高介电材料

摘要

本发明提供一种高介电材料，包括(a)0.6至1重量份的复合粉体，该复合粉体为导电-绝缘复合粉体、导电-半导复合粉体、或上述的组合；(b)58至79重量份的高介电陶瓷粉体；以及(c)20至41重量份的有机树脂。上述高介电材料的介电常数大于100，在适当操作电压下其绝缘电阻大于1MΩ，漏电流小于50毫安，极适于作为埋入式电容性电路板的介电材料。

权利要求

1.一种高介电材料，包括：

0.6至1重量份的复合粉体，该复合粉体为导电-绝缘复合粉体、导电-半导复合粉体、或上述的组合；

58至79重量份的高介电陶瓷粉体；以及

20至41重量份的有机树脂；

其中，该导电-绝缘复合粉体是由不连续的绝缘材料修饰导电粉体的部分表面，且该导电粉体的被修饰的表面与未被修饰的表面比例介于0.4至0.7之间，其中，该导电-半导复合粉体是由不连续的半导体材料修饰导电粉体的部分表面，且该导电粉体的被修饰的表面与未被修饰的表面比例介于0.4至0.7之间。

2.根据权利要求1所述的高介电材料，其中，该导电粉体包括过渡金属、过渡金属合金、碳黑、碳纤维、或上述的组合，且该绝缘材料包括氧化硅。

3.根据权利要求2所述的高介电材料，其中，该碳黑包括高结构碳黑、低结构碳黑、表面具有-COOH或-OH官能团的碳黑、或上述的组合。

4.根据权利要求1所述的高介电材料，其中该半导体材料包括氧化钛、氧化锌、铝氧化锌、或上述的组合。

5.根据权利要求1所述的高介电材料，其中，该高介电陶瓷粉体包括粒径介于30nm至

2μm之间的BaTiO3、Ba(Sr)TiO3、SrTiO3、NPO、含有金属离子掺杂物的上述组成、或上述的组合。

6.根据权利要求1所述的高介电材料，其中，该有机树脂包括环氧树脂、酚树脂、或上述的组合。

7.根据权利要求6所述的高介电材料，其中，该环氧树脂包括双酚A类环氧树脂、环状脂肪族环氧树脂、萘基环氧树脂、联苯基环氧树脂、酚醛环氧树脂、或上述的组合。

8.根据权利要求6所述的高介电材料，还包括1.8至2.5重量份的高分子分散剂、1.0至1.5重量份的高分子柔软剂、3.5至5.0重量份的固化剂、或上述的组合。

9.根据权利要求8所述的高介电材料，其中，该高分子分散剂含有胺基/氨基，包括聚酰胺、聚酰胺-酰亚胺、聚脲、聚氨酯、或上述的组合。

10.根据权利要求8所述的高介电材料，其中，该高分子柔软剂包括含羟基的高分子树脂、含羧基的高分子树脂、含丙烯基的高分子树脂、含胺基/氨基的高分子树脂、含脂肪链的环氧树脂、或上述的组合。

11.根据权利要求8所述的高介电材料，其中，该固化剂包括双胺、双酐、酚树脂、或上述的组合。

12.根据权利要求1所述的高介电材料，其作为电容性印刷电路板的介电材料。

说明书

高介电材料

技术领域

[0001] 本发明涉及一种高介电材料组成，还特别涉及组成中的导电-绝缘复合粉体和/或导电-半导复合粉体。

背景技术

[0002] 为了要满足电子产品高功能化、高速高频的需求，必需增加电子构装基板上的主动组件及被动组件。这使得电路板面积增加且成本提高。为了达到轻薄短小的需求，势必引起电路与组件密度增加，造成电磁干扰与噪声增加、且降低可靠度。为了解决这一问题，需要改良被动组件，例如电容的整合(integration)。为了达到上述目的，兼具高分子的机械性质与陶瓷高介电性质的高分子-陶瓷复合材料是这种电容材料的最佳选择，它也是目前国内外埋入式电容介电材料发展的主要趋势。这几年埋入式电容技术大量被讨论，虽然埋入式被动组件技术的开发已逐步进入产品实际应用阶段，但实际上仍有很大的进步空间，也成为近年来相关公司厂商积极争取的技术领域，而专利的发表也出现了百家争鸣的景象。

