延伸。连接部154通过公共接触孔144接触公共线116，使得第一导电图案152电连接到公共线116。结果，公共电压施加到了第一导电图案152上。像素电极150、第一导电图案152和连接部154可以由MoTi形成。

[0101] 尽管未示出，在钝化层140上并且在非显示区域NDR中形成第二导电图案。类似于第一导电图案152，第二导电图案与选通连接线交叠以形成电容器，使得均匀化了选通连接线中的信号延迟。此外，在钝化层上形成栅焊盘电极和数据焊盘电极。栅焊盘电极和数据焊盘电极分别通过栅接触孔和数据接触孔接触栅焊盘和数据焊盘。

[0102] 数据驱动IC(138)和选通驱动IC(未示出)分别连接到数据连接线136和选通连接线，以形成根据本发明的阵列基板。在该阵列基板中，由于具有不同电容的第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4而在第一到第四数据连接线136a、136b、136c和136d中均匀化了信号延迟。具体地，在不需要增大非显示区域NDR的尺寸的情况下，由于第一导电图案152而均匀化了信号延迟。因此，该阵列基板适用于窄边框型LCD设备。

[0103] 图9是根据本发明的第三实施方式的LCD设备的截面图。在图9中，LCD设备300包括第一基板310、与第一基板310相对的第二基板360、夹在两基板之间的液晶层380、以及用于防止在第一基板310和第二基板360的边缘处泄漏液晶层380的密封图案390。

[0104] 在第一基板310中限定显示区域DR和位于显示区域DR外围的非显示区域NDR。

[0105] 在基板310上设置多条数据线330和沿第一方向的多条选通线(未示出)。选通线与数据线330彼此交叉以在显示区域DR中限定多个像素区域P。

[0106] 在第一基板310上并且在像素区域P中设置栅极312，并且在栅极312上设置栅绝缘层318。在栅绝缘层318上设置包括有源层320a和欧姆接触层320b的半导体层320以与栅极312交叠。有源层320a由本征非晶硅形成，而欧姆接触层320b由掺杂非晶硅形成。在半导体层320上设置彼此间隔开的源极332和漏极334。栅极312、栅绝缘层318、半导体层320、源极332和漏极334构成了薄膜晶体管Tr。

[0107] 栅极312与选通线设置在同一层上并且连接到选通线。源极332与数据线330设置在同一层上并且连接到数据线330。即，TFT Tr连接到选通线和数据线330。

[0108] 钝化层340设置在TFT Tr上并且包括露出漏极334的漏接触孔342。在钝化层340上设置像素电极350，该像素电极350由透明导电材料(例如，ITO或IZO)形成。像素电极350通过漏接触孔342连接到漏极334。

[0109] 在非显示区域NDR中设置分别从数据线330延伸的多条数据连接线336。数据连接线336设置在栅绝缘层318上。数据连接线336的一端连接到数据驱动IC(未示出)，使得通过数据连接线336、数据线330和TFTTr向像素电极350施加来自数据驱动IC的信号。

[0110] 尽管未示出，数据连接线136的一端被定义为数据焊盘，并且穿过钝化层340形成用于露出数据焊盘的数据接触孔。可以在数据焊盘上设置通过数据接触孔接触数据焊盘的数据焊盘电极。在这种情况下，数据驱动IC接触数据焊盘电极以便电连接到数据连接线336上。

[0111] 钝化层340覆盖了数据连接线336，并且在钝化层340上设置第一导电图案352。第一导电图案352与数据连接线336交叠，使钝化层340位于其间，以形成电容器。即，各条数据连接线336的作为第一电极的交叠部分、第一导电图案352的作为第二电极的交叠部分和作为介电材料层的钝化层340构成了该电容器。第一导电图案352可以由与像素电极350相同的材料形成。即，第一导电图案352可以由ITO或IZO形成。

