半导体器件和包括半导体器件的半导体系统

摘要

本发明涉及一种半导体器件，包括：内部电路，被配置为响应于预定命令来执行指定的操作；正常数据输入/输出部，被配置为响应于数据输入/输出命令来输入/输出与源时钟的中心同步的正常数据；以及数据恢复信息信号输入/出模块，被配置为当进入数据恢复操作模式时，响应于数据输入/输出命令的命令或预定命令来接收和储存与源时钟的边沿同步并具有预定模式的数据恢复信息信号，并且在经过预定的时间段之后输出数据恢复信息信号。

权利要求

1.一种半导体器件，包括：

正常数据输入/输出部，所述正常数据输入/输出部被配置为响应于数据输入/输出命令来输入/输出与源时钟的中心同步的正常数据；以及数据恢复信息信号输入/输出模块，所述数据恢复信息信号输入/输出模块被配置为响应于预定命令来接收与所述源时钟的边沿同步的数据恢复信息信号，并且在经过预定的时间段之后输出所接收的所述数据恢复信息信号。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

命令输入焊盘，所述命令输入焊盘被配置为接收所述预定命令；

数据输入/输出焊盘，所述数据输入/输出焊盘被配置为输入/输出所述正常数据；以及数据恢复信息信号输入/输出焊盘，所述数据恢复信息信号输入/输出焊盘被配置为输入/输出所述数据恢复信息信号。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

命令输入焊盘，所述命令输入焊盘被配置为接收所述预定命令；以及

数据输入/输出焊盘，所述数据输入/输出焊盘被配置为在数据输入/输出模式下输入/输出所述正常数据，而在数据恢复操作模式下输入/输出所述数据恢复信息信号。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述预定命令包括所述数据输入/输出命令。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述数据恢复信息信号输入/输出模块包括：恢复信息输入/输出控制单元，所述恢复信息输入/输出控制单元被配置为响应于所述预定命令和所述源时钟来产生与所述数据恢复信息信号的内部输入时间点相对应的内部输入选通信号，以及产生与所述数据恢复信息信号的内部输出时间点相对应的内部输出选通信号；

数据恢复信息输入/输出单元，所述数据恢复信息输入/输出单元被配置为经由预定的焊盘来输入/输出所述数据恢复信息信号；以及数据恢复信息储存单元，所述数据恢复信息储存单元被配置为响应于所述内部输入选通信号和所述内部输出选通信号来储存所述数据恢复信息信号所述预定的时间段。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述恢复信息输入/输出控制单元包括：恢复信息输入控制部，所述恢复信息输入控制部被配置为响应于所述预定命令来对所述源时钟的触发次数进行计数，以触发所述内部输入选通信号；以及恢复信息输出控制部，所述恢复信息输出控制部被配置为响应于所述内部输入选通信号的触发来对所述源时钟的触发次数进行计数，以触发所述内部输出选通信号。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述数据恢复信息输入/输出单元包括：数据恢复信息输入部，所述数据恢复信息输入部被配置为缓冲经由所述预定的焊盘串行地提供的所述数据恢复信息信号，以将所缓冲的所述数据恢复信息信号与所述源时钟同步地并行化；以及数据恢复信息输出部，所述数据恢复信息输出部被配置为使存储在所述数据恢复信息储存单元中的所述数据恢复信息信号与所述源时钟同步，并经由所述预定的焊盘串行地将同步了的所述数据恢复信息信号输出。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述数据恢复信息储存单元包括：输入储存部，所述输入储存部被配置为响应于所述内部输入选通信号的触发，来储存经由所述数据恢复信息输入部并行地输入的所述数据恢复信息信号；以及输出储存部，所述输出储存部被配置为响应于所述内部输出选通信号的触发，来将存储在所述输入储存部中的数据恢复信息信号串行地提供至所述数据恢复信息输出部。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述数据恢复信息信号的比特数量被确定为与所述正常数据的突发长度相对应。

10.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述源时钟包括：

用于使所述预定命令同步的系统时钟；以及

用于使所述正常数据和所述数据恢复信息信号同步的数据时钟。

11.一种包括在彼此之间传送和接收正常数据的半导体器件和半导体器件控制器的半导体系统，包括：所述半导体器件控制器，所述半导体器件控制器被配置为将数据恢复信息信号与反馈数据恢复信息信号进行比较，并且根据所述数据恢复信息信号与所述反馈数据恢复信息信号的比较结果来调整传送给所述半导体器件的所述正常数据的相位；以及所述半导体器件，所述半导体器件被配置为接收所述数据恢复信息信号，并在经过预定的时间段之后，传送所述数据恢复信息信号作为所述反馈数据恢复信息信号。

12.如权利要求11所述的半导体系统，其中，从所述半导体器件控制器传送给所述半导体器件的所述正常数据与源时钟的中心同步，而所述数据恢复信息信号与所述源时钟的边沿同步。

13.如权利要求11所述的半导体系统，其中，所述半导体器件控制器包括：数据恢复信息比较单元，所述数据恢复信息比较单元被配置为将所述数据恢复信息信号的值与所述反馈数据恢复信息信号的值进行比较，并且根据比较结果来产生恢复信息比较信号；以及正常数据发生单元，所述正常数据发生单元被配置为根据所述恢复信息比较信号来改变所述正常数据的相位，以产生所述正常数据。

14.如权利要求13所述的半导体系统，其中，所述半导体器件包括：正常数据输入/输出部，所述正常数据输入/输出部被配置为输入/输出所述正常数据；以及数据恢复信息信号输入/输出模块，所述数据恢复信息信号输入/输出模块被配置为接收和储存所述数据恢复信息信号，并且在经过预定的时间段之后输出所述数据恢复信息信号作为所述反馈数据恢复信息信号。

15.如权利要求14所述的半导体系统，还包括：

时钟传输路径，所述时钟传输路径设置在所述半导体器件与所述半导体器件控制器之间并被配置为传输源时钟。

16.如权利要求15所述的半导体系统，还包括：

正常数据传输路径，所述正常数据传输路径设置在所述半导体器件与所述半导体器件控制器之间并被配置为传输所述正常数据。

17.如权利要求16所述的半导体系统，还包括：

恢复信息信号传输路径，所述恢复信息信号传输路径被配置为在所述半导体器件与所述半导体器件控制器之间传输所述数据恢复信息信号和所述反馈数据恢复信息信号。

18.如权利要求16所述的半导体系统，其中，在所述正常数据传输路径不传输所述正常数据的操作模式下，所述数据恢复信息信号和所述反馈数据恢复信息信号经由所述正常数据传输路径传输。

19.如权利要求11所述的半导体系统，其中，所述正常数据和所述数据恢复信息信号是在相同的时刻从所述半导体器件控制器向所述半导体器件传送的。

20.一种包括在彼此之间传送和接收正常数据的半导体器件和半导体器件控制器的半导体系统，包括：所述半导体器件控制器，所述半导体半导体器件控制器被配置为根据预定命令来传送数据恢复信息信号到所述半导体器件，并且在经过预定的时间段之后，响应于从所述半导体器件提供的反馈数据恢复信息信号来调整所述正常数据的相位；以及所述半导体器件，所述半导体器件被配置为响应于所述预定命令来接收所述数据恢复信息信号，并在经过预定的时间段之后传送所述数据恢复信息信号作为所述反馈数据恢复信息信号。

21.如权利要求20所述的半导体系统，其中，从所述半导体器件控制器传送给所述半导体器件的所述预定命令与源时钟的中心同步，所述正常数据与所述源时钟的中心同步，所述数据恢复信息信号与所述源时钟的边沿同步。

22.如权利要求21所述的半导体系统，其中，所述预定命令包括数据输入/输出命令。

23.如权利要求22所述的半导体系统，其中，所述半导体器件控制器包括：命令发生部，所述命令发生部被配置为产生所述预定命令；

数据恢复信息比较单元，所述数据恢复信息比较单元被配置为将所述数据恢复信息信号的值与所述反馈数据恢复信息信号的值进行比较，并根据所述数据恢复信息信号与所述反馈数据恢复信息信号的比较结果来产生恢复信息比较信号；以及正常数据发生单元，所述正常数据发生单元被配置为根据所述数据输入命令，根据所述恢复信息比较信号来改变所述正常数据的相位，以产生所述正常数据。

24.如权利要求23所述的半导体系统，其中，所述半导体器件包括：正常数据输入/输出部，所述正常数据输入/输出部被配置为响应于所述数据输入/输出命令来输入/输出所述正常数据；以及数据恢复信息信号输入/输出模块，所述数据恢复信息信号输入/输出模块被配置为响应于所述预定命令来接收和储存所述数据恢复信息信号，并在经过预定的时间段之后输出所述数据恢复信息信号作为所述反馈数据恢复信息信号。

25.如权利要求24所述的半导体系统，其中，所述数据恢复信息信号和所述反馈数据恢复信息信号根据所述预定命令之中的除了所述数据输入/输出命令之外的命令而经由正常数据传输路径被传送。

26.如权利要求20所述的半导体系统，其中，所述正常数据是根据所述数据输入命令，在与根据所述预定命令从所述半导体器件控制器向所述半导体器件传送所述数据恢复信息信号的时刻相同的时刻，从所述半导体器件控制器向所述半导体器件传送的。

