热传导性硅氧烷组合物和半导体器件

摘要

一种热传导性硅氧烷组合物，其包含(A)在25℃下的粘度等于或大于100mPa·s的有机基聚硅氧烷；(B)平均粒度范围为0.1-100μm的铝粉；(C)平均粒度范围为0.05-50μm的氧化锌粉；(D)(i)含有具有不饱和脂族键的一价烃基的有机基聚硅氧烷，(ii)含有不具有不饱和脂族键的烃基的有机基聚硅氧烷，或组分(i)和(ii)的混合物；和(E)硅烷化合物或所述硅烷化合物的部分水解和缩合产物。该组合物具有高传导性和优异的可操作性。

权利要求

1.一种热传导性硅氧烷组合物，其包含：(A)100质量份在25℃下的粘度等于或大于100mPa·s的有机基聚硅氧烷；

(B)25-4,500质量份平均粒度范围为0.1-100μm的铝粉；

(C)10-1,000质量份平均粒度范围为0.05-50μm的氧化锌粉；

(D)(i)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷：

1 2 1 2 2 2 3

[RaR(3-a)SiO(RbR(2-b)SiO)m(R2SiO)n]cSiR[4-(c+d)](OR)d

1 2

其中，R 表示具有不饱和脂族键的一价烃基；R 表示不具有不饱和脂族键的一价烃基；

3

R 表示选自烷基、烷氧基烷基、烯基或酰基的基团；“a”是0-3的整数；“b”是1或2；“c”是

1-3的整数；“d”是1-3的整数；“(c+d)”是2-4的整数；“m”是等于或大于0的整数；“n”是等于或大于0的整数；然而，当“a”等于0时，“m”是等于或大于1的整数；和/或(ii)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷：

2 2 2 4 2 3

R3SiO(R2SiO)pR2Si-R-SiR(3-d)(OR)d

2 3 4

其中，R、R 和“d”如以上所定义，R 表示氧原子或二价烃基；和“p”是100-500的整数，该组分的用量为0.01-100质量份，以每100质量份组分(B)和(C)的总和计；和

5 6

(E)具有下述通式的硅烷化合物或所述硅烷化合物的部分水解和缩合产物：ReSi(OR)(4-e)5

其中，R 表示一价烃基、含环氧基的有机基团、含甲基丙烯酰基的有机基团、或含丙烯6

酰基的有机基团；R 表示烷基或烷氧基烷基；和“e”是1-3的整数，该组分的用量为0.001-10质量份，以每100质量份组分(B)和(C)的总和计。

2.权利要求1的热传导性硅氧烷组合物，其中组分(A)为在一个分子中平均含有0.1或更多个与硅键合的烯基的有机基聚硅氧烷。

3.权利要求2的热传导性硅氧烷组合物，还包含：(F)在一个分子中具有两个或更多个与硅键合的氢原子的有机基聚硅氧烷，该组分的用量为使得含在该组分中与硅键合的氢原子的含量范围为0.1-10摩尔，以每1摩尔含在组分(A)中的与硅键合的烯基计；和(G)铂类金属基催化剂，该组分的用量为使得在该组分中铂类金属的含量范围以质量单位计为0.01-1,000ppm，以每质量份组分(A)和(F)的总和计。

4.权利要求1的热传导性硅氧烷组合物，其中组分(B)包含从至少两种类型的铝粉制备的混合物，所述至少两种类型的铝粉的平均粒度差等于或大于5μm。

5.权利要求1的热传导性硅氧烷组合物，其中以质量单位计，组分(B)与组分(C)的比例范围为0.1-9.9。

6.一种半导体器件，其包括附着有或涂有权利要求1-5任一项的热传导性硅氧烷组合物的半导体芯片。

说明书

热传导性硅氧烷组合物和半导体器件

技术领域

[0001] 本发明涉及一种热传导性硅氧烷组合物和使用该组合物的半导体器件。

背景技术

[0002] 近年来，随着载有晶体管、集成电路(IC)、存储元件及其它电子组件的混合IC和印刷电路板的密度和集成度增加，已使用各种热传导性硅氧烷润滑脂、热传导性硅氧烷凝胶组合物、热传导性硅橡胶组合物或其它热传导性硅氧烷组合物以实现从这种器件的有效散热。为了改进这这类组合物的导热性，必须用热传导性填料将其填充至高填充度。例如，日本未审专利申请公开(以下简称“Kokai”)2000-256558公开了一种热传导性硅橡胶组合物，其包含有机基聚硅氧烷、含可水解基的甲基聚硅氧烷、热传导性填料和固化剂。此外，Kokai 2001-139815公开了一种热传导性硅橡胶组合物，其包含可固化的有机基聚硅氧烷、固化剂和热传导性填料，其中将填料的表面用含与硅键合的烷氧基的有机基硅氧烷处理。Kokai 2003-213133公开了一种具有改进的导热性的热传导性硅橡胶组合物，其中该组合物包含在一个分子中平均含有0.1或更多个与硅键合的烯基的有机基聚硅氧烷、在一个分子中平均含有两个或更多个与硅键合的氢原子的有机基聚硅氧烷、热传导性填料、铂类金属基催化剂和含可水解基和乙烯基的甲基聚硅氧烷。

