发光装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种耐热性、耐光性和气体遮断性高且耐环境性高的发光装置及其制造方法。根据该发光装置，用气体遮断性比由硅酮树脂制作的密封树脂部(3)高的丙烯酸类树脂所制作的底胶(10)，覆盖基板(2)和在基板(2)的表面所形成的布线图案(5A、5B)。能够由硅酮树脂制的密封树脂部(3)确保耐光性，并且能够由丙烯酸类树脂制的底胶(10)确保气体遮断性。

权利要求

1.一种发光装置，其特征在于，具有：基板；

在所述基板的表面所形成的金属部；

搭载于所述基板上的LED芯片；

配置在所述LED芯片的周围、且具有对LED芯片发出的光进行反射的金属反射膜的反射体；

覆盖所述金属部、所述金属反射膜各自的至少一部分的树脂制的底胶；

覆盖所述LED芯片和所述底胶的至少一部分而密封所述LED芯片的密封树脂部，并且，所述底胶由气体遮断性比所述密封树脂部高的树脂制作，所述密封树脂部由硅酮树脂构成，所述密封树脂部的折射率和所述底胶的折射率均在1.2～1.8之间。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述底胶为层状。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述底胶由丙烯酸类树脂制作。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述金属部包含布线图案。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述金属部包含引线框架。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述金属部包含所述金属反射膜。

7.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述金属部的表面由Ag、或AgBi系合金、或AgNd系合金、或Ag合金的任一种构成，该Ag合金含有Pt、Au、Cu、Pd、Mg、Ti、Ta之中至少1种金属0.5～5.0重量％。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述基板由具有光反射性的树脂、金属、陶瓷的任意一种制作。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述LED芯片的至少上面从所述树脂制的底胶露出。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述LED芯片的上面和侧面由所述树脂制的底胶覆盖。

11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述底胶覆盖所述基板的上面。

12.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述底胶覆盖所述基板的整个面。

13.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述底胶覆盖所述基板的上面，且在覆盖所述基板的上面的底胶上载置有所述LED芯片。

14.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述布线图案在所述底胶下形成。

15.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述金属反射膜在所述基板上形成，所述底胶在所述金属反射膜上形成。

16.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述底胶的厚度为0.01μm～100μm。

17.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述密封树脂部紧贴在所述底胶的至少一部分的表面。

18.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，将所述LED芯片配置在所述基板的凹部内，所述底胶覆盖所述基板的凹部底面，所述密封树脂部紧贴在所述底胶的表面且密封所述LED芯片，并且，所述底胶不露出。

19.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述密封树脂部含有荧光体。

20.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述密封树脂部的折射率和所述底胶的折射率大致相等。

21.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述反射体和所述基板由同一基材构成。

22.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述反射体的表面由Ag、或AgBi系合金、或AgNd系合金、或Ag合金的任一种构成，该Ag合金含有Pt、Au、Cu、Pd、Mg、Ti、Ta之中至少1种金属0.5～5.0重量％。

23.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述密封树脂部的热膨胀系数和所述底胶的热膨胀系数大致相等。

24.一种发光装置的制造方法，其特征在于，在表面形成有金属部，并且在搭载有LED芯片的基板上以覆盖所述金属部的至少一部分的方式涂布树脂制底胶；

所述LED芯片和所述树脂制底胶的至少一部分由密封树脂覆盖，且使所述密封树脂硬化，来形成密封树脂部；

所述底胶由气体遮断性比所述密封树脂部高的树脂制作，所述密封树脂部由硅酮树脂构成，所述密封树脂部的折射率和所述底胶的折射率均在1.2～1.8之间。

25.一种发光装置的装配方法，其特征在于，将权利要求1所述的发光装置装配到涂布有底胶的印刷电路板上，该印刷电路板由与所述底胶相同的树脂材料制作。

说明书

发光装置及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及搭载有LED(发光二极管)芯片的发光装置及其制造方法。

背景技术

[0002] 上世纪90年代，蓝色LED芯片得到开发、销售，与接收来自蓝色LED芯片的光并高效率发出黄色光的YAG(钇铝石榴石)荧光体相结合的白色LED被开发出来。受其影响，面向对于使用LED的一般照明、TV用背光源的应用展开，使以白色的色度稳定化和高亮度化为目标的开发得到推进。在这些开发之中，较大的课题就是密封LED芯片的密封树脂的耐热性、耐光性的改善。

[0003] 在白色LED中，从所使用的LED芯片放出的波长短、能量大的蓝色光会使周边构件劣化就成为问题。作为密封树脂使用环氧树脂时，由于从LED芯片放出的波长短、能量大的光，使密封树脂的变色等的劣化严重，不能长时间维持高亮度。作为可承受该长时间的高亮度发光要求的密封树脂，能够使用硅酮类树脂。

[0004] 但是，就硅酮类树脂而言，虽然耐光性优异，但是气体遮断性差的不少。若密封树脂的气体遮断性差，则例如由于水蒸气的透过，就在密封树脂与基板或封装界面发生结露，会成为布线图案和芯片电极的劣化和短路的原因。另外，在车载等用途中，需要具有耐腐蚀气体性，但若密封树脂的气体遮断性差，则同结露一样会成为布线图案和芯片电极的劣化和短路的原因，不能满足可靠性。

[0005] 另一方面，也有将硅酮类树脂由气体遮断性好的树脂进行改性后的树脂，但其耐光性降低，因此发掘出最佳的密封树脂处于相当困难的状况。

[0006] 另外，硅酮类树脂粘接性弱，因此，由于芯片发热等会致使其与周边构件的界面因热膨胀系数的差而发生树脂剥离，作为发光装置引起发光亮度降低等的性能劣化。

[0007] 如此，即使采用硅酮类树脂时，所处的状况仍是难以满足耐热性、耐光性和气体遮断性的要求。

[0008] 在此，在专利文献1(特开2004-339450号公报)中，公开有一种使密封树脂的耐光性提高的LED封装。在该LED封装中，具有由底面和侧壁构成的开口部，开口部底面由形成树脂一体形成而成，并使正的外部电极和负的外部电极的各端部相隔既定的间隔露出。另外还记载有，就该LED封装而言，在设置封胶模具树脂(密封树脂)之前，在LED封装表面设有底胶层(primer)。另外，在该LED封装中，作为上述底胶层，所使用的底胶组成物具有的特征是，在溶液中含有丙烯酸类聚合体、硅烷醇缩合催化剂、硅烷耦合剂和/或含环氧基化合物作为必须成分。由此，耐光性试验后的剥离得到抑制，LED封装和密封树脂的粘接可靠性提高。