[0112] 尽管未示出，选通连接线从选通线延伸到非显示区域NDR。选通连接线的一端连接到选通驱动IC，使得通过选通线向栅极312施加来自选通驱动IC的信号，以控制TFT Tr。此外，可以在选通连接线上设置与选通连接线交叠的第二导电图案，以形成电容器。

[0113] 另一方面，在第二基板360上设置黑底362、滤色层364、覆盖层366和公共电极370。黑底362设置在第二基板360上，并且对应于选通线、数据线330和TFT Tr。滤色层
364设置在黑底362上并且对应于像素区域P。例如，滤色层364包括红色滤色器图案、绿色滤色器图案和蓝色滤色器图案。

[0114] 用于形成平顶表面的覆盖层366设置在黑底362和滤色层364上。公共电极370设置在覆盖层366的整个表面上。公共电极370与第一基板310上的像素电极350形成电场，以驱动液晶层380。

[0115] 液晶层380设置在第一基板310和第二基板360之间。密封图案390设置在第一基板310和第二基板360的边缘上并且在非显示区域NDR中。

[0116] 密封图案390具有导电性，因此它可以称为导电密封图案。例如，在密封图案390中设置多个导电球。密封图案390的一端接触第二基板360上的公共电极370，而密封图案390的另一端接触公共线(未示出)。结果，通过密封图案390向公共电极370施加了来自公共线的公共电压。密封图案390的另一端的一部分接触第一基板310上的第一导电图案
352，使得公共电压也施加到第一导电图案352上。

[0117] 尽管未示出，与选通连接线交叠的第二导电图案也接触密封图案390，使得向第二导电图案施加了公共电压。

[0118] 在具有上述结构的LCD设备中，通过与数据连接线336交叠的第一导电图案352和与选通连接线交叠的第二导电图案而形成了电容器，使得能够防止数据连接线336中和选通连接线中的信号延迟偏差。

[0119] 图10是根据本发明的第三实施方式的LCD设备的阵列基板的平面图。

[0120] 在图10中，选通线310与数据线330设置在第一基板310上并且彼此交叉以在显示区域DR中限定多个像素区域P。

[0121] 如图9所示，在像素区域P中设置连接到选通线310和数据线330的TFT Tr以及连接到该TFT Tr的像素电极350。

[0122] 在非显示区域NDR中设置分别从数据线330延伸的数据连接线336。数据连接线336连接到数据驱动IC 338，使得能够向数据线330施加来自数据驱动IC 338的信号。

[0123] 根据与设置在数据驱动IC 338的中心线上的中心数据线330相距的距离，将数据线330分类成第一到第四数据线330a、330b、330c和330d，并且根据与中心数据线330相距的距离还将数据连接线336分类成第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d。第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d分别连接到第一到第四数据线330a、330b、330c和330d。即，第一到第四数据线330a、330b、330c和330d和第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d与数据驱动IC 338相距的距离不同。

[0124] 即，第一数据线330a具有与中心数据线330或数据驱动IC 338相距的第一距离，而第二数据线330b具有与中心数据线130或数据驱动IC 338相距的小于第一距离的第二距离。第三数据线330c具有与中心数据线330或数据驱动IC 338相距的小于第二距离的第三距离，而第四数据线330d具有与中心数据线330或数据驱动IC 338相距的小于第三距离的第四距离。

[0125] 第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d中的至少一条具有之字形，即，“S”形。第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d在之字形数量上不同，使得控制了第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d的长度。即，数据连接线与中心数据线越远，数据连接线具有的之字形数量越小。或者，第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d具有直线形。或者，第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d可以具有直线形。

[0126] 此外，在非显示区域NDR中设置包括第一到第四导电子图案352a、352b、352c和352d的第一导电图案352。第一到第四导电子图案352a、352b、352c和352d都具有岛形。
即，第一到第四导电子图案352a、352b、352c和352d彼此间隔开。第一到第四导电子图案
352a、352b、352c和352d分别与第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d交叠。

