快速启动的电源转换电路

摘要

本发明揭露了一种电源转换电路，其包括：功率晶体管、系统控制器和为所述系统控制器提供电压的电容。在所述电压达到启动阈值前，所述系统控制器控制所述功率晶体管放大一电流以得到放大电流，并利用所述放大电流对所述电容进行充电，在所述电压达到启动阈值后，所述系统控制器控制所述功率晶体管接通或关断。这样，可以在启动电阻较大时实现快速启动。

权利要求

1.一种电源转换电路，其特征在于，其包括：功率晶体管、系统控制器和为所述系统控制器提供电压的电容，在所述电压达到启动阈值前，所述系统控制器控制所述功率晶体管放大一电流以得到放大电流，并利用所述放大电流对所述电容进行充电，所述功率晶体管具有基极、集电极和发射极，所述电容的一端与所述系统控制器的电源端相连，所述系统控制器包括有电压检测电路，其检测所述系统控制器的电源端的电压，在所述电压从零开始到达到所述启动阈值前，接通所述功率晶体管的发射极至所述电容的通路，所述功率晶体管放大其基极的电流以得到所述放大电流，在所述电压达到启动阈值后，关断所述功率晶体管的发射极至所述电容的通路，所述系统控制器还包括有第一开关管和第二开关管，所述电压检测电路具有第一输出端和第二输出端，所述第一开关管的一个连接端与所述功率晶体管的发射极相连，另一连接端与所述电源端相连，其控制端与所述电压检测电路的第一输出端相连，所述第二开关管的一个连接端与所述功率晶体管的发射极相连，另一连接端与所述电源端相连，其控制端与电压检测电路的第二输出端相连。

2.如权利要求1所述的电源转换电路，其特征在于：所述电压检测电路在检测到所述电源端的电压低于第一阈值时，控制所述第一输出端输出开启电平以导通所述第一开关管；在检测到所述电源端的电压高于第一阈值低于所述启动阈值时，控制所述第一输出端输出截止电平以关断第一开关管，控制所述第二输出端输出开启电平以导通第二开关管；

在检测到所述电源端的电压高于所述启动阈值时，控制所述第二输出端输出截止电平以关断第二开关管。

3.如权利要求2所述的电源转换电路，其特征在于：所述电压检测电路包括检测电路、电流源和比较输出电路，所述检测电路用于检测所述电流源是否产生有电流，在检测到有电流时使得所述第一输出端输出截止电平，在检测到无电流时使得所述第一输出端输出开启电平，所述电流源将所述系统控制器的电源端的电压作为电源，其在所述电源端的电压大于第一阈值时才开始启动以产生电流，在所述电源端的电压小于所述第一阈值时不产生电流，所述比较输出电路将所述系统控制器的电源端的电压作为电源，其基于所述电流源产生的电流的镜像电流将所述电源端的电压与所述启动阈值进行比较，在所述电源端的电压低于所述启动阈值时使得所述第二输出端输出开启电平，在所述电源端的电压高于所述启动阈值时使得所述第二输出端输出截止电平。

4.如权利要求1所述的电源转换电路，其特征在于：所述系统控制器还包括有电荷泵和电流输出电路，所述电荷泵用于提升所述系统控制器的电源端的电压以得到提升电压，所述电流输出电路以电荷泵输出的提升电压为电源电压，输出一电流注入到所述功率晶体管的基极。

5.如权利要求1-4任一所述的电源转换电路，其特征在于：其还包括有变压器，所述变压器包括有主级侧线圈、次级侧线圈和辅级侧线圈，所述功率晶体管接到所述主级侧线圈，所述主级侧线圈接一输入电压，所述输入电压通过一启动电阻连接至所述功率晶体管的基极。

6.如权利要求4所述的电源转换电路，其特征在于：其还包括有变压器，所述变压器包括有主级侧线圈、次级侧线圈和辅级侧线圈，所述功率晶体管接到所述主级侧线圈，所述主级侧线圈接一输入电压，所述输入电压通过一启动电阻连接至所述系统控制器的电源端。