[0003] 为了增加埋入式电容介电材料的应用，如何提高复合材料的介电常数是目前这类型材料开发的瓶颈与重点。单纯的陶瓷虽具有高介电常数，但分散在环氧树脂中的陶瓷粉体由于偶极排列不规则，会使得电偶极偏极化的效应被抵销。仅通过添加高含量高介电常数的陶瓷粉体来提供复合材料的介电常数值是相当有限的，而且添加量过高将使得基板的机械性质降低，与铜箔间的接着力将大幅下降，因此在原本高分子-陶瓷复合材料中添加导电性纳米粉体提供了增进介电常数的另一途径。但导电粉体的增加还将同时增加材料系统的介电常数而导致漏电流的增加，这会降低材料的稳定性及可靠度，并限制其在电子产业的应用需求。现阶段相关性专利所披露的大多为电容制作方法、粉体种类及配方树脂等，并未针对兼具低漏电流(Leakage Current)、高介电常数、及高电容密度等特性的结构及材料配方进行探讨。

[0004] 本发明的重点在于揭露具有高介电常数(DK＞100)的有机/无机混成材料，其中添加导电-半导性和/或导电-绝缘复合粉体取代导电性粉体(碳黑)。此外，本发明强调可以在高介电常数下对其绝缘电阻以及漏电流进行控制，其有别于其它公司或单位的专利。在此提出几篇与本案相关的专利或论文，并比较其与本案的差异，以彰显本发明的特色。

[0005] 文献中常用于碳材料表面改性TiO2的手法为溶胶凝胶法(sol-gel)以及水热法，由于水热法需要在高温高压的条件下进行反应，因此以sol-gel的方法最为常用，Sigmund等人(Adv.Mater.2009，21，1-7)今年于advancedmaterial期刊上发表一篇利用溶胶凝胶法在纳米碳管(carbon nanotube)的表面包覆TiO2层将其应用在光触媒催化的领域，Dong-Hwang Chen等人(Nanotechnology，2009，20，105704)也利用相同的手法在Ag、NiAg纳米粒子的表面包覆TiO2增加该材料在可见光的光催化效率。另外Rutlsdge等人(Adv.Mater.2009，21，1252-1256)则是利用LbL的方法在纳米纤维表面吸附上TiO2的纳米粉体直接省略了后段水解的步骤，并将这种类型的材料应用在防护衣(protective clothing system)、传感器(sensor)等领域。

[0006] 在美国专利US5830930中，Cabot公司揭露了一种应用于橡胶增强材料的双相纳米填料(CSDPF：carbon/silicon dual phase fillers)，利用高温下含硅化合物的蒸汽改性碳黑，其可为四乙氧基硅烷(TEOS：tetra-ethyl-ortho-silicate)、四甲氧基硅烷(TMOS：tetra-methyl-ortho-Silicate)，其填充的SS-BR(溶聚丁苯橡胶)三元纳米复合材料中，由于填料形成的网络结构少，填料与填料间作用力小，填料与基质SSBR间作用力大。其碳黑经改性后未经清洗，直接与橡胶混合，Si含量较高且仅提及在橡胶产业之应用。

[0007] 在美国专利US7137423及US7351763中，The Goodyear Tire&Rubber公司揭露了应用于橡胶产业的碳黑，其填充材料组成为(1)35～95phr或50～95phr的硅醇(Silanol)官能化的碳黑表面，硅胶表面有-OH(Si-OH)；(2)5～65phr或5～50phr合成的非定形或沉淀型的SiO2与未改性的碳黑混合，且利用限定链长结构的特殊偶合剂再与改性碳黑反应以提高与树脂间的兼容性。上述方法以混合硅胶方式改善碳黑填充的特性。

[0008] 在日本专利JP 1101375中，TOKAI RUBBER公司揭露了应用于橡胶产业的改性导体材料，如碳粉体、碳纤维、氧化锌导电粉体等，其比电阻(specificresistance)小于106Ω·cm，其是利用比电阻大于1012Ω·cm的偶合剂(couplingagent)如硅烷为主的偶合剂(silane-based coupling agent)、钛为主的偶合剂(titanium-based coupling agent)、或铝为主的偶合剂(aluminate-base couplingagent)等，以提高导体材料的比电阻。因此经过硅烷改性的碳黑粉体大都应用在橡胶产业当中，与本发明的应用领域有明显的差异。