[0127] 第一导电子图案352a的平面面积小于第二导电子图案352b的平面面积，而第三导电子图案352c的平面面积大于第二导电子图案352b的平面面积并且小于第四导电子图案352d的平面面积。即，分别与第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d交叠的第一到第四导电子图案352a、352b、352c和352d中的每一个的平面面积与第一到第四数据线330a、330b、330c和330d中各条数据线和数据驱动IC 338之间的距离成反比。

[0128] 密封图案390设置在非显示区域NDR中。密封图案390与第一到第四导电子图案352a、352b、352c和352d中各子图案接触。如上所述，具有导电性的密封图案390接触第一到第四导电子图案352a、352b、352c和352d和公共线(未示出)，以向(图9的)公共电极
370提供公共电压。结果，公共电压提供到第一到第四导电子图案352a、352b、352c和352d中的各子图案中。

[0129] 由于第一导电图案352与数据连接线336交叠并且使(图9的)钝化层340位于第一导电图案352与数据连接线336之间，所以形成了第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4。即，第一数据连接线336a、第一导电子图案352a和钝化层340构成了第一电容器Cp1，而第二数据连接线336b、第二导电子图案352b和钝化层340构成了第二电容器Cp2。第三数据连接线336c、第三导电子图案352c和钝化层340构成了第三电容器Cp3，而第四数据连接线336d、第四导电子图案352d和钝化层340构成了第四电容器Cp4。

[0130] 第一导电子图案352a与第一数据连接线336a之间的交叠面积最小，而第四导电子图案352d与第四数据连接线336d之间的交叠面积最大。即，第一电容器Cp1的电容小于第二电容器Cp2的电容。第三电容器Cp3的电容大于第二电容器Cp2的电容而小于第四电容器Cp4的电容。

[0131] 第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4中各电容器延迟了信号。第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4补偿了由于第一到第四数据线330a、330b、330c和330d中各条数据线与数据驱动IC 338之间的距离导致的第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d中的信号延迟偏差。具体地，在不需要增大非显示区域NDR的尺寸的情况下，由于第一导电图案352而均匀化了信号延迟。因此，该阵列基板适用于窄边框型LCD设备。

[0132] 图11是根据本发明的第四实施方式的LCD设备的阵列基板的平面图。

[0133] 在图11中，选通线410与数据线430设置在第一基板410上并且彼此交叉以在显示区域DR中限定多个像素区域P。

[0134] 在像素区域P中设置连接到选通线410和数据线430的(图9的)TFT Tr和连接到该TFT Tr的(图9的)像素电极350。

[0135] 在非显示区域NDR中设置分别从数据线430延伸的数据连接线436。数据连接线436连接到数据驱动IC 438，使得能够向数据线430施加来自数据驱动IC 438的信号。

[0136] 根据与设置在数据驱动IC 438的中心线上的中心数据线430相距的距离，将数据线430分类成第一到第四数据线430a、430b、430c和430d，并且根据与中心数据线330的距离还将数据连接线436分类成第一到第四数据连接线436a、436b、436c和436d。第一到第四数据连接线436a、436b、436c和436d分别连接到第一到第四数据线430a、430b、430c和430d。即，第一到第四数据线430a、430b、430c和430d和第一到第四数据连接线436a、436b、436c和436d与数据驱动IC 438相距的距离不同。

[0137] 即，第一数据线430a具有与中心数据线430或数据驱动IC 438相距的第一距离，而第二数据线430b具有与中心数据线130或数据驱动IC 438相距的小于第一距离的第二距离。第三数据线430c具有与中心数据线430或数据驱动IC 438相距的小于第二距离的第三距离，而第四数据线430d具有与中心数据线430或数据驱动IC 438相距的小于第三距离的第四距离。

[0138] 第一到第四数据连接线436a、436b、436c和436d中的至少一条具有之字形，即，“S”形。第一到第四数据连接线436a、436b、436c和436d在之字形数量上不同，使得控制了第一到第四数据连接线436a、436b、436c和436d的长度。即，数据连接线与中心数据线越远，数据连接线具有的之字形数量越小。或者，第一到第四数据连接线436a、436b、436c和436d具有直线形。