[0009] 可是，在上述现有技术中，虽然公开利用底胶层实现在耐热性试验和耐光性试验时的粘附性的提高，但却并没有实现气体遮断性的提高。

[0010] 先行技术文献

[0011] 专利文献

[0012] 专利文献1：特开2004-339450号公报

发明内容

[0013] 因此，本发明的课题在于，提供一种耐热性、耐光性和气体遮断性高且耐环境性高的发光装置及其制造方法。

[0014] 为了解决上述课题，本发明的发光装置具有如下：基板；

[0015] 在上述基板的表面所形成的金属部；

[0016] 搭载于上述基板上的LED芯片；

[0017] 覆盖上述金属部的至少一部分的树脂制的底胶；

[0018] 覆盖上述LED芯片和上述底胶的至少一部分而密封上述LED芯片的密封树脂部，[0019] 上述底胶由气体遮断性比上述密封树脂部高的树脂制作。

[0020] 根据本发明，由气体遮断性比上述密封树脂部高的树脂制作的底胶覆盖上述基板的表面所形成的金属部，因此能够提高气体遮断性。

[0021] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述底胶为层状。

[0022] 根据该实施方式的发光装置，有层状的涂胶，因此能够确实地提高气体遮断性。

[0023] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述底胶由丙烯酸类树脂制作。

[0024] 根据该实施方式的发光装置，能够特别提高气体遮断性。

[0025] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述金属部包含布线图案。

[0026] 根据该实施方式的发光装置，能够提高对于上述基板表面所形成的布线图案的气体遮断性。

[0027] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述金属部包含引线框架。

[0028] 根据该实施方式的发光装置，能够提高对于上述引线框架的气体遮断性。

[0029] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述金属部包含金属反射膜。

[0030] 根据该实施方式的发光装置，能够提高对于上述金属反射膜的气体遮断性。

[0031] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述金属部的表面由Ag、或AgBi系合金、或AgNd系合金、或Ag合金中的任意一种构成：该Ag合金含有Pt、Au、Cu、Pd、Mg、Ti、Ta之中至少1种金属0.5～5.0重量％。

[0032] 根据该实施方式的发光装置，由于利用上述底胶对于含有虽然反射率高但容易变黑的银的金属部的表面进行保护，所以在气体遮断上特别有效。

[0033] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述基板由具有光反射性的树脂、金属、陶瓷的任意一种制作。

[0034] 根据该实施方式的发光装置，因为从上述LED芯片照射的光由上述基板反射，所以能够不使从上述LED芯片照射的光衰减。

[0035] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述LED芯片的至少上面从上述树脂制的底胶露出。

[0036] 根据该实施方式的发光装置，因为处于高温的芯片上面从上述树脂制的底胶露出，所以能够降低热对于上述底胶造成的影响。

[0037] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述LED芯片的上面和侧面由上述树脂制的底胶覆盖。

[0038] 根据该实施方式的发光装置，底胶涂布工序变得简单，除了点胶(dispense)法以外，还能够选择旋涂法等的方法，容易达成成本降低。

[0039] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述底胶覆盖上述基板的上面，[0040] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述底胶覆盖上述基板的整个面。

[0041] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述底胶覆盖上述基板的上面，且在覆盖上述基板的上面的底胶上载置上述LED芯片。

[0042] 根据该实施方式的发光装置，适合电极位于基板的上面的情况。这种情况下，通过在芯片焊接和引线键合之前形成底胶，能够利用刷毛或滚筒等实现底胶的涂布，可以更简便地形成底胶。还有，在上述基板的整个面涂上述底胶时，上述底胶的形成也能够选择浸渍法，从而能够进一步实现成本降低和高生产量。

[0043] 另外，在一个实施方式的发光装置中，将上述金属反射膜在上述基板上形成，[0044] 上述底胶在上述金属反射膜上形成，

[0045] 上述布线图案在上述底胶上形成。

[0046] 根据上述实施方式的发光装置，因为有上述底胶，所以能够实现对上述金属反射膜的气体遮断。

[0047] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述底胶的厚度为0.01μm～100μm。

[0048] 根据上述实施方式的发光装置，能够确保上述底胶的气体遮断性，并且还能够减小由光造成的变色(变黄)带来的光损失所引起的亮度降低。还有，上述底胶的厚度低于0.01μm时，会发生涂布不均匀等，有气体透过量急增的可能性。另外，若上述底胶的厚度高于100μm，则由热、光造成的变色(变黄)带来的光损失招致亮度降低。

[0049] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述密封树脂部紧贴在上述底胶的至少一部分的表面。

[0050] 另外，在一个实施方式的发光装置中，将上述LED芯片配置在上述基板的凹部内，[0051] 上述底胶覆盖上述基板的凹部底面，

[0052] 上述密封树脂紧贴在上述底胶的表面、且密封上述LED，

[0053] 此外，上述底胶不露出。

[0054] 根据上述实施方式的发光装置，将密封上述LED芯片的密封树脂，紧贴在覆盖上述基板的凹部底面的底胶的表面，因此密封树脂中所含的气体跑出时，能够使上述气体向上方放出而不受底胶妨碍。还有，如果在上述密封树脂上形成底胶，则在密封树脂中所含的气体跑出时没有出路，有可能破坏底胶。

[0055] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述密封树脂由硅酮树脂构成。

[0056] 根据上述实施方式的发光装置，利用由硅酮树脂构成的密封树脂，能够提高耐光性。

[0057] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述密封树脂含有荧光体。

[0058] 根据上述实施方式的发光装置，由于具有上述荧光体，从而可以对光进行波长转换而发出荧光。

[0059] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述密封树脂部的折射率和上述底胶的折射率大致相等，均在1.2～1.8之间。

[0060] 根据上述实施方式的发光装置，因为上述密封树脂部的折射率和上述底胶的折射率等同，所以可消除因在密封树脂和底胶的界面的全反射所造成的光损失。

[0061] 另外，在一个实施方式的发光装置中，具有反射体(reflector)，其配置在上述LED芯片的周围、且对LED芯片发出的光进行反射。

[0062] 根据上述实施方式的发光装置，由上述反射体反射来自LED芯片的光，从而能够抑制光的衰减。

[0063] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述反射体和上述基板由同一基材构成。

[0064] 根据上述实施方式的发光装置，能够实易地制作上述反射体。

[0065] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述反射体的表面由Ag、或AgBi系合金、或AgNd系合金、或Ag合金的任一种构成，该Ag合金含有Pt、Au、Cu、Pd、Mg、Ti、Ta之中至少1种金属0.5～5.0重量％。

[0066] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述底胶覆盖上述反射体的表面。

[0067] 根据该实施方式的发光装置，上述反射体的表面虽然含有反射率高但容易变黑的银，但由于有上述底胶保持，所以能够有效地进行气体遮断。

[0068] 另外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，在上述反射体的表面涂布上述底胶后，将上述反射体载置在上述LED芯片的周围。

[0069] 根据该实施方式，能够将上述底胶容易而均匀地涂布在上述反射体的表面。

[0070] 另外，在一个实施方式的发光装置的制造方法中，在表面形成有金属部；并且在搭载有LED芯片的基板上，以覆盖上述金属部的至少一部分的方式涂布树脂制底胶，[0071] 上述LED芯片和上述树脂制底胶的至少一部分由密封树脂覆盖，使上述密封树脂硬化而形成密封树脂部，