发明内容

[0009] 本发明提供一种高介电材料，包括(a)0.6至1重量份的复合粉体，该复合粉体为导电-绝缘复合粉体、导电-半导复合粉体、或上述的组合；(b)58至79重量份的高介电陶瓷粉体；以及(c)20至41重量份的有机树脂。

附图说明

[0010] 图1是表示TiO2修饰碳黑的TEM照片。

[0011] 图2是表示TiO2修饰碳黑的XRD谱图。

[0012] 图3是表示SiO2修饰碳黑的TEM照片。

[0013] 发明的具体实施方式

[0014] 由于导电性 纳米粉体于 施加电场时 所产生的界 面偏极化作 用(interfacialpolarization mechanism)，使可移动的电荷受界面阻扰或被材料拘留住，并利用纳米微粒的高表面积以强化该作用，提供了增进高分子-陶瓷复合材料介电常数的途径。但上述做法会同时增加复合材料系统的介电损耗，导致漏电流的增加而局限这类材料的应用性。本发明首先提供导电粉体如过渡金属、过渡金属合金、碳黑、碳纤维、或上述的组合，其中，碳黑包括高结构碳黑、低结构碳黑、表面具有-COOH或-OH官能团的碳黑、或上述的组合。接着在导电粉体表面修饰一层不连续的半导体材料如金属氧化物氧化钛、氧化锌、铝氧化锌、或上述的组合，以形成导电-半导复合粉体，或在导电粉体表面修饰一层不连续的绝缘材料如氧化硅以形成导电-绝缘复合粉体。所谓不连续，即修饰的半导体材料或绝缘材料并不完全包覆导电粉体，而会露出部分导电粉体表面。在一实施例中，导电粉体的被修饰的表面与未被修饰的表面比例介于0.4至0.7之间。若导电粉体被修饰的表面比例高于上述范围甚至被完全修饰，则会丧失原本导电粉体的功效，使得Dk值的提升不如预期。但若导电粉体被修饰的表面比例低于上述范围，则粉体的特性趋近导电粉体，无法达到降低漏电流的功效。

[0015] 在一实施例中，可采用高导电性的碳黑粉体，在其表面修饰半导体材料TiO2所使用的方法为layer-by-layer(简称LbL)，利用静电吸引力的方式将相反电性的前驱物吸附在导电碳黑粉体的表面，因为前驱物本身具有相反的电性，因此可经由自组装(self-assembly)的方式依次吸附在碳黑的表面。实验中所使用的TiO2前驱物为TALH(Titanium(IV)bis(ammoniumlactato)dihydroxide(二(2-羟基丙酸)二氢氧化二铵合钛))，与一般形成TiO2的前驱物如Ti(OH)4或Ti(OR)4相比具有下列优点：TALH在室温下为相当稳定的水溶性化合物、水解的过程容易控制。综合而言，可以降低水解过程的温度，且避免因外在环境的影响(PH值、溶剂种类、酸碱性)降低再现性，并提高可靠度。随着吸附层数的改变，可调控外围包覆层的厚度与前驱物的含量，接着再经由高温煅烧的步骤将前驱物中的有机部分烧掉。煅烧的过程中PDADMAC(polydiallyldimethylammonium chloride(聚二甲基二烯丙基氯化铵))会烧掉，只留下前驱物TALH中的钛离子转变成氧化钛结构以修饰粉体的部分表面，形成导电-半导复合粉体。该复合粉体的结构以及表面形貌均经过XRD、TEM的鉴定，证明不连续的氧化钛层修饰部分碳黑表面。

[0016] 在一实施例中，可采用高导电性的碳黑粉体，并在其表面修饰绝缘材料SiO2。取前驱物如四乙氧基硅烷(TEOS：tetra-ethyl-ortho-silicate，购自Fisher Chemical)进行前处理并清洗烘干，催化剂可为盐酸、硫酸、硝酸、醋酸、氨水等，溶剂为甲醇、乙醇、丙醇等低级醇类，处理后以120℃～220℃烘干后，得到不连续氧化硅层修饰的导电碳黑复合粉体。

[0017] 在一实施例中，导电粉体如碳黑先经氧化锌前驱物预处理，做法如下：先用氧化锌前驱物如醋酸锌(zinc acetate dihydrate，Zn(CH3COO)2·2H2O)、过氯酸锌(zinc perchlorate hexahydrate，(Zn(ClO4)2·6H2O)对导电碳黑进行前处理并清洗烘干，催化剂可为氢氧化钠、氢氧化钾、氨水等，溶剂为甲醇、乙醇、丙醇等低级醇类，处理后以120℃～220℃烘干后，得到不连续氧化锌层修饰的导电碳黑复合粉体。

