显示装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种显示装置与显示装置的制造方法。所述显示装置具有：布置了多个沟槽并且设置了有机保护膜的区域，以及没有设置沟槽和有机保护膜的、在设置了沟槽的区域周围的区域，所述多个沟槽沿所述显示区域的轮廓被布置以沿与所述显示区域的轮廓相交的方向延伸，所述有机保护膜被设置为覆盖所述沟槽。

权利要求

1.一种显示装置，包括：

基板；

显示区域，在所述显示区域中，多个发光元件设置在所述基板上；

覆盖所述显示区域的有机保护膜；和

覆盖所述有机保护膜的无机保护膜；

该显示装置具有：

沟槽区域，在所述沟槽区域中布置了多个沟槽并且设置了所述有机保护膜，所述多个沟槽沿所述显示区域的轮廓被布置，其中所述多个沟槽中的每一个沿从所述显示区域到所述基板的轮廓的方向延伸，所述有机保护膜被设置为覆盖所述沟槽；和在所述沟槽区域周围的无沟槽区域，在所述无沟槽区域中没有设置沟槽和有机保护膜。

2.根据权利要求1的显示装置，其中，所述沟槽的宽度为5μm～100μm。

3.根据权利要求1的显示装置，其中，所述沟槽之间的间隔为5μm～10μm。

4.根据权利要求1的显示装置，其中，没有设置沟槽的区域中的最外表面包含无机材料。

5.一种显示装置的制造方法，包括以下的步骤：形成显示区域，在所述显示区域中，多个发光元件设置在基板上；

沿所述显示区域的轮廓形成多个沟槽，其中所述多个沟槽中的每一个沿从所述显示区域到所述基板的轮廓的方向延伸到预先确定的位置；

形成覆盖所述显示区域的有机保护膜；和形成覆盖所述有机保护膜的无机保护膜；

其中，形成所述有机保护膜的步骤是通过涂覆有机保护膜材料形成有机保护膜的步骤，并且包括以下的子步骤：涂覆有机保护膜材料，使得其端部位于所述沟槽之上；和使有机保护膜材料散布到所述预先确定的位置。

6.根据权利要求5的显示装置的制造方法，其中，形成沟槽的步骤使用光刻法。

说明书

显示装置及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及用有机保护膜和无机保护膜密封的显示装置。

背景技术

[0002] 近来，使用自发射有机发光元件的显示装置作为轻薄型的显示装置受到关注。使用有机发光元件的显示装置的主要问题之一是它们对于水分和氧的耐久性(resistance)。如果水分和氧侵入显示装置中，那么它们使构成有机发光元件的有机化合物层材料劣化并在显示装置中形成称为暗斑的死区，从而降低其显示性能。

[0003] 作为用于提高显示装置对于水分和氧的耐久性的方案，已知通过层叠有机保护膜和无机保护膜形成的密封结构。在该密封结构中，无机保护膜阻挡水分，并且有机保护膜被设置为使显示装置的表面中的凸凹(irregularity)平滑化，使得不在无机保护膜中出现缺陷。因此，有机保护膜形成为至少覆盖设置有机发光元件的区域，而无机保护膜形成在比有机保护膜大的区域中以覆盖有机保护膜并在有机保护膜周围的区域中接触由无机材料形成并且被设置在有机发光元件下面的部件。这防止水分从有机保护膜的表面、从有机保护膜周围的区域、以及从有机发光元件的底部侵入。

[0004] 涉及用于通过湿处理(涂敷处理)形成有机保护膜(缓冲层)的技术的日本专利公开No.2005-251721(专利文献1)公开了具有用于阻止有机保护膜材料流出预先确定的区域的框架部分的显示装置。这允许仅在必要的区域中形成有机保护膜，由此确保足够的有机保护膜周围的、无机保护膜接触由无机材料形成并被设置在有机发光元件下面的部件的区域。

