一种含硅芴的新型聚硅烷转让专利

申请号 : CN201110022503.5

文献号 : CN102093565B

文献日 :

基本信息:

PDF:

法律信息:

相似专利:

发明人 : 罗穗莲胡扬山张力古玉伟石光侯琼

申请人 : 华南师范大学

摘要 :

本发明公开了一种含硅芴的新型聚硅烷。聚合物中包括一种硅芴化合物,还包括从乙醇、硝基溴苯、三甲基溴硅烷、苯并噻二唑等选取的化合物。本发明独特的结构使其在溶解性、热稳定性、紫外吸收和荧光等方面呈现出特有的性质。基于其独特的性能,在光致抗蚀剂、光致引发剂、波导器、光导体和非线性光学材料等方面有广阔的应用前景。

权利要求 :

1.一种苯基封端含硅芴的聚硅烷的制备方法,其特征在于该聚合物具有如下化学结构式:

所述的R1和R2为苯基,具体是在如下制备过程中用官能化卤苯代替乙醇,官能化卤苯为溴苯:

60ml经过纯化处理的四氢呋喃,2g钾,和0.2g18-冠-6醚加入到四口瓶中,在氩气环境下回流打成钾砂,滴加9,9-二氯硅芴,30min内完成;颜色变成紫黑色,70℃回流24h,加入适量无水乙醇终止反应,并让乙氧基成为封端剂,加入25mL体积分数为5%的盐酸水解,再水洗分层,萃取,除去大部分溶剂得到暗棕黄色粘稠状液体,用正己烷提取得到棕黄色粘稠状液体,剩余物用乙酸乙酯溶解,得到不同分子量分布的聚合物。

说明书 :

一种含硅芴的新型聚硅烷

技术领域

[0001] 本发明涉及有机高分子聚合物领域。

背景技术

[0002] 聚硅烷是一类链骨架中仅含硅原子的聚合物,其Si-Si链s键电子的非定域化使得s电子可以沿着主链广泛离域,其独特的结构使其在溶解性、热稳定性、紫外吸收、热致变色和荧光等方面呈现出特有的性质。基于其独特的性能,在光致抗蚀剂、光致引发剂、波导器、光导体和非线性光学材料等方面有广阔的应用前景。另外,聚硅烷还是制备SiC、Si3N4等陶瓷的前驱体,高温裂解制备碳化硅陶瓷材料是其重要用途之一,主要是制备耐高温抗氧化碳化硅陶瓷纤维,或者制备碳/碳-碳化硅复合材料以提高碳/碳的抗氧化性能。当具有离域大p键共轭体系引入聚硅烷侧基后,可与具有空3p电子轨道的硅原子发生dp-pp 相互作用,增强Si-Si键的s电子离域性。同时具有较好的溶解性和光热稳定性。曹镛等(CN 200510033100.5)公开了一种含硅杂环戊二烯的共轭聚合物及其在制备发光二极管、平板显示器、太阳能光伏电池、有机场效应晶体管中的应用。高等学校化学学报 2007 28(8)1586 报道了聚 (3, 6-硅芴) , 其光致发射( Photoluminescence, PL)峰在360 nm左右, 光学带隙大于316 eV .他们合成的聚硅芴中含有螺硅芴结构。来国桥等开了一种 含稠环基聚硅烷制备方法(CN 200510061319.6)。

发明内容

[0003] 本发明提供一种含硅芴的新型聚硅烷。
[0004] 一种含硅芴的新型聚硅烷,该聚合物具有如下化学结构式:
[0005] 。
[0006] 进一步的,所述的R1和R2选自烷基、烷氧基、苯基、硝基苯基、苯并噻二唑基和酞菁类基团。
[0007] 本发明独特的结构使其在溶解性、热稳定性、紫外吸收和荧光等方面呈现出特有的性质。基于其独特的性能,在光致抗蚀剂、光致引发剂、波导器、光导体和非线性光学材料等方面有广阔的应用前景。

附图说明

[0008] 图1是实施例1制备的乙氧基封端含硅芴基聚硅烷的FT-IR谱图;
[0009] 图2是实施例1制备的乙氧基封端含硅芴基聚硅烷的H-NMR图;
[0010] 图3是实施例3制备的甲基封端含硅芴基聚硅烷的IR图谱;
[0011] 图4是实施例3制备的甲基封端含硅芴基聚硅烷的H-NMR图谱;
[0012] 图5是实施例4制备的苯基封端含硅芴基聚硅烷的IR图谱;
[0013] 图6是实施例4制备的苯基封端含硅芴基聚硅烷的H-NMR图谱;
[0014] 图7是实施例1制备的乙氧基封端含硅芴聚硅烷的紫外光谱和荧光光谱;
[0015] 图8是实施例3制备的甲基封端含硅芴聚硅烷荧光发射和激发光谱;
[0016] 图9是实施例4制备的苯封端含硅芴聚硅烷荧光发射和激发光谱。

