晶圆缺陷的检测方法

摘要

一种晶圆缺陷的检测方法，包括如下步骤：将晶圆定位：获取晶圆的缺口的顶点，调整晶圆的位置使缺口移动到预定的位置和方向；扫描整个晶圆，获取并记录缺陷的位置：以所述顶点为参照建立坐标系，将缺陷的位置以坐标表示并记录；读取缺陷的位置，根据缺陷的位置找到对应的缺陷；复查缺陷，确定每个缺陷的类型，直到所有的缺陷处理完毕。在晶圆上以缺口的顶点为参照建立坐标系，可将缺陷的位置在晶圆上唯一确定，可以将扫描过程中记录的缺陷的位置用于复查过程，而不必要在扫描过程中边扫描边复查，提高了扫描效率，以及保障机台的使用寿命。

权利要求

1.一种晶圆缺陷的检测方法，包括如下步骤：将晶圆定位：获取晶圆的缺口的顶点，调整晶圆的位置使缺口移动到预定的位置和方向；

扫描整个晶圆，获取并记录缺陷的位置：以所述顶点为参照建立坐标系，将缺陷的位置以坐标表示并记录；

读取缺陷的位置，根据缺陷的位置找到对应的缺陷；

复查缺陷，确定每个缺陷的类型，直到所有的缺陷处理完毕；

所述坐标系为极坐标系，所述扫描整个晶圆获取并记录缺陷的位置的步骤包括如下步骤：对晶圆表面逐步扫描；

以缺口的顶点为极点，垂直于顶点所在直径且延伸方向为晶圆扫描起始点所在方向的射线为极轴，在晶圆表面建立极坐标系；

若发现缺陷点，则测量缺陷点在所述极坐标系内的坐标；

为缺陷分配标识，并对应该标识记录所述坐标；

继续扫描直到整个晶圆扫描完毕。

2.如权利要求1所述的晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，读取缺陷的位置的步骤进一步包括如下步骤：取缺陷的标识；

读取该缺陷的标识下的坐标，根据所述坐标在晶圆表面的极坐标系内确定缺陷所在的位置。

3.如权利要求1至2中任一项所述的晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，将晶圆定位的步骤中进一步包括如下步骤：在晶圆的圆周上印制标记，所述标记与晶圆的缺口位于晶圆同一直径的两端；

根据所述标记和顶点，利用平面内两点对准的方法将晶圆的位置唯一确定。

4.如权利要求3中所述的晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，所述标记为激光标记。

说明书

晶圆缺陷的检测方法

【技术领域】

[0001] 本发明涉及半导体制造工艺中晶圆缺陷的检测方法，尤其是涉及一种在无图形的晶圆上检测缺陷的方法。【背景技术】

[0002] 晶圆的缺陷对产品良率有致命的影响，所以如何侦测并改善晶圆缺陷在半导体制程中具有重大影响。

[0003] 晶圆的缺陷检测一般包括两个主要的步骤：扫描和复查。扫描是对整个晶圆进行扫描，预先确定缺陷的数量和位置，复查时根据之前确定的缺陷的数量和位置找到缺陷并辨别缺陷的类型，以采取相应的措施。

[0004] 对于刻有图形的晶圆，由于其上会刻有特殊图形用于对准和定位，故扫描过后就能够记录缺陷的位置，然后在复查时根据特殊图形来定位，准确找到缺陷的位置。

[0005] 而对于未刻图形的晶圆光片，不能在扫描完成之后再进行复查，因为即使扫描到缺陷，但是无法在复查时进行定位。解决的办法就是在扫描的过程中，对找到的缺陷立即进行复查。如果缺陷较多，势必会造成扫描过程的频繁中断。【发明内容】

[0006] 鉴于此，有必要针对传统的晶圆光片缺陷检测方法无法在扫描完成后进行复查的问题，提供一种晶圆缺陷的检测方法，能够记录缺陷位置，并在随后的复查步骤中对缺陷定位。

[0007] 一种晶圆缺陷的检测方法，包括如下步骤：将晶圆定位：获取晶圆的缺口的顶点，调整晶圆的位置使缺口移动到预定的位置和方向；扫描整个晶圆，获取并记录缺陷的位置：以所述顶点为参照建立坐标系，将缺陷的位置以坐标表示并记录；读取缺陷的位置，根据缺陷的位置找到对应的缺陷；复查缺陷，确定每个缺陷的类型，直到所有的缺陷处理完毕；所述坐标系为极坐标系，所述扫描整个晶圆获取并记录缺陷的位置的步骤包括如下步骤：对晶圆表面逐步扫描；以缺口的顶点为极点，垂直于顶点所在直径且延伸方向为晶圆扫描起始点所在方向的射线为极轴，在晶圆表面建立极坐标系；若发现缺陷点，则测量缺陷点在所述极坐标系内的坐标；为缺陷分配标识，并对应该标识记录所述坐标；继续扫描直到整个晶圆扫描完毕。

[0008] 在晶圆上以缺口的顶点为参照建立坐标系，可将缺陷的位置在晶圆上唯一确定，可以将扫描过程中记录的缺陷的位置用于复查过程，而不必要在扫描过程中边扫描边复查，提高了扫描效率，以及保障机台的使用寿命。