[0005] 诸如分配或印刷的基于湿处理的成膜技术尽管具有下述的问题，但是与使用真空装置的基于干处理的成膜技术相比，在成本上是有利的。

[0006] 图8是通过层叠有机保护膜10和无机保护膜11密封的显示装置的端部的示意性截面图。有机保护膜10形成为覆盖显示区域A。无机保护膜11在比有机保护膜10大的区域中形成，以覆盖有机保护膜10并在有机保护膜10周围的区域中接触支撑基板1。在这种情况下，支撑基板1由无机材料形成。

[0007] 如果有机保护膜10由湿处理形成，那么，根据有机保护膜材料的粘性(viscosity)及其对于支撑基板1的湿润性(wettability)，在其端部处形成倾斜部分B。例如，由于通过湿处理的膜形成的位置精度包含±m的误差，因此，如果形成有机保护膜10的端部的位置被设为从显示区域A向外偏移倾斜部分B的宽度b的位置E，那么在从位置E向显示区域侧偏移距离m的位置F和向相反侧偏移距离m的位置G之间的不确定位置处形成有机保护膜10的端部。如果在位置F处形成有机保护膜10的端部，那么有机保护膜10的倾斜部分B与显示区域A重叠。这导致倾斜部分B处的图像劣化，因为倾斜部分B局部地使外部光的反射畸变。因此，有机保护膜10必须被形成为使得倾斜部分B不与显示区域A重叠。

[0008] 因此，一种可能的方法是，将形成有机保护膜材料的端部的位置设为从位置E向远离显示区域A的一侧分离距离m的位置G，使得有机保护膜10的端部即使其位置由于工艺误差最大程度地偏向显示区域侧也不位于位置E内。在这种情况下，显示区域A外面的区域(框架区域)所需要的宽度d由以下的不等式表示：

[0009] d≥b+2m+c ...(1)

[0010] 这里，c是有机保护膜10周围的、无机保护膜11接触由无机材料形成并被设置在有机发光元件下面的部件的区域所需要的宽度。不等式(1)表示，考虑由于湿处理导致的误差即±m，除了框架区域所需要的最小宽度(即b+c)以外，需要2m的额外宽度。

[0011] 根据专利文献1，通过设置框架部分并涂覆具有高的流动性(liquidity)的有机保护膜材料，可以可靠地在预先确定的区域中形成有机保护膜的端部，同时防止有机保护膜材料流出预先确定的区域。这样，不需要在有机保护膜材料的涂覆中考虑误差m。但是，为了用具有高的流动性的材料形成具有足以使显示装置的表面中的凸凹平滑化的厚度的有机保护膜，必须形成具有相当于有机保护膜的厚度的高度的框架部分。根据专利文献1，通过使用高度粘性材料的分配或丝网印刷在预先确定的位置处设置框架部分。在设置框架部分的步骤中对于框架区域，考虑到由于湿处理导致的误差(即2m)，这需要额外的宽度，从而导致与上述问题相同的问题。另外，该技术具有这样一种问题，即，由于使用的材料需要约1～30cp的粘度以使得它可散布(spread)到框架部分，因此适于有机保护膜的材料受到限制。

[0012] 使用有机发光元件的显示装置由于能够实现轻薄型化而常常被用于移动装置的显示器。除了轻薄型化以外，形成窄的框架区域即减小框架宽度和降低成本是移动装置的显示器的主要挑战；在专利文献1中公开的技术没有实现框架宽度的充分减小。

发明内容

[0013] 为了解决以上的问题，根据本发明的各方面的有机发光显示装置包括：基板；显示区域，在所述显示区域中，多个发光元件设置在所述基板上；至少覆盖所述显示区域的有机保护膜；以及，覆盖所述有机保护膜的无机保护膜。该显示装置具有：布置了多个沟槽并且设置了所述有机保护膜的区域，所述多个沟槽是沿所述显示区域的轮廓布置的以使所述多个沟槽沿与所述显示区域的轮廓相交的方向延伸，所述有机保护膜被设置为使得所述有机保护膜覆盖所述沟槽；以及，没有设置沟槽和有机保护膜的、设置了沟槽的区域周围的区域。