说明书

快速启动的电源转换电路

【技术领域】

[0001] 本发明涉及领域电源管理领域，特别涉及一种快速启动的电源转换电路。【背景技术】

[0002] AC-DC电源转换器用于将交流电(Alternating Current，AC)转换为直流电(Direct Current，DC)，其已经得到广泛的应用。于2010年2月10日公开的申请号为200910085315.x的专利申请公开了一种AC-DC电源转换器，如图1所示，所述AC-DC电源转换器主要包括开关电路102、反馈电压采样电路104和环路控制器106，其中，开关电路102包括隔离的主级电感Np和次级电感Ns，主级侧还包括开关SWp，次级侧还包括寄生电阻Rc、二极管D3、电容C2和二极管D4；反馈电压采样电路104包括辅助级电感Na及两个分压电阻Rf4和Rf5；环路控制器106控制主级侧开关SWp的导通和关闭。所述AC-DC电源转换器还包括有串联在输入电压Vin和地之间的启动电阻Rst和电容Cvd，启动电阻Rst和电容Cvd的中间节点与环路控制器106的连接端V相连。在应用时，需要将环路控制器106的连接端V的电压提升到一定电压值后，所述AC-DC电源转换器才会正式启动进入工作状态。

[0003] 在AC-DC电源转换器应用中，随着技术发展，需要不断降低待机功耗。最新的巴塞罗那会议上规定300毫瓦待机功耗为2星标准，30毫瓦以下待机功耗为5星级标准。而所述启动电阻上消耗的功耗一直是待机功耗的重要组成部分。所述启动电阻消耗的功耗与其电阻值呈反比，增加启动电阻的阻值有助于减小启动电阻上消耗的功耗，但是，同时也会减小启动电流，导致启动时间变长，在一些应用中不利。

[0004] 通常，所述启动时间是指电容Cvd被充电至一定电压值的时间，所述启动时间可以根据下式计算：

[0005]

[0006] 其中R是启动电阻Rst的阻值，C为电容Cvd的电容值，Vin为输入电压值，Vth为启动电压。

[0007] 在一个应用示例中，如果Vin电压的范围为100V至300V，电阻Rst为10M欧姆，电容Cvd为4.7uF，Vth为5V，那么最小启动时间也为2.4秒左右。许多应用中要求启动时间小于1秒，甚至有些应用要求小于0.1秒，进一步减小启动时间仍有必要。而此时，所述启动电阻消耗的功耗大概为(Vin-Vth)2/R≈3002/10M＝9毫瓦，这样的启动电阻功耗对很多AC-DC来说已经是比较大了。

[0008] 因此，有必要提出一种功耗低启动快且功耗低的电源转换器。【发明内容】

[0009] 本发明的目的在于提供一种电源转换器，其功耗低且启动速度快。

[0010] 为了达到本发明的目的，根据本发明的一个方面，本发明提供一种电源转换电路，其包括：功率晶体管、系统控制器和为所述系统控制器提供电压的电容。在所述电压达到启动阈值前，所述系统控制器控制所述功率晶体管放大一电流以得到放大电流，并利用所述放大电流对所述电容进行充电，在所述电压达到启动阈值后，所述系统控制器控制所述功率晶体管接通或关断。

[0011] 进一步的，所述功率晶体管具有基极、集电极和发射极，所述电容的一端与所述系统控制器的电源端相连，所述系统控制器包括有电压检测电路，其检测所述系统控制器的电源端的电压，在所述电压从零开始到达到所述启动阈值前，接通所述功率晶体管的发射极至所述电容的通路，所述功率晶体管放大其基极的电流以得到所述放大电流，在所述电压达到启动阈值后，关断所述功率晶体管的发射极至所述电容的通路。