[0003] 此外，近来电子器件的密度和集成度增加导致需要将具有比这类常规组合物更高的导热性的热传导性硅氧烷组合物。

[0004] 然而，增加组合物中热传导性填料的含量显著损害所得组合物的可操作性能和应用性能。

[0005] 本发明的一个目的是提供一种具有高导热性和优异可操作性的热传导性硅氧烷组合物。另一个目的是提供一种使用上述组合物的高度可靠的半导体器件。

发明内容

[0006] 本发明的热传导性硅氧烷组合物包含：

[0007] (A)100质量份在25℃下的粘度等于或大于100mPa·s的有机基聚硅氧烷；

[0008] (B)25-4,500质量份平均粒度范围为0.1-100μm的铝粉；

[0009] (C)10-1,000质量份平均粒度范围为0.05-50μm的氧化锌粉；

[0010] (D)(i)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷：

[0011] [R1aR2(3-a)SiO(R1bR2(2-b)SiO)m(R22SiO)n]cSiR2[4-(c+d)](OR3)d

[0012] (其中R1表示具有不饱和脂族键的一价烃基；R2表示不具有不饱和脂族键的一价3
烃基；R 表示选自烷基、烷氧基烷基、烯基或酰基的基团；“a”是0-3的整数；“b”是1或2；
“c”是1-3的整数；“d”是1-3的整数；“(c+d)”是2-4的整数；“m”是等于或大于0的整数；“n”是等于或大于0的整数；然而，当“a”等于0时，“m”是等于或大于1的整数)；和/或(ii)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷：

[0013] R23SiO(R22SiO)pR22Si-R4-SiR2(3-d)(OR3)d

[0014] (其中R2、R3和“d”如以上所定义，R4表示氧原子或二价烃基；和“p”是100-500的整数){该组分的用量为0.01-100质量份，以每100质量份组分(B)和(C)的总和计}；和

[0015] (E)具有下述通式的硅烷化合物或所述硅烷化合物的部分水解和缩合产物：

[0016] R5eSi(OR6)(4-e)

[0017] (其中R5表示一价烃基、含环氧基的有机基团、含甲基丙烯酰基的有机基团或含6
丙烯酰基的有机基团；R 表示烷基或烷氧基烷基；和“e”是1-3的整数){该组分的用量为
0.001-10质量份，以每100质量份组分(B)和(C)的总和计}。

[0018] 推荐组合物的组分(A)由在一个分子中平均含有0.1或更多个与硅键合的烯基的有机基聚硅氧烷组成。在这种情况下，为使组合物可固化，希望该组合物还包含(F)在一个分子中具有平均两个或更多个与硅键合的氢原子的有机基聚硅氧烷{该组分的用量为使得含在该组分中与硅键合的氢原子的含量范围为0.1-10摩尔，以每1摩尔含在组分(A)中的与硅键合的烯基计}；和(G)铂类金属基催化剂{该组分的用量为使得在该组分中铂类金属的含量范围以质量单位计为0.01-1,000ppm，以每质量份组分(A)和(F)的总和计}。

[0019] 推荐上述组合物中组分(B)由从至少两种类型的铝粉制备的混合物组成，所述铝粉的平均粒度差等于或大于5μm。并且推荐以质量单位计，组分(B)与组分(C)的比例范围为0.1-9.9。

[0020] 本发明的半导体器件含有附着有或涂有上述热传导性硅氧烷组合物的半导体芯片。

[0021] 发明效果

[0022] 本发明的热传导性硅氧烷组合物的效果在于其具有高导热性和良好的可操作性。本发明的半导体器件的特征在于优异的可靠性。

[0023] 附图简述

[0024] 图1显示了例如本发明的半导体器件的大规模集成电路(LSI)。

[0025] 说明书中使用的参考数字

[0026] 1 半导体芯片

[0027] 2 电路板

[0028] 3 电路

[0029] 4 接合线

[0030] 5 热传导性组合物(或该组合物的固化体)

[0031] 6 散热元件

[0032] 发明详述

[0033] 现在将更详细地描述本发明的热传导性硅氧烷组合物。

[0034] 构成组分(A)的有机基聚硅氧烷是该组合物的主要组分之一。该组分在25℃下的粘度等于或大于100mPa·s，优选粘度范围为100-1,000,000mPa·s，更优选
200-500,000mPa·s，和最优选300-100,000mPa·s。如果组分(A)在25℃下的粘度低于推荐下限，则这将促进油从组合物渗出。另一方面，如果粘度超过推荐上限，则这将损害所得组合物的可操作性。

[0035] 对于组分(A)的分子结构没有特殊限制。例如，该组分可具有直链、支链、部分支化的直链或树枝形分子结构。优选直链和部分支化的直链分子结构。上述分子结构可以均聚物、共聚物或这些聚合物的混合物的形式存在于组分(A)中。组分(A)的与硅键合的基团可例举甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基或类似的直链烷基；异丙基、叔丁基、异丁基、2-甲基十一烷基、1-己基庚基或类似的支链烷基；环戊基、环己基、环十二烷基或类似的环烷基；乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基或类似的烯基；苯基、甲苯基、二甲苯基或类似的芳基；苯甲基、苯乙基、2-(2，4，6-三甲基苯基)丙基或类似的芳烷基；和3，3，3-三氟丙基、3-氯丙基或类似的卤代烷基。最优选烷基、烯基和芳基，尤其是甲基、乙烯基和苯基。为了获得具有良好可固化性的组合物，推荐组分(A)在一个分子中平均含有0.1或更多个与硅键合的烯基。

[0036] 组分(A)可例举下述具体的化合物：分子两端均由三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷；分子两端均由二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷；分子两端均由甲基苯基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷；分子两端均由三甲基甲硅烷氧基封端的甲基苯基硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物；分子两端均由二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的甲基乙烯基硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物；分子两端均由三甲基甲硅烷氧基封端的甲基乙烯基硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物；分子两端均由二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的甲基乙烯基硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物；分子两端均由三甲基甲硅烷氧基封端的甲基乙烯基硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物；分子两端均由二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的甲基(3，3，3-三氟丙基)聚硅氧烷；分子两端均由硅烷醇基封端的二甲基硅氧烷；分子两端均由硅烷醇基封端的甲基苯基硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物；由用下述单元式表示的硅氧烷单元组成的有机基硅氧烷共聚物：CH3SiO3/2和(CH3)2SiO2/2；由用下述单元式表示的硅氧烷单元组成的有机基硅氧烷共聚物：C6H5SiO3/2和(CH3)2SiO2/2；由用下述单元式表示的硅氧烷单元组成的有机基硅氧烷共聚物：(CH3)3SiO1/2；CH3SiO3/2；和(CH3)2SiO2/2；由用下述单元式表示的硅氧烷单元组成的有机基硅氧烷共聚物：(CH3)3SiO1/2；(CH3)2(CH2＝CH)SiO1/2；CH3SiO3/2；和(CH3)2SiO2/2；或上述化合物的两种或更多种的组合。

