识别和/或提高化学机械研磨垫修整器性能的系统及方法

摘要

本发明提供识别及/或提高化学机械研磨(CMP)垫修整器性能的方法及系统。在一方面中，举例而言，一种识别一CMP垫修整器中的过度侵蚀性超研磨颗粒的方法可包括：将一具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器定置于一指示基板上，以使该CMP垫修整器的多个超研磨颗粒的至少一部分接触该指示基板，及在一第一方向上移动该CMP垫修整器经过该指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分在该基板上产生一第一标记图案，其中该第一标记图案自该多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒。

权利要求

1.一种用于识别CMP垫修整器中的超研磨颗粒的方法，其包含：将一具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器定置于一指示基板上，以使该CMP垫修整器的该多个超研磨颗粒的至少一部分接触该指示基板；及在一第一方向上移动该CMP垫修整器经过该指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分在该指示基板上产生一第一标记图案，其中该第一标记图案自该多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒；

其中工作超研磨颗粒为在修整或调节程序期间接触CMP垫的超研磨颗粒。

2.根据权利要求1所述的识别CMP垫修整器的超研磨颗粒的方法，其进一步包含在一第二方向上移动该CMP垫修整器经过该指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分产生一第二标记图案，该第二方向大致上处于该第一方向的横向，其中该第二标记图案与该第一标记图案相比提供该多个工作超研磨颗粒的定位信息。

3.根据权利要求1所述的识别CMP垫修整器的超研磨颗粒的方法，其中该指示基板包括一指示标记物，其在使该CMP垫修整器移动经过该指示基板时标记该多个工作超研磨颗粒。

4.根据权利要求3所述的识别CMP垫修整器的超研磨颗粒的方法，其中该指示标记物包括一选自由颜料标记物、萤光标记物、化学标记物、放射性标记物、及其组合组成的群的成员。

5.根据权利要求1所述的识别CMP垫修整器的超研磨颗粒的方法，其中该多个超研磨颗粒相对于该CMP垫修整器具有至少一个校正定位方向，且其中该第一方向并非该至少一个校正定位方向；

其中校正定位方向是指多个超研磨颗粒的对准轴的方向。

6.根据权利要求1所述的识别CMP垫修整器的超研磨颗粒的方法，其进一步包含自该多个工作超研磨颗粒中识别及除去过度侵蚀性超研磨颗粒；

其中过度侵蚀性超研磨颗粒为CMP垫修整器中会侵蚀性修整或调节CMP垫的超研磨颗粒。

7.根据权利要求1所述的识别CMP垫修整器的超研磨颗粒的方法，其中该多个超研磨颗粒为多个超研磨区段，且该多个工作超研磨颗粒为多个工作超研磨区段；

其中超研磨区段是指一种工具主体，其具有多个与其结合的超研磨颗粒。

8.一种提高工作超研磨颗粒在一CMP垫修整器中的比例的方法，其包含：将一具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器定置于一指示基板上，以使该CMP垫修整器的该多个超研磨颗粒的至少一部分接触该指示基板；

在一第一方向上移动该CMP垫修整器经过该指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分在该基板上产生一第一标记图案，其中该第一标记图案自该多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒；

自该多个工作超研磨颗粒中识别多个过度侵蚀性超研磨颗粒；及

除去该多个过度侵蚀性超研磨颗粒的至少一部分，以增加工作超研磨颗粒在该CMP垫修整器中的比例；

其中过度侵蚀性超研磨颗粒为CMP垫修整器中会侵蚀性修整或调节CMP垫的超研磨颗粒；

其中工作超研磨颗粒为在修整或调节程序期间接触CMP垫的超研磨颗粒。

9.一种CMP垫修整器的修整轮廓，其包含一修整图案，其自一CMP垫修整器的多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒；

其中工作超研磨颗粒为在修整或调节程序期间接触CMP垫的超研磨颗粒；

其中该修整图案为一指示基板上的一标记图案，其包括由该多个工作超研磨颗粒在一第一方向上移动经过该指示基板而产生的一第一标记图案，且进一步包括由该多个工作超研磨颗粒在一第二方向上移动经过该指示基板而产生的一第二标记图案，其中该第二方向至少大致上处于该第一方向的横向。

10.一种提高CMP垫修整器性能的方法，其用于整平一CMP垫修整器中的多个超研磨颗粒尖端，其包含：暂时将多个超研磨颗粒耦接至一工具基板；

抵靠一指示基板定置该多个超研磨颗粒，以使该多个超研磨颗粒的至少一部分接触该指示基板；

移动该多个超研磨颗粒经过该指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分在该指示基板上产生一标记图案，其中该标记图案自该多个超研磨颗粒中识别多个过度侵蚀性超研磨颗粒；

相对于该工具基板调整该多个过度侵蚀性超研磨颗粒的尖端以改变工作超研磨颗粒与非工作超研磨颗粒的比例；及使该多个超研磨颗粒永久耦接至该工具基板；

其中过度侵蚀性超研磨颗粒为CMP垫修整器中会侵蚀性修整或调节CMP垫的超研磨颗粒；

其中工作超研磨颗粒为在修整或调节程序期间接触CMP垫的超研磨颗粒；

其中非工作超研磨颗粒为CMP垫修整器中不会明显地触及衬垫而不足以自表面移除碎屑、使表面变形、自表面切出凹槽的超研磨颗粒。

11.根据权利要求10所述的提高CMP垫修整器性能的方法，其中用一有机基质使该多个超研磨颗粒永久耦接至该工具基板，该有机基质包括一选自由以下组成的群的成员：胺基树脂、丙烯酸酯树脂、醇酸树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、酚系/乳胶树脂、环氧树脂、异氰酸酯树脂、异氰尿酸酯树脂、聚硅氧烷树脂、反应性乙烯基树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚苯乙烯树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂、丙烯酸树脂及其组合。