[0012] 更进一步的，所述系统控制器还包括有第一开关管和第二开关管，所述电压检测电路具有第一输出端和第二输出端，所述第一开关管的一个连接端与所述功率晶体管的发射极相连，另一连接端与所述电源端的一端相连，其控制端与所述电压检测电路的第一输出端相连，所述第二开关管的一个连接端与所述功率晶体管的发射极相连，另一连接端与所述电源端相连，其控制端与电压检测电路的第二输出端相连。

[0013] 再进一步的，所述电压检测电路在检测到所述电源端的电压低于第一阈值时，控制所述第一输出端输出开启电平以导通所述第一开关管；在检测到所述电源端的电压高于第一阈值低于所述启动阈值时，控制所述第一输出端输出截止电平以关断第一开关管，控制所述第二输出端输出开启电平以导通第二开关管；在检测到所述电源端的电压高于所述启动阈值时，控制所述第二输出端输出截止电平以关断第二开关管。

[0014] 再进一步的，所述电压检测电路包括检测电路、电流源和比较输出电路，所述检测电路用于检测所述电流源是否产生有电流，在检测到有电流时使得所述第一输出端输出截止电平，在检测到无电流时使得所述第一输出端输出开启电平，所述电流源将所述系统控制器的电源端的电压作为电源，其在所述电源端的电压大于第一阈值时才开始启动以产生电流，在所述电源端的电压小于所述第一阈值时不产生电流，所述比较输出电路将所述系统控制器的电源端的电压作为电源，其基于所述电流源产生的电流的镜像电流将所述电源端的电压与所述启动阈值进行比较，在所述电源端的电压低于所述启动阈值时使得所述第二输出端输出开启电平，在所述电源端的电压高于所述启动阈值时使得所述第二输出端输出截止电平。

[0015] 进一步的，所述系统控制器还包括有电荷泵和电流输出电路，所述电荷泵用于提升所述系统控制器的电源端的电压以得到提升电压，所述电流输出电路以电荷泵输出的提升电压为电源电压，输出一电流注入到所述功率晶体管的基极。

[0016] 进一步的，所述电源转换器还包括有变压器，所述变压器包括有主级侧线圈、次级侧线圈和辅级侧线圈，所述功率晶体管接到所述主级侧线圈，所述主级侧线圈接一输入电压，所述输入电压通过一启动电阻连接至所述功率晶体管的基极。

[0017] 进一步的，所述电源转换器还包括有变压器，所述变压器包括有主级侧线圈、次级侧线圈和辅级侧线圈，所述功率晶体管接到所述主级侧线圈，所述主级侧线圈接一输入电压，所述输入电压通过一启动电阻连接至所述系统控制器的电源端。

[0018] 与现有技术相比，本发明在电源转换器的启动过程中对启动电流进行放大，从而在启动电阻的阻值较大时仍能够得到较大的充电电流，从而即能缩短启动时间，又能降低启动电阻的功耗。【附图说明】

[0019] 结合参考附图及接下来的详细描述，本发明将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中：

[0020] 图1为传统AC-DC电源转换器的电路示意图；

[0021] 图2为本发明中的电源转换器的一个实施例的电路示意图；

[0022] 图3为图2中的电源端Vc的电压信号的波形示意图；

[0023] 图4为图2中的电压检测电路的一个实施例的电路示意图；

[0024] 图5为图2中的电流输出电路的一个实施例的电路示意图；和

[0025] 图6为本发明中的电源转换器的另一个实施例中的电路示意图。【具体实施方式】

[0026] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

[0027] 请参考图2所示，其示出了本发明中的电源转换器的一个实施例200的电路示意图。所述电源转换器200包括变压器、控制器210、功率晶体管Q1、启动电阻R1和电容C1。所述变压器包括有主级侧线圈L1、次级侧线圈和辅级侧线圈(图2未示出，可参考图1)，所述辅级侧线圈的输出电压VA经过一二极管D2与所述控制器210的电源端Vc连接。所述电容C1的一端与所述电源端连接，另一端接地，所述电容C1通过所述电源端Vc为所述控制器210提供电压。