27.如权利要求21所述的半导体系统，其中，所述源时钟包括：

用于使所述预定命令同步的系统时钟；以及

用于使所述数据恢复信息信号和所述正常数据同步的数据时钟。

28.一种包括半导体器件和半导体器件控制器的半导体系统的操作方法，包括以下步骤：从所述半导体器件控制器向所述半导体器件传送数据输入命令，并且在经过第一预定时间段之后，从所述半导体器件控制器向所述半导体器件传送与源时钟的中心同步并且相位根据反馈数据恢复信息信号而改变的正常数据；

从所述半导体器件控制器向所述半导体器件传送预定命令，在经过所述第一预定时间段之后从所述半导体器件控制器向所述半导体器件传送与所述源时钟的边沿同步的数据恢复信息信号，并且将所述数据恢复信息信号储存在所述半导体器件中；以及在所述数据恢复信息信号储存在所述半导体器件中后经过第二预定时间段之后，将存储在所述半导体器件中的所述数据恢复信息信号作为所述反馈数据恢复信息信号从所述半导体器件传送至所述半导体器件控制器。

29.如权利要求28所述的方法，其中，所述第一预定时间段和所述第二预定时间段是与所述源时钟同步地确定的。

30.如权利要求28所述的方法，其中，所述预定命令包括所述数据输入命令。

31.如权利要求30所述的方法，其中，传送正常数据的步骤包括以下步骤：从设置在所述半导体器件控制器中的命令输出焊盘向设置在所述半导体器件中的命令输入焊盘传送所述数据输入命令；以及在传送了所述预定命令后经过所述第一预定时间段之后，从设置在所述半导体器件控制器中的正常数据输入/输出焊盘向设置在所述半导体器件中的正常数据输入/输出焊盘传送所述正常数据。

32.如权利要求31所述的方法，其中，传送和储存数据恢复信息信号的步骤包括以下步骤：从设置在所述半导体器件控制器中的命令输出焊盘向设置在所述半导体器件中的命令输入焊盘传送所述预定命令；

在经过所述第一预定时间段之后，从设置在所述半导体器件控制器中的数据恢复信息信号输入/输出焊盘向设置在所述半导体器件中的数据恢复信息信号输入/输出焊盘传送所述数据恢复信息信号；以及将经由所述数据恢复信息信号输入/输出焊盘提供的所述数据恢复信息信号储存在设置在所述半导体器件中的寄存器中。

33.如权利要求31所述的方法，其中，传送和储存数据恢复信息信号的步骤包括以下步骤：从设置在所述半导体器件控制器中的命令输出焊盘向设置在所述半导体器件中的命令输入焊盘传送所述预定命令；

当经由设置在所述半导体器件中的命令输入焊盘传送了所述数据输入/输出命令时，在传送了所述预定命令后经过所述第一预定时间段之后，不传送所述数据恢复信息信号；

以及

当经由设置在所述半导体器件中的命令输入焊盘传送了所述预定命令中的除了所述数据输入/输出命令之外的命令时，在传送了所述预定命令后经过所述第一预定时间段之后，从设置在所述半导体器件控制器中的正常数据输入/输出焊盘向设置在所述半导体器件中的正常数据输入/输出焊盘传送所述数据恢复信息信号。

34.如权利要求28所述的方法，其中，所述预定命令包括自动刷新操作模式进入命令和待机操作模式进入命令。

说明书

半导体器件和包括半导体器件的半导体系统

[0001] 相关申请的交叉引用

[0002] 本申请要求2009年12月29日提交的韩国专利申请No.10-2009-0133039的优先权，其全部内容通过引用合并在本文中。

技术领域

[0003] 本发明的示例性实施例涉及半导体设计技术，更具体而言涉及半导体器件和用于校正写入时钟和写入数据的方法。

背景技术

[0004] 在由多个半导体元件构成的系统中，半导体器件起到储存数据的作用。如果数据处理设备——例如存储控制单元(memory control unit，MCU)——请求数据，则半导体器件输出与请求数据的设备输入的地址相对应的数据，或者将从请求数据的设备提供的数据储存在与地址相对应的位置。

[0005] 当在数据处理设备与半导体器件之间输入/输出数据时，如果半导体系统的操作温度或操作电力改变，则在数据处理设备与半导体器件之间输入/输出的数据的相位可能变化。

[0006] 更详细地，通常是，在数据处理设备与半导体器件之间输入/输出的数据通过与用于传输数据的时钟同步而被输入/输出。就这点而言，当在数据处理设备与半导体器件之间输入/输出数据时，如果半导体系统的操作温度或操作电力改变，则在数据处理设备与半导体器件之间输入/输出的数据的相位与用于传输数据的时钟的相位可能不匹配，使得可能输入/输出具有与初始传输的数据的相位不同的相位的数据。由于这一事实，会导致这样的问题：在数据处理设备与半导体器件之间输入/输出的数据可能被识别为比期望的状态超前或滞后一个周期的状态。也就是说，可能无法传输正常数据。

[0007] 例如，描述一种从数据处理设备传输数据到半导体器件的过程，其中，在数据处理设备中，数据通过与用于传输数据的时钟的中心同步而向半导体器件传输。就这点而言，在传输数据时，如果半导体系统的操作温度或操作电力改变，则数据的相位可能变为与用于传输数据的时钟的相位不匹配。由于这一事实，从半导体器件传输的数据可能不与用于传输数据的时钟的中心同步，并且可能有一些程度的波动而导致超前或滞后。因此，会导致这样的问题：在数据处理设备与半导体器件之间输入/输出的数据可能被识别为比期望的状态超前或滞后一个周期的状态。

[0008] 随着在数据处理设备与半导体器件之间输入/输出的数据的传输频率增大，问题变得越来越严重。也就是说，随着在数据处理设备与半导体器件之间输入/输出的数据的传输频率增大，要传输的数据的窗口长度(window length)变得很短。因此，如果出现半导体系统的操作温度或操作电力改变的现象，则在数据处理设备与半导体器件之间输入/输出的数据可能被识别为比期望的状态超前或滞后一个周期的状态。

发明内容

[0009] 本发明的一个实施例涉及一种半导体器件及其操作方法，无论在半导体器件控制器与半导体器件之间输入/输出数据时，数据的相位是否因半导体系统的操作温度或操作电力的改变而发生变化，所述半导体器件都能够允许始终稳定地在半导体器件控制器与半导体器件之间输入/输出数据。

[0010] 根据本发明的一个实施例，一种半导体器件，包括：内部电路，被配置为响应于预定命令而执行指定的操作；正常数据输入/输出部，被配置为响应于数据输入/输出命令而输入/输出与源时钟的中心同步的正常数据；以及数据恢复信息信号输入/输出模块，被配置为当进入数据恢复操作模式时，响应于数据输入/输出命令的命令或预定命令来接收和储存与源时钟的边沿同步且具有预定模式的数据恢复信息信号，并且在经过预定的时间段之后输出数据恢复信息信号。

[0011] 根据本发明的另一个实施例，一种半导体器件，包括：内部电路，被配置为响应于预定命令而执行指定的操作；正常数据输入/输出部，被配置为从数据输入/输出命令的输入时刻到与系统时钟同步的数据输入/输出时刻，输入/输出与源时钟的中心同步的正常数据；以及数据恢复信息信号输入/输出模块，被配置为当进入数据恢复操作模式时，响应于所述数据输入/输出命令的命令或所述预定命令，在与所述数据输入时刻相同的恢复信息输入时刻，接收和储存与源时钟的边沿同步的并且具有预定形式的数据恢复信息信号，并且在经过响应于数据时钟而确定的预定时间段之后，在恢复信息输出时刻输出所储存的数据恢复信息信号。

[0012] 根据本发明的另一个实施例，一种半导体器件的操作方法包括以下步骤：响应于数据输入命令，接收与源时钟的中心同步的正常数据；以及响应于数据输入命令、数据输出命令或预定命令，接收和储存与源时钟的边沿同步并具有预定模式的数据恢复信息信号，并且在经过预定的时间段之后输出数据恢复信息信号。

[0013] 根据本发明的另一个实施例，一种半导体器件的操作方法包括以下步骤：从数据输入命令的输入时刻到与系统时钟同步的数据输入时刻，接收与数据时钟的中心同步的正常数据；以及响应于数据输入命令、数据输出命令或预定命令，在与所述数据输入时刻处在相同时刻的恢复信息输入时刻，接收和储存与数据时钟的边沿同步并具有预定模式的数据恢复信息信号，并且在经过响应于数据时钟而确定的预定时间段之后，在恢复信息输出时刻输出所储存的数据恢复信息信号。

[0014] 根据本发明的另一个实施例，一种包括半导体器件和半导体器件控制器的半导体系统的操作方法包括以下步骤：从所述半导体器件控制器向所述半导体器件传送数据输入命令，并且在经过第一预定时间段之后，传送与源时钟的中心同步且相位根据反馈数据恢复信息信号改变的正常数据；从半导体器件控制器向半导体器件传送数据输入命令、数据输出命令或预定命令，在经过第一预定时间段之后，传送与源时钟的边沿同步并具有预定模式的数据恢复信息信号，并且将数据恢复信息信号储存在半导体器件中；以及在数据恢复信息信号储存在半导体器件中后经过第二预定时间段之后，从半导体器件向半导体器件控制器传送所储存的数据恢复信息信号作为反馈数据恢复信息信号。