[0072] 上述底胶由气体遮断性比上述密封树脂部高的树脂制作。

[0073] 根据该实施方式的制造方法，通过由气体遮断性比上述密封树脂部高的树脂制作的底胶，覆盖在上述基板的表面所形成的金属部的至少一部分，因此能够提高气体遮断性。

[0074] 另外，在一个实施方式的发光装置的装配方法中，装配到涂布有底胶的印刷电路板上，该印刷电路板由与上述底胶相同的树脂材料制作。

[0075] 根据该实施方式的装配方法，能够将上述气体遮断性优异的发光装置装配到气体遮断性优异的印刷电路板上。

[0076] 另外，在一个实施方式的发光装置中，上述密封树脂部的热膨胀系数和上述底胶的热膨胀系体大致相等。

[0077] 根据该实施方式的发光装置，能够避免因热的影响损害密封树脂与底胶的粘附性。

[0078] 根据本发明的发光装置，LED芯片和底胶由密封树脂密封，并且上述底胶由气体遮断性比密封树脂高的树脂制作、并覆盖在基板的表面所形成的金属部，因此在受到热和光的环境下也能够提高气体遮断性。

附图说明

[0079] 图1是表示本发明的第一实施方式的发光装置的要部结构的纵剖面图。

[0080] 图2A是用于说明上述第一实施方式的发光装置的制造工序的模式化的剖面图。

[0081] 图2B是用于说明上述第一实施方式的发光装置的制造工序的模式化的剖面图。

[0082] 图2C是用于说明上述第一实施方式的发光装置的制造工序的模式化的剖面图。

[0083] 图2D是用于说明上述第一实施方式的发光装置的制造工序的模式化的剖面图。

[0084] 图2E是用于说明上述第一实施方式的发光装置的制造工序的模式化的剖面图。

[0085] 图3A是表示本发明的第二实施方式的发光装置的要部结构的纵剖面图。

[0086] 图3B是表示上述第二实施方式的发光装置的变形例的纵剖面图。

[0087] 图4A是表示本发明的第三实施方式的发光装置的要部结构的纵剖面图。

[0088] 图4B是表示上述第三实施方式的发光装置的变形例的纵剖面图。

[0089] 图5A是表示本发明的第四实施方式的发光装置的要部结构的纵剖面图。

[0090] 图5B是表示上述第四实施方式的发光装置的变形例的纵剖面图。

[0091] 图6A是表示本发明的第五实施方式的发光装置的要部结构的纵剖面图。

具体实施方式

[0092] 以下，通过图示的实施方式就本发明进行更详细的说明。

[0093] (第一实施方式)

[0094] 图1是表示本发明的第一实施方式的发光装置的要部结构例的纵剖面图。

[0095] 如图1所示，该第一实施方式的发光装置1，具有在基板2上所搭载的LED(发光二极管)芯片6。就该LED芯片6而言，在基板2上所形成的布线图案5A连接有阳极电极(未图示)，阴极电极(未图示)经由键合线7被连接于基板2上所形成的另一个布线图案5B。上述LED芯片6，作为一例是在波长400nm以上、500nm以下的蓝色波长区域具有主发光峰值的蓝色LED芯片。

[0096] 另外，该发光装置1具有对上述LED芯片6、布线图案5A、5B和基板2进行覆盖的层状的底胶10。另外，该发光装置1具有密封树脂部3，其覆盖上述底胶10而紧贴在底胶10上、且对上述LED芯片6进行树脂密封。在本实施方式中，在上述密封树脂部3中，添加有对于来自蓝色的LED芯片6的光进行波长转换的未图示的荧光体和填料。在该第一实施方式中，作为基板2使用对可视光的光反射率高的氧化铝基板。该基板2的厚度作为一例是0.3mm。另外，在上述氧化铝基板2的表面所形成的布线图案5A、5B为Ag布线图案。还有，该布线图案5A、5B由Ag、或AgBi系合金或AgNd系合金制作也可。另外，上述布线图案
5A、5B由含有Pt、Au、Cu、Pd、Mg、Ti、Ta之中的至少1种金属0.5～5.0重量％的Ag合金制作也可。

[0097] 另外，在基板2的背面侧形成有外部连接电极8A，该外部连接电极8A经由在厚度方向上贯通基板2所设置的贯通导电层9A、与LED芯片6下的布线图案5A电连接。另外，在基板2的背面侧还形成有一个外部连接电极8B，该外部连接电极8B经由在厚度方向上贯通基板2所设置的贯通导电层9B与布线图案5B电连接。

[0098] 另外，在该第一实施方式中，以覆盖上述LED芯片6的方式在基板2上所形成的底胶10由丙烯酸类树脂制作，通过旋涂法在基板2的表面整体涂布且形成1μm的厚度。还有，上述底胶10的厚度优选设定在0.01μm～100μm的范围内。

[0099] 另外，覆盖该底胶10的密封树脂部3约为0.4mm的厚度、且对上述LED芯片6进行树脂密封。该密封树脂部3作为一例，是在二甲基硅酮树脂(dimethyl silicone resin)中添加了平均粒径5μm的硅酮树脂粒子(未图示)作为填料。

[0100] 另外，上述密封树脂部3还添加有对于来自蓝色的LED芯片6的光进行波长转换并放出荧光的未图示的荧光体。在该第一实施方式中，作为上述荧光体使用Eu:BOSE或ROSE(铕活化正硅酸锶钡，(Ba，Sr)2SiO4:Eu)这样的发光效率高的平均粒径5μm的黄色荧光体。该黄色荧光体吸收从蓝色的LED芯片6放出的蓝色光、且放出在波长550nm以上、600nm以下的波长区域具有发光峰值的黄色荧光。

[0101] 上述密封树脂部3的表面与基板2的表面平行、且为大致平坦的表面。另外，该第一实施方式的发光装置1的侧面与基板2的表面垂直，且使密封树脂部3和其下的基板2一并被切断而成为平面状，发光装置1作为整体的形状来说厚度很薄，成为基板2的表面内方向的面积大的长方体形状。具体来说，发光装置1作为一例，厚0.7mm，横宽1.6mm，纵长2.6mm。还有，上述横宽为平行于图1中纸面的方向的宽度，上述纵长为垂直于图1中纸面的方向的长度。

[0102] 在该第一实施方式中，作为上述底胶10使用的丙烯酸类树脂，与上述密封树脂部3所使用的耐光性良好的二甲基硅酮树脂相比，是气体遮断性良好且大致为100％、但耐光性说不上良好的材料。因此，上述丙烯酸类树脂形成的底胶10，若由从蓝色LED芯片6放出的蓝色光这样波长特别短的高能量的光长时间照射，则发生变色，成为光损失的原因。因此，上述丙烯酸类树脂制的底胶10优选尽可能将厚度减薄、将光损失抑制在最低限度。