[0014] 另外，根据本发明的各方面的显示装置的制造方法包括以下步骤：形成显示区域，在所述显示区域中，多个发光元件设置在基板上；沿所述显示区域的轮廓形成多个沟槽以使所述沟槽沿与所述显示区域的轮廓相交的方向延伸到预先确定的位置；形成覆盖所述显示区域的有机保护膜；以及，形成覆盖所述有机保护膜的无机保护膜。形成所述有机保护膜的步骤是通过涂覆有机保护膜材料形成有机保护膜的步骤，并且包括以下子步骤：涂覆有机保护膜材料，使得其端部位于所述沟槽之上；以及，使有机保护膜材料散布到所述预先确定的位置。

[0015] 在根据本发明的显示装置中，即使形成有机保护膜的位置偏离由于湿处理导致的误差，也可使用沟槽以将有机保护膜材料散布到预先确定的位置，由此允许以高的再现性涂覆有机保护膜材料。这导致处理裕度(margin)的减小，使得能够以低成本制造具有更窄的框架区域的显示装置。

[0016] 参照附图阅读示例性实施例的以下说明，本发明的其它特征将变得清晰。

附图说明

[0017] 图1A、图1B和图1C分别是示意性表示根据本发明的第一实施例和例子1的显示装置的顶视图、截面图和截面图。

[0018] 图2A和图2B分别是示意性表示根据本发明的第二实施例的显示装置的顶视图和截面图。

[0019] 图3A、图3B和图3C分别是示意性表示根据本发明的第三实施例和例子3的显示装置的顶视图、截面图和截面图。

[0020] 图4A～4C是表示根据本发明的例子1的显示装置的第一有机绝缘膜和上部电极的截面图。

[0021] 图5A和图5B是表示根据例子2的显示装置的制造工艺的示图。

[0022] 图6A和图6B是本发明中的沟槽的截面图。

[0023] 图7A和图7B是本发明中的沟槽图案的平面图。

[0024] 图8是示出现有技术的问题的示图。

具体实施方式

[0025] 现在将参照附图描述根据本发明的实施例的显示装置和这种装置的制造方法。在附图中，相同的部件始终由相同的附图标记和字母表示，并且，已经描述过一次的部件的描述以下将被省略。

[0026] 第一实施例

[0027] 首先，将描述根据第一实施例的显示装置的结构，这里，分离地描述显示区域和框架区域。

[0028] 显示区域的结构

[0029] 图1A是根据第一实施例的显示装置的角部的平面图。出于解释的目的，在图1A中露出第二有机绝缘膜6。图1B是向其添加了密封膜的沿图1A中的线IB-IB切取的截面图。图1C是沿图1A中的线IC-IC切取的部分截面图。用于驱动显示元件的多个像素电路2被布置在支撑基板1上的显示区域A中。像素电路2的表面被无机绝缘膜3和用于使源自电路系统的凸凹平滑化的第一有机绝缘膜4覆盖，并且在其上面设置与像素电路2对应的多个像素电极5。像素电极5通过接触孔与相应的像素电路2连接。像素电极5的边缘被第二有机绝缘膜6覆盖。包含发光层的有机化合物层7被设置在像素电极5上没有被第二有机绝缘膜6覆盖的区域中以接触像素电极5。在有机化合物层7上设置上部电极8。包含像素电极5、上部电极8和保持在其间的有机化合物层7的被虚线包围的结构是有机发光元件9。

[0030] 有机发光元件9被有机保护膜10和无机保护膜11覆盖。有机保护膜10意图在于使显示区域A中的包含源自元件结构的凸凹和源自在制造过程中沉积于表面上的外来物质的凸凹的表面凸凹平滑化。因此，有机保护膜10可具有5μm～30μm的厚度。被有机保护膜10平滑化的显示区域A被高度防水的无机保护膜11覆盖，使得没有水分从外面侵入。由于极薄的膜不提供足够的防水性能，并且极厚的膜会由于膜应力破裂，因此无机保护膜11可具有约0.5μm～3μm的厚度。另外，可以在有机保护膜10和上部电极8之间形成无机基膜。如果形成无机基膜，那么它减少传送到比上部电极8更接近基板侧的膜的随着有机保护膜材料硬化出现的硬化收缩力和在硬化之后留下的膜应力，由此防止膜剥离。无机基膜可具有约0.1μm～3μm的厚度。