12.根据权利要求10所述的提高CMP垫修整器性能的方法，其中该多个超研磨颗粒为多个超研磨区段，且该多个工作超研磨颗粒为多个工作超研磨区段；

其中超研磨区段是指一种工具主体，其具有多个与其结合的超研磨颗粒。

13.一种评估CMP垫修整器性能的系统，其用于识别一CMP垫修整器中的工作超研磨颗粒，其包含：一指示基板；

一具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器，其中该多个超研磨颗粒的一部分与该指示基板接触；及一由该多个超研磨颗粒的该部分切入该指示基板中所得的标记图案，其中该标记图案自该多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒；

其中工作超研磨颗粒为在修整或调节程序期间接触CMP垫的超研磨颗粒。

14.根据权利要求13所述的评估CMP垫修整器性能的系统，其中该指示基板包括一指示标记物，其用以标记该多个工作超研磨颗粒。

15.根据权利要求14所述的评估CMP垫修整器性能的系统，其中该指示标记物包括一选自由颜料标记物、萤光标记物、化学标记物、放射性标记物、及其组合组成的群的成员。

说明书

识别和/或提高化学机械研磨垫修整器性能的系统及方法

[0001] 本申请主张2009年9月29日申请的美国临时专利申请第61/246,816号的权利，该临时专利申请是以引用的方式并入本文中。

技术领域

[0002] 本发明涉及对硅晶片的化学机械研磨，尤其涉及识别及/或提高化学机械研磨(CMP)垫修整器性能的方法及系统。

背景技术

[0003] 目前半导体工业每年花费超过十亿美元来制造具有极平坦及光滑的表面的硅晶片，目前有非常多种可使硅晶片的表面达到平坦、光滑的效果的已知技术。这些技术中最常见者为化学机械研磨(ChemicalMechanical Polishing(CMP))的方法，其包括使用研磨垫与研磨浆料的组合。所有CMP方法的中心重点为在诸如以下的方面中达到高性能水准：经研磨晶片的表面均一性、IC电路的光滑度、与晶片的生产率极为相关的材料移除率以及就经济效益而言，CMP方法中所使用的消耗品的寿命等。

发明内容

[0004] 本发明提供评估及提高CMP垫修整器性能的方法及系统。在一方面中，举例而言，提供一种识别一CMP垫修整器中的过度侵蚀性超研磨颗粒的方法。该种方法可包括将一具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器定置于一指示基板上，以使该CMP垫修整器的该多个超研磨颗粒的至少一部分接触该指示基板。该方法可进一步包括在一第一方向上移动该CMP垫修整器经过该指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分在该基板上产生一第一标记图案，其中该第一标记图案自该多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒。在另一方面中，该方法可包括在一第二方向上移动该CMP垫修整器经过该指示基板，以使该多个超 研磨颗粒的该部分产生一第二标记图案，该第二方向大致上处于该第一方向的横向，其中该第二标记图案与该第一标记图案相互对照并提供该多个工作超研磨颗粒的定位信息。另外，在一方面中，该多个超研磨颗粒相对于该CMP垫修整器具有至少一个校正定位方向，且该第一方向并非该至少一个校正定位方向。

[0005] 其亦可利用物理方式标记CMP垫修整器上的多个工作超研磨颗粒。因此，在一方面中，指示基板可包括指示标记物，其用于当CMP垫修整器移动经过指示基板时标记多个工作超研磨颗粒。可涵盖各种指示标记物，且能够标记过度侵蚀性超研磨颗粒的任何指示标记物应视为属于本发明范畴。非限制性实例包括颜料标记物、萤光标记物、化学标记物、放射性标记物，及其类似物。

[0006] 在本发明的另一方面中，提供一种增加工作超研磨颗粒在CMP垫修整器中的比例的方法。该种方法可包括将一具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器定置于一指示基板上，以使该CMP垫修整器的该多个超研磨颗粒的至少一部分接触该指示基板，及在一第一方向上移动该CMP垫修整器经过该指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分在该基板上产生一第一标记图案。该第一标记图案自该多个超研磨颗粒中识别多个过度侵蚀性超研磨颗粒。该方法亦可包括除去该多个过度侵蚀性超研磨颗粒的至少一部分，以增加工作超研磨颗粒在CMP垫修整器中之比例。

[0007] 该方法可进一步包括识别在经过除去程序之后的工作超研磨颗粒。因此，在一方面中，可将CMP垫修整器定置于下一指示基板上，以使CMP垫修整器的多个超研磨颗粒的至少一部分接触该下一指示基板。接着可在第一方向上移动CMP垫修整器经过该下一指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分在该基板上产生一后生标记图案，其中该后生标记图案自该多个超研磨颗粒中识别随后产生的多个工作超研磨颗粒。

[0008] 本发明另外提供一种CMP垫修整器修整轮廓。该种修整轮廓可包括修整图案，其自CMP垫修整器的多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒。可涵盖各种格式的修整图案，且输送相关信息的任何格式可视为属于本发明范畴。非限制性实例可包括电子表示、指示基板上 的标记图案、标记图案的图解表示、标记图案的数值表示、展示多个工作超研磨颗粒的位置的CMP垫修整器图，及其类似的形式。在一特定方面中，修整图案为指示基板上的标记图案，其包括由多个工作超研磨颗粒在第一方向上移动经过指示基板而产生的第一标记图案，且进一步包括由多个工作超研磨颗粒在第二方向上移动经过指示基板而产生的第二标记图案。第二方向可至少大致上处于第一方向的横向。