[0037] 构成组分(B)的铝粉用于赋予组合物以导热性。对于组分(B)颗粒的形状没有特殊限制，其可具有球形、圆形、薄片形或不规则的形状，其中优选球形和圆形的形状。组分(B)的平均粒度范围为0.1-100μm，优选0.1-50μm。组分(B)可包含一种类型的铝粉，但优选其由至少两种类型的粒度差不少于5μm的铝粉组成。

[0038] 添加到组合物中的组分(B)的量为25-4,500质量份，优选50-4,000质量份和最优选100-3,000质量份，以每100质量份的组分(A)计。如果组分(B)的添加量低于推荐下限，则所得的硅氧烷组合物将不具有所需的导热性。另一方面，如果添加量超过推荐上限，则这将损害所得的硅氧烷组合物的可操作性。

[0039] 构成组分(C)的氧化锌粉也用于赋予组合物以导热性。对于组分(C)颗粒的形状没有特殊限制，其可具有球形、圆形、薄片形或不规则的形状。组分(C)的平均粒度范围为0.05-50μm，优选0.1-50μm。

[0040] 添加到组合物中的组分(C)的量为10-1,000质量份，优选100-1,000质量份，以每100质量份的组分(A)计。如果组分(C)的添加量低于推荐下限，则所得的硅氧烷组合物将不具有所需的导热性。另一方面，如果添加量超过推荐上限，则这将损害所得的硅氧烷组合物的可操作性。

[0041] 对于组合物中使用的组分(B)与组分(C)的比例没有特殊限制，但可推荐以质量单位计，组分(B)与组分(C)的比例范围为0.1-9.9。如果组分(B)的用量低于推荐下限，则所得的硅氧烷组合物将不具有所需的导热性。另一方面，如果组分(B)的添加量超过推荐上限，则这将损害所得的硅氧烷组合物的可操作性。

[0042] 添加组分(D)用于改进硅氧烷组合物的导热性以及用于能够在不损害组合物可操作性的情况下使用增加量的组分(B)和组分(C)。组分(D)由以下物质组成：

[0043] (i)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷：

[0044] [R1aR2(3-a)SiO(R1bR2(2-b)SiO)m(R22SiO)n]cSiR2[4-(c+d)](OR3)d

[0045] 和/或(ii)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷：

[0046] R23SiO(R22SiO)pR22Si-R4-SiR2(3-d)(OR3)d。

[0047] 在组分(i)的有机基聚硅氧烷中，R1表示具有不饱和脂族键的一价烃基并可例举乙烯基、烯丙基、丁烯基、己烯基、癸烯基、十一碳烯基、十二碳烯基、十三碳烯基、十四碳烯基、十五碳烯基、十六碳烯基、十七碳烯基、十八碳烯基、十九碳烯基、二十碳烯基或类似的直链烯基；异丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、2-甲基-10-十一碳烯基及其它支链烯基；乙烯基环己基、乙烯基环十二烷基及其它具有脂族不饱和键的环状烷基；乙烯基苯基及其它具有脂族不饱和键的芳基；乙烯基苯甲基、乙烯基苯乙基及其它具有脂族不饱和键的芳烷基。1
优选这些基团为直链基团，并且尤其优选乙烯基、烯丙基或己烯基。对于R 中脂族不饱和键
2
的位置没有限制，但优选其位置远离连接的硅原子。另外，在上式中的R 表示不含脂族不饱和键的一价烃基，其例举甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基或类似的直链烷基；异丙基、叔丁基、异丁基、2-甲基十一烷基、1-己基庚基或类似的支链烷基；环戊基、环己基、环十二烷基或类似的环状烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基或类似的芳基；苯甲基、苯乙基、2-(2，4，6-三甲基苯基)丙基或类似的芳烷基；和3，3，3-三氟丙基、3-氯丙基或类似的卤代烷基。最优选烷基和芳基，尤其是具有1-4个碳原子的烷
3 3
基，如甲基和乙基。另外，在上式中的R 表示烷基、烷氧基烷基、烯基或酰基。R 的烷基例举例如与如上所述那些相同的直链烷基、支链烷基和环状烷基，优选例举直链烷基，并尤其优
3
选例举甲基、乙基或丙基。另外，推荐作为R 的烷氧基烷基的基团为例如甲氧基乙氧基、乙
3 1
氧基乙氧基或甲氧基丙氧基，优选甲氧基乙氧基。另外，R 的烯基例举与以上对于R 所列那
3
些相同的烯基，优选例举异丙烯基。另外，R 的酰基包括例如乙酰氧基。在上式中，“a”是
0-3的整数，优选是1。另外，在上式中的“b”是1或2，优选是1。另外，在上式中的“c”是
1-3的整数，优选是1，和“d”是1-3的整数，其中优选是3。在上式中“(c+d)”之和是2-4的整数。另外，在上式中的“m”是0或更大的整数。然而，当“a”是0时，“m”是1或更大的整数；“m”优选是0-500的整数，更优选是1-500，甚至更优选是5-500的整数，进一步优选是10-500和最优选是10-200的整数。在该式中，“n”是0或更大的整数；“n”优选是0-500的整数，更优选是1-500，更加优选是5-500，甚至更优选是10-500和最优选是10-200的整数。