[0031] 框架区域的结构

[0032] 下面将描述显示装置的框架区域O-S的结构。在附图中，位置O是显示区域A的端部，位置S是支撑基板1的端部，位置P是显示区域侧的沟槽区域的端部，位置R是基板端部侧的沟槽区域的端部，以及位置Q是位置P和R之间的某位置。虽然图1A～1C没有示出，但是在框架区域O-S中设置诸如用于驱动像素电路2的周边电路和布线的部件。

[0033] 框架区域O-S包含：设置多个沟槽12的沟槽区域P-R，以及不设置沟槽的、沟槽区域P-R周围的无沟槽区域R-S。沟槽12沿显示区域A的轮廓被布置在沟槽区域P-R中，以沿与显示区域A的轮廓相交的方向从显示区域A附近的位置P延伸到预先确定的位置R。无沟槽区域R-S在沟槽区域P-R周围，并且，通过由无机材料形成的部件限定无沟槽区域R-S中的最外表面。例如，由诸如玻璃的无机材料形成的支撑基板1的表面可以在无沟槽区域R-S中被露出，或者，如图1A～1C所示的那样在显示区域A中形成的无机绝缘膜3可形成为延伸到无沟槽区域R-S并限定其中的最外表面。

[0034] 不在无沟槽区域R-S中形成有机保护膜10，但在位置R的显示区域侧形成有机保护膜10。无机保护膜11覆盖有机保护膜10并延伸到无沟槽区域R-S。由于无机保护膜11接触无沟槽区域R-S中的由无机材料形成的部件，因此，无机保护膜11实现高的粘接性，由此防止膜剥离，并且还通过由有机材料形成的部件切断来自侧面和显示元件的底部的水分侵入路径。根据形成显示区域A的内部结构所需要的处理裕度的尺寸设置区域O-P。

[0035] 下面将更详细地描述设置在沟槽区域P-R中的沟槽12。如果涂覆有机保护膜材料以使得其端部位于沟槽区域P-R中(即，在沟槽12之上)，那么有机保护膜材料沿沟槽12散布到预先确定的位置R。这样，即使在湿处理中出现误差，也允许在预先确定的位置R处可靠地形成有机保护膜10的端部。虽然在本实施例中通过将与显示区域A中的第二有机绝缘膜6相同的部件延伸到框架区域O-R来形成沟槽12，但是可通过使用第二有机绝缘膜6以外的材料形成沟槽12。例如，可通过使用第一有机绝缘膜4、无机绝缘膜3、布线材料、或它们的组合形成沟槽12。

[0036] 有机保护膜材料沿沟槽12散布到预先确定的位置R的机制是由于毛细管作用。由于适于本发明的有机保护膜材料的粘度为50cp～250cp，因此沟槽12的宽度可以为
5μm～100μm。沟槽12的深度可以为100nm或更大。由于较窄的间隔使得能够更容易地散布有机保护膜材料，因此沟槽12之间的间隔可以为5μm～10μm。沟槽12的宽度和其间的间隔可以如图1那样是恒定的，或者，可在上述的预先确定的范围内变化。另外，沟槽
12的截面形状不必如图1C那样从顶部到底部具有均匀的宽度，而可以是如图6A那样从顶部到底部具有变化的宽度，或者，可以如图6B那样在沟槽12的底部处弯曲。并且，只要沟槽12沿与由有机保护膜10的端部R描绘的线相交的方向被布置，沟槽12就如图7A那样不必与由有机保护膜10的端部R描绘的线垂直，或者就如图7B那样不必为直线状的。但是，如果与由有机保护膜10的端部R描绘的线垂直地形成直线状沟槽12，那么有机保护膜材料可在短时间内散布到预先确定的位置R。

[0037] 具有沟槽12的显示装置所需要的框架宽度d可根据情况由湿处理引起的误差m与倾斜部分B的宽度b之间的关系表示如下：

[0038] (i)如果2m≤b，那么d≥b+c

[0039] (ii)如果2m＞b，那么d≥2m+c ...(2)

