一种LED芯片的封装方法及封装器件

摘要

本发明公开一种LED芯片的封装方法及封装器件，该方法包括在基板上生长围绕透镜成型区域的凸起，将LED芯片安装在所述基板上，所述LED芯片位于由所述凸起界定的透镜成型区域中，将设定剂量的流体状封装材料注入到所述LED芯片顶部，并经固化形成封装所述LED芯片的透镜。本发明通过以上技术方案，提供一种无需借助额外的模具便可实现封装，并能够适应LED晶圆级封装的LED芯片的封装方法及封装器件。

权利要求

1.一种LED芯片的封装方法，其特征在于，包括：

在晶圆上生长围绕透镜成型区域的凸起，生长凸起的方法包括：淀积、氧化、溅射、回流焊、电镀或丝网印刷；

将LED芯片安装在所述晶圆上，所述LED芯片位于由所述凸起界定的透镜成型区域中；

将设定剂量的流体状封装材料注入到所述LED芯片顶部，并经固化形成封装所述LED芯片的半球型透镜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凸起的制作材料包括金属、硅化物、氧化物、锡膏或硅胶。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凸起的平面形状包括圆形和多边形中的任一种。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封装材料为硅胶、环氧树脂或者硅脂。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，封装所述LED芯片的透镜由至少两层封装材料依次注入并固化形成，将设定剂量的流体状封装材料注入到所述LED芯片顶部，并经固化形成封装所述LED芯片的透镜的方法具体为：在所述LED芯片的顶部注入第一层封装材料，将其固化形成封装所述LED芯片的第一层透镜；

在所述第一层透镜上注入第二层封装材料，将其固化形成封装所述LED芯片的第二层透镜；依次类推。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述LED芯片表面形成的至少两个封装层的折射率由里向外依次递减。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述每层封装材料都含有可被所述LED芯片激发而产生设定光谱的荧光粉；或第一层封装材料为透明材料，其它层封装材料为含有可被所述LED芯片激发而产生设定光谱的荧光粉的封装材料。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述凸起包括多个围绕芯片焊接区域的环形凸起，每个凸起用于界定一个荧光粉层的成型区域。

9.一种LED封装器件，包括当施加电流时用于产生光的LED芯片、用作所述LED芯片衬底的基板、封装材料固化后形成的封装所述LED芯片的半球形透镜，其特征在于，还包括：通过淀积、氧化、溅射、回流焊、电镀或丝网印刷生长于所述基板上且围绕透镜成型区域的凸起，所述LED芯片位于由所述凸起界定的透镜成型区域中，所述基板为晶圆。

10.如权利要求9所述的LED封装器件，其特征在于，所述封装材料为硅胶、环氧树脂或者硅脂。

11.如权利要求9或10所述的LED封装器件，其特征在于，所述凸起包括多个，所述透镜包括至少两层封装层，每一个凸起用于界定一个封装层，每层透镜由一层封装材料注入并固化形成，多个封装层的折射率由里向外依次递减。

12.如权利要求11所述的LED封装器件，其特征在于，所述每层透镜都含有可被所述LED芯片激发而产生设定光谱的荧光粉；或所述透镜的第一层透镜为透明封装材料，其它层透镜含有可被所述LED芯片激发而产生设定光谱的荧光粉。

说明书

一种LED芯片的封装方法及封装器件

技术领域

[0001] 本发明涉及发光器件技术领域，尤其涉及一种LED芯片的封装方法及封装器件。

背景技术

[0002] 随着LED发光二极管市场需求的不断增长和新应用的相继出现，对LED的封装技术提出了更高的要求，LED封装在改善LED性能和降低成本上起到很大的作用。

[0003] 目前，LED封装主要有单芯片和多芯片集成两种。单芯片LED封装器件中，LED芯片是倒装粘合在一过渡基板上，过渡基板上制作有用于在LED和该过渡基板之间电连接的金属电路，该过渡基板与粘合在一起的LED芯片被连接至散热片。接着一预先制好的透镜(封装材料固化形成)覆盖住LED芯片、线路和过渡基板，整个封装器件最终被安装到进行信号分布和散热的载板(比如PCB)上。该种封装方法，因其结构较复杂，成本较高，而且LED芯片被单独封装，这意味着其不可能实现高产量和低成本的晶圆级封装。