[0048] 组分(i)例举由下式表示的有机基聚硅氧烷：

[0049] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]3Si(OCH3)3

[0050] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]5Si(OCH3)3

[0051] (CH2＝CHCH2)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]5Si(OCH3)3

[0052] (CH2＝CHCH2CH2CH2CH2)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]5Si(OCH3)3

[0053] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]7Si(OCH3)3

[0054] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]7Si(OC2H5)3

[0055] (CH2＝CHCH2)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]7Si(OCH3)3

[0056] (CH2＝CHCH2CH2CH2CH2)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]7Si(OCH3)3

[0057] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]7SiCH3(OCH3)2

[0058] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]25Si(OCH3)3

[0059] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]27Si(OCH3)3

[0060] (CH2＝CHCH2)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]25Si(OCH3)3

[0061] (CH2＝CHCH2CH2CH2CH2)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]25Si(OCH3)3

[0062] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]25Si(OC2H5)3

[0063] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]27Si(OC2H5)3

[0064] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]25SiCH3(OCH3)2

[0065] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]50Si(OCH3)3

[0066] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]100Si(OCH3)3

[0067] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]150Si(OCH3)3

[0068] (CH2＝CHCH2)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]50Si(OCH3)3

[0069] (CH2＝CHCH2CH2CH2CH2)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]50Si(OCH3)3

[0070] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]50Si(OC2H5)3

[0071] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]50SiCH3(OCH3)2

[0072] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]5[(CH3){(CH3O)3SiC2H4}SiO]1Si(CH3)3[0073] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]5[(CH3){(CH3O)3SiO}SiO]1Si(CH3)3[0074] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]5[(CH3){(CH3O)3SiC2H4}SiO]1Si(OCH3)3[0075] (CH2＝CH)(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]5[(CH3){(CH3O)3SiO}SiO]1Si(OCH3)3[0076] 在组分(ii)的有机基聚硅氧烷中，R2表示不具有不饱和脂族键的一价烃基并可例举直链烷基、支链烷基、环状烷基、芳基、芳烷基和卤代烷基，其中优选直链烷基，尤其是甲4 4
基。在上式中，R 表示氧原子或二价烃基。R 的二价烃基可例举亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚
4
丁基及其它亚烷基；亚乙基氧亚乙基、亚乙基氧亚丙基及其它亚烷基氧亚烷基。特别优选R
3
为氧原子。另外，在上式中的R 由与上述那些相同的基团表示。另外，“p”是100-500的整数，优选是105-500的整数，更优选是110-500的整数和最优选是110-200的整数。这是由于以下事实，当在上式中的“p”小于推荐上述范围的下限时，不能以增加的量添加组分(B)和组分(C)。另一方面，当“p”值超过推荐上述范围的上限时，与组分(B)和组分(C)的表面结合的分子体积过度增加，并且将趋于不可能添加大量的组分(B)和组分(C)。特别地，如果在本发明组合物中的组分(B)和组分(C)的含量极高，如80体积％或更多，这种趋势将变得更显著，因为组分(B)或组分(C)的颗粒间的平均距离变得更短。另外，在上式中“d”是1-3的整数，优选是3。

[0077] 组分(ii)例举由下式表示的有机基聚硅氧烷：

[0078] (CH3)3SiO[(CH3)2SiO]118(CH3)2Si-O-Si(OCH3)3

[0079] (CH3)3SiO[(CH3)2SiO]125(CH3)2Si-O-Si(OCH3)3

[0080] (CH3)3SiO[(CH3)2SiO]140(CH3)2Si-O-Si(OCH3)3

[0081] (CH3)3SiO[(CH3)2SiO]160(CH3)2Si-O-Si(OCH3)3

[0082] (CH3)3SiO[(CH3)2SiO]200(CH3)2Si-O-Si(OCH3)3

[0083] (CH3)3SiO[(CH3)2SiO]300(CH3)2Si-C2H4-SiOCH3)3

[0084] (CH3)3SiO[(CH3)2SiO]118(CH3)2Si-O-SiCH3(OCH3)2

[0085] (CH3)3SiO[(CH3)2SiO]79[(CH3)(C6H5)SiO]30(CH3)2Si-O-Si(OCH3)3

[0086] (CH3)3SiO[(CH3)2SiO]79[(C6H5)2SiO]30(CH3)2Si-O-Si(OCH3)3

[0087] 组分(D)可由组分(i)或组分(ii)任一组成，但优选应以组分(i)和(ii)的混合物形式添加。虽然对于组分(i)和组分(ii)的质量单位比没有特殊限制，但可推荐该比例范围为(1∶5)-(5∶1)。

[0088] 在本发明的组合物中，组分(D)的含量为0.01-100质量份，优选0.05-50质量份和最优选0.1-5质量份，以每100质量份组分(B)和组分(C)的总和计。如果组分(D)的含量低于推荐下限，则这将损害组合物的可操作性，如果组分(B)和组分(C)以增加的量添加。另一方面，如果组分(D)的添加量超过推荐下限，则这将损害组合物的固化产物的机械强度。

[0089] 组分(E)是硅烷化合物或其部分水解和缩合的产物。将组分(E)与组分(D)混合使用以获得具有高导热性的硅氧烷组合物，这能够在不损害所得组合物的可操作性的情况下以增加量添加组分(B)和组分(C)。组分(E)的硅烷化合物由下述通式表示：

[0090] R5eSi(OR6)(4-e)