具体实施方式

[0017] 二溴联苯的合成:
[0018] 按 化学试剂2008 30(7)519 公开的方法制备二溴联苯。将11.80g (0.05mol)邻二溴苯,加入到Ar气保护的史莱克瓶中。加入100 mL经无水处理的四氢呋喃,冷却至-78 ℃左右,剧烈搅拌下,逐滴加入15.8 mL n-BuLi的正己烷溶液(1.6 mol/L) , 20 min滴加完后,低温搅拌2h,撤去液氮浴,反应过夜,反应液变为棕黄色。用40 mL体积分数为5%的盐酸水解,分离有机层,水层用适量无水乙醚萃取3次。合并有机层,无水Na2 SO4干燥,过滤,旋蒸出大部分溶剂。剩余物用15 mL乙醇处理,冷却后析出固体。抽滤后固体用无水乙醇重结晶得白色纯产物。熔点为79~80 ℃。经H-NMR和熔点测定分析为目标产物。
[0019] 二溴联苯锂的制备:
[0020] 按Journal American Chemical Society 2002 124 49 公开的方法制备二溴联苯锂。取实施例1反应得到的二溴联苯(2g,6.4mmol) 加入到Ar气保护的史莱克瓶中,加入30ml经过无水处理的乙醚中,冷却至-78 ℃,加入9ml n-BuLi的正己烷溶液(1.6 mol/L),30min滴加完毕,转移到充满氩气的漏斗中,经减压过滤得到澄清液体,得到二溴联苯锂。
[0021] 9,9-二氯硅芴的制备:
[0022] 按Journal American Chemical Society 2002 124 49 公开的方法制备9,9-二氯硅芴.向干燥的四口瓶中加入40ml经处理的无水乙醚,0.085mol四氯化硅,确保四氯化硅过量。控制温度为-95 ℃左右,开始滴加实施例2中的二溴联苯锂,30min内滴加完毕,继续低温搅拌4h,然后常温过夜,得到淡黄色溶液。减压,加热除去未反应的四氯化硅和无水乙醚。然后把剩余物溶解在四氢呋喃中,用上面方法,氩气环境中过滤除去固体物质,得到9,9-二氯硅芴。
[0023] 9,9-二溴硅芴的制备:
[0024] 同上,只需用四溴化硅代替四氯化硅。
[0025] 以下实施例是对本发明所提出的合成产物的特性说明。但本发明将不限于所列之例。
[0026] 实施例1
[0027] 乙氧基封端含硅芴基聚硅烷的制备:
[0028] 60ml经过纯化处理的四氢呋喃,2g钾,和0.2g18-冠-6醚加入到四口瓶中,在氩气环境下回流打成钾砂,滴加实施例3的9,9-二氯硅芴,30min内完成。颜色变成紫黑色,70℃回流24h,加入适量无水乙醇终止反应,并让乙氧基成为封端剂,加入25mL体积分数为
5%的盐酸水解,再水洗分层,萃取,除去大部分溶剂得到暗棕黄色粘稠状液体,用正己烷提取得到棕黄色粘稠状液体,剩余物用乙酸乙酯溶解。得到不同分子量分布的聚合物。
[0029] 图1是本实施例制备的乙氧基封端含硅芴基聚硅烷的FT-IR谱图,对应数据:-1 -1 -1 -1 -1 -1
485cm ,Si-Si;3077cm ,C6H4-H;2919 cm , CH3,2866 cm , CH2;1029 cm ,1083 cm ,1127 -1
cm ,Si-O-C,Si-Ph;图2是本实施例制备的乙氧基封端含硅芴基聚硅烷的H-NMR图,对应数据:dCH30.92~2.11,d CH2 3.57~3.87, d C6H56.94~7.49;经H-NMR和IR分析为目标产物。
[0030] 实施例2
[0031] 乙氧基封端含硅芴基聚硅烷的制备:
[0032] 同实施例1,只需用9,9-二溴硅芴代替9,9-二氯硅芴。
[0033] 实施例3
[0034] 甲基封端含硅芴基聚硅烷的制备:
[0035] 同实施例1,用三甲基卤硅烷代替乙醇。本实施例中,三甲基卤硅烷中卤原子为氯原子,用其它卤原子如溴、碘等也可以制备甲基封端含硅芴基聚硅烷。
[0036] 图3是本实施例制备的甲基封端含硅芴基聚硅烷的IR图谱,对应数据:493 -1 -1 -1 -1 -1 -1cm ,Si-Si;3079cm ,3025cm ,C6H5-H;2972 cm , CH3,2898 cm , CH2;1036 cm ,1078 -1 -1 -1 -1 -1
cm ,1104 cm ,Si-Ph; 802 cm ,738 cm ,685 cm ,Ph;图4是本实施例制备的甲基封端含硅芴基聚硅烷的H-NMR图谱,对应数据:d CH3,0.31~0.85; dC6H5 ,7.05~7.65;经H-NMR和IR分析为目标产物。
[0037] 实施例4
[0038] 苯基封端含硅芴基聚硅烷的制备:
[0039] 同实施例1,只需用官能化卤苯代替乙醇 。本实施例中官能化卤苯为溴苯,官能化卤苯中卤原子也可以为碘、氯、氟;本实施例的官能团为NO2-,也可以为 NH2- 、苯并噻唑、酞-1菁等。图5是本实施例制备的苯基封端含硅芴基聚硅烷的IR图谱,其对应数据:525 cm ,-1 -1 -1 -1 -1
Si-Si;3079 cm ,3046 cm ,C6H5-H;691 cm ,738 cm ,Ph;1111 cm ,Si-Ph;图6是本实施例制备的苯基封端含硅芴基聚硅烷的H-NMR图谱,对应数据:d C6H5,7.19~7.66;经H-NMR和IR分析为目标产物。
[0040] 将上述实施例产物以约0.01mmol/L的浓度溶于氯仿中, 聚合物的光致发光( PL)光谱在Fluorolog23型荧光光谱仪上测定。由图7-9所示,这些含硅芴的聚硅烷在300-450nm处有强而窄的发射峰,色纯度高,在450nm波长以上几乎为透明,可以考虑用作光通信传输器件。