[0015] 根据本发明的另一个实施例，一种包括半导体器件和半导体器件控制器的半导体系统的操作方法包括以下步骤：从半导体器件控制器向半导体器件传送数据输入命令，并且在经过与系统时钟同步的第一预定时间段之后，传送与数据时钟的中心同步且相位根据反馈数据恢复信息信号改变的正常数据；从半导体器件控制器向半导体器件传送数据输入命令、数据输出命令或预定命令，在经过第一预定时间段之后，传送与数据时钟的边沿同步并具有预定模式的数据恢复信息信号，并且将数据恢复信息信号储存在半导体器件中；以及在数据恢复信息信号储存在半导体器件中后经过与数据时钟同步的第二预定时间段之后，从半导体器件传送所储存的数据恢复信息信号到半导体器件控制器作为反馈数据恢复信息信号。

附图说明

[0016] 图1是详细说明根据本发明的一个实施例的半导体器件的框图。

[0017] 图2是说明根据本发明的另一个实施例的包括图1所示的半导体器件的半导体系统的框图。

[0018] 图3是根据图1所示的本发明的实施例的用于在数据写入模式下输入/输出数据恢复信息信号的半导体器件的时序图。

[0019] 图4是根据图1所示的本发明的实施例的用于在数据写入模式和预定的内部操作模式之一下输入/输出数据恢复信息信号的半导体器件的时序图。

具体实施方式

[0020] 下面将参照附图更加详细地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以用不同的方式来实施，并且不应当被理解为限于本文所提出的实施例。确切地说，提供这些实施例是为了使得本说明书将是清楚且完整的，并且将会向本领域技术人员完全传达本发明的范围。在本说明书中，相同的附图标记在本发明的各个附图和实施例中表示相同的部件。

[0021] 图1是详细说明根据本发明的一个实施例的半导体器件的框图。

[0022] 参见图1，根据本发明的一个实施例的半导体器件包括：内部电路10，被配置为响应于预定命令OTHER_CMD来执行预定的操作；正常数据输入/输出部11，被配置为响应于数据输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD来输入/输出与源时钟SOURCE_CLK的中心同步的正常数据NORMAL_DATA；以及数据恢复信息信号输入/输出模块100，被配置为当进入数据恢复操作模式时，响应于预定命令OTHER_CMD接收与源时钟SOURCE_CLK的边沿同步的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG，然后在经过预定的时间段tWCDRL之后输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG。

[0023] 作为参考，数据恢复信息信号输入/输出模块100在进入半导体器件的数据恢复操作模式期间接收并输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG。进入数据恢复操作模式表明数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE已经被激活。虽然图中未直接示出，但是在以下的描述中，数据恢复操作模式将被称作为WCDR_MODE，并且进入数据恢复操作模式将被称作为WCDR_MODE_ENTRY。数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时刻、去激活时刻和激活时间间隔的长度被提前设定在存储寄存器组(memory register set，MRS)15中。虽然预定命令OTHER_CMD可以包括半导体器件的各种操作模式命令以及数据输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD，但是在一个特定的实例中，预定命令OTHER_CMD可以包括作为半导体器件中使用最多电力的操作模式之一的自动刷新操作模式进入命令或者作为半导体器件中使用最少电力的操作模式之一的待机操作模式进入命令。

[0024] 下面进一步详细描述根据本发明的本实施例的半导体器件的组成部件之中的数据恢复信息信号输入/输出模块100的结构，数据恢复信息信号输入/输出模块100包括：恢复信息输入/输出控制单元120，被配置为响应于预定命令OTHER_CMD和源时钟SOURCE_CLK，来产生与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的内部输入时间点相对应的内部输入选通信号WCDR_STROBE和与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的输出时刻相对应的内部输出选通信号DATAOUT_STROBE；数据恢复信息输入/输出单元140，被配置为经由预定的焊盘来输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG；以及数据恢复信息储存单元160，被配置为响应于内部输入选通信号WCDR_STROBE和内部输出选通信号DATAOUT_STROBE，将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG储存预定的时间段。

[0025] 作为参考，数据输入/输出焊盘13和WCDR输入/输出焊盘146均可以用作预先选定的焊盘13或146，因为依赖于半导体器件的设计，用于输入/输出正常数据NORMAL_DATA的焊盘和用于输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的焊盘可以被共享。

[0026] 首先，在现有的半导体器件中，焊盘分为被配置为接收数据输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD和预定命令OTHER_CMD的命令输入焊盘12、被配置为输入/输出正常数据NORMAL_DATA的数据输入/输出焊盘13、和被配置为输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的数据恢复信息信号输入/输出焊盘146，使得只有正常数据NORMAL_DATA才可以经由数据输入/输出焊盘13被输入/输出，并且只有数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG才可以经由数据恢复信息信号输入/输出焊盘146被输入/输出。

[0027] 在焊盘数量不充足因而不可能具有用于输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的专用焊盘的半导体器件中，焊盘分为被配置为接收数据输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD和预定命令OTHER_CMD的命令输入焊盘12、和被配置为输入/输出正常数据NORMAL_DATA和数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的数据输入/输出焊盘13，使得正常数据NORMAL_DATA在数据输入/输出操作模式READ/WRITE_MODE下可以经由数据输入/输出焊盘13被输入/输出，并且数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG在不被直接输入/输出正常数据NORMAL_DATA的数据恢复操作模式WCDR_MODE下可以经由数据输入/输出焊盘13被输入/输出。

[0028] 在根据本发明的本实施例的数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中，恢复信息输入/输出控制单元120包括：恢复信息输入控制部122，被配置为在数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时间间隔期间响应于预定命令OTHER_CMD，对源时钟SOURCE_CLK的触发次数进行计数，以触发恢复信息输入选通信号；和恢复信息输出控制部124，被配置为在数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时间间隔期间响应于内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发，对源时钟SOURCE_CLK的触发次数进行计数，以触发内部输出选通信号DATAOUT_STROBE。

[0029] 恢复信息输入控制部122包括：命令译码器1222，被配置为在数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时间间隔期间响应于预定命令OTHER_CMD，产生数据恢复操作命令WCDR_CMD；和恢复信息输入计数器1224，被配置为在数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时间间隔期间响应于数据恢复操作命令WCDR_CMD，对源时钟SOURCE_CLK进行计数，历时与写入等待时间信号WL相对应的时间，并确定与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的内部输入时间点相对应的内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发时刻。

[0030] 恢复信息输出控制部124在数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时间间隔期间响应于内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发，对源时钟SOURCE_CLK进行计数，历时与数据恢复信息等待时间信号(data recovery information latency signal)WCDRL相对应的时间段即WCDR等待时间，并确定与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的内部输出时间点相对应的内部输出选通信号DATAOUT_STROBE的触发时刻。

[0031] 此时，由恢复信息输入控制单元122的恢复信息输入计数器1224确定的内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发时刻被控制为与对半导体器件输入的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的输入结束时刻相对应，而不是与对半导体器件输入的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的输入开始时刻相对应。

[0032] 也就是说，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的内部输入时间点不是开始向半导体器件输入数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的时刻，而是向半导体器件输入数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的结束的时刻。

[0033] 当数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG是多比特信号时，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG应当在其所有的比特都已经输入之后被储存在数据恢复信息储存单元160中。

[0034] 例如，如果数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG是由数量相对较多的比特构成的信号，则数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的第一个比特的输入时刻与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的最后一个比特的输入时刻之间的时间差变得相对较大；而如果数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG是由数量相对较少的比特构成的信号，则数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的第一个比特的输入时刻与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的最后一个比特的输入时刻之间的时间差变得相对较小。

[0035] 作为参考，因为数据信号的突发长度(burst length，BL)是连续输入的数据信号的比特数量，所以数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的输入开始时刻与所述内部输入时间点之间的时间差根据数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的突发长度(BL)而变化。

[0036] 另外，在本发明的本实施例中，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的突发长度(BL)与正常数据NORMAL_DATA的突发长度(BL)被设置为是相同的。因此，由于正常数据NORMAL_DATA的突发长度(BL)与源时钟SOURCE_CLK的周期tck同步，因此数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的突发长度(BL)也与源时钟SOURCE_CLK的周期tck同步。

[0037] 另外，在本发明的本实施例中，正常数据NORMAL_DATA与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG被设置为是在相同的时刻被提供。也就是说，从数据输入命令WRITE_CMD输入的时刻到正常数据NORMAL_DATA输入的时刻所经历的时间与从预定命令OTHER_CMD输入的时刻到数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG输入的时刻所经历的时间被设置为是相同的。

[0038] 此时，由于预定命令OTHER_CMD包括数据输入命令WRITE_CMD，因此数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG被设置为在与正常数据NORMAL_DATA不被输入的相同时刻被提供。