[0009] 本发明另外提供一种整平CMP垫修整器中的多个超研磨颗粒尖端的方法。在一方面中，该种方法可包括暂时将多个超研磨颗粒耦接至一工具基板且抵靠一指示基板定置该多个超研磨颗粒，以使该多个超研磨颗粒的至少一部分接触该指示基板。该方法可进一步包括移动该多个超研磨颗粒经过该指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分在该指示基板上产生一标记图案。该标记图案自该多个超研磨颗粒中识别多个过度侵蚀性超研磨颗粒。该方法亦可包括相对于该工具基板调整该多个过度侵蚀性超研磨颗粒的尖端以改变工作超研磨颗粒与非工作超研磨颗粒的比例，且使该多个超研磨颗粒永久耦接至该工具基板。

[0010] 尽管本发明涵盖各种使超研磨颗粒永久耦接至基板的方法，但在一方面中用有机基质使多个超研磨颗粒永久耦接至工具基板。有机基质材料的非限制性实例包括胺基树脂、丙烯酸酯树脂、醇酸树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚胺基甲酸酯树脂、酚醛树脂、酚系/乳胶树脂、环氧树脂、异氰酸酯树脂、异氰尿酸酯树脂、聚硅氧烷树脂、反应性乙烯基树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚苯乙烯树脂、苯氧基树脂、苝树脂、聚砜树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯树酯及其组合。

[0011] 本发明另外提供一种识别CMP垫修整器中的工作超研磨颗粒的系统。该种系统可包括一指示基板及一具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器，其中该多个超研磨颗粒的一部分与该指示基板接触。该系统可进一步包括由该多个超研磨颗粒的该部分切入该指示基板中所得的标记图案，其中该标记图案自该多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒。 [0012] 本发明亦提供一种识别CMP垫修整器中的工作超研磨颗粒的方法。该种方法可包括将一悬置于一框架内的塑胶片压至一具有多个超 研磨颗粒的CMP垫修整器上，以至于该多个超研磨颗粒的至少一部分使该塑胶片变形。随后可观测该变形的塑胶片以自该多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒。在一些方面中，塑胶片可为至少半反射的以帮助识别该多个工作超研磨颗粒。

[0013] 此外，本发明亦揭露一种能在研磨一抛光垫时识别且分级超研磨颗粒尖端高度的方法，其包含让最高尖端高于次高尖端20微米以内。在一方面，该方法可进一步包含识别超研磨颗粒总数前10％的最高尖端高于平均高度尖端80微米之内的情况。在另一方面，该方法可进一步包含识别最高尖端高于次高尖端15微米以内，且超研磨颗粒总数前10％的最高尖端高于平均高度尖端70微米之内的情况。在又一方面，该方法可进一步包含去除最高的超研磨颗粒以增加工作超研磨颗粒的数量。在另一方面，该方法可进一步包含使用超研磨颗粒尖端的高度与刮痕线的数据来评估品质或是作为给客户的凭证。 [0014] 如此已相当概括地描述了本发明的各种特征，以便可更好地理解以下实施方式，且可更好地了解本发明对此技术的贡献。根据本发明的以下实施方式、附图及权利要求书，本发明的其他特征将变得更清楚，或可通过实施本发明来了解。

附图说明

[0015] 图1为根据本发明的一具体实例的定置于指示基板上的CMP垫修整器的横截面视图。

[0016] 图2为根据本发明的另一具体实例的在指示基板上的标记图案的影像。 [0017] 图3为根据本发明的又一具体实例的定置于指示基板上的CMP垫修整器的横截面视图。

[0018] 应了解，上述各图仅用于说明性目的，以增进对本发明的理解。另外，所述附图可能并非按比例绘制，因此尺寸、粒度及其他方面可能会且一般被放大以使其图示更清楚。因此，应了解，可能会且很可能会与图中所示的特定尺寸及方面有偏离。

具体实施方式

[0019] 在揭示并描述本发明之前，应了解，本发明不限于本文揭示的特定结构、方法步骤或材料，而是可扩展至如可由所属领域的普通技术人员识别的其等效形式。亦应了解，本文中所使用的术语仅用于描述特定具体实例的目的，而不意欲具有限制性。 [0020] 必须指出，除非上下文中另外清楚地指定，否则如本说明书及权利要求书中所使用的单数形式“一(a，an)”及“该(the)”包括多个指示物。因此，举例而言，提及“一超研磨颗粒(a superabrasiveparticle)”可包括一或多个所述颗粒。

[0021] 定义

[0022] 在描述及主张本发明时，将根据下文所阐述的定义使用以下术语。 [0023] 如本文中所使用，术语“大致上(substantially)”是指某一作用、特征、性质、状态、结构、物品或结果的完全或接近完全的范围或程度。举例而言，“大致上”被封闭的物件将意谓该物件被完全封闭或接近完全地被封闭。与绝对完全性的确切可容许的偏差度可在一些情况下视特定情形而定。然而，一般而言，完成的接近度所具有的总结果，与达到绝对及完全的完成时是相同的。

[0024] 当用于否定含义时，“大致上”的使用同样适用于指完全或接近完全地缺乏某一作用、特征、性质、状态、结构、物品或结果。举例而言，“大致上不含(substantially free of)”颗粒的组成物将完全无颗粒，或非常接近完全地无颗粒以致效果与完全无颗粒时相同。换言之，“大致上不含”某一成份或元素的组成物实际上仍可含有该物品，只要其不存在可量测的影响即可。