[0004] 晶圆级(WLP)封装技术有成本低，体积小等优点。将LED芯片倒装在硅晶圆上可以充分利用和结合成熟的硅工艺和硅的集成电路功能，形成供电、计算、控制及通讯等功能的系统集成，是未来显示和照明领域的发展方向。无论哪种封装形式，一次光学透镜都是LED封装的主要部分，光学透镜直接安装在支架上并完全包覆住整个芯片，与LED成为一个整体，可有效地汇聚芯片的光线，得到不同的出光角度。而出光成型控制是个非常复杂的制程，透镜材料本身的性质也依成型参数变异而不同，会对透镜的射出有很大影响，透镜的收缩也会因材料的选择与成型参数的设定而有所不同，造成透镜的表面轮廓变形或者透镜内部残留应力太多，而导致影响其光学上的效果。而现有技术中的透镜一般由透光的塑料、玻璃、环氧树脂等材料制成，这种透镜不能满足无铅焊料工艺所需要的高温。

发明内容

[0005] 本发明提供一种无需借助额外的模具便可实现封装，并能够适应LED晶圆级封装的LED芯片的封装方法及LED封装器件。

[0006] 为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

[0007] 一种LED芯片的封装方法，包括：

[0008] 在基板上生长围绕透镜成型区域的凸起；

[0009] 将LED芯片安装在所述基板上，所述LED芯片位于由所述凸起界定的透镜成型区域中；

[0010] 将设定剂量的流体状封装材料注入到所述LED芯片顶部，并经固化形成封装所述LED芯片的透镜。

[0011] 在基板上生长凸起的方法包括：淀积、氧化、溅射、回流焊、电镀或丝网印刷中的任一种，所述凸起的制作材料包括金属、硅化物、氧化物、锡膏或硅胶。

[0012] 所述凸起的平面形状包括圆形、方形或多边形中的任一种。

[0013] 所述封装材料为硅胶、环氧树脂或者硅脂。

[0014] 封装所述LED芯片的透镜由至少两层封装材料依次注入并固化形成，将设定剂量的流体状封装材料注入到所述LED芯片顶部，并经固化形成封装所述LED芯片的透镜的方法具体为：

[0015] 在所述LED芯片的顶部注入第一层封装材料，将其固化形成封装所述LED芯片的第一层透镜；

[0016] 在所述第一层透镜上注入第二层封装材料，将其固化形成封装所述LED芯片的第二层透镜；依次类推。

[0017] 在所述LED芯片表面形成的至少两个封装层的折射率由里向外依次递减。

[0018] 所述每层封装材料可以含有可被所述LED芯片激发而产生设定光谱的荧光粉；或其中几层封装材料为透明材料，其它层封装材料为含有可被所述LED芯片激发而产生设定光谱的荧光粉的封装材料。

[0019] 所述凸起为多个同心的凸起，每个凸起用于围绕一个荧光粉层的成型区域。

[0020] 一种LED封装器件，包括当施加电流时用于产生光的LED芯片、用作所述LED芯片衬底的基板、封装材料固化后形成的封装所述LED芯片的透镜，还包括：生长于所述基板上，围绕透镜成型区域的凸起，所述LED芯片位于由所述凸起界定的透镜成型区域中。

[0021] 所述封装材料为硅胶、环氧树脂或者硅脂。

[0022] 所述透镜包括至少两层透镜，每层透镜由一层封装材料注入并固化形成。

[0023] 所述每层透镜都含有可被所述LED芯片激发而产生设定光谱的荧光粉；或所述透镜的第一层透镜为透明封装材料，其它层透镜含有可被所述LED芯片激发而产生设定光谱的荧光粉。

[0024] 本发明提供一种LED芯片的封装方法及LED封装器件，该方法是通过在基板上生长围绕透镜成型区域的凸起，将LED芯片安装在基板上，LED芯片位于由该凸起界定的透镜成型区域中，将设定剂量的流体状封装材料注入到LED芯片顶部，该封装材料将被该凸起所限制，再固化之后，就形成了封装该LED芯片的透镜。因此，本发明的技术方案实现了透镜的自成型过程，而无需借助额外的模具，而且该技术方案能够适应高产量和低成本的LED晶圆级封装。有效地解决了现有技术中LED封装的工艺复杂、成本高、生产效率低和无法实现晶圆级封装的技术问题。