[0103] 另外如上述，通过旋涂涂布底胶10，虽然能够使底胶的厚度更薄，但是若在基板2的表面有凹凸、则在该凹凸邻域而底胶会变厚。在此，构成布线层的布线图案5A、5B优选层厚比底胶10薄的。另外，LED芯片6也更优选不需要倒装片(flip chip)等键合线的，LED芯片6的形状还优选上面为梯形形状等，从而能够使装配有LED芯片6的基板表面更平坦化。

[0104] 还有，上述基板2优选由具有光反射性的树脂、金属、陶瓷的任意一种制作。这时，从上述LED芯片6所照射的光由上述基板2反射，因此能够使从上述LED芯片6所照射的光不会衰减。

[0105] 接着，参照图1和图2A～图2E，详细说明该第一实施方式的发光装置1的制造方法。还有，图2A～图2E是用于说明该第一实施方式的发光装置1的制造方法的各制造工序的模式化的剖面图。

[0106] 首先，在图2A中表示基板2。在该基板2的表面2A侧，形成有图1所示的布线图案5A、5B和蓝色LED芯片6以及键合线7，但在图2A中未图示。另外，在上述基板2的表面2A上，上述布线图案5A、5B、蓝色LED芯片6、键合线7被纵、横多个配置在阵列上。另外，在图2A中未图示，但在基板2的背面2B侧，形成有图1所示的外部连接电极8A、8B以及与该外部连接电极8A、8B电连接的贯通导电层9A、9B。还有，将上述布线图案5A、5B按照与LED芯片6的排列图案和电极形态匹配的方式适宜设计。如前述，该布线图案5A与上述蓝色LED芯片6的阳极电极(未图示)直接连接，上述蓝色LED芯片6的阴极电极经由键合线7连接到布线图案5B上。

[0107] 其次，如图2B所示，在塔载上述LED芯片6和键合线7之后的基板2上，粘贴硅酮树脂制的挡板(dam sheet)11。该硅酮树脂制的挡板11为底胶10和密封用树脂部3的堤坝用途。其后，通过气动点胶机(air dispense)，在基板2的表面涂布底胶10并使之干燥。能够适宜稀释底胶10，能够使溶剂挥发后的干燥后的厚度变薄。

[0108] 还有，也可以是通过旋涂法在基板2的表面涂布底胶10之后，再将挡板11粘贴在基板2的表面的步骤。这种情况下，能够在基板2的表面更加均一且薄地涂布底胶10，另外还能够防止底胶10和挡板11的边界部所形成的凹部角部有底胶积存。

[0109] 接着，将基板2设置在具有未图示的加热板的压力机上，如图2C所示，通过气动点胶机，让用于作为密封树脂部3的液状的硅酮树脂3a流入基板2的表面。在该液状硅酮树脂3a中添加未图示的荧光体和填料，用搅拌脱泡机进行搅拌、脱泡。另外，在此作为一例，上述填料与液状硅酮树脂与荧光体的重量比为60∶100∶62。

[0110] 此外，在图2D中，将平坦的金属模具12压在密封树脂3a的表面进行按压。该金属模具12为金属模容器的盖，具有使密封用树脂3a平坦化的功能。其后，以100℃进行10分钟的加热按压，由此使密封树脂3a硬化而形成密封树脂部3。

[0111] 此外，在图2E中进行的是，通过将基板2和基板2上的密封树脂部3按既定的尺寸切割，切分成单个的发光装置1。还有，上述切割根据前述的布线图案来进行。据此，可形成切割成片状的单个的发光装置1。

[0112] 如此，该第一实施方式的发光装置1的制造方法，具有如下工序：对于搭载作为发光元件的LED芯片6和键合线7后的基板2涂布底胶10的工序；对于添加有荧光体和填料的密封用树脂材料3a进行混合、搅拌的工序；在搭载有LED芯片6的基板2的表面2A上以添加有荧光体和填料的密封用树脂材料3a进行被覆的工序；通过压力机使表面平坦化并加热，使该密封用树脂材料3a硬化的工序；切分成单个的发光装置1的切割工序。

[0113] 将这样制作的发光装置1在40℃/80％RH、H2S 3ppm、80小时放置的条件下实施加速硫化试验，结果是几乎未见到Ag布线图案5A、5B的变色。另一方面，在未涂布底胶10而制作的比较例的发光装置中，经过上述加速硫化试验Ag布线图案5A、5B变黑。作为对应初始值的比率，在本实施方式的发光装置1中，上述试验后轴上光度为88％；相对于此，上述比较例(没有底胶)在上述试验后，轴上光度成为60％。

[0114] 还有，上述底胶10的厚度优选为0.01μm以上、100μm以下。该底胶10的厚度的上限值100μm，由因热、光造成的变色(变黄)带来的光损失所引起的亮度降低率的临界值决定，且下限值0.01μm由涂层不均匀度和气体透过量的上限决定。这在以下的各实施方式中共通。

[0115] 另外，以丙烯酸类树脂为首的底胶10特别是若与二甲基硅酮树脂相比，则其气体遮断性高。另一方面，以丙烯酸类树脂为首的底胶一般耐光性比密封树脂部3差。因此，通过厚度薄的底胶10和密封树脂部3的组合，能够形成气体遮断性和耐光性均优异的构造。

[0116] 根据该第一实施方式的发光装置1，能够防止由银图案构成的布线图案5A、5B的变黑，防止反射率的降低和光度、色度的降低。另外，根据上述图2A～图2E所示的制造工序，除了在形成密封树脂部3的工序之前加入底胶10的涂布、干燥的工序以外，程序均与以往相同，因此是简便并抑制了成本增加的制造工序。另外，底胶10的折射率与密封树脂部3大致等同(均为1.4～1.5)，另外透光性也优异。还有，上述密封树脂部3的折射率与上述底胶10的折射率也可以在1.2～1.8的范围内大致同等地设定。

[0117] (第二实施方式)

[0118] 接着，参照图3A，说明本发明的第二实施方式的发光装置21。图3A是表示上述发光装置21的要部结构的纵剖面图。

[0119] 如图3A所示，该第二实施方式的发光装置21，在第一引线框架25的第一部分25A上搭载有第一LED芯片26，第一LED芯片26其下部电极与第一部分25A电连接。另外，上述第一引线框架25的第二部分25B与上述第一部分25A分开配置，该第二部分25B经由金丝27与上述LED芯片26的上部电极电连接。此外，该第一引线框架25的第一、第二部分25A、25B成为由包围LED芯片26的周围的、通过夹物模压而形成的树脂部22固定的结构。
另外，上述的第一引线框架25的第一部分25A从LED芯片26的搭载面向外侧延长，以包围上述树脂部22的基部22A的一端部28的方式形成。即，上述第一部分25A跨越基部22A的表面22A-1、侧面22A-2、背面22A-3被弯曲，且设置有与装配基板等电连接的外部连接端子
31。上述基部22A构成基板。另外，上述第一引线框架25的第二部分25B，也成为与上述第一部分25A同样的形状。即，该第二部分25B从LED芯片26的搭载面向外侧延长，以包围基部22A的另一端部29的方式形成，跨越基部22A的表面22A-4、侧面22A-5、背面22A-6被弯曲，设置有与装配基板等电连接的外部连接端子32。另外，上述树脂部22具有从基部
22A的两端突出的壁部22B、22B。