[0139] 此外，导电图案452设置在非显示区域NDR中。导电图案452具有三角形，并且与第一到第四数据连接线436a、436b、436c和436d交叠。示出了具有倒三角形的第一导电图案452。

[0140] 由于导电图案452具有三角形，因此导电图案452在与第一到第四数据连接线436a、436b、436c和436d的交叠面积上不同。即，导电图案452与第一数据连接线336a具有第一交叠面积，而与第二数据连接线436b具有大于第一交叠面积的第二交叠面积。导电图案452与第三数据连接线436c具有大于第二交叠面积的第三交叠面积，而与第四数据连接线436d具有大于第三交叠面积的第四交叠面积。即，第一导电图案452和各条数据连接线436a、436b、436c和436d的交叠面积与各条数据线430a、430b、430c和430d和数据驱动IC 438之间的距离成反比。

[0141] 在非显示区域NDR中设置密封图案490。密封图案490与各导电图案452接触。具有导电性的密封图案490接触导电图案452和公共线(未示出)，以向(图9的)公共电极370提供公共电压。结果，公共电压提供到各导电图案452中。

[0142] 由于导电图案452与数据连接线436交叠并且使(图9的)钝化层340位于导电图案452与数据连接线436之间，所以形成了第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4。即，第一数据连接线436a、导电图案452和钝化层340构成了第一电容器Cp1，而第二数据连接线436b、导电图案452和钝化层340构成了第二电容器Cp2。第三数据连接线436c、导电图案452和钝化层340构成了第三电容器Cp3，而第四数据连接线436d、导电图案452和钝化层340构成了第四电容器Cp4。

[0143] 导电图案452与第一数据连接线436a之间的交叠面积最小，而导电图案452与第四数据连接线436d之间的交叠面积最大。即，第一电容器Cp1的电容小于第二电容器Cp2的电容。第三电容器Cp3的电容大于第二电容器Cp2的电容而小于第四电容器Cp4的电容。

[0144] 第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4中的各电容器延迟了信号。第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4补偿了由于第一到第四数据线430a、430b、430c和430d中的各条数据线与数据驱动IC 438之间的距离导致的第一到第四数据连接线436a、436b、436c和436d中的信号延迟偏差。具体地，在不需要增大非显示区域NDR的尺寸的情况下，由于导电图案452而均匀化了信号延迟。因此，该阵列基板适用于窄边框型LCD设备。

[0145] 图12是根据本发明的第五实施方式的LCD设备的阵列基板的平面图。

[0146] 在图12中，选通线510与数据线530设置在第一基板510上并且彼此交叉以在显示区域DR中限定多个像素区域P。

[0147] 在像素区域P中设置连接到选通线510和数据线530的(图9的)TFT Tr和连接到该TFT Tr的(图9的)像素电极550。

[0148] 在非显示区域NDR中设置分别从数据线530延伸的数据连接线536。数据连接线536连接到数据驱动IC 538，使得能够向数据线530施加来自数据驱动IC 538的信号。

[0149] 根据与设置在数据驱动IC 538的中心线上的中心数据线530相距的距离，将数据线530分类成第一到第四数据线530a、530b、530c和530d，并且根据与中心数据线330的距离还将数据连接线536分类成第一到第四数据连接线536a、536b、536c和536d。第一到第四数据连接线536a、536b、536c和536d分别连接到第一到第四数据线530a、530b、530c和530d。即，第一到第四数据线530a、530b、530c和530d和第一到第四数据连接线536a、536b、536c和536d与数据驱动IC 538相距的距离不同。

[0150] 即，第一数据线530a具有与中心数据线530或数据驱动IC 538相距的第一距离，而第二数据线530b具有与中心数据线130或数据驱动IC 538相距的小于第一距离的第二距离。第三数据线530c具有与中心数据线530或数据驱动IC 538相距的小于第二距离的第三距离，而第四数据线530d具有与中心数据线530或数据驱动IC 538相距的小于第三距离的第四距离。