[0040] 如果将不等式(2)与代表在现有技术中需要的框架宽度d的不等式(1)相比较，那么可以在情况(i)中实现2m的框架宽度的减小，并且可以在情况(ii)中实现b的框架宽度的减小。

[0041] 在根据第一实施例的显示装置中，如上所述，在形成有机保护膜10的端部的位置附近设置的沟槽12允许在位置R处可靠地形成有机保护膜10的端部。从位置R到显示区域A的距离被设为等于或大于倾斜部分B的宽度，以使得有机保护膜10的倾斜部分B不与显示区域A重叠，由此避免图像劣化。另外，可以在沟槽区域P-R周围可靠地设置无沟槽区域R-S，以切断来自侧面和显示元件的底部的水分侵入路径。

[0042] 第二实施例

[0043] 图2A和图2B是表示根据本发明的第二实施例的显示装置的示图。图2A是根据第二实施例的显示装置的角部的平面图。出于解释的目的，在图2A中露出第二有机绝缘膜6。图2B是对其添加了密封膜的沿图2A中的线IIB-IIB切取的截面图。第二实施例与第一实施例的不同之处在于，在沟槽区域P-R周围设置堤状物(bank)13。如果设置堤状物13，那么散布到沟槽12的端部的有机保护膜材料进一步沿堤状物13散布，由此形成具有均匀的端部形状的有机保护膜10。另外，由于堤状物13还具有阻止有机保护膜材料的效果，因此它适于与具有相对低的粘性的有机保护膜材料一起使用。堤状物13可与沟槽12的端部分开约5μm～50μm的距离而不是与其接合。如果堤状物13和沟槽12的端部之间的距离太大，那么有机保护膜材料不能到达堤状物13。虽然在图2A和图2B中通过使用第二有机绝缘膜6形成沟槽12和堤状物13，但是可通过使用不同的材料形成它们。例如，可通过使用第一有机绝缘膜4、无机绝缘膜3、电极、或它们的组合形成沟槽12和堤状物13。

[0044] 如果设置堤状物13，那么有机保护膜10形成为延伸到堤状物13的周边位置T。在这种情况下，无机保护膜11接触由无机材料形成的部件的区域T-S可被设置在堤状物13周围，以切断来自密封结构的侧面和显示元件的底部的水分侵入路径。

[0045] 第三实施例

[0046] 图3A～3C是表示根据本发明的第三实施例的显示装置的示图。图3A是根据第三实施例的显示装置的角部的平面图。出于解释的目的，在图3A中露出第二有机绝缘膜6。图3B是对其添加了密封膜的沿图3A中的线IIIB-IIIB切取的部分截面图。图3C是沿图
3A中的线IIIC-IIIC切取的截面图。在第三实施例中，还在沟槽区域P-R中设置第一有机绝缘膜4，以使沟槽12的底面平滑化。该结构防止由诸如设置在框架区域O-S中的周边电路和布线18的部件导致的凸凹通过与沟槽12相交地延伸而阻碍有机保护膜材料沿沟槽12的散布。因此，也可在沟槽区域P-R中设置周边电路和布线18，由此实现框架宽度的进一步的减小。

[0047] 制造方法

[0048] 下面将参照图1A～1C描述根据第一实施例的显示装置的制造方法的例子。

[0049] 可通过已知的方法在由诸如玻璃的无机材料形成的绝缘支撑基板1上形成包含薄膜晶体管(TFT)的像素电路2和周边电路。在其上形成像素电路2的支撑基板1的整个表面上通过已知的真空沉积处理形成无机绝缘膜3之后，通过在空气中使用旋转涂敷机涂覆感光树脂，并且通过加热使感光树脂硬化，由此形成第一有机绝缘膜4。随后，通过光刻法从显示区域A周围的区域去除第一有机绝缘膜4，同时，形成用于连接像素电极5和像素电路2的接触孔。