[0025] 如本文中所使用，“工作超研磨颗粒(working superabrasiveparticle)”为在修整或调节程序期间接触CMP垫的超研磨颗粒。此接触可自表面移除碎屑，其可使表面造成弹性或塑性变形，或其可切割表面以产生凹槽。在一特定方面中，在修整程序期间工作超研磨颗粒可切入CMP垫中，且其深度超过约10微米。

[0026] 如本文中所使用，“非工作超研磨颗粒(non-working superabrasiveparticle)”为CMP垫修整器中不会明显地触及衬垫而不足以自表面移除碎屑、使表面变形、自表面切出凹槽的超研磨颗粒。

[0027] 如本文中所使用，“过度侵蚀性超研磨颗粒(overly-aggressive superabrasive particle)”为CMP垫修整器中会侵蚀性修整或调节CMP垫的超研磨颗粒。在一方面中，侵蚀性超研磨颗粒为在修整程序期间切入CMP垫中深度超过约50微米的超研磨颗粒。在另一方面中，侵蚀性超研磨颗粒可自CMP垫移除至少1/5的材料。在又一方面中，侵蚀性超研磨颗粒可自CMP垫移除至少1/2的材料。

[0028] 如本文中所使用，“指示基板(indicator substrate)”是指上面可定置CMP垫修整器的超研磨颗粒的一部分且可移动以产生指示工作超研磨颗粒的标记的基板材料。 [0029] 如本文中所使用，“标记图案(marking pattern)”是指通过移动超研磨颗粒经过指示基板而在指示基板上产生的图案。该标记可为已知的任何可侦测标记，包括切口、刮痕、凹陷、材料沉积(例如颜料标记物、化学标记物、萤光标记物、放射性标记物等)。 [0030] 如本文中所使用，“横向(transverse)”是指与参考轴交叉的方向定位。在一方面中，“横向”可包括相对于参考轴至少呈大致上直角的方向定位。

[0031] 如本文中所使用，“校正定位方向(alignment orientation direction)”是指多个超研磨颗粒的对准轴的方向。举例而言，以格网形式对准的多个超研磨颗粒将具有至少两个对准轴：行方向上的对准轴及与行方向呈90°定位的列方向上的对准轴。 [0032] 如本文中所使用，“除去(ablate或ablating)”是指自CMP垫修整器移除超研磨颗粒或减少超研磨颗粒的突出，从而降低超研磨颗粒与指示基板之间的接触程度的方法。 [0033] 如本文中所使用，“超研磨区段(superabrasive segment)”是指一种工具主体，其具有多个与其结合的超研磨颗粒。在一些方面中，超研磨区段可包括如切割元件的超研磨多晶材料。

[0034] 如本文中所使用，“工具基板(tool substrate)”是为垫调节器的一部分并支撑研磨材料，且研磨材料及/或载运研磨材料的超研磨区段可固定于其上。适用于本发明的基板可具有各种形状、厚度、或材料，其能够以足以提供适用于预期目的的垫调节器的方式支撑研磨材料。基板可为固体材料、在加工时变成固体的粉末材料、或可挠性材料。典型基板材料的实例包括(但不限于)金属、金属合金、陶瓷、相对 硬的聚合物或其他有机材料、玻璃，及其混合物。另外，基板可包括有助于使研磨材料附着于基板上的材料，包括(但不限于)硬焊合金材料、烧结助剂及其类似物。

[0035] 如本文中所使用，“超研磨(superabrasive)”可用于指任何结晶或多晶材料，或所述材料的混合物，其具有约8或8以上的莫氏硬度(Mohr′s hardness)。在一些方面中，莫氏硬度可为约9.5或9.5以上。所述材料包括(但不限于)钻石、多晶钻石(PCD)、立方氮化硼(cBN)、多晶立方氮化硼(PcBN)、刚玉及蓝宝石，以及本领域技术人员已知的其他超硬材料。超研磨材料可以各种形式并入本发明中，包括颗粒、粗砂、膜、层、片、区段等等。在一些情况下，超研磨材料呈多晶超研磨材料的形式，诸如PCD及PcBN材料。 [0036] 如 本 文 中 所 使 用，“有 机 基 质 (organic matrix)”或“有 机 材 料(organicmaterial)”是指有机化合物的半固体或固体复合物或混合物。因而，“有机材料层(organic material layer)”与“有机材料基质(organicmaterial matrix)”可互换使用，且意指一层或一块有机化合物的半固体或固体复合非晶形混合物，包括树脂、聚合物、胶状物等等。较佳地，有机材料为由一或多种单体的聚合反应所形成的聚合物或共聚物。在一些情况下，该有机材料可为粘着剂。

[0037] 如本文中所使用，假如给定值可“稍微高于”或“稍微低于”端点，则使用术语“约(about)”来提供关于数值范围端点的灵活性。

[0038] 如本文中所使用，为方便起见，可将多个物品、结构元件、组成元件及/或材料呈现于共同清单中。然而，这些清单应被理解为好似该清单的每一成员经个别识别为个别及唯一的成员。因此，若无相反指示，则该清单中的个别成员均不应仅仅基于其在共同组中的呈现而理解为同一清单中的任何其他成员的实际等效形式。