[0151] 第一到第四数据连接线536a、536b、536c和536d中的至少一条具有之字形，即，“S”形。第一到第四数据连接线536a、536b、536c和536d在之字形数量上不同，使得控制了第一到第四数据连接线536a、536b、536c和536d的长度。即，数据连接线与中心数据线越远，数据连接线具有的之字形数量越小。

[0152] 此外，导电图案552设置在非显示区域NDR中。导电图案552具有矩形，并且与第一到第四数据连接线536a、536b、536c和536d交叠。

[0153] 由于数据连接线536a、536b、536c和536d具有之字形，因此矩形的导电图案552在与第一到第四数据连接线536a、536b、536c和536d的交叠面积上不同。即，导电图案552与第一数据连接线536a具有第一交叠面积，而与第二数据连接线536b具有大于第一交叠面积的第二交叠面积。导电图案552与第三数据连接线536c具有大于第二交叠面积的第三交叠面积，而与第四数据连接线536d具有大于第三交叠面积的第四交叠面积。即，导电图案552和各条数据连接线536a、536b、536c和536d的交叠面积与各条数据线530a、530b、530c和530d和数据驱动IC 538之间的距离成反比。

[0154] 在非显示区域NDR中设置密封图案590。密封图案590与各导电图案552接触。具有导电性的密封图案590接触导电图案552和公共线(未示出)，以向(图9的)公共电极370提供公共电压。结果，公共电压被提供到各导电图案552中。

[0155] 由于导电图案552与数据连接线536交叠并且使(图9的)钝化层340位于导电图案552与数据连接线536之间，所以形成了第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4。即，第一数据连接线536a、导电图案552和钝化层340构成了第一电容器Cp1，而第二数据连接线536b、导电图案552和钝化层340构成了第二电容器Cp2。第三数据连接线536c、导电图案552和钝化层340构成了第三电容器Cp3，而第四数据连接线536d、导电图案552和钝化层340构成了第四电容器Cp4。

[0156] 导电图案552与第一数据连接线536a之间的交叠面积最小，而导电图案552与第四数据连接线536d之间的交叠面积最大。即，第一电容器Cp1的电容小于第二电容器Cp2的电容。第三电容器Cp3的电容大于第二电容器Cp2的电容而小于第四电容器Cp4的电容。

[0157] 第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4中的各电容器延迟了信号。第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4补偿了由于第一到第四数据线530a、530b、530c和530d中各条数据线与数据驱动IC 538之间的距离导致的第一到第四数据连接线536a、536b、536c和536d中的信号延迟偏差。具体地，在不需要增大非显示区域NDR的尺寸的情况下，由于导电图案552而均匀化了信号延迟。因此，该阵列基板适用于窄边框型LCD设备。

[0158] 上述原理可以应用于选通驱动IC、选通连接线和选通线。此外，数据连接线可以在宽度上不同，以控制数据连接线的电阻。

[0159] 此后，参照图9和10来说明根据本发明的第三实施方式的LCD设备的制造方法。

[0160] 首先，在基板310上形成第一金属层(未示出)并通过掩模工艺对该第一金属层进行构图以形成沿第一方向的选通线314、从该选通线314延伸的栅极312和沿第一方向并与选通线314间隔开的公共线316。同时，在基板310上形成从选通线314延伸到非显示区域NDR的选通连接线(未示出)。第一金属层可由铝(Al)、Al合金、钼(Mo)、铜(Cu)、和Cu合金中的一种形成。Al合金可以是铝钕(AlNd)。如下所述，公共线可以与数据线形成在同一层上。