[0050] 可通过诸如溅射的已知的真空沉积处理形成像素电极5。具体地，通过真空沉积在整个表面上沉积导电材料，并且通过光刻法将导电材料构图成像素。作为结果，像素电极5通过在第一有机绝缘膜4中形成的接触孔与像素电路2连接。以下，其上形成了像素电极5的支撑基板1也被简称为基板。

[0051] 随后，如第一有机绝缘膜4的情况那样，向其上形成了像素电极5的基板的整个表面涂覆第二有机绝缘膜材料，并且通过光刻法将第二有机绝缘膜材料构图。在显示区域A中，第二有机绝缘膜6被构图以覆盖像素电极5的边缘，并在像素电极5的中心具有开口。在框架区域O-S中，通过第二有机绝缘膜6的构图形成沟槽区域P-R，使得沟槽12从位置P延伸到位置R，并且，通过从沟槽区域P-R周围的区域去除第二有机绝缘膜6形成无沟槽区域R-S。沟槽区域P-R和无沟槽区域R-S可形成为包围显示区域A的四个边。如果从显示区域A的端部O到沟槽12的端部(即，形成有机保护膜10的端部的位置R)的距离在不等式(2)中在情况(i)中被设为b或者在情况(ii)中被设为2m，那么框架区域O-S可被最小化。但是，实际上，可以增加约几十到几百微米的处理裕度。如果第二有机绝缘膜6形成为至少覆盖第一有机绝缘膜4的端部，那么可以防止第一有机绝缘膜4在随后的蚀刻步骤中剥离或被腐蚀。在第二有机绝缘膜6的构图之后，基板被充分退火以从第一有机绝缘膜
4和第二有机绝缘膜6去除水分，由此防止后来要沉积的有机化合物材料的劣化。

[0052] 可通过诸如蒸镀、激光转印或涂敷的已知的方法、使用已知的材料形成有机化合物层7。如果通过蒸镀形成有机化合物层7，那么使用具有与第二有机绝缘膜6的开口对应的开口的掩模。至少直到密封无机保护膜11，在控制露点的气氛中实施有机化合物层7的形成之后的处理，以防止水分在处理过程中侵入有机化合物层7中。

[0053] 随后，涂覆有机保护膜材料，使得其端部位于沟槽区域P-R中的位置Q处。在图1A～1C中，位置Q被设为沟槽区域P-R的中心，并且以由湿处理导致的误差m或更大的距离与位置P和位置R分开。即使涂覆有机保护膜材料以使得其端部从位置Q向显示区域侧或相反侧偏离m，也在沟槽12之上形成有机保护膜材料的端部，并且，有机保护膜材料沿沟槽12散布到位置R。作为结果，不管湿处理的位置精度如何，都可以在位置R处可靠地形成有机保护膜10的端部。位置Q不必被设为沟槽区域P-R的中心，而是可以被设定为使得形成有机保护膜10的端部的位置位于沟槽12之上(即使它由于湿处理偏离误差m)。如果有机保护膜10的端部位置R和显示区域A的端部位置O之间的距离比倾斜部分B大，那么倾斜部分B不与显示区域A重叠，由此避免图像劣化。通过加热或UV照射使涂覆的有机保护膜材料硬化，由此形成有机保护膜10。虽然适于湿处理的有机保护膜材料的粘度为50cp～
25000cp，但是，该粘度可以为1cp～2500cp以利用毛细管作用。在本例子中，如果材料是诸如热固型树脂的通过加热粘度暂时降低到1cp～2500cp的材料，那么甚至可以使用在涂覆中具有2500cp～25000cp的粘度的材料。可通过诸如印刷或分配的已知方法涂覆有机保护膜材料。

[0054] 最后，形成无机保护膜11。无机保护膜11形成为覆盖有机保护膜10并且在无沟槽区域R-S上延伸。可通过诸如等离子体增强CVD或溅射的已知的真空沉积处理形成无机保护膜11。

[0055] 可以按与根据第一实施例的显示装置相同的方式制造根据第二实施例和第三实施例的显示装置。对于第二实施例，可通过构图形成堤状物13。对于第三实施例，可以以去除了位置R外面的区域的图案形成第一有机绝缘膜4。