[0028] 所述功率晶体管Q1可以为双极型晶体管，其具有基极、集电极和发射极。所述主级侧线圈L1的一端与晶体管Q1的集电极相连，所述启动电阻R1的一端与晶体管Q1的基极相连，另一端与输入电压Vin相连。

[0029] 所述控制器210(或称系统控制器)包括开关控制电路211和启动控制电路。所述开关控制电路用于在正常工作时控制接通或关断所述功率晶体管Q1，从而实现AC到DC的电源转换。所述启动控制电路包括第一开关管K1、第二开关管K2、第三开关管K3、反相器INV1、电阻R2、二极管D1和电压检测电路212。

[0030] 所述电压检测电路212的电压检测端接至所述电源端Vc，所述电压检测电路212具有第一输出端A和第二输出端B，其用于在检测到的电源端Vc的电压低于第一阈值Vth1(也可称为电压检测电路212的最小工作电压)时，控制所述第一输出端A输出开启电平，所述第二输出端B的状态由于电压过低而不确定，在检测到的电源端Vc的电压高于第一阈值Vth1低于第二阈值Vth2(也可称为启动阈值)时，控制所述第一输出端输出截止电平，控制所述第二输出端输出开启电平，在检测到的电源端Vc的电压高于第二阈值Vth2时，控制所述第一输出端输出截止电平，控制所述第二输出端输出截止电平。为了保持输出状态稳定，所述电压检测电路212具有迟滞效应，在其第二输出端输出截止电平后，在检测到该电源端Vc的电压低于第三阈值Vth3(也可称为关断阈值)时，才控制所述第二输出端再次输出开启电平，其中所述第三阈值Vth3小于第二阈值Vth2并大于第一阈值Vth1。

[0031] 所述第一开关管K1的一个连接端与所述功率晶体管Q1的发射极相连，另一连接端与所述电源端Vc相连，其控制端与电压检测电路的第一输出端相连。所述第二开关管K2的一个连接端与所述功率晶体管Q1的发射极相连，另一连接端与所述电源端Vc相连，其控制端与电压检测电路212的第二输出端相连。所述第三开关管K3的一个连接端与所述功率晶体管Q1的基极相连，另一连接端通过电阻R2与所述电源端Vc相连，所述电压检测电路212的第二输出端通过所述反相器INV1与第三开关K3的控制端相连，其中所述二极管D1的负极与电阻R2的靠近所述电源端Vc的一端相连，所述二极管D1的正极与所述电阻R2的另一端相连。

[0032] 下面介绍一下所述电源转换器200的启动过程。

[0033] 初始时，所述电源端Vc的电压为0，所述电压检测电路212的第一输出端A输出开启电平，比如低电平，所述第二输出端B的状态由于电压过低而不确定，这样可以使得所述第一开关K1处于导通状态。此时，流过所述启动电阻R1的电流IR1被功率晶体管放大(1+α)倍，α为功率晶体管的增益，放大的电流(1+α)*IR1通过第一开关管K1和第二开关管K2对所述电容C1进行充电。

[0034] 随着充电的进行，所述电源端Vc的电压逐渐上升，在其大于所述第一阈值Vth1后，所述电压检测电路212的第一输出端A输出截止电平，第二输出端B输出开启电平，使得所述第一开关K1处于截止状态，第二开关K2处于导通状态，第二输出端B输出的开启电平经由反相器INV1的反相后变为截止电平，使得所述第三开关K3处于截止状态。此时，放大的电流(1+α)*IR1继续通过第一开关管K1和第二开关管K2对所述电容C1进行充电。

[0035] 随着充电的继续进行，所述电源端Vc的电压逐渐上升，在其大于所述第二阈值Vth2后，所述电压检测电路212的第一输出端A输出截止电平，第二输出端B输出截止电平，使得所述第一开关K1和第二开关K2均处于截止状态，第二输出端B输出的截止电平经由反相器INV1的反相后变为开启电平，使得所述第三开关K3处于导通状态。此时，所述电源转换电路启动完毕，进入正常工作状态，所述电容C1为所述控制器210提供电压，并通过电阻R2和第三开关K3为所述功率晶体管Q1的基极提供偏置电压。