[0039] 浓度、量及其他数值数据在本文中可以范围格式表示或呈现。应了解，该种范围格式仅为方便及简单起见而使用，且因此应灵活地解释为不但包括明确在该范围界限内所列的数值，而且包括涵盖于彼范围内的所有个别数值或子范围，就如同明确列出每一数值及子范围般。举例而言，“约1至约5(about 1 to about 5)”的数值范围应解释为不但包括约1至约5的明确所列值，而且包括所指范围内的个别值及 子范围。因此，在此数值范围内包括诸如2、3及4的个别值以及诸如1至3、2至4及3至5等的子范围，以及个别的1、2、3、4及5。所述的此原理同样适用于仅列出一个数值(如最小值或最大值)的范围。此外，该种解释应不管范围的宽度或所描述的特征如何而均适用。

[0040] 本发明

[0041] 本发明使用一种CMP垫修整器来修整或调节CMP垫，通过移除污垢及碎屑以及在垫表面中产生粗糙度等修整程序，以便于研磨程序期间，该垫表面能够确实与化学浆料相互配合作用。由于超研磨颗粒不易被磨平，因此在CMP垫修整器中仅定置较小百分比的超研磨颗粒以便刺入或切入CMP垫中。当此较小百分比的超研磨颗粒变得磨损后，则CMP垫的塑性变形量变得较CMP垫被切割的量为大。因此，该垫高度变形并累积污垢，并导致CMP垫的研磨率降低，且晶片或工件的刮痕率增加。

[0042] 发明人已发现了用以识别可包括非工作、工作、及过度侵蚀性超研磨颗粒的数目及位置的CMP垫修整器的切割特征的新技术。根据该种特征，可测定CMP垫修整器的切割效率。可对已使用及未使用的CMP垫修整器执行该技术。

[0043] CMP垫通常由软质的聚合物(诸如聚胺基甲酸酯)制成。由于CMP垫与CMP垫修整器相互啮合，因此聚合物材料首先经弹性应变变形，随后经塑性应变变形。最终，经变形的材料中的应变能超过键能密度(亦即该垫的硬度)且聚合物材料断裂。因此，超研磨颗粒在CMP垫修整器中的功能为经由此变形过程通过破坏聚合物的键结来修整CMP垫材料。应注意到尖锐的超研磨颗粒尖端可刺入CMP垫材料而不会导致过度变形。因而，超研磨颗粒的尖锐度可定义为与断裂之前的变形体积成反比。换言之，在切割之前变形体积越小，切割尖端越尖。此变形信息可用来测定CMP垫修整器中超研磨颗粒的尖锐度。 [0044] 另外，尖端具有较小尖端半径的超研磨颗粒(诸如具有破角的情况)可比尖端半径较大的超研磨颗粒以较少变形更干净俐落地切入CMP垫中。因此，不规则形状的超研磨颗粒尖端可比具有相对于CMP垫为钝角的自形超研磨角更尖锐。此亦适用于超研磨颗粒角相比于超研磨颗粒面之间的差异。

[0045] 因此，注意到，尖锐的超研磨颗粒尖端可以较小变形及材料应变来切割CMP垫材料。相反地，钝的超研磨颗粒可变形而非切割CMP垫材料，因为应变能并未超过聚合材料的键能密度。由于所述颗粒的尖端磨损，因此聚合材料与颗粒之间的接触面积增加。此接触面积的增加导致垫的变形体积增加。由于随该变形体积的增加，聚合材料断裂需要的应变能增加，因此在CMP方法期间切割聚合材料的超研磨颗粒的数目将相对于钝化程度而减少。 [0046] CMP垫修整程序亦可受CMP垫修整器中工作超研磨颗粒的比例及过度侵蚀性切割超研磨颗粒的比例的影响。举例而言，典型CMP垫修整器可具有大于10,000个超研磨颗粒。在这些10,000个颗粒中，在一些情况下可仅有约100个实际能切割CMP垫的工作超研磨颗粒。另外，在100个工作超研磨颗粒中，可能存在大约10个过度侵蚀性超研磨颗粒，其在调节期间切割超过所使用的整个垫的50％，且在一些情况下可移除总垫材料的25％以上。此不均匀的工作负荷分布可导致不稳定的CMP性能，且可导致CMP垫过度消耗、可刮伤晶片的过度侵蚀性超研磨颗粒碎裂、晶片移除率不可预测、晶片表面平坦化不均匀、CMP垫修整器寿命缩短、CMP垫与碎屑压紧，及其类似情况。

[0047] 因此，提供一种识别CMP垫修整器中的过度侵蚀性超研磨颗粒的方法。该方法可包括将具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器定置于指示基板上，以使CMP垫修整器的多个超研磨颗粒的至少一部分接触指示基板，及在第一方向上移动CMP垫修整器经过指示基板以使多个超研磨颗粒的该部分在基板上产生第一标记图案。因而，第一标记图案自多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒。

[0048] 传统的超研磨颗粒尖端整平法典型地自CMP垫修整器的背面量测所述尖端的高度。由于CMP垫修整器基板的厚度变化及在制造过程中出现的变化，该量测可能不提供超研磨颗粒尖端相对于CMP垫的水平度的精确估计。另外，在修整期间CMP垫修整器可能不与CMP垫的表面精确平行。因此，在超研磨颗粒的尖端处量测的尖端高度变化可以提供更精确的切割特征。

[0049] 因此，可以固定负荷将CMP垫修整器压在指示基板上，且加以移动经过该基板以产生切割图案。因此，与指示基板接触的超研磨颗粒 将偏斜，随后按与其尖端高度、尖锐度等的比例刺入该基板。如图1中所示，举例而言，以固定负荷将CMP垫修整器12压于指示基板14中。过度侵蚀性超研磨颗粒16刺入指示基板14最深，接着为工作超研磨颗粒18，其与过度侵蚀性超研磨颗粒相比刺入程度较小。非工作超研磨颗粒20经展示未明显刺入指示基板14。