[0161] 接着，通过沉积无机绝缘材料(例如，硅氧化物或硅氮化物)在选通线314、栅极312、公共线316和选通连接线上形成栅绝缘层318。

[0162] 接着，在栅绝缘层318层上顺序地形成本征非晶硅层(未示出)掺杂非晶硅层(未示出)。然后，通过掩模工艺对掺杂非晶硅层和本征非晶硅层进行构图，以形成有源层320a和欧姆接触层320b。有源层320a和欧姆接触层320b对应于栅极312并且构成了半导体层320。

[0163] 接着，在半导体层320和栅绝缘层318上形成第二金属层(未示出)并且通过掩模工艺对该第二金属层进行构图，以形成数据线330、源极332、漏极334和数据连接线336。当公共线没有与选通线314一起形成时，可以在该步骤中形成公共线。数据线330设置在栅绝缘层318上并与选通线314交叠，以限定像素区域P。源极332和漏极334设置在半导体层320上并且彼此间隔开。源极332从数据线330延伸并连接到数据线330。去除欧姆接触层320b中通过源极332和漏极334之间的空间露出的一部分，使得露出有源层320a的一部分。栅极312、栅绝缘层318、半导体层320、源极332和漏极334构成TFT Tr。

[0164] 数据连接线336从数据线330延伸并连接到数据线330。数据连接线336设置在栅绝缘层318上并且位于非显示区域NDR中。数据连接线336的一端被定义为数据焊盘。根据与对应于数据驱动IC 338的中心的中心数据线330相距的距离，数据连接线336包括第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d。

[0165] 接着，通过沉积无机绝缘材料(例如，硅氧化物或硅氮化物)在源极332、漏极334、数据线330和数据连接线336上形成钝化层340。或者，钝化层340可以由有机绝缘材料(例如，苯并环丁烯(BCB)或感光压克力)形成。通过掩模工艺对钝化层340进行构图，以形成露出漏极334的漏接触孔342。此外，对钝化层340和该钝化层340下方的栅绝缘层318进行构图，以形成露出公共线的公共线接触孔(未示出)。当公共线与数据线330一起形成时，公共线接触孔形成为穿过钝化层340。尽管没有示出，穿过钝化层340形成露出数据焊盘的数据接触孔，并且穿过钝化层340和栅绝缘层318形成露出数据焊盘的栅接触孔。

[0166] 接着，通过沉积ITO或IZO在钝化层340上形成透明导电材料层(未示出)。通过掩模工艺对透明导电材料层进行构图以形成像素电极350和第一导电图案352。同时，可以形成第二导电图案(未示出)以使其与选通连接线交叠。此外，可以形成接触栅焊盘的栅焊盘电极和接触数据焊盘的数据焊盘电极。像素电极350位于像素区域P中，并且通过漏接触孔342连接到漏极334。第一导电图案352位于非显示区域NDR中，并且与第一到第四数据连接线336a、336b、336c和336d交叠以形成第一到第四电容器Cp1、Cp2、Cp3和Cp4。

[0167] 黑底362形成在第二基板360上。黑底362具有对应于像素区域P的开口。滤色层364形成在黑底362上并且在黑底362的开口中，以便对应于像素区域。接着，在黑底362和滤色层364上形成覆盖层366。在覆盖层366上形成公共电极370。公共电极370可以由ITO或IZO形成。

[0168] 接着，具有导电性的密封图案390形成在第一基板310上以接触第一导电图案，或者形成在第二基板360上以接触公共电极370。第一基板310和第二基板360彼此附接，使得密封图案390既接触第一导电图案352，又接触公共电极370。密封图案390还接触公共线。因此，来自公共线的公共电压既施加到公共电极370上，又施加到第一导电图案352上。此外，密封图案390接触与选通连接线交叠的第二导电图案。

[0169] 通过将液晶层注入第一基板310和第二基板360之间的空间中，获得了根据本发明的LCD设备。

[0170] 对于本领域技术人员而言很明显，在不偏离本发明的精神或范围的条件下，可以在本发明中做出各种修改和变型。因而，本发明旨在涵盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的本发明的修改和变型。