[0018] 取上述部分表面修饰的导电粉体取代原先添加的高导电性碳黑粉体，搭配高介电陶瓷材料混掺入有机树脂中，可有效改善高介电有机/无机混成材料在高频下高漏电流与低绝缘电阻的问题。其组成配方包括：

[0019] (a)导电-绝缘复合粉体或是导电-半导性复合粉体，或上述的组合；

[0020] (b)高介电陶瓷粉体；以及

[0021] (c)20至41重量份的有机树脂。

[0022] 以20至41重量份的有机树脂为基准，复合粉体的重量比例介于0.6至1重量份，而高介电陶瓷粉体的重量比例介于58至79重量份。若复合粉体的重量比例过高，则介电常数和漏电流会伴随着增加。若复合粉体的重量比例过低，则介电常数的增加会不足。若高介电陶瓷粉体的重量比例过高，则会影响后续步骤的加工性。

[0023] 上述高介电陶瓷粉体可为BaTiO3、Ba(Sr)TiO3、SrTiO3、NPO、含有金属离子掺杂物的上述组成、或上述的组合，其粒径介于30nm至2μm之间。上述有机树脂可为酚树脂、环氧树脂、或上述的组合，其中，环氧树脂包含双酚A类环氧树脂、环状脂肪族环氧树脂、萘基环氧树脂、联苯基环氧树脂、酚醛环氧树脂、或上述的组合。

[0024] 在本发明一实施例中，上述高介电材料可进一步包含3.5至5.0重量份的固化剂、1.8至2.5重量份的高分子分散剂、1.0至1.5重量份的高分子柔软剂、或上述的组合。固化剂可为双胺、双酐、酚树脂、或上述的组合，其作用在于提高环氧树脂之间的交联密度。若固化剂的添加量超过上述范围，则树脂的热稳定性会变差。高分子分散剂含有胺基/氨基，可为聚酰胺、聚酰胺-酰亚胺、聚脲、聚氨酯、或上述的组合，其作用在于与粉体具有良好的附着性且又与有机树脂之间具有优良的兼容性或些许反应性，可大幅提高材料系统的耐热性与稳定性。若高分子分散剂的添加量超过上述范围，则残留过多的分散剂也会影响材料系统的热稳定性。高分子柔软剂可为含羟基的高分子树脂、含羧基的高分子树脂、含丙烯基的高分子树脂、含胺基/氨基的高分子树脂、含脂肪链的环氧树脂、或上述的组合，其作用在于维持材料系统的柔软性达到后段工序加工性的需求。

[0025] 本发明将探讨不同修饰比例与添加不同含量的导电-半导性复合粉体对复合材料介电性质与漏电流性质的影响，所得到的高介电混成物可介由传统玻璃纤布含浸方式、精密涂布技术或是网版印刷技术而制得高介电材料，其介电常数大于100，在操作电压下其绝缘电阻大于1MΩ，漏电流小于50毫安，极适于作为电容性电路板的介电材料。

[0026] 为了使本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举数个实施例配合所附图示，作详细说明如下。实施例

[0027] 实施例1-2的粉体

[0028] 将10g的导电碳黑(购自Degussa，粒径约为30nm)置入100毫升(5wt％)的TALH水溶液，搅拌24小时后过滤清洗数次并烘干，接着将此表面含有TALH吸附的导电碳黑置入400℃的烘箱高温煅烧2小时，煅烧过程中会除去前驱物TALH中的有机官能团，并形成不连续的TiOx结构修饰在导电碳黑表面，即本发明的导电-半导复合粉体。经过XRD、TEM的鉴定，上述不连续的氧化钛层仅修饰部分碳黑表面而非完全包覆碳黑。

[0029] 实施例3-5的粉体

[0030] 将10g的导电碳黑(购自Degussa，粒径约为30nm)置入100毫升(5wt％)之TALH水溶液，搅拌24小时后过滤清洗数次并烘干，接着将此表面含有TALH吸附的导电碳黑重新分散在200ml预先配制的PDADMAC(1mgml-1，0.01M NaCl)水溶液中，搅拌24小时之后，过滤清洗数次并烘干，接着再将此表面含有TALH/PDADMAC吸附的导电碳黑重新分散在100毫升(5wt％)的TALH水溶液中，重复交替的进行这些实验的流程步骤可以得到所需要层数TiO2包覆的复合粉体。