[0039] 也就是说，从数据输入命令WRITE_CMD输入的时刻到数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG输入的时刻所经历的时间与从预定命令OTHER_CMD之中的除了数据输入命令WRITE_CMD之外的其余的命令输入的时刻到数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG输入的时刻所经历的时间被设置为是相同的。

[0040] 作为参考，写入等待时间信号(write latency signal)WL的值被储存在半导体器件的存储寄存器组(MRS)15中。写入等待时间信号WL的值等于输入数据输入命令WRITE_CMD和正常数据NORMAL_DATA所要经历的时间间隔，并且用作半导体器件所具有的规格。

[0041] 因此，在本发明的本实施例中，要理解的是，与在存储寄存器组(MRS)15中所储存的写入等待时间信号WL的值相对应地来确定向半导体器件提供数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的时刻。

[0042] 因此，需要向恢复信息输入计数器1224提供写入等待时间信号WL，所述恢复信息输入计数器1224产生用于限定数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG实际被储存的时刻的内部输入选通信号WCDR_STROBE，以便指定数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG在哪一时刻被输入半导体器件，使得可以在数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的所有比特都被输入的时刻触发内部输入选通信号WCDR_STROBE。

[0043] 恢复信息输入计数器1224与写入等待时间信号WL相对应地按源时钟SOURCE_CLK的周期tck执行计数操作，并且数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的突发长度(BL)与源时钟SOURCE_CLK的周期tck相对应地作为另外的时间被确定。因此，恢复信息输入计数器1224所输出的内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发时刻也与源时钟SOURCE_CLK同步。

[0044] 此外，恢复信息输出控制部124在内部输入选通信号WCDR_STROBE触发之后与数据恢复信息等待时间信号WCDRL相对应地对源时钟SOURCE_CLK的周期tck执行计数操作，以便确定内部输出选通信号DATAOUT_STROBE的触发时刻。因此，恢复信息输出控制部124所输出的内部输出选通信号DATAOUT_STROBE的触发时刻也与源时钟SOURCE_CLK同步。

[0045] 与写入等待时间信号WL的值类似的是，数据恢复信息等待时间信号WCDRL的值被提前设置在存储寄存器组(MRS)15中。然而，与写入等待时间信号WL的值不同的是，数据恢复信息等待时间信号WCDRL是针对本发明的本实施例而新定义的。

[0046] 因此，数据恢复信息等待时间信号WCDRL的值可以由设计者改变，并且在输入并存储了数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG之后直至在此输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG为止所经历的时间段tWCDRL是完全由设计者的意愿来确定的参数。

[0047] 在根据本发明的本实施例的数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中，数据恢复信息输入/输出单元140包括：数据恢复信息输入部142，被配置为在数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时间间隔期间将经由预先选定的焊盘13或146而串行地提供的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG缓冲为缓冲数据恢复信息信号BUF_DATA_RECOVERY_SIG，并且将缓冲数据恢复信息信号BUF_DATA_RECOVERY_SIG并行化为与源时钟SOURCE_CLK同步，作为并行化数据恢复信息信号PARALLEL_DATA_RECOVERY_SIG；和数据恢复信息输出部144，被配置为经由预先选定的焊盘13或146将从数据恢复信息储存单元160提供的所保存的数据恢复信息信号OUTPUT_PARALLEL_DATA_RECOVERY_SIG与源时钟SOURCE_CLK同步地输出。

[0048] 数据恢复信息输入部142包括：数据恢复信息输入缓冲器1422，被配置为在数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时间间隔期间将经由预先选定的焊盘13或146串行地提供的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG缓冲为缓冲数据恢复信息信号BUF_DATA_RECOVERY_SIG；和数据恢复信息并行化部件1424，被配置为将数据恢复信息输入缓冲器1422的输出信号并行化为与源时钟SOURCE_CLK同步，作为并行化数据恢复信息信号PARALLEL_DATA_RECOVERY_SIG。

[0049] 描述了数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG被串行地提供至数据恢复信息输入缓冲器1422，这是因为数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的比特数量被确定为与正常数据NORMAL_DATA的突发长度相对应。换言之，在一般的半导体器件中，由于主要采用的是这样的一种方案，即，在接收正常数据NORMAL_DATA时确定指定的突发长度，并且串行地输入数量与所述指定的突发长度相对应的正常数据NORMAL_DATA的比特，因此必须具有与正常数据NORMAL_DATA相同数量个比特的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG以与所述突发长度相对应数量的比特被串行地输入。

[0050] 另外，由于数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG以与正常数据NORMAL_DATA的突发长度相对应的比特数量而被串行地输入，为了允许数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG容易地被储存在数据恢复信息储存单元160中，需要在数据恢复信息并行化部件1424中将缓冲数据恢复信息信号BUF_DATA_RECOVERY_SIG与源时钟SOURCE_CLK相对应地并行化，作为并行化数据恢复信息信号PARALLEL_DATA_RECOVERY_SIG。

[0051] 数据恢复信息输出部144使储存在数据恢复信息储存单元160中的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与源时钟SOURCE_CLK同步，并经由预定的焊盘13或146串行地输出同步数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG。

[0052] 在根据本发明的本实施例的数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成元件之中，数据恢复信息储存单元160可以分为如下所述的两种类型。

[0053] 第一种类型的数据恢复信息储存单元160包括：输入储存部162，被配置为在与内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发时刻相对应的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的内部输入时间点，同时地储存经由数据恢复信息输入部142并行输入的并行化数据恢复信息信号PARALLEL_DATA_RECOVERY_SIG；和输出储存部164，被配置为在与内部输出选通信号DATAOUT_STROBE的触发时刻相对应的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的内部输出时间点，串行地将由输入储存部162所储存的保存的并行化数据恢复信息信号SAV_PARALLEL_DATA_RECOVERY_SIG提供给数据恢复信息输出部144。

[0054] 第二种类型的数据恢复信息储存单元160包括：输入储存部162，被配置为在与内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发时刻相对应的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的内部输入时间点，同时地储存经由数据恢复信息输入部142并行输入的并行化数据恢复信息信号PARALLEL_DATA_RECOVERY_SIG；和输出储存部164，被配置为在与内部输出选通信号DATAOUT_STROBE的触发时刻相对应的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的输出时刻，串行地将预先设定的前导数据PREAMBLE_DATA提供给数据恢复信息输出部144，然后串行地将从输入储存部162传送来的保存的并行化数据恢复信息信号SAV_PARALLEL_DATA_RECOVERY_SIG提供给数据恢复信息输出部144作为信号OUTPUT_PARALLELL_DATA_RECOVERY_SIG。

[0055] 如上所述，根据本发明的本实施例的数据恢复信息储存单元160分为两种类型。在第一种类型中，经由数据恢复信息输入部142提供的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG被储存并在经过预定的时间段tWCDRL之后被原样地输出，而在第二类型中，经由数据恢复信息输入部142提供的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG被储存并在经过预定的时间段tWCDRL之后与前导数据PREAMBLE DATA一起被输出。

[0056] 即，根据需要，根据本发明的本实施例的恢复信息储存单元160可以输出所储存的数据恢复信息信号OUTPUT_PARALLELL_DATA_RECOVERY_SIG和前导数据PREAMBLE DATA二者，也可以只输出储存的数据恢复信息信号OUTPUT_PARALLELL_DATA_RECOVERY_SIG。

[0057] 经由预先选定的焊盘13或146提供的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG是一种具有预定模式(pattern)的信号。

[0058] 例如，假设数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG是8比特的信号。经由预先选定的焊盘13或146提供的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的模式可以是′01010101′、′00110011′、′00001111′、′10101010′、′11001100′、′11110000′、′10011001′或′01100110′。

[0059] 此外，在上述描述中，经由预先选定的焊盘13或146提供的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与源时钟SOURCE_CLK的边沿同步。

[0060] 因此，在数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的相位在传输的过程中发生了改变的情况下，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的值容易变化，由此可以容易地检查相位是否已经改变。

[0061] 例如，假设当数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的各个比特与源时钟的边沿SOURCE_CLK准确地同步时，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的模式是′10011001′，如果数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG在向预先选定的焊盘13或146传送时数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的相位变快，经由预先选定的焊盘13或
146储存的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的模式变为′11001100′，由此相位变快。相反地，如果数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG在向预先选定的焊盘13或146传送时数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的相位变慢，经由预先选定的焊盘13或146储存的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的模式变为′00110011′，由此相位变慢。

[0062] 根据本发明的本实施例的上述半导体器件与一个源时钟SOURCE_CLK相对应地接收数据输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD和预定命令OTHER_CMD、输入和输出正常数据NORMAL_DATA及数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG。

[0063] 在具有低操作速度的半导体器件中主要采用的是仅仅使用一个源时钟SOURCE_CLK的上述方法。在具有高操作速度的半导体器件中，主要采用的是另一种方法，该方法同时使用用于使包括预定命令OTHER_CMD的命令信号同步化的系统时钟iHCK和用于使正常数据NORMAL_DATA同步化的具有两倍于系统时钟iHCK的频率的频率的数据时钟iWCK。因此，本发明的本实施例可以适用于如下所述的高速操作的半导体器件。