[0050] 随后可移动CMP垫修整器经过指示基板的表面以产生如图2中所示的刮痕图案。超研磨颗粒刮擦指示基板的程度将与颗粒的突出及尖锐度相关。移动方向可为任何方向，但在一些方面中，在与多个超研磨颗粒的校正定位不一致的方向上移动CMP垫修整器可能有益。换言之，若CMP垫修整器具有以格网形式定位的超研磨颗粒，则CMP垫修整器不应在与超研磨颗粒格网对准的方向上被移动经过指示基板。此是因为许多超研磨颗粒将沿指示基板上的相同凹槽图案对准，且将极难分辨哪些或甚至多少超研磨颗粒接触指示基板以产生刮痕图案。

[0051] 在一方面中，可在第二方向上移动CMP垫修整器经过指示基板，以使多个超研磨颗粒的该部分产生第二标记图案。第二方向应大致上处于第一方向的横向。意欲将处于参考方向横向的方向定义为与参考方向交叉的任何方向。因此，交叉地可包括与参考方向交叉的任何方向。在一方面中，横向可为垂直于。在另一方面中，横向可为关于参考方向在0°与90°之间的任何角度。非限制性实例可包括10°、30°、45°、60°及其类似角度。在其他信息内容中，第二标记图案与第一标记图案相比可提供多个工作超研磨颗粒的定位信息。因此举例而言，在第一方向上比在第二方向上切割出较宽线的超研磨颗粒可能在第一方向上以边缘或面切割而在第二方向上以尖端切割。如图2中可见，刮痕线改变方向的点显示CMP垫修整器方向自第一方向改变至第二方向。亦应注意，如同第一方向，第二方向与多个超研磨颗粒的校正定位不一致可能为有益的。

[0052] 可涵盖各种指示基板材料，且应注意到能够根据本发明的方面起作用的任何材料应视为属于本发明范畴。非限制性实例可包括诸如塑胶或其他聚合物、蜡、结晶材料、陶瓷及其类似物的材料。聚合物所构成的指示基板的一特定实例为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)透明片。亦可预期压敏性电子显示器亦可用作根据本发明的方面的指示基板。 [0053] 在一方面中，指示基板可包括指示标记物，其在使修整器移动经过基板时在刮擦指示基板的超研磨颗粒上产生标记。此可使CMP垫修整器上的工作及/或过度侵蚀性超研磨颗粒更易于识别。可涵盖各种指示标记物，包括(但不限于)颜料及墨水标记物、萤光标记物、化学标记物、放射性标记物，及其类似物。举例而言，可使用现有印表机将颜料印刷于PET透明片的表面上。刮擦透明片的经颜料涂覆的表面的超研磨颗粒被颜料标记，因此可易于在CMP垫修整器的表面上识别出。

[0054] 在另一方面中，本发明另外提供一种增加工作超研磨颗粒在CMP垫修整器中的比例的方法。该方法可包括将具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器定置于指示基板上，以使CMP垫修整器的多个超研磨颗粒的至少一部分接触指示基板，及在第一方向上移动CMP垫修整器经过指示基板以使多个超研磨颗粒的该部分在基板上产生第一标记图案。如已讨论，第一标记图案自多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒。该方法亦可包括自多个工作超研磨颗粒中识别多个过度侵蚀性超研磨颗粒。该识别可易于经由检查标记图案的刮擦图案特征而实现。其次，该方法可包括除去多个过度侵蚀性超研磨颗粒的至少一部分以增加工作超研磨颗粒在CMP垫修整器中的比例。

[0055] 如图3中所示，自CMP垫修整器24中除去过度侵蚀性超研磨颗粒22的效果可用来增加工作超研磨颗粒26的数目及这些超研磨颗粒可刺入指示基板28的深度(与图1相比)。通过除去具有最高突出的超研磨颗粒，亦即过度侵蚀性超研磨颗粒22，可使较大比例的工作超研磨颗粒26与指示基板28接触，且因此较大数目的超研磨颗粒能够在修整操作期间调节CMP垫。

[0056] 可通过各种技术进行除去超研磨颗粒，且能够选择性除去此类颗粒的任何技术应视为属于本发明范畴。举例而言，摆针或其他结构可用来除去特定超研磨颗粒。诸如钻石的超研磨颗粒倾向于为脆性的，且因此使用该技术将破裂。类似地可使用激光来除去超研磨颗粒。又，利用热塑性树脂作为支撑基质的CMP垫修整器可围绕超研磨颗粒被局部加热，且该颗粒会自该基质脱离。

[0057] 然而，注意在CMP垫修整器中存在非工作超研磨颗粒30。在一些 方面中，调节CMP垫可通过使所有多个超研磨颗粒中的一定比例为无效的而改进。此状况在移动浆料的工作晶体与排出污垢及碎屑的工作晶体之间提供空间。因此，有益情况可为增加CMP垫修整器中工作超研磨颗粒的数目，同时仍留下一定比例的非工作超研磨颗粒以允许浆料、污垢及碎屑移动。

[0058] 亦可通过除去程序来延长CMP垫修整器的寿命。因为大多个过度侵蚀性切割超研磨颗粒为CMP垫修整器中的超研磨颗粒的总数目的少数，且因为侵蚀性及过度侵蚀性切割倾向于更快速钝化颗粒，所以效率降低的修整器实际上可似乎为未经使用或稍经使用的工具。此是因为超研磨颗粒(包括非过度侵蚀性颗粒)上的磨损可能并非显而易见。通过在指示基板上产生CMP垫修整器的标记图案，可识别目前钝化的过度侵蚀性颗粒或过度侵蚀性颗粒。除去这些钝化超研磨颗粒使得迄今更尖锐的工作超研磨颗粒与CMP垫更有效地相互作用，因此延长寿命或“再调节”该修整器。