[0120] 上述第一引线框架25的第一、第二部分25A、25B，也可以在其表面设置表面层(未图示)，其用于提高从LED芯片26出射的光的反射性，该表面层可以由例如Ag、AgBi系合金或AgNd系合金制作。另外，上述表面层也可以由含有Pt、Au、Cu、Pd、Mg、Ti、Ta之中的至少1种金属0.5～5.0重量％的Ag合金制作。使用Ag合金时，虽然光反射率比纯粹的Ag有一些降低，但是对于腐蚀气体和水分造成的劣化也稍有改善。另外，就该表面层而言，特别在使用Ag时，如后述，只在LED芯片搭载面内由底胶覆盖，实施该表面层的劣化对策。因此，优选上述表面层只在LED芯片搭载面内设置，且期望在沿引线框架的第一、第二部分
25A、25B之中的树脂部22的侧面、底面延长而露出到外部的部分不形成。

[0121] 在该第二实施方式中，除了图3A所示的第一LED芯片26以外，在图3A中贯通纸面的纵深侧，还有第二、第三LED芯片(未图示)被搭载在第二、第三引线框架(未图示)上。第二、第三LED芯片的阳极电极和阴极电极被连接于与搭载有第一LED芯片26的第一引线框架25不同的、另外在上述树脂部22的基部22A上所形成的第二、第三引线框架(未图示)。另外，上述第一LED芯片26是在波长400nm以上、500nm以下的蓝色波长区域具有主发光峰值的蓝色LED芯片。另外，上述第二LED芯片是在波长480nm以上、580nm以下的绿色波长区域具有主发光峰值的绿色LED芯片。另外，上述第三LED芯片是在波长600nm以上、700nm以下的红色波长区域具有主发光峰值的红色LED芯片。

[0122] 在这些第一～第三LED芯片之上涂布层状的底胶30。按照覆盖该底胶30之上且与底胶30紧贴的方式形成添加有二氧化硅和防沉降剂的密封树脂部23，由该密封树脂23对上述第一～第三LED芯片进行树脂密封。

[0123] 作为夹物模压的树脂部22，优选采用对光进行反射的白色树脂，在该第二实施方式中，采用PPA(聚邻苯二甲酰胺)树脂。若在高亮度下使用，则有在上述第一、第二部分25A、25B的表面所形成的上述Ag或Ag合金制表面层会与密封树脂部23所吸收的水分进行反应而变黑的现象，但因为由上述底胶30被覆，因此也能够防止该变黑现象。该树脂部
22的厚度为1.4mm。另外，上述第二、第三引线框架也与上述第一引线框架25同样，从基部
22A的侧面22A-1、22A-2延长至底面22A-3、22A-6，形成第二、第三外部连接电极31、32。

[0124] 另外，如图3A所示，在上述树脂部22的壁部22B的内壁面22D，通过镀Ag而形成有金属反射膜33。该金属反射膜33与壁部22B构成反射体。还有，上述金属反射膜33也可以由Ag、AgBi系合金或AgNd系合金制作。另外，上述金属反射膜33也可以由含有Pt、Au、Cu、Pd、Mg、Ti、Ta之中的至少1种金属0.5～5.0重量％的Ag合金制作。

[0125] 然后，按照覆盖上述金属反射膜33、第一～第三引线框架、第一～第三LED芯片、基部22A的方式，以1～10μm的厚度通过气动点胶法涂布硅烷(silane)类树脂的底胶30。

[0126] 不过在第二实施方式中，就上述底胶30而言，在覆盖在上述金属膜33的第一部分30A，厚度最薄且为1μm；在上述布线图案上的第二部分30B，厚度最厚且为10μm；在上述基部22A上的第三部分30C，厚度为4μm。另外，覆盖该底胶30的密封树脂部23的厚度为
0.7mm。该密封树脂部23在硅酮树脂中添加有平均粒径5μm的二氧化硅和防沉降剂。

[0127] 另外，该第二实施方式的发光装置21的尺寸为，厚1.4mm，横宽3.2mm，纵长2.8mm。还有，上述横宽是在图3A中平行于纸面的方向的宽度，上述纵长是在图3A中垂直于纸面的方向的长度。

[0128] 还有，在上述第二实施方式中，在树脂部22的壁部22B的内壁面22D上所形成的金属反射膜33也可以没有。

[0129] 在该第二实施方式中，通过使薄的底胶30和密封树脂部23组合，能够成为气体遮断性和耐光性均优异的构造。由此，能够防止由银图案构成的布线图案和金属反射膜33的变黑，防止反射率的降低和光度、色度的降低。另外，该第二实施方式，除了在形成密封树脂部23的工序之前加入底胶30的涂布并使之干燥的工序以外，均能够通过与以往相同的程序制作，因此可以通过简便并抑制了成本增加的制造工序进行制作。另外，底胶30的折射率与密封树脂部23大致等同(均为1.4～1.5)，在底胶30和密封树脂部23的界面不会发生折射、散射，能够抑制光引出效率的降低。另外，树脂部22的基部22A的表面和金属反射膜33均涂布有底胶30，因此也能够提高树脂部22、金属反射膜33与密封树脂部23的粘附性。

[0130] 接下来，参照图3B，说明上述第二实施方式的变形例。在该变形例中，与上述第二实施方式不同的点在于，具有底胶35并以之替代图3A的底胶30，该底胶35除了覆盖由图3A的底胶30覆盖的位置以外，又进一步覆盖了上述树脂部22的侧面和沿着该侧面所形成的上述第一～第三引线框架的部分。另外，在该变形例中，在树脂部22的壁部22B的壁面
22D上没有形成金属反射膜33，这一点也与上述第二实施方式不同。

[0131] 在该变形例的发光装置21A中，通过将上述底胶35在树脂部22、第一～第三LED芯片、第一～第三引线框架的表面进行浸渍涂布而形成。如图3B所示，上述底胶35不仅覆盖树脂部22的壁部22B的内壁面22D，而且也覆盖外壁面22E，此外也覆盖了第一引线框架23的侧部25A-1、25B-1和上述第二、第三引线框架的侧部。

[0132] 就该底胶35而言，优选对于除了形成第一引线框架25的第一、第二部分的25A、25B的装配面的外部连接电极31、32和形成第二、第三引线框架的装配面的外部连接电极(未图示)以外金属面表面露出的部分，全部进行涂布。

[0133] 该变形例的发光装置21A，具有侧面发光LED作为上述第一～第三的LED芯片，该发光装置21A的尺寸为，厚1.2mm，横宽3.8mm，纵长0.6mm。