[0064] 再次参见图1，根据本发明的本实施例的高速操作的半导体器件包括包括：内部电路10，被配置为响应于预定命令OTHER_CMD执行预定的操作；正常数据输入/输出部11，被配置从数据输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD的输入时刻开始，在分别被设定为与系统时钟iHCK同步的数据输入/输出时刻，接收和输出与数据时钟iWCK的中心同步的正常数据NORMAL_DATA；以及数据恢复信息信号输入/输出模块100，被配置为响应于预定命令OTHER_CMD，在与数据输入时刻处在相同时刻的恢复信息输入时刻，接收与数据时钟iWCK的边沿同步的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG，然后在经过响应于数据时钟iWCK而确定的预定时间段tWCDRL之后的恢复信息输出时刻，输出所保存的数据恢复信息信号OUTPUT_PARALLELL_DATA_RECOVERY_SIG。

[0065] 这里，正常数据NORMAL_DATA输入期间的数据输入时刻是在数据输入命令WRITE_CMD的输入时刻之后当系统时钟iHCK触发了第一预定次数时的时刻，而正常数据NORMAL_DATA输出期间的数据输出时刻是在数据输出命令READ_CMD的输入时刻之后当系统时钟iHCK触发了第二预定次数时的时刻。

[0066] 此时，第一预定次数是作为写入等待时间信号WL的值而被预先设定在存储寄存器组(MRS)15中的值。类似地，第二预定次数是作为列等待时间信号CL的值而被预先设定在存储寄存器组(MRS)15中的值。

[0067] 也就是说，正常数据NORMAL_DATA输入期间的数据输入时刻是从数据输入命令WRITE_CMD的输入时刻开始经过了与“写入等待时间信号WL的值*系统时钟iHCK的周期tck”相对应的时间的时刻，而正常数据NORMAL_DATA输出期间的数据输出时刻是从数据输出命令READ_CMD的输入时刻开始经过了与“列等待时间信号CL的值*系统时钟iHCK的周期tck”相对应的时间的时刻。

[0068] 由于正常数据NORMAL_DATA输入的时刻与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG输入的时刻被设置为相同，因此数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG输入的时刻对应于从预定命令OTHER_CMD的输入时刻开始经历了与“写入等待时间信号WL的值*系统时钟iHCK的周期tck”相对应的时间的时刻。

[0069] 作为参考，在半导体器件进入数据恢复操作模式的情况下，数据恢复信息信号输入/输出模块100接收和输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG。进入数据恢复操作模式表明数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE已经被激活。虽然在图中未直接示出，但是在以下的描述中，数据恢复操作模式将被称作为WCDR_MODE，并且进入数据恢复操作模式将被称作为WCDR_MODE_ENTRY。数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时刻、去激活时刻和激活时间间隔的长度被提前设定在存储寄存器组(MRS)15中。

[0070] 虽然预定命令OTHER_CMD可以包括半导体器件的数据输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD和各种操作模式命令，但是在一个特定的实例中，预定命令OTHER_CMD可以包括作为半导体器件中使用最多电力的操作模式之一的自动刷新操作模式进入命令或者作为半导体器件中使用最少电力的操作模式之一的待机操作模式进入命令。

[0071] 作为根据本发明的本实施例的半导体器件的组成部件之一，数据恢复信息信号输入/输出模块100包括：恢复信息输入/输出控制单元120，被配置为在数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时间间隔期间响应于预定命令OTHER_CMD的命令或系统时钟iHCK来产生内部输入选通信号WCDR_STROBE，并且响应于数据时钟信号iWCK和内部输入选通信号WCDR_STROBE来产生内部输出选通信号DATAOUT_STROB；数据恢复信息输入/输出单元140，被配置为经由预先选定的焊盘13或146来输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG；以及数据恢复信息储存单元160，被配置为响应于内部输入选通信号WCDR_STROBE和内部输出选通信号DATAOUT_STROBE而将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG储存预定的时间段tWCDRL。

[0072] 数据输入/输出焊盘13和WCDR输入/输出焊盘146均可以用作预先选定的焊盘13或146，这是因为依赖于半导体器件的设计，用于输入/输出正常数据NORMAL_DATA的焊盘和用于输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的焊盘可以被共享。

[0073] 在现有的半导体器件中，焊盘分为被配置为接收输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD和预定命令OTHER_CMD的命令输入焊盘12、被配置为输入/输出正常数据NORMAL_DATA的数据输入/输出焊盘13和被配置为输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的数据恢复信息信号输入/输出焊盘146，使得只有正常数据NORMAL_DATA才可以经由数据输入/输出焊盘13被输入/输出，并且只有数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG才可以经由数据恢复信息信号输入/输出焊盘146被输入/输出。

[0074] 在焊盘数量不充足因而不可能具有用于输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的专用焊盘的半导体器件中，焊盘分为被配置为接收输入/输出命令命令READ_CMD/WRITE_CMD和预定命令OTHER_CMD的命令输入焊盘12、和被配置为输入/输出正常数据NORMAL_DATA以及数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的数据输入/输出焊盘13，使得正常数据NORMAL_DATA在数据输入/输出操作模式READ/WRITE_MODE下可以经由数据输入/输出焊盘13被输入/输出，而数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG在不直接输入/输出正常数据NORMAL_DATA的数据恢复操作模式WCDR_MODE下可以经由数据输入/输出焊盘13被输入/输出。

[0075] 在根据本发明的本实施例的数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中，恢复信息输入/输出控制单元120包括：恢复信息输入控制部122，被配置为在数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时间间隔期间响应于从输入预定命令OTHER_CMD的时刻开始发生的系统时钟iHCK的第三次数个触发，来产生内部输入选通信号WCDR_STROBE；和恢复信息输出控制部124，被配置为在数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时间间隔期间响应于从内部输入选通信号WCDR_STROBE触发的时刻开始发生的数据时钟iWCK的第四次数个触发，来产生内部输出选通信号DATAOUT_STROBE。

[0076] 此时，第三次数具有比第一次数大突发长度(BL)的值，第一次数与写入等待时间信号WL的值相对应，并且第三次数可以被设置为使得写入等待时间信号WL被提供至恢复信息输入控制单元122中所设置的恢复信息输入计数器1224。根据本发明的本实施例，第四次数是新设定在存储寄存器组(MRS)15中的数据恢复信息等待时间信号WCDRL的值。

[0077] 也就是说，在恢复信息输入控制单元122中内部输入选通信号WCDR_STROBE被触发的时刻是从输入数据输入/输出命令READ_CMD及WRITE_CMD的命令或预定命令OTHER_CMD的时刻开始经过了“{写入等待时间信号WL的值+突发长度(BL)}*系统时钟iHCK的周期tck”的时刻，而在恢复信息输出控制部124中内部输出选通信号DATAOUT_STROBE被触发的时刻是从触发了内部输入选通信号WCDR_STROBE的时刻开始经过了“数据恢复信息等待时间信号WCDRL的值*数据时钟iWCK的周期tck”的时刻。

[0078] 因此，在恢复信息输入控制单元122中内部输入选通信号WCDR_STROBE被触发的时刻与这样的时刻相对应，该时刻比正常数据NORMAL_DATA和数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG输入的时刻晚“突发长度(BL)*系统时钟iHCK的周期tck”。

[0079] 就这点而言，在恢复信息输入控制单元122中内部输入选通信号WCDR_STROBE被触发的时刻比正常数据NORMAL_DATA和数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG输入的时刻晚，这是因为当数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG是多比特的信号时，它应当在所有的比特都被输入之后被储存在数据恢复信息储存单元160中。

[0080] 在数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中，数据恢复信息输入/输出单元140包括：数据恢复信息输入部142，被配置为在数据恢复操作使能信号WCDR_ENABLE的激活时间间隔期间，从恢复信息的输入时刻开始串行地缓冲经由预先选定的焊盘13或146而串行提供的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG并且与数据时钟iWCK同步地将所得信号并行化；和数据恢复信息输出部144，被配置为经由预先选定的焊盘13或
146使数据恢复信息储存单元160中所储存的数据恢复信息信号OUTPUT_PARALLEL_DATA_RECOVERY_SIG与数据时钟iWCK同步地输出。

[0081] 在根据本发明的本实施例的高速操作的半导体器件的数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中，数据恢复信息储存单元160的结构与根据本发明的前述实施例的半导体器件的数据恢复信息储存单元160的结构相同，因此，省略了其详细描述。

[0082] 图2是根据本发明的另一个实施例的包括图1所示的半导体器件的半导体系统的框图。

[0083] 参见图2，半导体系统包括：半导体器件控制器2，被配置为将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG进行比较，并根据数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的比较结果来调整传送给半导体器件1的正常数据NORMAL_DATA的相位；和半导体器件1，被配置为接收数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG并在经过预定的时间段之后传送数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG作为反馈数据恢复信息信号。

[0084] 此时，从半导体器件控制器2传送给半导体器件1的正常数据NORMAL_DATA与源时钟SOURCE_CLK的中心同步，而从半导体器件控制器2传送给半导体器件1的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与源时钟SOURCE_CLK的边沿同步。