[0056] 例子1

[0057] 现在将参照图4A～4C描述具有与第一实施例的结构相同的结构的显示装置的制造工艺。在本例子中，倾斜部分B的宽度估计为约1mm。

[0058] 首先，将简要描述图4A中的未密封基板的制造工艺。在具有100mm的长度、100mm的宽度和0.5mm的厚度的玻璃基板1上形成包含多晶硅TFT的电路。具体地，在显示区域A中形成像素电路2，并且，在框架区域O-S中形成用于驱动像素电路2的周边电路(未示出)。

[0059] 然后，在其上形成了电路的支撑基板1上通过CVD形成具有700nm的厚度的SiN的无机绝缘膜3。随后，光致抗蚀剂UV硬化丙烯酸树脂通过使用旋转涂敷机被涂覆、被预烘焙，并且通过具有用于从与接触孔和框架区域对应的位置去除丙烯酸树脂的图案的光掩模以1800mW被曝光。通过使用显影剂将丙烯酸树脂从不需要树脂的区域去除，并且以200℃后烘焙丙烯酸树脂，由此形成具有2μm的厚度的第一有机绝缘膜4。作为结果，在显示区域A和形成周边电路或布线14的区域O-P中形成第一有机绝缘膜4。从显示区域A的端部O到第一有机绝缘膜4的端部P的距离为600μm。

[0060] 然后，作为像素电极5，通过溅射形成包含具有100nm的厚度的铝膜和具有50nm的厚度的氧化铟和氧化锌的混合物的膜的多层膜。具体地，在基板的整个表面上形成用于电极的多层膜并且通过光刻法按电极图案将所述多层膜构图，由此形成像素电极5。像素电极5通过在第一有机绝缘膜4中形成的接触孔与像素电路2电连接。

[0061] 然后，通过使用旋转涂敷机在第一有机绝缘膜4和像素电极5上以1.6μm的厚度涂覆第二有机绝缘膜材料(即，聚酰亚胺树脂)。随后，通过光刻法，在显示区域A中形成与像素电极5对应的开口，并且，在框架区域O-S中形成设置沟槽12的沟槽区域P-R和从其去除聚酰亚胺树脂的无沟槽区域R-S。沟槽12的宽度和它们之间的间隔为10μm。由于形成有机保护膜10的工艺的误差被估计为±200μm，因此增加了100μm的处理裕度，因此，沟槽区域P-R的宽度为500μm。在与有机保护膜10的角部对应的区域中形成具有图1A所示的图案的沟槽12。无沟槽区域R-S的宽度为300μm。

[0062] 其上第二有机绝缘膜材料被构图的基板通过在150℃在10-2pa的压力下被加热10分钟而硬化并脱水，由此形成第二有机绝缘膜6，然后在显示区域A中的像素电极5上形成有机化合物层7。通过使用已知的有机材料的电阻加热蒸镀依次形成空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层来形成有机化合物层7。随后，通过溅射在有机化合物层7上形成具有50nm的厚度的氧化铟和氧化锌的混合物的导电层作为上部电极8。

[0063] 然后，作为有机保护膜材料，在露点温度为-60℃的氮气氛中通过丝网印刷涂覆具有2500cp的粘度的热固型环氧树脂。如图4A所示，设计并对准用于涂覆有机保护膜材料的丝网印刷板，以使得开口16的边缘17与沟槽区域P-R的中心位置一致。开口16被由例如乳剂形成的非开口部分15包围，使得有机保护膜材料不粘附到基板。如图4B所示，紧接着印刷之后的环氧树脂的端部位于沟槽区域P-R中的不确定位置处。随后，环氧树脂通过在100℃在真空环境中被加热30分钟而硬化，由此形成具有15μm的厚度的有机保护膜10。如图4C所示，确认硬化的有机保护膜10的端部到达预先确定的位置R(即，沟槽12的端部)。这是由于在用于使环氧树脂硬化的加热步骤中环氧树脂的粘度暂时降低使得它在硬化之前沿沟槽12散布。