[0091] 在该式中，R5表示一价烃基、含环氧基的有机基团、含甲基丙烯酰基的有机基团或5
含丙烯酰基的有机基团。R 的一价烃基可表示为甲基、乙基、丙基、丁基、己基、癸基或类似的直链烷基；异丙基、叔丁基、异丁基或类似的支链烷基；环己基或类似的环状烷基；乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基或类似的烯基；苯基、甲苯基、二甲苯基或类似的芳基；苯甲基、苯乙基或类似的芳烷基；和3，3，3-三氟丙基、3-氯丙基或类似的卤代烷
5
基。R 的含环氧基的有机基团可表示为3-缩水甘油氧基丙基和2-(3，4-环氧基环己基)
5 5
乙基。R 的含甲基丙烯酰基的有机基团可表示为3-甲基丙烯酰氧基丙基。R 的含丙烯酰
6
基的有机基可表示为3-丙烯酰氧基丙基。在上式中，R 表示烷基或烷氧基烷基，其可例举
3
与如上对于R 定义那些相同的烷基或烷氧基烷基。另外，在上式中“e”是1-3的整数，优选是1或2和最优选是1。

[0092] 上述构成组分(E)的硅烷化合物可例举甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧甲硅烷、乙基三甲氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、戊基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、甲基乙烯基二甲氧基硅烷、烯丙基三甲基硅烷、烯丙基甲基二甲氧基硅烷、丁烯基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷和3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷。

[0093] 可添加到组合物中的组分(E)的量为0.005-10质量份，优选0.01-10质量份和最优选0.01-5质量份，以每100质量份组分(B)和组分(C)的总和计。如果组分(E)的添加量小于推荐下限，则以增加量添加组分(B)和组分(C)将损害所得硅氧烷组合物的可操作性，或将导致组分(B)或组分(C)在所得硅氧烷组合物的储存期间沉淀和分离。另一方面，如果组分(E)的添加量超过推荐上限，则这将使不利于组分(B)和组分(C)表面处理的组分增加。

[0094] 用组分(D)和(E)处理组分(B)和(C)的表面的方法的实例如下：由用组分(D)预处理组分(B)和(C)的表面然后用组分(E)处理组成的方法；由用组分(E)预处理组分(B)和(C)的表面然后用组分(D)处理组成的方法；由同时用组分(D)和(E)处理组分(B)和(C)的表面组成的方法；由在组分(A)中用组分(D)预处理组分(B)和(C)的表面然后用组分(E)处理组成的方法；由在组分(A)中用组分(E)预处理组分(B)和(C)的表面然后用组分(D)处理组成的方法；由在组分(A)中同时用组分(D)和(E)处理组分(B)和(C)的表面组成的方法；由用组分(D)预处理组分(B)和(C)的表面然后在组分(A)中用组分(E)处理组成的方法；和由用组分(E)预处理组分(B)和(C)的表面然后在组分(A)中用组分(D)处理组成的方法。在通过上述方法获得的组合物中，组分(B)和(C)的表面是用组分(D)和(E)处理的或者仍然保持未处理的。在用组分(D)或(E)对组分(B)和(C)进行表面处理的情况下，为了加快处理，在加热下或使用以催化量添加的乙酸、磷酸或类似的酸物质、或三烷基胺、季铵盐、气态氨或碳酸铵进行该方法。

[0095] 当在本发明组合物中的组分(A)的有机基聚硅氧烷在一个分子中含有的与硅键合的烯基的平均数量为0.1或更多个，优选0.5或更多个，甚至更优选0.8或更多个和最优选2或更多个时，则添加固化剂使该组合物可固化。

[0096] 固化剂可表示为(F)在一个分子中具有平均两个或更多个与硅键合的氢原子的有机基聚硅氧烷和表示为铂基催化剂。如果构成组分(F)的有机基聚硅氧烷在一个分子中平均含有两个或更多个与硅键合的氢原子，则对于这类氢原子的键合位置没有特殊限制，并且键合位置可位于分子末端、在侧链上或二者上。除氢原子外，组分(F)的与硅键合的基团可表示为不具有不饱和脂族键的一价烃基，如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基或类似的烷基；环戊基、环己基或类似的环状烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基或类似的芳基；苯甲基、苯乙基或类似的芳烷基；和3，3，3-三氟丙基、3-氯丙基或类似的卤代烷基。最优选烷基和芳基，尤其是甲基和苯基。对于组分(F)的有机基聚硅氧烷的分子结构没有特殊限制。例如，该结构可以是直链、支链、部分支化的直链、环状或树枝状分子结构。推荐具有上述分子结构的组分(F)的有机基聚硅氧烷包括例如均聚物、共聚物或这些聚合物的混合物。另外，虽然对该有机基聚硅氧烷在25℃下的粘度没有限制，但优选粘度在1-100,000mPa·s的范围内，优选1-10,000mPa·s的范围内和最优选1-5,000mPa·s的范围内。

[0097] 上述组分(F)可例举下述化合物：分子两端均由三甲基甲硅烷氧基封端的甲基氢聚硅氧烷；分子两端均由三甲基甲硅烷氧基封端的甲基氢硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物；分子两端均由二甲基氢甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷；分子两端均由二甲基氢甲硅烷氧基封端的甲基氢聚硅氧烷；分子两端均由二甲基氢甲硅烷氧基封端的甲基氢硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物；环状甲基氢聚硅氧烷和由用下述单元式表示的硅氧烷单元组成的有机基硅氧烷：(CH3)3SiO1/2、(CH3)2HSiO1/2和SiO4/2；四(二甲基氢甲硅烷氧基)硅烷和甲基-三(二甲基氢甲硅烷氧基)硅烷。

[0098] 可添加到组合物中的组分(F)的量为使得该组分的与硅键合的氢原子含量范围为0.1-10摩尔，优选0.1-5摩尔和最优选0.1-3摩尔，以每1摩尔含在组分(A)中的与硅键合的烯基计。如果组分(F)的添加量小于推荐下限，则难以将组合物固化到需要程度。另一方面，如果组分(F)的添加量超过推荐上限，则这将促进从组合物的固化产物中释防气态氢。