[0085] 另外，从半导体器件控制器2向半导体器件1传送正常数据NORMAL_DATA的时刻与从半导体器件控制器2向半导体器件1传送数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的时刻是相同的。

[0086] 半导体系统还包括被配置为传送源时钟SOURCE_CLK的时钟传输路径和被配置为传送正常数据NORMAL_DATA的正常数据传输路径。时钟传输路径和正常数据传输路径被形成在半导体器件1与半导体器件控制器2之间。

[0087] 数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG经由形成在半导体器件1与半导体器件控制器2之间的恢复信息信号传输路径来被传送。然而，在正常数据传输路径不传送正常数据的操作模式下，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG经由正常数据传输路径来被传送。

[0088] 因此，在正常数据NORMAL_DATA传输路径不传送正常数据NORMAL_DATA的操作模式下，当数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG经由正常数据传输路径来被传送时，半导体器件控制器2包括：数据恢复信息比较部28，被配置为将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的数据值进行比较，并根据数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的比较结果来产生恢复信息比较信号COMP_DATA_RECOVERY；正常数据发生部21，被配置为与恢复信息比较信号COMP_DATA_RECOVERY相对应地改变正常数据NORMAL_DATA的相位，以产生正常数据NORMAL_DATA；正常数据输入/输出焊盘23，被配置为输入/输出正常数据NORMAL_DATA；数据恢复信息信号输入/输出焊盘246，被配置为输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；以及时钟输出焊盘26，被配置为输出源时钟SOURCE_CLK。

[0089] 同样地，半导体器件1包括：正常数据输入/输出部11，被配置输入/输出正常数据NORMAL_DATA；数据恢复信息信号输入/输出模块100，被配置为接收和储存数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG并在经过预定的时间段tWCDRL之后输出所储存的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG作为反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；正常数据输入/输出焊盘13，被配置为输入/输出正常数据NORMAL_DATA；数据恢复信息信号输入/输出焊盘146，被配置为输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；时钟输入焊盘16，被配置为接收源时钟SOURCE_CLK。

[0090] 另一方面，在正常数据传输路径不传送正常数据NORMAL_DATA的操作模式下，当数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG经由正常数据传输路径传送时，半导体器件控制器2包括：数据恢复信息比较部28，被配置为将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的数据值进行比较，并根据数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的比较结果来产生恢复信息比较信号COMP_DATA_RECOVERY；正常数据发生部21，被配置为与恢复信息比较信号COMP_DATA_RECOVERY相对应地改变正常数据NORMAL_DATA的相位，以产生正常数据NORMAL_DATA；正常数据输入/输出焊盘23，被配置为输入/输出正常数据NORMAL_DATA、数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；数据恢复信息信号输入/输出焊盘246，被配置为输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；和时钟输出焊盘26，被配置为输出源时钟SOURCE_CLK。

[0091] 同样地，半导体器件1包括：正常数据输入/输出部11，被配置输入/输出正常数据NORMAL_DATA；数据恢复信息信号输入/输出模块100，被配置为接收和储存数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG并在经过预定的时间段tWCDRL之后输出所储存的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG作为反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；正常数据输入/输出焊盘13，被配置为输入/输出正常数据NORMAL_DATA、数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；数据恢复信息信号输入/输出焊盘146，被配置为输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；时钟输入焊盘16，被配置为接收源时钟SOURCE_CLK。

[0092] 根据本发明的本实施例的包括半导体器件的半导体系统的组成部件是可以输入/输出正常数据NORMAL_DATA和数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的最基本的组成部件。然而，半导体系统的组成部件还可以包括如下所述的组成部件。

[0093] 再次参见图2，半导体系统包括：半导体器件2，被配置为与预定命令OTHER_CMD相对应地将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG传送至半导体器件1，并且在经过预定的时间段tWCDRL之后响应于从半导体器件1提供的反馈数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG通过改变正常数据NORMAL_DATA的相位来传送正常数据NORMAL_DATA；半导体器件1，被配置为响应于预定命令OTHER_CMD来接收数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG并在经过预定的时间段tWCDRL之后传送数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG作为反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG。

[0094] 此时，从半导体器件控制器2传送给半导体器件1的预定命令OTHER_CMD与源时钟SOURCE_CLK的中心同步，从半导体器件控制器2传送给半导体器件1的正常数据NORMAL_DATA与源时钟SOURCE_CLK的中心同步，而从半导体器件控制器2传送给半导体器件1的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与源时钟SOURCE_CLK的边沿同步。

[0095] 另外，预定命令OTHER_CMD可以包括作为半导体器件中使用最多电力的操作模式之一的自动刷新操作模式进入命令或者作为半导体器件中使用最少电力的操作模式之一的待机操作模式进入命令。

[0096] 另外，在与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG响应于数据输入命令WRITE_CMD而从半导体器件控制器2向半导体器件1传送的时刻相同的时刻，正常数据NORMAL_DATA响应于数据输入命令WRITE_CMD而从半导体器件控制器2向半导体器件1传送。

[0097] 半导体系统还包括被配置为传输源时钟SOURCE_CLK的时钟传输路径、被配置为传输预定命令OTHER_CMD的命令传输路径、以及被配置为传输正常数据NORMAL_DATA的正常数据传输路径。时钟传输路径、命令传输路径和正常数据传输路径被形成在半导体器件1与半导体器件控制器2之间。

[0098] 数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与反馈数据恢复信息信号B_DATA_RECOVERY_SIG响应于预定命令OTHER_CMD而在半导体器件控制器2与半导体器件1之间传送。在此，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG响应于预定命令OTHER_CMD而经由形成在半导体器件控制器2与半导体器件1之间的恢复信息信号传输路径传送。然而，在正常数据传输路径不传送正常数据的操作模式下，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG经由正常数据传输路径被传送。

[0099] 因此，当数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG经由恢复信息信号传输路径传送时，半导体器件控制器2包括：数据恢复信息比较部28，被配置为将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的值与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的值进行比较，并根据数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的比较结果来产生恢复信息比较信号COMP_DATA_RECOVERY；正常数据发生部21，被配置为根据预定命令OTHER_CMD通过与恢复信息比较信号COMP_DATA_RECOVERY相对应地改变正常数据NORMAL_DATA的相位来产生正常数据NORMAL_DATA；正常数据输入/输出焊盘23，被配置为输入/输出正常数据NORMAL_DATA；命令输出焊盘22，被配置为输出预定命令OTHER_CMD；数据恢复信息信号输入/输出焊盘246，被配置为输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；以及时钟输出焊盘26，被配置为输出源时钟SOURCE_CLK。

[0100] 同样地，半导体器件1包括：正常数据输入/输出部11，被配置为响应于数据输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD来输入/输出正常数据NORMAL_DATA；数据恢复信息信号输入/输出模块100，被配置为接收和储存数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG，并在经过预定的时间段tWCDRL之后响应于预定命令OTHER_CMD来输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG作为反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；正常数据输入/输出焊盘13，被配置为输入/输出正常数据NORMAL_DATA；数据恢复信息信号输入/输出焊盘146，被配置为输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；以及时钟输入焊盘16，被配置为接收源时钟SOURCE_CLK。

[0101] 另一方面，在正常数据传输路径未传送正常数据的操作模式下，当数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG经由正常数据传输路径传送时，半导体器件控制器2包括：数据恢复信息比较部28，被配置为将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的值与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的值进行比较，并根据数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的比较结果来产生恢复信息比较信号COMP_DATA_RECOVERY；正常数据发生部21，被配置为根据预定命令OTHER_CMD通过改变正常数据NORMAL_DATA的相位来产生正常数据NORMAL_DATA；正常数据输入/输出焊盘23，被配置为输入/输出正常数据NORMAL_DATA、数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；以及时钟输出焊盘26，被配置为输出源时钟SOURCE_CLK。

[0102] 同样地，半导体器件1包括：正常数据输入/输出部11，被配置为响应于数据输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD来输入/输出正常数据NORMAL_DATA；数据恢复信息信号输入/输出模块100，被配置为响应于预定命令OTHER_CMD来接收和储存数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG并在经过预定的时间段tWCDRL之后输出储存的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG作为反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；正常数据输入/输出焊盘13，被配置为输入/输出正常数据NORMAL_DATA、数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG；以及时钟输入焊盘16，被配置为接收源时钟SOURCE_CLK。

[0103] 在具有低操作速度的半导体器件中主要采用的是包括图1的仅仅使用一个源时钟SOURCE_CLK的半导体器件的半导体系统的上述组成部件。在具有高操作速度的半导体器件中，最近的半导体系统主要采用的是同时使用用于使包括预定命令OTHER_CMD的命令信号同步和用于使正常数据NORMAL_DATA同步的具有两倍于系统时钟iHCK的频率的频率的数据时钟iWCK。具有高操作速度的半导体器件已经根据本发明的前述实施例描述过，因此省略其详细描述。