[0134] 在该变形例中，在树脂部22的壁部22B和第一～第三LED芯片之间具有狭窄的凹部U，因此以浸渍法涂布底胶35。在这通过浸渍法进行的涂布中，因为底胶35的厚度容易发生偏差，所以若底胶35的折射率和密封树脂部23的折射率不同，则光散射损失变大。因此，该变形例的情况下，特别期望底胶35的折射率与密封树脂部23的折射率特别同等。

[0135] 另外，如图3B所示，优选以紧贴上述底胶35的至少一部分的表面的方式形成密封树脂部23。特别是如图3A、图3B所示，在具有包围底胶35的周围的侧面(壁部22B的内壁面22D)时，优选按底胶35、密封树脂部23的顺序形成。反之，若在密封树脂部23之上形成底胶35，则密封树脂部23中所含的气体跑出时，气体没有从发光装置(封装)1内向侧面的出路，除了向上以外无所可去，因此有可能破坏底胶35。因此，优选在形成底胶35之后，再形成密封树脂部23。

[0136] (第三实施方式)

[0137] 图4A是表示本发明的第三实施方式的发光装置的要部结构的纵剖面图。

[0138] 如图4A所示，该第三实施方式的发光装置，在引线框架45的第一部分45A上搭载有LED芯片46，该LED芯片46其下部电极与第一部分45A电连接。该LED芯片46是在波长400nm以上、500nm以下的蓝色波长区域具有主发光峰值的蓝色LED芯片。另外，上述引线框架45的第二部分45B与上述第一部分45A分开配置，该第二部分45B经由金丝47与上述LED芯片46的上部电极电连接。此外，该第一引线框架45的第一、第二部分45A、45B成为由包围LED芯片46的周围的、通过夹物模压而形成的树脂部42固定的结构。另外，上述引线框架45的第一部分45A从LED芯片46的搭载面向外侧延长，按照包围上述树脂部42的基部42A的一端部48的方式形成。即，上述第一部分45A跨越基部42A的表面42A-1、侧面42A-2、背面42A-3被弯曲，且设置有与装配基板等电连接的外部连接端子51。上述基部42A构成基板。另外，上述引线框架45的第二部分45B也成为与上述第一部分45A同样的形状。即，就该第二部分45B而言，从LED芯片46的搭载面向外侧延长，按照包围基部42A的另一端部49的方式形成，跨越基部42A的表面42A-4、侧面42A-5、背面42A-6被弯曲，设置有与装配基板等电连接的外部连接端子52。另外，上述树脂部42具有从基部42A的两端突出的壁部42B、42B。

[0139] 上述引线框架45的第一、第二部分45A、45B，也可以在其表面设置表面层(未图示)，其用于提高从LED芯片46出射的光的反射性；该表面层可以由例如Ag、AgBi系合金或AgNd系合金制作。另外，上述表面层也可以由含有Pt、Au、Cu、Pd、Mg、Ti、Ta之中的至少1种金属0.5～5.0重量％的Ag合金制作。使用Ag合金时，虽然光反射率比纯粹的Ag有一些降低，但是对于腐蚀气体和水分造成的劣化也稍有改善。另外，就该表面层而言，特别在使用Ag时，如后述，只在LED芯片搭载面内由底胶覆盖，实施该表面层的劣化对策。因此，优选上述表面层只在LED芯片搭载面内设置，期望在沿引线框架的第一、第二部分45A、45B之中的树脂部42的侧面、底面延长而露出到外部的部分不形成。

[0140] 在该第三实施方式中，在上述引线框架45的第一、第二部分45A、45B和树脂部42的基部42A上涂布层状的底胶40。另外，以覆盖上述底胶40、LED芯片46和壁部42B的内壁面的方式形成密封树脂部43。该密封树脂部43紧贴在上述底胶40的表面。另外，该密封树脂部43由添加有对于来自蓝色LED芯片46的光进行波长转换的荧光体的密封树脂制作。

[0141] 另外，作为夹物模压的树脂部42，优选采用对光进行反射的白色树脂，在该第二实施方式中，采用PPA(聚邻苯二甲酰胺)树脂。若在高亮度下使用，则有在上述第一、第二部分45A、45B的表面所形成的上述Ag或Ag合金制表面层会与密封树脂部43所吸收的水分进行反应而变黑的现象，但因为由上述底胶40被覆，因此也能够防止该变黑现象。该树脂部42的厚度为1.4mm。

[0142] 在该第三实施方式中，底胶40其制作是通过点胶法涂布丙烯酸改性树脂底胶、且使其平均厚度达到2μm并使之干燥。另外，该底胶40按照以下方式选择点胶位置被制作：覆盖第一部分45A之内的、在直接搭载蓝色的LED芯片46的部分的周围露出的表面，但不覆盖LED芯片46，而覆盖从第一、第二部分45A、45B露出的基部42A。另外，该底胶40和覆盖LED芯片46与壁部42B的密封树脂部43以0.4mm的厚度形成。

[0143] 就该密封树脂部43而言，在硅酮树脂中添加有对于来自蓝色的LED芯片46的光进行波长转换而放出荧光的荧光体(未图示)。在该第三实施方式中，作为上述荧光体的一例，使用Ce:YAG(铈活化钇铝石榴石)这样的发光效率高的、平均粒径6μm的黄色荧光体。该黄色荧光体吸收从蓝色LED芯片46放出的蓝色光且放出在波长550nm以上、600nm以下的波长区域具有发光峰值的黄色荧光。另外，上述密封树脂部43的表面与构成基板的基部42A的表面平行，为大致平坦的表面。具体来说，该第三实施方式的发光装置作为其一例，例如厚度为1.5mm，横宽5.0mm，纵长5.0mm。、

[0144] 接着，在图4B中表示该第三实施方式的变形例。该变形例在如下两点上与上述第三实施方式不同：在上述树脂部42的壁部42B的内壁面形成有通过镀Ag所得到的金属反射膜44；具有覆盖该金属反射膜44的底胶55。上述金属反射膜44和壁部42B构成反射体。还有，上述金属反射膜44可以由Ag、AgBi系合金或AgNd系合金制作。另外，上述金属反射膜44也可以由含有Pt、Au、Cu、Pd、Mg、Ti、Ta之中的至少1种金属0.5～5.0重量％的Ag合金制作。

[0145] 就上述底胶55而言，与上述底胶40同样，按照以下方式选择点胶位置被制作：覆盖引线框架45第一部分45A之内的、在直接搭载蓝色的LED芯片46的部分的周围露出的表面，但不覆盖LED芯片46，而覆盖从引线框架45的第一部分45A和第二部分45B露出的树脂部42的基部42A。

[0146] 还有，在该变形例中，在底胶55形成时，也可以对于芯片搭载部以外的第一部分45A的表面的部分和形成反射体的壁部42B的内壁面分别进行底胶涂布。这时，具有容易使底胶55的厚度在各处均匀的特长。