[0099] 向该组合物中添加构成组分(G)的铂类金属基催化剂以加快固化。这种催化剂可例举氯铂酸、氯铂酸的醇溶液、铂的烯烃络合物、铂的烯基硅氧烷络合物和铂的羰基络合物。其它类催化剂可由铑基催化剂或钯基催化剂组成，但优选铂基催化剂。

[0100] 在本发明的组合物中，组分(G)的含量为固化该组合物所需的含量。特别地，以质量单位计，相对于组分(A)的量，足以提供优选为0.01ppm-1,000ppm，和特别优选0.1ppm-500ppm的铂类金属。这是由于以下事实，当该组分的含量小于推荐上述范围的下限时，所得到的硅氧烷组合物倾向于不完全固化，而另一方面，当添加量超过推荐上述范围的上限时，不会显著改进所得到的硅氧烷组合物的固化速度。

[0101] 为了调节本发明组合物的固化速度和改进其可操作性，优选将其与2-甲基-3-丁炔-2-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、1-乙炔基-1-环己醇及其它乙炔化合物；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3，5-二甲基-3-己烯-1-炔及其它烯炔化合物；以及肼化合物、膦化合物、硫醇化合物及其它固化反应抑制剂混合。对于固化反应抑制剂的含量没有限制，然而优选以本发明的组合物的量计，其范围为0.0001-1.0质量％。

[0102] 此外，只要不损害本发明的目的，本发明的组合物可含有其它任选组分，例如煅制二氧化硅、熔融二氧化硅、沉淀二氧化硅或其它细二氧化硅粉、或表面被烷氧基硅烷、氯代硅烷、硅氮烷或类似有机硅化合物疏水处理过的上述二氧化硅粉。对于细二氧化硅粉的粒2 2
度没有特殊限制，但推荐BET比表面积不少于50m/g，和优选不少于100m/g。

[0103] 添加到组合物中的细二氧化硅粉的量为0.1-10质量份，优选0.5-10质量份，以每100质量份的组分(A)计。如果细二氧化硅粉的含量低于推荐下限，则所得的组合物将具有极高流动性。另一方面，如果细二氧化硅粉是加入量超过推荐上限，则这将显著损害组合物的可操作性。

[0104] 为了改进在通过固化本发明的组合物而获得的产品表面上的粘合性能，可向所述组合物中加入粘合促进剂。这类试剂可例举例如由下式表示的氮杂硅三环衍生物，或在一个分子中含有至少一个烯基和至少一个与硅键合的烷氧基的类似氮杂硅三环衍生物：

[0105] [第一化学式]

[0106]

[0107] 在一个分子中含有至少一个下述基团的每一种的硅氧烷化合物：与硅键合的烯基或与硅键合的氢原子、与硅键合的烷氧基和含环氧基的有机基团、含甲基丙烯酰基的有机基团或含丙烯酰基的有机基团。更特别地，这可以是由下述平均单元式表示的硅氧烷化合物：

[0108] [第二化学式]

[0109]

[0110] (其中“f”、“g”和“h”为正数)；

[0111] 由下述平均单元式表示的硅氧烷化合物：

[0112] [第三化学式]

[0113]

[0114] (其中“f”、“g”、“h”和“i”是正数)；

[0115] 或两种或更多种上述化合物的组合。含在上述粘合促进剂中的含环氧基的有机基团、含甲基丙烯酰基的有机基团和含丙烯酰基的有机基可例举与上述那些相同的这类基团。对于可添加到组合物中的粘合促进剂的量没有限制，但可推荐其添加量为0.01-10质量份，以每100重量份组分(A)计。

[0116] 除了组分(B)和(C)，该组合物可与各种热传导性填料混合，所述填料例如为氧化铝、氧化镁、氧化钛、氧化铍或类似的金属氧化物，氧化锌除外；氢氧化铝、氢氧化镁或类似的金属氢氧化物；氮化铝、氮化硅、氮化硼或类似的氮化物；碳化硼、碳化钛、碳化硅或类似的碳化物；石墨；铜、镍、银或类似的金属，铝除外；或上述的混合物。

[0117] 在不违背本发明目的的限制内，该组合物可加入任意组分如颜料、染料、荧光染料、耐热剂、三唑化合物及其它阻燃剂和增塑剂。

[0118] 组合物可以润滑脂、糊剂或粘土的形式生产。如果组合物是可固化的，则对于可用来固化该组合物的方法没有限制。例如，可通过在形成组合物后保持在室温下使该组合物固化。或者，可通过在形成后加热到50℃-200℃的温度下使该组合物固化。对于可生产从该组合物获得的固化的硅氧烷产物的形式没有特殊限制。例如，该固化产物可以为凝胶、软橡胶或硬橡胶的形式。该固化的硅氧烷产物可具有足以将该产物用作散热元件的密度。

[0119] 现在将参考图1描述作为本发明半导体器件实例的LSI。该器件含有放置在电路板2上的半导体芯片1。电路板2的电路3通过接合线4电连接到半导体芯片1。散热元件6经由本发明的热传导性硅氧烷组合物或经由上述组合物的固化体5连接到半导体芯片1上。换句话说，在本发明的半导体器件结构中，在工作期间由半导体芯片1产生的热通过本发明的热传导性硅氧烷组合物或该组合物的固化体传送到散热元件6。如图1所示，热传导性硅氧烷组合物或该组合物的固化体5夹在半导体芯片1与散热元件6之间，其特征在于高可靠性，因为即使当在苛刻温度条件下工作时它也不经历渗油。
实施例

[0120] 现在将参考实践例更详细地描述本发明的热传导性硅氧烷组合物和半导体器件。在这些实践例中，所有的粘度值是指在25℃下的粘度。下述方法用于评价本发明的热传导性硅氧烷组合物和该组合物的固化体的特性。