[0059] 在除去所有或一些过度侵蚀性超研磨颗粒之后，可通过遵循上述程序再次产生修整轮廓。举例而言，在一方面中，可将CMP垫修整器定置于下一指示基板上以使CMP垫修整器的多个超研磨颗粒的至少一部分接触该下一指示基板，及可在第一方向上移动CMP垫修整器经过下一指示基板以使多个超研磨颗粒的该部分在基板上产生后生标记图案。如同先前方面一样，后生标记图案自多个超研磨颗粒中识别随后的多个工作超研磨颗粒。亦应注意，在一些方面中，可使用先前的指示基板而非使用下一指示基板来比较先前超研磨颗粒组态与随后的超研磨颗粒组态的切割图案。另外，可使用独立指示基板通过比较刮擦图案来进行该比较。举例而言，可使两个PET透明片相互平行对准以便可比较两个标记图案。 [0060] 在许多类型的CMP垫修整器下可使用根据本发明的各种方面的技术。举例而言，在一方面中，超研磨颗粒可为单晶超研磨颗粒，诸如天然或合成钻石、立方氮化硼及其类似物。在另一方面中，超研磨颗粒可为多晶颗粒，诸如多晶钻石、多晶立方氮化硼等等。在又一方面中，超研磨颗粒可于其上面定置有研磨层的超研磨区段，其中该研磨层可包括单晶材料、多晶材料或其组合。另外，CMP垫修整器可包括 诸如硬焊金属、有机聚合物、烧结金属、陶瓷及其类似物的基质材料。各种CMP垫修整器的实例可见于以下文献：1997年4月4日申请的美国专利第6,039,641号；1998年11月4日申请的美国专利第6,193,770号；1999年9月20日申请的美国专利第6,286,498号；2001年8月22日申请的美国专利第6,679,243号；2002年4月、9月27日申请的美国专利第7,124,753号；2000年4月26日申请的美国专利第6,368,198号；2002年3月27日申请的美国专利第6,884,155号；2004年9月29日申请的美国专利第7,201,645号；及2004年12月30日申请的美国专利第7,258,708号，所述文献各自以引用的方式并入本文中。另外，各种CMP垫修整器的实例可见于以下文献：2006年2月17日申请的美国专利申请第11/357,713号；2006年11月16日申请的美国专利申请第11/560,817号；2007年4月10日申请的美国专利申请第11/786,426号；
2005年9月9日申请的美国专利申请第11/223,786号；2007年5月16日申请的美国专利申请第11/804,221号；2007年3月14日申请的美国专利申请第11/724,585号；2008年
11月7日申请的美国专利申请第12/267,172号；2007年11月15日申请的美国专利申请第11/940,935号；2008年7月5日申请的美国专利申请第12/168,110号；及2008年10月22日申请的美国专利申请第12/255,823号，所述文献各自以引用的方式并入本文中。 [0061] 在本发明的另一方面中，提供一种CMP垫修整器修整轮廓。该修整轮廓可包括修整图案，其自CMP垫修整器的所有多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒及/或多个过度侵蚀性超研磨颗粒。修整图案可以多种格式提供，且应了解本发明范畴包括所有所述格式。非限制性实例包括电子表示、指示基板上的标记图案、标记图案的图解表示、标记图案的数值表示、展示多个工作超研磨颗粒的位置的CMP垫修整器图，及其组合。在一特定方面中，修整图案为指示基板上的标记图案。该种标记图案可包括由多个工作超研磨颗粒在第一方向上移动经过指示基板而产生的第一标记图案，及由多个工作超研磨颗粒在第二方向上移动经过指示基板而产生的第二标记图案。该种CMP垫修整器修整轮廓可适用于使CMP垫修整器上的超研磨颗粒与修整器在CMP研磨程序期间的性能相互关联。该修整轮廓可由新修整器提供，其可 使用新修整器来产生，或其可在修整器的使用寿命期间制得。 [0062] 本发明另外提供一种识别CMP垫修整器中的工作超研磨颗粒的系统。该种系统可包括指示基板及具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器，其中该多个超研磨颗粒的一部分与指示基板接触。该系统可另外包括由多个超研磨颗粒的该部分切入指示基板中所得的标记图案，其中标记图案自多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒。正如上文所描述，指示基板可包括指示标记物以标记多个工作超研磨颗粒。

[0063] 本发明的技术亦可用于制造CMP垫修整器。在一方面中，举例而言，提供一种整平CMP垫修整器中的多个超研磨颗粒尖端的方法。该种方法可包括暂时将多个超研磨颗粒耦接于工具基板、抵靠指示基板定置该多个超研磨颗粒，以使多个超研磨颗粒的至少一部分接触指示基板，及移动多个超研磨颗粒经过指示基板，以使多个超研磨颗粒的该部分在指示基板上产生标记图案。因此该标记图案可自多个超研磨颗粒中识别过度侵蚀性超研磨颗粒。随后可相对于工具基板调整过度侵蚀性超研磨颗粒的突出部以改变该工具中存在的工作超研磨颗粒与非工作超研磨颗粒的比例。必要时可重复整平过程。在整平之后，可将多个超研磨颗粒永久耦接至工具基板。通过调节工作超研磨颗粒的比例，随后永久固定所述颗粒于CMP垫修整器中，可提高调节性能。