[0104] 参见图2，根据本发明的另一个实施例的具有半导体器件1和半导体器件控制器2的半导体系统的操作方法包括以下步骤：从半导体器件控制器2向半导体器件1传送数据输入命令WRITE_CMD，并且在经过第一预定时间段之后，传送与源时钟SOURCE_CLK的中心同步并且相位根据反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG而改变的正常数据NORMAL_DATA；从半导体器件控制器2向半导体器件1传送预定命令OTHER_CMD，在经过第一预定时间段之后，传送与源时钟SOURCE_CLK的边沿同步的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG，并且将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG储存在半导体器件1中；以及在数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG储存在半导体器件1中之后，经过了第二预定时间段的时候，从半导体器件1向半导体器件控制器2传送所储存的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG作为反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG。

[0105] 此时，在传送了数据输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD的命令之后且在传送正常数据NORMAL_DATA之前所需的第一时间段，以及在传送了预定命令OTHER_CMD之后且在传送数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG之前所需的第一时间段是与源时钟SOURCE_CLK同步地确定的。

[0106] 类似地，在数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG传送到半导体器件1并储存在半导体器件1之后且在向半导体器件2传送所储存的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG之前所需的第二时间段是与源时钟SOURCE_CLK同步地确定的。虽然预定命令OTHER_CMD可以包括半导体器件的各种操作模式命令以及数据输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD，但是在一个特定的实例中，预定命令OTHER_CMD可以包括作为半导体器件中使用最多电力的操作模式之一的自动刷新操作模式进入命令或者作为半导体器件中使用最少电力的操作模式之一的待机操作模式进入命令。预定命令可以包括半导体器件的各种操作模式命令。在根据本发明的另一个实施例的具有半导体器件1和半导体器件控制器2的半导体系统中，传送正常数据NORMAL_DATA的步骤可以包括以下步骤：从半导体器件控制器2向设置在半导体器件1中的命令输入焊盘12传送数据输入命令WRITE_CMD、以及从半导体器件控制器2向设置在半导体器件1中的正常数据输入/输出焊盘13传送正常数据NORMAL_DATA。

[0107] 在根据本发明的另一个实施例的具有半导体器件1和半导体器件控制器2的半导体系统中，使用如上所述的设置用于传送正常数据NORMAL_DATA的正常数据输入/输出焊盘13，传送和储存数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的步骤根据从半导体器件控制器2向设置在半导体器件1中的命令输入焊盘12输入哪个命令和根据是否存在用于输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的专用焊盘146，可以分为如下步骤。

[0108] 首先，如图中所示，在存在用于输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的专用焊盘146的情况下，传送和储存数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的步骤可以包括以下步骤：从半导体器件控制器2向设置在半导体器件1中的命令输入焊盘12传送预定命令OTHER_CMD；从半导体器件控制器2向设置在半导体器件1中的数据恢复信息信号输入/输出焊盘146传送数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG；以及将经由数据恢复信息信号输入/输出焊盘146提供的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG储存在半导体器件1的寄存器中，所述寄存器虽然未在图中示出但是被设置在数据恢复信息信号输入/输出模块100中。换言之，当如图所示存在用于输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的专用焊盘146时，正常数据NORMAL_DATA可以经由正常数据输入/输出焊盘13输入/输出，而数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG可以经由数据恢复信息信号输入/输出焊盘146输入/输出，而不论是哪个命令被输入到设置在半导体器件1中的命令输入焊盘12。

[0109] 另外，与图中所示的布置不同，在不存在用于输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的专用焊盘146的情况下，传送和储存数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的步骤可以包括以下步骤：从半导体器件控制器2向设置在半导体器件1中的命令输入焊盘12传送预定命令OTHER_CMD；从半导体器件控制器2向设置在半导体器件1中的命令输入焊盘12传送数据输入/READ_CMD/WRITE_CMD；当预定命令OTHER_CMD被传送到设置在半导体器件1中的命令输入焊盘12时，从半导体器件控制器2向设置在半导体器件1中的正常数据输入/输出焊盘13传送数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG；当预定命令OTHER_CMD被传送到设置在半导体器件1中的命令输入焊盘12时，将经由正常数据输入/输出焊盘13提供的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG储存在半导体器件1的寄存器中；而当数据输入/输出命令READ_CMD/WRITE_CMD被传送到设置在半导体器件1中的命令输入焊盘12时，不从半导体器件控制器2向半导体器件1传送数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG。也就是说，当不存在用于输入/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的专用焊盘146时，与图中所示的布置不同，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG可以根据提供至设置在半导体器件1中的命令输入焊盘12的命令而被传送或不被传送。

[0110] 描述了从半导体器件控制器2传送到半导体器件1的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和从半导体器件1传送到半导体器件2的反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG是具有预定模式的信号。

[0111] 例如，假设数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG是8比特的信号，信号的模式可以是′01010101′、′00110011′、′00001111′、′10101010′、′11001100′、′11110000′、′10011001′或′01100110′。

[0112] 此外，已经描述了从半导体器件控制器2传送到半导体器件1的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG和从半导体器件1传送到半导体器件2的反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG是与源时钟SOURCE_CLK的边沿同步的信号。

[0113] 因此，在数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG在被传输时其相位改变的情况下，由于数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的值容易变化，因此数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的值与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的值变得彼此不同。

[0114] 例如，假设当数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的各个比特与源时钟SOURCE_CLK的边沿准确同步时数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的模式为′10011001′，当数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG在从半导体器件控制器2向半导体器件1传送的过程中变快时，从半导体器件1传送到半导体器件控制器2的反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的模式变为′11001100′。因此，在半导体器件控制器2中将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的值与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的值进行比较，当数据从半导体器件控制器2向半导体器件1传送时，数据的相位变快。

[0115] 相反地，当数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG在从半导体器件控制器2向半导体器件1传送的过程中变慢时，从半导体器件1传送到半导体器件控制器2的反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的模式变为′00110011′。因此，在半导体器件控制器2中将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的值与反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的值进行比较，当数据从半导体器件控制器2向半导体器件1传送时，数据的相位变慢。

[0116] 另外，在根据本发明的本实施例的半导体器件控制器2中，根据将从半导体器件1提供的反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的值与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的值进行比较所得的结果来改变正常数据NORMAL_DATA的相位。例如，如果出现数据从半导体器件控制器2向半导体器件1传送时数据的相位变快的现象，则将从半导体器件1提供的反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的值与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的值进行比较所得的结果COMP_DATA_RECOVERY变为逻辑‘高’，因此，从半导体器件控制器2传送到半导体器件1的正常数据NORMAL_DATA的相位可以被改变为比之前相对于源时钟SOURCE_CLK的中心的时刻慢。相反地，如果出现数据从半导体器件控制器2向半导体器件1传送时数据的相位变慢的现象，则将从半导体器件1提供的反馈数据恢复信息信号FB_DATA_RECOVERY_SIG的值与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的值进行比较所得的结果COMP_DATA_RECOVERY变为逻辑‘低’，因此，从半导体器件控制器2传送到半导体器件1的正常数据NORMAL_DATA的相位可以被改变为比之前相对于源时钟SOURCE_CLK的中心的时刻快。

[0117] 图3是图1所示的根据本发明的实施例的用于在数据写入操作模式下输入/输出数据恢复信息信号的半导体器件的时序图。

[0118] 作为参考，要注意到的是，图3所示的时序图是基于在半导体器件中同时使用系统时钟iHCK和数据时钟iWCK这一假设而绘制的图。也就是说，图3所示的时序图表示的是当本发明的实施例应用于高速操作的半导体器件时所可以获得的时序图。

[0119] 参见图3，数据输入命令WRITE_CMD在系统时钟iHCLK的时刻T0处输入，数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中的恢复信息输入/输出控制单元120中所设置的恢复信息输入控制部122的命令译码器1222响应于数据输入命令WRITE_CMD而开始操作。此外，从系统时钟iHCK的时刻T0开始对与写入等待时间信号WL的值相对应的系统时钟iHCK的触发次数进行计数。

[0120] 之后，命令译码器1222的操作在系统时钟iHCK的时刻T1处结束，并且数据恢复操作命令WCDR_CMD开始触发。与此同时，在数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中的恢复输入/输出控制单元120中所设置的恢复信息输入控制部122的恢复信息输入计数器1224开始对系统时钟iHCK的触发次数进行计数。

[0121] 另外，由于写入等待时间信号WL的值被假设为是‘3’，因此正常数据NORMAL_DATA和数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG在系统时钟iHCK的时刻T3处同时输入。然而，因为正常数据NORMAL_DATA和数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG各自都是由8比特构成的信号，所以它们不是在系统时钟iHCK的时刻T3处一次输入，而是从系统时钟iHCK的时刻T3到系统时钟iHCK的时刻T5串行地输入的。

[0122] 在各个正常数据NORMAL_DATA与数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的输入之间的系统时钟iHCK的时刻T4处，恢复信息输入计数器1224对与写入等待时间信号WL的值‘3’相对应的系统时钟iHCK的所有触发次数已经完成计数。然而，由于内部输入选通信号WCDR_STROBE是在对另外的触发次数进行计数之后被触发的，所述另外的触发次数被确定为与在恢复信息输入计数器1224中预先设定的正常数据NORMAL_DATA和数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的突发长度相对应，因此内部输入选通信号WCDR_STROBE不在系统时钟iHCK的时刻T4处被触发。替代地，内部输入选通信号WCDR_STROBE在系统时钟iHCK的时刻T5处被触发，所述时刻T5是输入了正常数据NORMALD_ATA和数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的所有比特时的时刻。