[0031] 实施例6-7的粉体

[0032] 将10g的导电碳黑置入500毫升的0.7wt％TEOS、0.7wt％去离子水、及0.03wt％催化剂(NH4OH)的酒精溶液，60℃下搅拌2小时后过滤清洗数次并烘干，接着将此表面含有SiOx吸附的导电碳黑置入210℃的烘箱高温煅烧2小时，煅烧过程中会除去前驱物TEOS中的有机官能团，并形成不连续的SiOx结构修饰在导电碳黑表面，即本发明的导电-半导复合粉体。经过XRD、TEM的鉴定，上述不连续的二氧化硅层仅修饰部分碳黑表面而非完全包覆碳黑。

[0033] 将10g的导电碳黑置入500毫升的0.20wt％的醋酸锌(zinc acetatedihydrate，Zn(CH3COO)2·2H2O)、0.05wt％的催化剂(KOH)的甲醇溶液，60℃下搅拌2小时后过滤清洗数次并烘干，接着将此表面含有ZnO吸附的导电碳黑置入210℃的烘箱高温煅烧2小时，煅烧过程中会除去前驱物二水合醋酸锌中的有机官能团，并形成不连续的ZnO结构修饰在导电碳黑表面，即本发明的导电-半导复合粉体。经过XRD、TEM的鉴定，上述不连续的二氧化硅层仅修饰部分碳黑表面而非完全包覆碳黑。

[0034] 高介电材料的制备方式：

[0035] 在 本 发 明 中，首 先 将 环 氧 树 脂，包 括 双 酚 A二 缩 水 甘 油 醚(bisphenol-Adiglycidyl ether)【828EL、Shell Chem】、四 溴 双 酚 A二 缩 水 甘 油醚(tetrabromodisphenol-A diglcidyl ether)【EPICLON 153、DIC】、环状脂肪族环氧树脂(cycloaliphatic epoxy resin)【EPPN-502H、日本化药】、多官能团环氧树脂(multifunctional epoxy resin)【EPICLON HP 7200H、DIC】，加入适量的DMF(环氧树脂∶DMF＝4∶1)，而后加热至90℃～95℃使环氧树脂完全溶解，降温到室温，使其成为树脂溶液。

[0036] 按照表1的比例取适量树脂溶液加入约占整体树脂1.8～2.5重量份的高分子分散剂及DMF/甲苯作为混合溶剂，搅拌均匀之后加入实施例1-7的复合粉体或比较例1-2中未修饰的导电粉体，使用均质机高速分散之后升温到80℃再加入适量的固化剂二胺基二苯砜(Diaminodiphenyl sulfone，简称DDS，购自ACROS)，以及适量的催化剂三氟化硼-乙基胺(Boron trifluoridemono-ethylamine，简称BF3-MEA，购自ACROS)。当固化剂及催化剂完全溶解于树脂溶液后，再加入适量的高分子柔软剂，其约占实际组成的1.0～1.5重量份，待其完全溶解而后降至室温，使其成为修饰或未修饰的碳黑/树脂复合材料。

[0037] 将高介电陶瓷粉体(BaTiO3)加入上述碳黑/树脂复合材料，以高速搅拌均匀，形成本发明的高介电复合材料混和溶液(如表1所示)。将所配制的不同组成比例的高介电复合材料混和溶液涂布于铜箔上，并使用烘箱将溶剂赶掉有效控制树脂的B-Stage，使其部分固化(partially cure)形成背胶铜箔RCC，并分别将此背胶铜箔与铜箔使用热压机进行高温压合固化，形成电容性基板材料，最后分别测试其电气特性，归纳于表2。

[0038] 表1实施例与比较例的高介电材料组成

[0039]组成(g) 比较例1 比较例2 实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5
碳黑/树脂binder 21.66 21.51 21.66 21.51 21.51 21.51 21.51
固化剂 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3
催化剂 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04
分散剂1) 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0
柔软剂2) 1.52 1.52 1.52 1.52 1.52 1.52 1.52
未修饰的导电粉体 0.86 1.20 无 无 无 无 无
LbL修饰层数 0 0 1* 1* 3* 3* 3*
导电-半导性复合粉体 无 无 0.86 1.20 1.20 1.20 1.20
陶瓷粉体 100 99.5 100 99.5 99.5 99.5 99.5