[0036] 在所述电容C1为所述控制器210后，其能提供的电压会下降，当所述电源端Vc的电压与辅级侧电压VA的电压差超过二极管D2的阈值电压时，所述辅级侧电压VA会通过二极管D2向电容C1进行充电，以保证所述电源端Vc的电压不会低于所述第三阈值Vth3。

[0037] 在上述方案中，所述电压检测电路212为无死区电压检测电路，这样实现了当电源端Vc的电压处于零和VTH2范围内的任何电压时，功率晶体管Q1的发射极电流都能通过第一开关管K1或第二开关管K2流到电源端Vc，不会在电源端Vc的电压非常低时出现状态不确定的死区。

[0038] 所述启动控制电路还进一步包括电荷泵213和电流输出电路214。所述电荷泵213的电压输入端接所述电源端Vc，所述电荷泵213的电压输出端接所述电流输出电路214的电压端，所述电流输出电路214的电流输出端接所述功率晶体管Q1的基极。电荷泵213可以各种现有电荷泵技术实现，可以为1.5倍，1.33倍，2倍等任何倍率。

[0039] 当所述电源端Vc的电压高于电荷泵213的最低工作电压Vth4(或称第四阈值)且低于第二阈值电压Vth2时，所述电荷泵213把电源端Vc的电压提升一定倍率以得到提升电压VCHP，电流输出电路214以电荷泵输出的提升电压VCHP为电源电压，输出一电流Ib注入到功率晶体管Q1的基极。如果注入电流Ib是启动电阻R1的电流IR1的M倍，则功率晶体管Q1的基极电流为(M+1)倍的IR1，此时功率晶体管Q1发射极电流为(1+α).(1+M).IR1，这样功率晶体管Q1的发射极电流与现有技术相比进一步放大了(1+α).(1+M)倍。这样，就实现了本发明中的第二充电阶段，即电荷泵模式。

[0040] 当所述电源端Vc的电压低于最低工作电压Vth4时，所述注入电流Ib为零，充电电流为(1+α)*IR1，此时为本发明中的第一充电阶段，即预放大模式。当所述电源端Vc的电压高于第二阈值Vth2后，控制所述电荷泵213停止工作，本发明进入了第三充电阶段，即反馈模式，由于电荷泵213停止工作，所述电流输出电路214也停止提供注入电流Ib，避免了正常工作时的功耗。具体请参看图3示出的电源端Vc的电压信号的波形示意图。

[0041] 作为一个可选择的实施例，所述电压检测电路212的第一输出端A和第二输出端B经过逻辑运算后可以形成一个输出端，这样所述电压检测电路212可以在电源端Vc的电压小于第二阈值Vth2时，通过该输出端输出开启电平，在电源端Vc的电压大于第二阈值Vth2时，通过该输出端输出截止电平，该输出端经由所述反相器与第三开关管的控制端相连，所述第一开关管和第二开关管中的一个可以被省略。

[0042] 所述开关管K1、K2、K3可以由PMOS晶体管构成，也可以为其他电路构成，如PNP晶体管。

[0043] 在本发明中，将启动电阻R1上的电流利用已有功率晶体管进行放大，这样就会大大增大了充电电流，从而使得充电时间大大缩减，同时也可以将启动电阻R1的阻值设置的比较大，以满足低功耗的要求。此外，在本发明中，不仅利用所述功率晶体来放大启动电阻R1上的电流，还会用来放大注入电流以获得更大的充电电流，从而使得充电时间进一步缩短，也可以启动电阻R1可以被设计的更大，以满足更严格的低功耗的要求。进一步的，在本发明中，所述电压检测电路212在电源端Vc的电压非常低时，甚至为0时，仍能输出状态确定的输出电平，这样就可以从0开始就利用功率晶体管的电流放大作用来获得充电电流，因此在电源转换器的启动初期，仍能获得较快的充电速度。