[0064] 随后，通过使用SiH4气体、N2气体和H2气体通过等离子体增强CVD沉积氮化硅的无机保护膜11。无机保护膜11具有1μm的厚度，并且形成为覆盖形成有机发光元件的整个显示区域A和整个框架区域O-S。

[0065] 在通过上述的工艺制造的显示装置中，可以在预先确定的位置R处形成有机保护膜10的端部位置。因此，尽管在现有技术中需要1400μm或更大的框架宽度，但是本显示装置的框架宽度可减小到1100μm。另外，由于有机保护膜10的倾斜部分B不与显示区域A重叠，因此本显示装置不遭受图像劣化。

[0066] 例子2

[0067] 除了通过使用与像素电极5相同的部件形成沟槽12、通过使用与第二有机绝缘膜6相同的部件在沟槽区域P-R周围形成堤状物13、并且通过分配形成有机保护膜10以外，以与例子1相同的方式制造显示装置。与例子1相同的步骤的描述将被省略。

[0068] 如例子1那样，作为像素电极5，通过溅射在基板的整个表面上形成具有100nm的厚度的铝膜和具有50nm的厚度的氧化铟和氧化锌的混合物的膜。随后，在显示区域A中以与例子1相同的方式对氧化铟和氧化锌的混合物的膜进行构图，同时，在框架区域O-S中将氧化铟和氧化锌的混合物的膜构图成具有10μm的宽度和10μm的间隔的条带，由此形成沟槽12。在图5A中示出像素电极5的平面图案。随后，如例子1那样，作为第二有机绝缘膜材料，以1.6μm的厚度涂覆聚酰亚胺树脂。随后，通过光刻法，在显示区域A中形成与像素电极5对应的开口，并且在框架区域O-S中形成堤状物13。在图5B中表示第二有机绝缘膜6的平面图案。堤状物13具有10μm的宽度并与沟槽12的端部分开10μm的距离。

[0069] 然后，在具有-60℃的露点温度的氮气氛中通过使用能够精密描绘的分配器(SHOT MINI SL，由Musashi Engineering，Inc.制造)涂覆具有1000Pa·s的粘度的热固型环氧树脂。通过使得分配器的喷嘴沿着沟槽区域P-R的中心位置Q移动，而涂覆环氧树脂，形成环氧树脂的端部。涂覆的环氧树脂立即沿沟槽12散布，并且，当到达沟槽12的端部时，沿堤状物13散布。涂覆的环氧树脂通过在100℃在真空环境中被加热30分钟而硬化，由此形成具有30μm的厚度的有机保护膜10。然后，如例子1那样制造显示装置。

[0070] 通过上述的过程，有机保护膜10可以可靠地形成以到达堤状物13。因此，尽管在现有技术中需要1400μm或更大的框架宽度，但是本显示装置的框架宽度可减小到1120μm。另外，由于有机保护膜10的倾斜部分B不与显示区域A重叠，因此本显示装置不遭受图像劣化。

[0071] 例子3

[0072] 除了以不同的图案形成第一有机绝缘膜4以外，以与例子1相同的方式制造显示装置。第一有机绝缘膜4和第二有机绝缘膜6之间的位置关系如图3A～3C所示。在本例子中，由于由第二有机绝缘膜6形成的沟槽12的底部通过第一有机绝缘膜4被平滑化，因此，周边电路和沟槽12可被设置为相互重叠。

[0073] 在通过上述的工艺制造的显示装置中，可以在预先确定的位置R处形成有机保护膜10的端部位置。因此，尽管在现有技术中需要1400μm或更大的框架宽度，但是本显示装置的框架宽度可减小到与有机保护膜10的倾斜部分B相同的宽度(即，1000μm)。另外，由于有机保护膜10的倾斜部分B不与显示区域A重叠，因此本显示装置不遭受图像劣化。

[0074] 尽管以上描述了使用有机发光元件作为显示元件的显示装置，但是，不管显示元件是什么类型，本发明都可被应用于具有包含有机保护膜的密封结构的显示装置。

[0075] 虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。以下的权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有这样的修改与等同的结构和功能。