[0121] [热传导性硅氧烷组合物的粘度]

[0122] 通过流变仪(AR550型，TA Instruments，Ltd.的产品)测量热传导性硅氧烷组合物在25℃下的粘度。几何形状包含直径为20mm的平行板。在下述条件下进行测量：200μm的间隙，10.0(1/s)的剪切速率。[热传导性硅氧烷组合物的导热系数]

[0123] 将热传导性硅氧烷组合物放入60mm×150mm×25mm的容器中，在消泡后，将该组合物表面涂上厚度为10μm的聚偏氯乙烯薄膜。在此之后，使用Kyoto Denshi Kogyo Co.，Ltd的高速导热计(基于热射线原理工作)，通过热线法测量热传导性硅氧烷组合物的导热系数。

[0124] [热传导性硅氧烷组合物的固化体的导热系数]

[0125] 使热传导性硅氧烷组合物在150℃下经历加压固化15分钟，然后将获得的尺寸为50mm×100mm×20mm的固化体在150℃下的烘箱中加热1小时。使用由Kyoto Denshi Kogyo Co.，Ltd制造的QTM-500型快速热导计，通过热线法测量固化体的导热系数。

[0126] [热传导性硅氧烷组合物的固化体的拉伸剪切粘合强度]

[0127] 将热传导性硅氧烷组合物夹入并挤压在两个铝(A1050P)板之间，以使组合物层具有1mm的厚度及25mm×10mm的其它尺寸。在此条件下，通过在150℃下加热1小时使组合物固化，藉此生产试样。根据JIS K 6850，通过使用通用试验机Tensilon(RTC-1325A型；OrientechCo.，Ltd.的产品)测试所得试样的拉伸剪切粘合强度。

[0128] [热传导性硅氧烷组合物的可操作性]

[0129] 将热传导性硅氧烷组合物装入30ml聚丙烯制成的注射器(针的直径＝0.90mm)中，在0.2MPa下进行涂布试验，测量在10秒期间内从注射器排出的热传导性硅氧烷组合物的质量。如果排出量等于或大于30mg则认为可操作性良好并用符号(○)标记，如果排出量小于30mg则认为可操作性不足并用符号(×)标记。

[0130] [实践例1]

[0131] 通 过 在 室 温 下 将 下 述 组 分 在 Tokushu Kika Kogyo Co.Ltd. 的T.K. 中混合15分钟制备混合物：12.0质量份分子两端均由二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷(粘度＝10,000mPa·s；乙烯基含量＝0.135质量％)；
50.0质量份平均粒径等于8μm的球形铝粉；20质量份平均粒径等于2μm的球形铝粉；
15.0质量份平均粒度等于0.1μm的氧化锌粉；1质量份下式的二甲基聚硅氧烷：

[0132] CH2＝CH(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]27Si(OCH3)3

[0133] 和0.4质量份甲基三甲氧基硅烷。将混合物在低于-0.09MPa的减压下在150℃下另外混合1小时，在冷却到室温后，获得热传导性硅氧烷组合物。

[0134] 将获得的热传导性硅氧烷组合物进一步与以下物质混合：2.7质量份分子两端均由三甲基甲硅烷氧基封端且在一个分子中具有平均3个与硅键合的氢原子的甲基氢硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物(粘度＝5.5mPa·s；与硅键合的氢原子含量＝0.13质量％)(含在该组分中的与硅键合的氢原子的量为1.5摩尔，以每1摩尔含在热传导性硅氧烷组合物中的二甲基聚硅氧烷中的乙烯基计)；0.005质量份2-苯基-3-丁炔-2-醇形式的固化抑制剂；和1.0质量份由下述平均单元式表示的硅氧烷化合物：

[0135] [第四化学式]

[0136]

[0137] 使获得混合物与0.1质量份含0.5质量％铂的1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷的铂络合物进一步结合并在室温下混合15分钟，获得可固化的热传导性硅氧烷组合物。

[0138] [实践例2]

[0139] 通 过 在 室 温 下 将 下 述 组 分 在 Tokushu Kika Kogyo Co.，Ltd. 的T.K. 中混合15分钟制备混合物：6.0质量份分子两端均由二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷(粘度＝2,000mPa·s；乙烯基含量＝0.22质量％)；50.0质量份平均粒径等于9μm的圆形铝粉颗粒；25.0质量份平均粒径等于2μm的圆形铝粉；
16.0质量份平均粒度等于0.1μm的氧化锌粉；4.0质量份下式的二甲基聚硅氧烷：

[0140] CH2＝CH(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]3Si(OCH3)3

[0141] 和0.5质量份甲基三甲氧基硅烷。将混合物在低于-0.09MPa的减压下在150℃下另外混合1小时，在冷却到室温后，获得热传导性硅氧烷组合物。

[0142] [实践例3]

[0143] 通 过 在 室 温 下 将 下 述 组 分 在 Tokushu Kika Kogyo Co.，Ltd. 的T.K. 中混合15分钟制备混合物：12.6质量份分子两端均由二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷(粘度＝2,000mPa·s；乙烯基含量＝0.22质量％)；
45.0质量份平均粒径等于8μm的球形铝粉；23.0质量份平均粒径等于2μm的球形铝粉；
14.0质量份平均粒度等于0.1μm的氧化锌粉；2.0质量份用六甲基二硅氮烷疏水表面处理
2
的煅制二氧化硅(BET比表面积＝200m/g)；1.8质量份下式的二甲基聚硅氧烷：