[0044] 图4为图2中的电压检测电路的一个实施例400的电路示意图。所述电压检测电路400包括检测电路402、电流源404和比较输出电路406。

[0045] 所述检测电路402用于检测所述电流源404是否产生有电流，如果是则通过其输出端A输出截止电平，如果否则通过其输出端A输出开启电平。所述电流源404将所述电源端Vc的电压作为电源，其在所述电源端Vc的电压大于第一阈值Vth1时才开始启动以产生电流，在所述电源端Vc的电压小于第一阈值Vth1时不产生电流。所述比较输出电路406将所述电源端Vc的电压作为电源，其基于所述电流源404产生的电流的镜像电流将所述电源端Vc的电压与第二阈值Vth2进行比较，在所述电源端Vc的电压低于所述第二阈值Vth2时，其输出端B输出开启电平，在所述电源端Vc的电压高于所述第二阈值Vth2时，其输出端B输出截止电平。为了维持输出稳定，所述比较输出电路406具有迟滞效应，在其输出端B输出截止电平后，所述电源端Vc的电压需要降低到第三阈值Vth3时，所述输出端B才再次输出开启电平。

[0046] 在一个实施例中，所述电流源404包括PMOS晶体管P1、P2和P7、NMOS晶体管N1和N2和电阻R5。晶体管P1和P2的源极与电源端Vc相连，晶体管P1和P2的栅极互相连接，晶体管P1的栅极和漏极互连。晶体管N1的漏极与晶体管P2的漏极相连，晶体管N2的漏极与晶体管P1的漏极相连，晶体管N1和N2的栅极相连，晶体管N1的源极接地，晶体管N2的源极通过电阻R5接地，晶体管N1的栅极和漏极互连。晶体管P7的源极接电源端Vc，漏极接晶体管P2的漏极，栅极连接至所述检测电路的输出端A。所述晶体管P1和P2构成电流镜，晶体管P1上流过的电流等于(VGSN1-VGSN2)/R5，VGSN1为晶体管N1的栅源压差，VGSN2为晶体管N1的栅源压差。所述晶体管P7向晶体管N1的漏极注入电流帮助所述电流源402启动。所述电流源404在所述电源端Vc的电压大于第一阈值Vth1时才开始启动以产生电流。

[0047] 在一个实施例中，所述检测电路402包括PMOS晶体管P3和电阻R6。所述晶体管P3的源极与所述电源端Vc相连，其漏极通过电阻R6与地相连，其栅极与电流源404中的晶体管P1的栅极相连以与晶体管P1形成电流镜。晶体管P3和电阻R6的中间节点作为其输出端A。在电流源404中的晶体管P1没有电流时，所述晶体管P3也没有电流，这样输出端A就被拉低为低电平(此例中开启电平为低电平)，在所述电流源404中的晶体管P1有电流时，所述晶体管P3也有电流，这样输出端A就被拉高为高电平(此例中截止电平为高电平)。

[0048] 在一个实施例中，所述比较输出电路406包括PMOS晶体管P4、P5和P6、NMOS晶体管N3、N4、N5和N6以及反相器INV2。晶体管P4和P6的源极与电源端Vc相连，晶体管P4和P6的栅极互相连接并与晶体管P1的栅极相连。晶体管P5、N3和N4依次串联在晶体管P4的漏极和地之间，并且它们各自的栅极和漏极相连。所述晶体管N5的漏极与晶体管P6的漏极相连，其源极接地，其栅极接晶体管N4的栅极。所述反相器INV2的输入端接晶体管N5的漏极，输出端为比较输出电路406的输出端B。所述晶体管N6与晶体管N3并联，其栅极与输出端B相连。晶体管P4和P6与晶体管P1构成电流镜，所述晶体管N4和晶体管N5构成电流镜，其中晶体管P4和P6的宽长比之比大于晶体管N4和晶体管N5的宽长比之比，比如晶体管P4和P6的宽长比之比为：1∶1，晶体管N4和晶体管N5的宽长比之比为1∶2。