[0147] 在上述第三实施方式和其变形例中，通过使薄的底胶55和密封树脂部43组合，能够成为气体遮断性和耐光性均优异的构造。由此，能够防止引线框架45的第一、第二部分45A、45B和构成金属反射膜43的银图案变黑，防止反射率的降低和光度、色度的降低。另外，除了在形成密封树脂部43的工序之前加入底胶40、55的涂布、干燥的工序以外，均能够通过与以往相同的程序制作。因此能够通过简便并抑制了成本增加的制造工序进行制作。
另外，因为底胶40、55不覆盖LED芯片，所以不会发生光的衰减和散射，另外还能够防止因LED芯片46的发热造成的底胶40、55的变色。另外，底胶40、55的折射率与密封树脂部43大致等同(均为1.4～1.5)，因此透光性也优异。另外，因为在树脂部42的基部42A的表面、金属反射膜44也涂布底胶40、55，所以也能够提高树脂部42、金属反射膜44与密封树脂部43的粘附性。

[0148] 另外，如图4A、图4B所示，优选密封树脂部43按照紧贴底胶50、55的至少一部分的表面的方式形成。特别是如图4A、图4B所示，在有包围底胶40、55的周围的侧面(壁部42B的内壁面)时，优选按底胶40、55、密封树脂部43的顺序形成。另一方面，若在密封树脂部43之上形成底胶40、55，则密封树脂部43中所含的气体跑出时，气体没有从发光装置(封装)内向侧面的出路，除了向上以外无所可去，因此有可能破坏底胶40、55。因此，优选在形成底胶40、55之后，再形成密封树脂部43。

[0149] (第四实施方式)

[0150] 接着，参照图5A，说明本发明的第四实施方式的发光装置。图5A是表示该第四实施方式的发光装置的要部结构的纵剖面图。

[0151] 如图5A所示，该第四实施方式的发光装置中，在基板62上形成有布线图案65A～65D。还有，该布线图案65A～65D可以由Ag或AgBi系合金或AgNd系合金制作。另外，上述布线图案65A～65D也可以由含有Pt、Au、Cu、Pd、Mg、Ti、Ta之中至少1种金属0.5～
5.0重量％的Ag合金制作。

[0152] 然后，在该布线图案65A～65D和从该布线图案65A～65D露出的基板62的表面上，通过浸渍法涂布层状的底胶70。在该底胶70上，搭载有在波长400nm以上、500nm以下的蓝色波长区域具有主发光峰值的蓝色LED芯片66、67、68。此外，以覆盖该蓝色LED芯片66～68和底胶70的方式形成密封树脂部63。该密封树脂部63中添加有对于来自蓝色LED芯片66～68的光进行波长转换的荧光体(未图示)。

[0153] 在该第四实施方式中，作为基板62，使用对于可视光的光反射率高的氧化铝96％的基板。该基板62的厚度为1.5mm。另外，形成于基板62的表面的布线图案65A～65D由Au/Ni/AgPd制作。另外，上述底胶70是在包含上述布线图案65A～65D的基板62的上面整体所涂布的厚5μm的聚氨酯树脂类底胶。

[0154] 另外，蓝色的LED芯片66，经由芯片焊膏被搭载在阳极侧的布线图案65B和阴极侧的布线图案65A之间的底胶70上。就该蓝色的LED芯片66而言，阳极侧的电极通过金丝76B与阳极侧的布线图案65B连接，阴极侧的电极通过金丝76A与阴极侧的布线图案65A连接。

[0155] 另外，蓝色LED芯片67经由芯片焊膏被搭载在阳极侧的布线图案65B和阴极侧的布线图案65C之间的底胶70上。就该蓝色的LED芯片67而言，阳极侧的电极通过金丝77A与阳极侧的布线图案65B连接，阴极侧的电极通过金丝77B与阴极侧的布线图案65C连接。

[0156] 另外，蓝色LED芯片68经由芯片焊膏被搭载在阳极侧的布线图案65D和阴极侧的布线图案65C之间的底胶70上。就该蓝色的LED芯片68而言，阳极侧的电极通过金丝78B与阳极侧的布线图案65D连接，阴极侧的电极通过金丝78A与阴极侧的布线图案65C连接。

[0157] 另外，在本实施方式中，上述3个蓝色LED芯片66～68被串联配置连接。另外，在该实施方式中，与上述LED芯片66同样的11个LED芯片(未图示)沿图5A的纸面纵深侧串联排列连接。另外，与上述LED芯片67同样的11个LED芯片(未图示)沿图5A的纸面纵深侧串联排列连接。另外，与上述LED芯片68同样的11个LED芯片(未图示)沿图5A的纸面纵深侧串联排列连接。

[0158] 还有，在本实施方式中，包含上述LED芯片66～68的各LED芯片，在形成了上述底胶70的状态下，进行芯片焊接和引线键合。另外在图5A中，两端的布线图案65A、65D延长构成外部连接电极。

[0159] 还有，如上述，包含上述LED芯片66～68的各LED芯片向基板62的搭载经由芯片焊膏进行，但如果适宜对底胶70的粘度、粘附性进行调节，在使底胶70硬化之前将上述各LED芯片搭载在基板62上，则可以使用底胶70来代替芯片焊膏。

[0160] 从上述各LED芯片和底胶70之上，由甲基硅酮树脂形成以0.4mm的厚度进行树脂密封的密封树脂部63。该密封树脂部63通过如下方式制作：将特氟隆(注册商标)制的挡板(未图示)粘贴在基板62上，使密封树脂注入并使之硬化后，除去上述档板。在形成该密封树脂部63的硅酮树脂中，添加有对于来自蓝色的LED芯片66～68的光进行波长转换而放出荧光的荧光体(未图示)。上述密封树脂部63紧贴在底胶70上。

[0161] 另外，在该第四实施方式中，上述荧光体的粒子是由平均粒径5μm的铕活化纯氮化物荧光体((Sr·Ca)AlSiN3:Eu)构成的红色赤色荧光体、和由铕活化荧光体((Si·Al)6(O·N)8:Eu)构成的绿色荧光体。该红色荧光体对于来自蓝色的LED芯片66～68的光进行波长转换、且放出在波长600nm以上、750nm以下的波长区域具有发光峰值的红色荧光。另外，上述绿色荧光体对于来自蓝色的LED芯片66～68的光进行波长转换、且放出在波长490nm以上、600nm以下的波长区域具有发光峰值的绿色荧光。

[0162] 上述密封树脂部63的表面与基板62的表面平行、且为大致平坦的表面。具体来说，该第四实施方式的发光装置作为其一例，例如厚度为1.5mm，横宽为18.0mm，纵长为18.0mm。

[0163] 接下来，在图5B中表示上述第四实施方式的变形例。在该变形例中，在基板62的表面形成有通过镀Ag所得到的金属反射膜73。还有，该金属反射膜73可以由Ag或AgBi系合金或AgNd系合金制作。另外，该金属反射膜73也可以由含有Pt、Au、Cu、Pd、Mg、Ti、Ta之中的至少1种金属0.5～5.0重量％的Ag合金制作。