[0009] 优选地，读取缺陷的位置的步骤包括如下步骤：取缺陷的标识；读取该缺陷的标识下的坐标，根据所述坐标在晶圆表面的极坐标系内确定缺陷所在的位置。

[0010] 优选地，将晶圆定位的步骤中包括如下步骤：在晶圆的圆周上印制标记，所述标记与晶圆的缺口位于晶圆同一直径的两端；根据所述标记和顶点，利用平面内两点对准的方法将晶圆的位置唯一确定。

[0011] 优选地，所述标记为激光标记。【附图说明】

[0012] 图1为晶圆缺陷的检测方法的处理流程图；

[0013] 图2为晶圆外部示意图；

[0014] 图3为扫描并获得缺陷坐标的处理流程图；

[0015] 图4为读取坐标并定位缺陷位置的处理流程图；

[0016] 图5定位晶圆位置的处理流程图。【具体实施方式】

[0017] 如图1所示，是一种晶圆缺陷的检测方法的处理流程图。该方法包括如下步骤：

[0018] S10：将晶圆定位：获取晶圆的缺口的顶点，调整晶圆的位置使缺口移动到预定的位置和方向。

[0019] 如图2所示，为晶圆10的外部示意图。晶圆10为圆形片状，在其边缘设有缺口11，该缺口11可用于晶圆10在光刻等制程中的定位。在利用缺口11将晶圆10定位时，涉及缺口11的检测步骤，并确定缺口11的顶点12。为便于利用扫描获得的缺陷位置，每次晶圆10进入机台时所放置的方位都保持一致，这样扫描所获得的位置信息不需要经过转换就能在复查时直接使用。

[0020] S20：扫描整个晶圆，获取并记录缺陷的位置。在本实施例中，复查缺陷不必要在扫描过程中进行，而是在扫描时将缺陷的位置记录，这样就可以一次完成晶圆的扫描，而不必中止扫描过程。

[0021] S30：读取缺陷的位置，根据缺陷的位置找到对应的缺陷。将S30中存储的缺陷的位置读取出来，并根据该位置信息在晶圆上找到缺陷。

[0022] S40：复查缺陷，确定缺陷的类型。将机台的光头移动到缺陷的位置，对缺陷一一进行复查。

[0023] S50：判断是否是最后一个缺陷，如果是，则结束处理；如果否，则转入步骤S50，对下一个缺陷进行复查。

[0024] 在上述的步骤S30中，如图3所示，进一步详细的处理方法包括如下步骤：

[0025] S21：从晶圆表面起始位置开始逐步扫描。扫描采用晶圆固定，扫描装置移动的方式。

[0026] S22：在晶圆表面建立坐标系。本实施方式的坐标系以极坐标系为例，以缺口11的顶点为极点，垂直于顶点所在直径且延伸方向为晶圆扫描起始点所在方向的射线为极轴。如图3所示，若以通过缺口11的顶点的直径将晶圆10表面分为左右两半，则该极坐标系极轴的方向向右，晶圆10上每一点都可以用极坐标(ρ，θ)唯一确定。其中ρ为晶圆上某点13到顶点的距离，θ为顶点到该点13的射线与极轴的夹角。在其他实施方式中，还可以以晶圆的圆心为极点，圆心到缺口11的顶点的方向为极轴的方向建立极坐标系；另外也可以以缺口11的顶点为参照建立直角坐标系，例如以晶圆的圆心为原点，圆心到缺口11的顶点的方向为X轴的方向建立直角坐标系。

[0027] S23：对发现缺陷测量缺陷点在所述极坐标系内的极坐标。

[0028] S24：为缺陷分配标识，记录该标识对应极坐标。为后续读取以及分辨的方便，将缺陷分配标识，同时表示该缺陷位置的极坐标也与缺陷标识对应。如定义第一个缺陷为defect1(ρ1，θ1)。如可将上述数据用表格存储，在表格的两栏内分别对应缺陷标识和极坐标。

[0029] S25：继续扫描直到整个晶圆10扫描完毕。至此可获得晶圆10上所有缺陷的位置信息。

[0030] 在上述的步骤S40中，如图4所示，进一步详细的处理方法包括如下步骤：

[0031] S31：取缺陷的标识。按照缺陷数据存储的顺序依次读取缺陷标识。

[0032] S32：读取该缺陷的标识下的极坐标，根据所述极坐标在晶圆10表面的极坐标系内确定缺陷所在的位置。在晶圆10的位置保持不变的情况下，读取缺陷的极坐标后就能根据极坐标将缺陷定位。

[0033] 从上述存储缺陷位置，然后读取的步骤中可以看到，扫描和复查时晶圆10保持在机台中位置的一致非常必要，可以让在扫描过程中的位置数据在复查时即可直接使用，而不需要经过转换。因此在定位晶圆时，如图5所示，还可以优选地采取如下步骤：

[0034] S11：在晶圆的圆周上印制标记14。标记14与缺口12位于晶圆10同一直径的两端。按照晶圆10在机台中常规的放置方式，将缺口12置于预定的方位也可以把晶圆10定位，但是有可能造成定位不准的问题。因此在晶圆10上印制额外的标记14，辅助晶圆定位。优选地，该标记为激光标记。

[0035] S12：根据所述标记14和顶点12，利用平面内两点对准的方法将晶圆的位置唯一确定。在机台的晶圆底座上设置对准点，然后将标记14和顶点12与对准点对准将晶圆10位置唯一确定。

[0036] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。