[0049] 在所述电源端Vc的电压小于第一阈值Vth1时，所述电流源404中未产生电流，所述输出端B的状态不确定。在所述电源端Vc的电压大于Vth1且小于第二阈值Vth2时，所述电流源404中产生电流，由于电源端Vc的电压较低，不能驱动晶体管P4、P5、N3和N4的支路，因此晶体管N4上并未有电流流过，相应的晶体管N5也就不会有电流流过，然而此时，晶体管P6上却能够提供镜像电流。根据电流竞争的原理，晶体管P6的漏极的电压会被拉高，经过反相器反相后，输出端B输出稳定的低电平(此例中开启电平为低电平)。在所述电源端Vc的电压大于第二阈值Vth2时，由于电源端Vc的电压较高，能驱动晶体管P4、P5、N3和N4的支路，因此晶体管N4开始有电流流过，相应的晶体管N5上也会有电流流过，此时晶体管P6也能够提供镜像电流，然而由于晶体管P4和P6的宽长比之比大于晶体管N4和晶体管N5的宽长比之比，因此晶体管P6上提供的电流要小于晶体管N5上流过的电流。根据电流竞争的原理，晶体管P6的漏极的电压会被拉低，经过反相器反相后，输出端B输出稳定的高电平。

[0050] 所述第二阈值Vth2的值与晶体管P4的支路上漏栅相连的晶体管的数目及宽长比直接相关。在输出端B输出低电平时，所述晶体管N6截止，在输出端B输出高电平时，所述晶体管N6导通，所述晶体管N6就与晶体管N3形成了并联的晶体管，这样该晶体管N3的栅漏的导通电压就会下降，从而给所述比较输出电路带来迟滞效应，使得所述电源端Vc的电压在低于所述第二阈值Vth2时不会使输出端B的输出电平发生翻转，而是在所述电源端Vc的电压在低于所述第三阈值Vth3时，所述输出端B的输出电平才发生翻转。

[0051] 这样，通过第一输出端A和第二输出端B的结合，所述电压检测电路400就可以在0至第二阈值Vth2所有范围内都能输出确定的开启电平，实现了无死区电压检测。

[0052] 图5为图2中的电流输出电路的一个实施例500的电路示意图。所述电流输出电路500包括PMOS晶体管MP1和MP2以及电流源I1。所述晶体管MP1和MP2的源极接电荷泵的输出电压VCHP，栅极互相连接，晶体管MP1的栅极与漏极相连。所述晶体管MP1和MP2构成电流镜，所述晶体管MP1的漏极通过所述电流源I1与地相连，所述晶体管MP2的输出端作为所述电流输出电流的电流输出端。所述电流输出电路还可以是其他方式，例如也可仅为一个电阻，一端接VCHP，另一端接VB。

[0053] 图6为本发明中的电源转换器的另一个实施例600中的电路示意图。所述电源转换器200与电源转换器600的区别在于：后者将启动电阻R1的一端直接连接到了电源端Vc，而未像前者一样连接到功率晶体管的基极上。这样，在电源端Vc的电压小于第四阈值Vth4(电荷泵的最低工作电压)时，由流过启动电阻R1的电流给所述偏执电容C1充电，而无放大特性，在电源端Vc的电压大于第四阈值Vth4且小于第二阈值Vth2时，功率晶体管Q1放大注入电流Ib得到放大电流(1+α)*Ib，该放大电流和流过启动电阻R1的电流一起为所述电容C1充电。

[0054] 本发明中的“连接”、“相连”、“接到”等相关词汇均指间接或直接电性连接。上述说明已经充分揭露了本发明的具体实施方式。需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于所述具体实施方式。