[0040]组成(g) 实施例6 实施例7
碳黑/树脂binder 20.06 20.51
固化剂 2.1 2.1
催化剂 0.05 0.06
分散剂1) 1.11 1.11
柔软剂2) 0.69 0.69
纯碳黑 无 无
LbL修饰层数 SiO2 ZnO
导电-半导性复合粉体 0.533 0.528
陶瓷粉体 34.6 34.4

[0041] 1)分散剂：FDA-11

[0042] 2)柔软剂：羧基丁腈橡胶CTBN*

[0043] 在表1中，指的是不连续的层状氧化钛修饰导电碳黑的部分表面，其氧化碳的修饰结构可为单层(实施例1-2)或三层(实施例3-5)。至于不连续的层状氧化硅(SiO2，实施例6)及氧化锌(ZnO，实施例7)，其修饰结构均为单层。

[0044] 表2实施例与比较例的电性测试

[0045]

[0046]电气特性 实施例5 实施例6 实施例7
电容值(F) 3.7×10-9 1.19×10-8 1.30×10-8
介电常数(1MHz) 113 417 469
介电损耗(1MHz) 0.222 0.1712 0.2118
厚度(μm) 27 31 32
操作电压(V) 10 10 10
漏电流密度 5×10-5 1.51×10-3 1.09×10-2
2
(A/mm)
绝缘电阻(Ω) 2.0×106 6.61×103 9.21×102
剥离强度(1b/in) 5.6 5.0 5.1

[0047] 比较例1、2所使用的是没有经过表面改性的导电碳黑，当粉体的添加量提高时，介电常数/介电损耗也跟着提高(比较例2)。当操作电压0.2V下，其漏电流相当严重(比较例2甚至导通而无法测量)且绝缘电阻非常小。实施例1-7为树脂当中添加不同组成比例的复合粉体之后的结果，从比较例1/实施例1、比较例2/实施例2中看出当添加经过TiO2修饰的复合粉体取代原本导电性粉体之后，其电气特性的差异非常的明显，其中介电常数与介电损耗大幅下降。这是因为碳黑部份表面上修饰不连续的层状TiO2可降低碳黑高表面积的特性，使界面偏极化的机制受到影响而不明显。另一个原因是TiO2的半导体特性会平衡部分导电粉体的特性，而这样的结果同时降低复合材料的漏电流及提高绝缘电阻与操作电压。从实施例3-5中降低Ti前驱物和碳黑比例(1.25to 0.5)或是实施例2-3中增加TiO2修饰的层数，所得结果都符合上述推论。综上所述，本发明可通过添加不同组成的导电-半导性复合粉体来调控复合材料的介电特性，同时可使系统的漏电流降低或维持在可接受的范围，其工序加工性也不会有明显的差异，可完全符合高介电材料的特性如DK＞100、绝缘电阻大于1MΩ、及漏电流小于50Amps。而实施例6-7则分别为在碳黑表面修饰SiO2以及ZnO的结果，由TGA的分析可知经改性后的导电粉体其裂解温度由565℃分别提高为603℃以及596℃，此举应该是二氧化硅或氧化锌成份所致，另外由表2还可发现，经改性的系统的耐受电压的强度已有改善。

[0048] 比较例3与实施例8-10使用的是双层高介电结构，其性质测量如表3所示。比较例3是将比较例2的背胶铜箔与介电常数较低的介电层(DK～50、厚度～9μm)进行双层压合所形成的双层高介电结构，实施例8-10是将实施例2、6、7的背胶铜箔与介电常数较低的介电层(DK～50、厚度～9μm)进行双层压合所形成的双层高介电结构。藉由这样的工序可以大幅降低材料系统的漏电流，并增加绝缘电阻与操作电压，可有效提高其应用性。由以上的结果得知，通过在导电性粉体的表面进行改性所形成的复合粉体的确有提高介电常数并伴随降低漏电流的功效。

[0049] 表3双层电容性基板材料的电性测试

[0050]

[0051] 虽然本发明已将数个优选实施例揭露如上，但这些实施例并非用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，均可作任意更动与润饰，因此本发明的保护范围应以所附的权利要求书界定的范围为准。