[0144] CH2＝CH(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]27Si(OCH3)3

[0145] 和0.4质量份甲基三乙氧基硅烷。将混合物在低于-0.09MPa的减压下在150℃下另外混合1小时，在冷却到室温后，获得热传导性硅氧烷组合物。

[0146] 将获得的热传导性硅氧烷组合物进一步与以下物质混合：0.5质量份分子两端均由三甲基甲硅烷氧基封端的甲基氢硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物(粘度＝20mPa·s；与硅键合的氢原子含量＝0.7质量％)(含在该组分中的与硅键合的氢原子的量为1.5摩尔，以每1摩尔含在热传导性硅氧烷组合物中的二甲基聚硅氧烷中的乙烯基计)；0.005质量份2-苯基-3-丁炔-2-醇形式的固化抑制剂；和1.0质量份由下述平均单元式表示的硅氧烷化合物(粘度＝25mPa·s)：

[0147] [第五化学式]

[0148]

[0149] 使获得的混合物与0.1质量份含0.5质量％金属铂的1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷的铂络合物进一步结合并在室温下混合15分钟，获得可固化的热传导性硅氧烷组合物。

[0150] [实践例4]

[0151] 通 过 在 室 温 下 将 下 述 组 分 在 Tokushu Kika Kogyo Co.，Ltd. 的T.K. 中混合15分钟制备混合物：2.0质量份分子两端均由三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷(粘度＝200mPa·s)；51.0质量份平均粒径等于8μm的球形铝粉颗粒；26.0质量份平均粒径等于2μm的球形铝粉颗粒；18.0质量份平均粒度等于0.1μm的氧化锌粉；3.5质量份下式的二甲基聚硅氧烷：

[0152] (CH3)3SiO[(CH3)2SiO]110Si(OCH3)3

[0153] 和0.4质量份甲基三甲氧基硅烷。将混合物在低于-0.09MPa的减压下在150℃下另外混合1小时，在冷却到室温后，获得热传导性硅氧烷组合物。

[0154] [对比例1]

[0155] 通 过 在 室 温 下 将 下 述 组 分 在 Tokushu Kika Kogyo Co.，Ltd. 的T.K. 中混合15分钟制备混合物：12.0质量份分子两端均由二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷(粘度＝10,000mPa·s；乙烯基含量＝0.135质量％)；
50质量份平均粒径等于8μm的球形铝粉；20.0质量份平均粒径等于2μm的球形铝粉；
15.0质量份平均粒度等于0.1μm的氧化锌粉；和1.0质量份甲基三甲氧基硅烷。将混合物在低于-0.09MPa的减压下在150℃下另外混合1小时，在冷却到室温后，获得热传导性硅氧烷组合物。

[0156] 将获得的热传导性硅氧烷组合物进一步与以下物质混合：2.7质量份分子两端均由三甲基甲硅烷氧基封端且在一个分子中具有平均3个与硅键合的氢原子的甲基氢硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物(粘度＝5.5mPa·s；与硅键合的氢原子含量＝0.13质量％)(含在该组分中的与硅键合的氢原子的量为1.5摩尔，以每1摩尔含在热传导性硅氧烷组合物中的二甲基聚硅氧烷中的乙烯基计)；0.005质量份2-苯基-3-丁炔-2-醇形式的固化抑制剂；和1.0质量份由下述平均单元式表示的硅氧烷化合物(粘度＝25mPa·s)：

[0157] [第六化学式]

[0158]

[0159] 使获得的混合物与0.1质量份含0.5质量％铂的1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷的铂络合物进一步结合并在室温下混合15分钟，获得可固化的热传导性硅氧烷组合物。

[0160] [对比例2]

[0161] 通 过 在 室 温 下 将 下 述 组 分 在 Tokushu Kika Kogyo Co.，Ltd. 的T.K. 中混合15分钟制备混合物：14.4质量份分子两端均由二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷(粘度＝10,000mPa·s；乙烯基含量＝0.135质量％)；
55.0质量份平均粒径等于8μm的球形铝粉；28.0质量份平均粒径等于2μm的球形铝粉；
1.0质量份下式的二甲基硅氧烷：

[0162] CH2＝CH(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]27Si(OCH3)3

[0163] 和0.5质量份甲基三甲氧基硅烷。将混合物在低于-0.09MPa的减压下在150℃下另外混合1小时，在冷却到室温后，获得热传导性硅氧烷组合物。

[0164] 将获得的热传导性硅氧烷组合物进一步与以下物质混合：0.5质量份分子两端均由三甲基甲硅烷氧基封端的甲基氢硅氧烷与二甲基硅氧烷的共聚物(粘度＝20mPa·s；与硅键合的氢原子含量＝0.7质量％)(含在该组分中的与硅键合的氢原子的量为1.5摩尔，以每1摩尔含在热传导性硅氧烷组合物中的二甲基聚硅氧烷中的乙烯基计)；0.005质量份2-苯基-3-丁炔-2-醇形式的固化抑制剂；和1.0质量份由下述平均单元式表示的硅氧烷化合物：

[0165] [第七化学式]

[0166]

[0167] 使获得混合物与0.1质量份含0.5质量％铂的1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷的铂络合物进一步结合并在室温下混合15分钟，获得可固化的热传导性硅氧烷组合物。

[0168] [对比例3]

[0169] 通 过 在 室 温 下 将 下 述 组 分 在Tokushu Kika Kogyo Co.，Ltd. 中 的T.K. 中混合15分钟制备混合物：5.0质量份分子两端均由三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷(粘度＝200mPa·s)；51.0质量份平均粒径等于8μm的球形铝粉；26.0质量份平均粒径等于2μm的球形铝粉；18.0质量份平均粒径等于0.1μm的氧化锌粉；和0.4质量份甲基三甲氧基硅烷。将混合物在低于-0.09MPa的减压下在150℃下另外混合1小时，在冷却到室温后，获得热传导性硅氧烷组合物。

[0170] [表1]

[0171]

[0172] 因为本发明的热传导性硅氧烷组合物具有高导热性和优异的可操作性，其可用作例如含发热器件的电子组件或在高温条件下工作的汽车电子部件的散热元件。