[0164] 然后，以在该金属反射膜73上覆盖的方式，以60μm的厚度涂布底胶78。再在该底胶78上形成Au/Ni/W布线图案75A、75B、75C、75D。上述底胶78作为金属反射膜73和各布线图案75A～75D的绝缘层发挥作用。

[0165] 然后，蓝色的LED芯片66经由芯片焊膏被搭载在阳极侧的布线图案75B和阴极侧的布线图案75A之间的底胶78上。就该蓝色的LED芯片66而言，阳极侧的电极通过金丝76B与阳极侧的布线图案75B连接，阴极侧的电极通过金丝76A与阴极侧的布线图案75A连接。

[0166] 另外，蓝色的LED芯片67经由芯片焊膏被搭载在阳极侧的布线图案75B和阴极侧的布线图案75C之间的底胶78上。就该蓝色的LED芯片67而言，阳极侧的电极通过金丝77A与阳极侧的布线图案75B连接，阴极侧的电极通过金丝77B与阴极侧的布线图案75C连接。

[0167] 另外，蓝色的LED芯片68经由芯片焊膏被搭载在阳极侧的布线图案75D和阴极侧的布线图案75C之间的底胶78上。就该蓝色的LED芯片68而言，阳极侧的电极通过金丝78B与阳极侧的布线图案75D连接，阴极侧的电极通过金丝78A与阴极侧的布线图案75C连接。

[0168] 然后，在该变形例中，具有与前述的第四实施方式的密封树脂部63同样形成的密封树脂部79。还有，在图5B中，两端的布线图案75A、75D延长而构成外部连接电极。另外，在该变形例中，上述底胶78不仅覆盖上述基板62的上面、而覆盖整个面也可。

[0169] 在上述第四实施方式及其变形例中，通过使薄的底胶70、78和密封树脂部63、79组合，能够成为气体遮断性和耐光性均优异的构造。由此，能够防止作为布线图案65A～65D、75A～75D的基座的AgPd或金属反射膜73这部分的Ag腐蚀，能够防止可靠性的降低和光度、色度的降低。另外，在该第四实施方式、变形例中，除了在芯片焊接工序或布线图形成工序之前加入了底胶70、78的涂布、干燥工序以外，均能够以与以往同样的程序制作。因此，可以通过简便并抑制了成本增加的制造工序进行制作。另外，底胶70、78的折射率与密封树脂部63、79大致等同(均为1.4～1.5)，另外透光性也优异。另外，因为在各LED芯片的上面没有涂布底胶70、78，所以不会发生光的衰减或弥散，能够获得稳定的特性。

[0170] (第五实施方式)

[0171] 接着，参照图6，说明本发明的第五实施方式的发光装置。图6是表示该第四实施方式的发光装置的要部结构的纵剖面图。

[0172] 如图6所示，在该第五实施方式的发光装置中，具有搭载于基板82上的多个发光单元81。该发光单元81通过在0.3mm厚的氧化铝基板上所形成的树脂密封部、以0.3mm的厚度被树脂密封。

[0173] 各发光单元81具有蓝色的LED芯片86，其在波长400nm以上且500nm以下的蓝色波长区域具有主发光峰值。该蓝色LED芯片86被搭载在基板82上。如图6所示，在上述基板82的上面之中搭载有上述蓝色LED芯片86的区域以外的区域，涂布有0.5μm的厚度的环氧树脂类的底胶90。

[0174] 另外，在上述底胶90上以包围各蓝色LED芯片86的方式粘贴有反射体构件93。该反射体构件93具有由镀Ag形成的反射面93A，该反射面93A的周围预先由丙烯酸类树脂的底胶94进行了浸渍涂布。另外，以覆盖该反射体构件93、底胶90、LED芯片86的方式形成有密封树脂部83。该密封树脂部83由添加有荧光体的密封树脂构成，对LED芯片86进行树脂密封。还有，上述荧光体也可以为发出黄色光的荧光体。另外，上述密封树脂中也可以不含荧光体，而是使RGB的各色的LED芯片和不含荧光体的密封树脂部组合后的部材。

[0175] 还有，在该第五实施方式中，作为基板82，使用玻璃环氧(glass epoxy)印刷电路板。另外，该基板82的厚度为1.0mm。在该基板82的表面形成有未图示的Cu布线图案。在该Cu布线图案上搭载有上述发光单元81。另外，上述密封树脂部83也可以是透镜形状。
另外，上述的反射体构件93也可以是在金属块的表面进行镀Ag后的部件。

[0176] 在该第五实施方式中，通过使薄的底胶90和密封树脂部83组合，能够成为气体遮断性和耐光性均优异的构造。由此，能够防止上述Cu布线图案(未图示)的Cu变黑，能够防止可靠性的降低和光度、色度的降低。另外，在该第五实施方式中，由于在LED芯片86的搭载部以外的基板82的整体面涂布底胶90，所以可以通过简便且抑制了成本增加的工序进行制造。

[0177] 另外，在该第五实施方式中，由于在LED芯片的周围的基板82整体面涂布底胶90，所以能够提高基板整体的气体遮断性(耐卤素性)。因此，适合作为车载用和背光用LED装置使用。另外，对于各发光单元81的反射体构件93分别单独进行底胶涂布，因此具有能够使各反射体构件93的底胶的厚度均一的优点。另外，底胶90、94的折射率与密封树脂部83大致相等(均为1.4～1.5)，另外透光性也优异。另外，因为在密封树脂部83没有涂布底胶，所以在光的透射中不会发生光的衰减或弥散，也不用担心密封树脂部中所含的气体爆发。

[0178] 还有，在上述第一～第五实施方式中，优选上述密封树脂部的热膨胀系数和上述底胶的热膨胀系数大致相等。这样能够避免因热的影响使密封树脂和底胶的粘附性受损。

[0179] 符号说明

[0180] 1、21 发光装置

[0181] 2、62、82 基板

[0182] 3、23、43、63、79、83 密封树脂部

[0183] 3a 液状硅酮树脂

[0184] 5A、5B、25A、65A～65D、75A～75D 布线图案

[0185] 6、26、46、66～68、86 LED芯片

[0186] 7、27、47、76A、76B、77A、77B 键合线(bonding wire)

[0187] 8A、8B 外部连接电极

[0188] 31、32、51、52 外部连接端子

[0189] 9A、9B 贯通导电层

[0190] 10、30、35、55、70、78、90、94 底胶(primer)

[0191] 11 挡板(dam sheet)

[0192] 12 金属模具

[0193] 22、42 树脂部

[0194] 22A、42A 基部

[0195] 22B、42B 壁部

[0196] 25、45 引线框架

[0197] 25A、45A 第一部分

[0198] 25B、45B 第二部分

[0199] 33、44、73 金属反射膜

[0200] 81 发光单元

[0201] 93 反射体部件

[0202] 93A 反射面