[0123] 如果通过上述过程到达系统时钟iHCK的时刻T5，则响应于内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发，已经被串行输入并已经被并行化了的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG按照原样以并行化状态被储存在数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中的数据恢复信息储存单元160的输入储存部162中。此外，响应于内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发，在恢复信息输出控制部124中开始对数据时钟iWCK执行计数操作。

[0124] 以供参考，在系统时钟iHCK的时刻T5处被全部地输入的正常数据NORMAL_DATA被传送至核心区14并执行预先设定的操作。

[0125] 在图中，由于数据恢复信息等待时间信号WCDRL的值为‘4’，因此恢复信息输出控制部124从作为内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发时刻的系统时钟iHCK的时刻T5处开始计数数据时钟iWCK的四次触发，之后，在系统时钟iHCK的时刻T7处触发内部输出选通信号DATAOUT_STROBE。

[0126] 以此方式，当内部输出选通信号DATAOUT_STROBE在系统时钟iHCK的时刻T7处开始触发时，在数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中的数据恢复信息输入/输出单元140中所设置的恢复信息输出部144所要求的操作时刻，即，前导数据PREAMBLE DATA的实际输出的时刻，是系统时钟iHCK的时刻T8。

[0127] 在前导数据PREAMBLE DATA开始输出时所在的系统时钟iHCK的时刻T8之后，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG从系统时钟iHCK的时刻T9到系统时钟iHCK的时刻T11被连续地输出。

[0128] 如前所述，根据本发明的本实施例的半导体器件在与接收正常数据NORMAL_DATA的时刻相同的时刻、即与系统时钟iHCK的时刻T3相对应的时刻从半导体器件控制器接收数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG、在系统时钟iHCK的时刻T5储存数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG、然后在预定的时刻即与系统时钟iHCK的时刻T8相对应的时刻将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG传送回半导体控制器。

[0129] 通过这些操作，半导体器件控制器能够被反馈了数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG，并且能够分析数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的值，所述数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG是在与从半导体器件控制器传送正常数据NORMAL_DATA到半导体器件相同的情形下被传送的，并且分析的结果能反映在从半导体器件控制器顺序传送至半导体器件的正常数据NORMAL_DATA的相位上，由此能始终保证正常数据NORMAL_DATA的稳定性。

[0130] 图4是图1所示的根据本发明的实施例的用于在数据读取操作模式或预定的内部操作模式下输入/输出数据恢复信息信号的半导体器件的时序图。

[0131] 作为参考，要注意到的是，图4所示的时序图是基于在半导体器件中同时使用系统时钟iHCK和数据时钟iWCK这一假设而绘制的图。也就是说，图4所示的时序图表示当本发明的实施例应用于高速操作的半导体器件时所可以获得的时序图。

[0132] 参见图4，在系统时钟iHCLK的时刻T0处输入数据输出命令READ_CMD，在数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中的恢复信息输入/输出控制单元120中所设置的恢复信息输入控制部122的命令译码器1222响应于数据输出命令READ_CMD而开始操作。此外，从系统时钟iHCK的时刻T0开始对与列等待时间信号CL的值相对应的系统时钟iHCK的触发次数进行计数。

[0133] 之后，命令译码器1222的操作在系统时钟iHCK的时刻T1处结束，并且数据恢复操作命令WCDR_CMD开始触发。与此同时，在数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中的恢复输入/输出控制单元120中所设置的恢复信息输入控制部122的恢复信息输入计数器1224开始对系统时钟iHCK的触发次数进行计数。

[0134] 另外，由于写入等待时间信号WL的值被假设为是‘3’，因此数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG在系统时钟iHCK的时刻T3处同时输入。然而，因为数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG是由8比特构成的信号，所以它不是在系统时钟iHCK的时刻T3处一次输入，而是从系统时钟iHCK的时刻T3到系统时钟iHCK的时刻T5串行地输入。

[0135] 作为参考，因为列等待时间信号CL被假定为是‘9’，所以在到达到系统时钟iHCK的时刻T9之前，不执行接收或输出正常数据NORMAL_DATA的操作，而不管数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG是在与写入等待时间信号WL的值相对应的系统时钟iHCK的时刻T3处被输入这一事实。

[0136] 在处于数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的输入之间的系统时钟iHCK的时刻T4，恢复信息输入计数器1224对与写入等待时间信号WL的值‘3’相对应的系统时钟iHCK的所有触发次数进行计数。然而，由于内部输入选通信号WCDR_STROBE是在对另外的触发时间进行计数之后被触发，所述另外的触发时间被确定为与恢复信息输入计数器1224中预先设置定的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的突发长度相对应，因此内部输入选通信号WCDR_STROBE不在系统时钟iHCK的时刻T4处被触发。替代地，内部输入选通信号WCDR_STROBE在系统时钟iHCK的时刻T5处被触发，所述时刻T5是正常数据NORMAL_DATA和数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的所有比特被输入时的时刻。

[0137] 如果通过上述过程到达系统时钟iHCK的时刻T5，则响应于内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发，已经被串行输入并已经被并行化的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG按照原样以并行化状态被储存在数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中的数据恢复信息储存单元160的输入储存部162中。此外，响应于内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发，在恢复信息输出控制部124中开始对数据时钟iWCK执行计数操作。

[0138] 在图中，由于数据恢复信息等待时间信号WCDRL的值为‘4’，因此恢复信息输出控制部124从作为内部输入选通信号WCDR_STROBE的触发时刻的系统时钟iHCK的时刻T5处开始计数数据时钟iWCK的四次触发，之后，在系统时钟iHCK的时刻T7处触发内部输出选通信号DATAOUT_STROBE。

[0139] 以此方式，当内部输出选通信号DATAOUT_STROBE在系统时钟iHCK的时刻T7处开始触发时，在数据恢复信息信号输入/输出模块100的组成部件之中的数据恢复信息输入/输出单元140中所设置的恢复信息输出部144所要求的操作时刻，即，前导数据PREAMBLE DATA实际输出的时刻，是系统时钟iHCK的时刻T8。

[0140] 在前导数据PREAMBLE DATA开始输出时所在的系统时钟iHCK的时刻T8之后，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG从系统时钟iHCK的时刻T9到系统时钟iHCK的时刻T11被连续地输出。

[0141] 作为参考，由于列等待时间信号CL的值为9且正常数据NORMAL_DATA从系统时钟iHCK的时刻T9到时刻T11输出，如图中已图示的，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的输出时刻与正常数据NORMAL_DATA的输出时刻彼此相对应。然而，这仅仅是一种因各种值偶然匹配而导致的操作。也就是说，在本发明中，确定与数据输出命令READ_CMD相对应的正常数据NORMAL_DATA的输出时刻，与确定数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的输出时刻是彼此互不相关的。

[0142] 图中所示的是当施加数据输出命令READ_CMD时与数据输出命令READ_CMD相对应的接收/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的操作。

[0143] 然而，当提供预定命令OTHER_CMD而非提供数据输出命令READ_CMD时，与预定命令OTHER_CMD相对应的接收/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的操作完全地与图中所示的操作对应。换言之，在图中，除了与数据输出命令READ_CMD相对应的输出正常数据NORMAL_DATA的操作以外，接收/输出数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的操作在两种情况下完全相对应。

[0144] 如前所述，根据本发明的一个实施例的半导体器件在与根据数据输入命令WRITE_CMD来输入正常数据NORMAL_DATA的时刻相同的时刻、即与系统时钟iHCK的时刻T3相对应的时刻，从半导体器件控制器接收数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG，而不管是哪种命令信号提供给半导体器件；在系统时钟iHCK的时刻T5储存输入的数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG；然后在预定的时刻、即与系统时钟iHCK的时刻T8相对应的时刻将数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG传送回半导体控制器。

[0145] 通过这些操作，即使在正常数据尚未从半导体器件控制器传送到半导体器件时，数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG也可以被提前传送，并且半导体器件控制器可以被反馈有数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG并能够分析数据恢复信息信号DATA_RECOVERY_SIG的值，并且分析的结果能反映在从半导体器件控制器顺序传送至半导体器件的正常数据NORMAL_DATA的相位上，由此能够始终保证正常数据NORMAL_DATA的稳定性。

[0146] 从上述描述明显可知的是，在本发明的实施例中，当数据在半导体器件控制器与半导体器件之间被输入/输出时，如果因半导体系统的操作温度或操作电力变化的现象出现而导致数据的相位改变，则使用在半导体器件控制器与半导体器件之间在与输入/输出数据相同的时刻输入/输出的模式信号，来检测并补偿所述改变，由此数据可以始终在半导体器件控制器与半导体器件之间稳定地输入/输出。

[0147] 虽然已经参照具体的实施例描述了本发明，但是对于本领域技术人员而言明显的是，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围的前提下，可以进行各种变化和修改。

[0148] 例如，除了前述自动刷新操作模式进入命令或待机操作模式进入命令之外，上述预定命令OTHER_CMD可以还包括任何命令，只要它控制半导体器件的操作。