[0064] 本发明另外提供一种识别CMP垫修整器中的工作超研磨颗粒的方法，由此在修整器上进行颗粒的识别。在一方面中，举例而言，该种方法可包括将一悬置于一框架内的塑胶片压至一具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器上，以至于该多个超研磨颗粒的至少一部分使该塑胶包覆物变形。随后，可观测该变形的塑胶片以自该多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒。换言之，因为塑胶片在框架上被拉伸，所以一旦塑胶片被压至CMP垫修整器上后，则该塑胶片的变形将具有对应于超研磨颗粒的突出的变形尺寸。因此，过度侵蚀性较大且因此较突出远离CMP垫修整器的颗粒将在塑胶片中产生较大变形。随后可标记塑胶片以指示过度侵蚀性颗粒的位置。另外，在一方面中，塑胶片可为至少半反射的以帮助识别工作超研磨颗粒及过度侵蚀性超研磨颗粒。

[0065] 虽然上述的方法是基于刮擦平板塑胶(包含用于制造CMP垫的聚 氨酯)，例如PET薄板，用于本发明的概念亦包含以一光学机器评估钻石颗粒尖端的位置。举例而言，FRT公司制造钻石颗粒分析，其是着重于不同光波长的距离。FRT的机器可扫描整个钻石碟盘，并且量测所有钻石颗粒尖端的位置，包含量测已损毁的钻石颗粒。该机器的软件可决定这些尖端的共同平面，该平面可能不同于基板背面。接着，每一钻石晶体的尖端高度根据该共同平面进行标记。因此，FRT机器可识别钻石颗粒尖端且根据这些尖端的高度与分布来绘制图形。因为只有少数的钻石颗粒尖端在CMP操作期间能够真正贯穿抛光垫，因此能够非常便利地判断这些少数晶体位于钻石碟盘平面上的高度与位置。该信息(高度与位置)成为判断该抛光垫修整器品质的关键侦测数据。

[0066] 许多CMP研究者已发现最高一群的少数晶体导致昂贵的晶片产生缺陷。举例而言，ARACA公司已分析许多钻石碟盘，并且提出报告指出抛光垫修整程序仅通过少数侵略性的最高晶体来完成。他们其中一份报告宣称抛光垫超过50％的部分是通过10个最富侵略性的晶体的切割而完成修整。事实上，单一个最富侵略性的晶体修整了抛光20％到50％的部分。因此，这类“杀手钻石颗粒”就在少数最高晶体之中。若是最高的晶体远高于第二高的晶体，尤其是当该最高的晶体远离其他次高的晶体，则该杀手钻石颗粒会过度深入地穿进该抛光垫。杀手钻石过深的穿入不仅会形成抛光垫的深隧道，也会不必要地向上推挤变形的抛光垫。此会造成所谓的“杀手粗糙度”而刮伤脆弱的晶片。更糟的是，这些杀手钻石颗粒遭受过度挤压而崩出缺口。钻石颗粒出现缺口后会产生钻石碎片而嵌入相对软的抛光垫内。在制造钻石碟盘的热循环期间亦会制造钻石的微小碎片。此散乱的超硬材料碎片必定会深深地刮伤晶片。

[0067] 因此，辨识出可能会损毁或是产生杀手粗糙度的杀手钻石颗粒是极为重要的。除了上述的刮擦方法，光学方法或是其他的方法(使用在塑胶模造材料中的辨识方法)可用来分级最高钻石颗粒的尖端高度。较佳者，该最高晶体高于次高晶体20微米以内，且晶体的前10％的最高尖端高于平均高度尖端80微米之内。若如此设计，预期可有更多的工作晶体来修整抛光垫，且可避免少数杀手钻石颗粒深度切割该抛光 垫。

[0068] 对于制造程序，上述方法不仅提供产品的品质量测，亦可识别能够自钻石碟盘去除的杀手钻石颗粒。举例而言，可以金属推挤的方式粉碎该杀手钻石颗粒，亦可于推挤辅以超声波震动。亦可以激光(YAG：钕)照射方式蒸发该杀手钻石颗粒。一旦去除了杀手钻石，次高的晶体则变成最高。若新的最高晶体仍高于次高的晶体，则继续去除。可重复去除程序直到没有杀手钻石。该后处理程序可使得不合格的钻石碟盘合格，故通过消除杀手钻石晶体可增加工作晶体数量。因此，不仅通过以更多晶体均分工作负载的方式来增加抛光垫修整器的寿命，亦可通过抛光垫粗糙度的更高数量而使得CMP抛光程序更有效率。当然，通过减少晶片上的刮痕以及过度抛光部位可提高昂贵晶片的产率。

[0069] 上述两方法，静态光学方法以及动态刮擦方法，可单独执行或是彼此配合执行。本发明主要是减少在修整CMP垫时的杀手钻石颗粒以及杀手粗糙度。该测试数据可用于向客户提供钻石碟盘的品质凭证。

[0070] 应了解，上述配置仅说明本发明的原理的应用。本领域的普通技术人员可在不脱离本发明的精神及范畴下设计出许多变体及替代性配置，且所附权利要求书意欲涵盖所述变体及配置。因此，虽然在上文中已结合目前视为本发明的最实用及较佳的具体实例的内容精确及详细地描述了本发明，但所属领域的普通技术人员可显而易知的是，在不脱离本文阐述的原理及概念的情况下可进行许多修改，包括(但不限于)在尺寸、材料、形状、形式、功能及操作方式、装配及使用方面作出改变。