附图说明

[0025] 图1为本发明实施例LED封装器件的示意图；

[0026] 图2为本发明实施例LED封装方法的流程图；

[0027] 图3为本发明实施例LED阵列封装的示意图；

[0028] 图4a为本发明实施例单个圆形凸起的LED封装器件的俯视图；

[0029] 图4b为本发明另一实施例单个圆形凸起的LED封装器件的俯视图；

[0030] 图4c为本发明另一实施例单个圆形凸起的LED封装器件的俯视图；

[0031] 图5为本发明另一实施例单个方形凸起的LED封装器件的俯视图；

[0032] 图6为本发明另一实施例LED封装器件的示意图；

[0033] 图7为本发明另一实施例LED封装方法的流程图；

[0034] 图8为本发明另一实施例两个圆形凸起的LED封装器件的俯视图；

[0035] 图9为本发明另一实施例两个方形凸起的LED封装器件的俯视图。

具体实施方式

[0036] 下面通过具体实施方式结合附图对本发明作进一步详细说明。

[0037] 实施例一：

[0038] 图1为本发明实施例LED封装器件的示意图，请参考图1，可以知道本发明实施例的LED封装器件中包括：晶圆11、凸起12、透镜13、LED芯片14、焊球15及导电层16。其中LED芯片14用于当施加电流时产生光，晶圆11用作LED芯片14的衬底，用作LED芯片衬底的基板不限于晶圆，还可以将PCB板、BT板、玻璃板、陶瓷板或者塑料板作为基板，透镜13由封装材料固化后形成，用于封装LED芯片14，凸起12生长于晶圆11上围绕透镜13的成型区域，用于封装过程中封装材料的阻挡装置，界定透镜13的成型区域，LED芯片14位于由凸起12界定的透镜13的成型区域中，优选的是位于透镜13的成型区域的中心位置，导电层16预先制作在晶圆11上，焊球15用于将LED芯片14倒装在导电层16上。

[0039] 下面详细介绍本发明实施例LED封装器件的制作流程，请参考图2，图2为本发明实施例LED封装方法的流程图：

[0040] S01、在晶圆11上制作绝缘层(图中未示出)，在绝缘层上沉淀导电层16；在导电层16和LED芯片14上形成凸点焊球15。其中，基板不限于晶圆，还可以将PCB板、BT板、玻璃板、陶瓷板或者塑料板作为基板，导电层16的材料选自对光具有高反射率的铝、银、铜、铂、镍或其合金材料，焊球15的材料可以是金、铜、锡等单一材料、多层材料、合金或非全金属材料。

[0041] S02、采用淀积的方法在晶圆11上生长环形的凸起12，凸起12将作为接下来封装过程中封装材料的阻挡装置，围绕透镜13的成型区域，用于界定透镜13的成型区域。其中，凸起12的平面形状可以是圆形、方形、多边形等，制成凸起12的尺寸如宽度、高度、直径等可以通过淀积过程来控制，凸起12的制作方法有气相淀积工艺、氧化工艺、溅射、回流焊、电镀、丝网印刷等工艺，凸起12的制作材料可以是金属、硅化物、氧化物、锡膏、硅胶等。

[0042] S03、将LED芯片14通过焊球15倒装焊接在晶圆11的导电层16上，LED芯片14位于凸起12所界定的透镜成型区域中，优选的是位于凸起12所界定的透镜成型区域的中心位置。

[0043] S04、通过针管将设定剂量的流体状封装材料注入到LED芯片14的顶部，该流体状封装材料将被图案化的凸起12所限制。流体状封装材料可以为硅胶、环氧树脂或者硅脂，优选的是硅胶，因硅胶的粘合度高、密封性好、热导率较环氧树脂高、散热性好、可吸收封装内部的张力，最后透镜可成型为半球型，提高了透镜的出光率且光型得到优化，而且硅胶的耐用性和透明度高，可以为LED芯片提供必需的耐用性和透明度，硅胶还可以适应回流焊高温工艺，降低了透镜成型的成本。

[0044] S05、采用紫外线照射、加热或者高温烘烤等方式固化该流体状封装材料，使其形成封装该LED芯片14的透镜13。通常固化温度在110℃-150℃，还可在封装材料中添加光引发剂并均匀混合以加速封装材料的固化，而透镜的高度可通过预先制备的凸起的尺寸和形状，以及状封装材料的体积进行调节。

[0045] 本实施例中，凸起的制作、芯片的安装和透镜的密封成型过程都是在基板上进行的，而且无需借助额外的模具，该方法也能够适应LED晶圆级封装。在实际应用过程中，凸起的数量不局限于一个，为了提高LED器件的出光率，可以制备折射率由里向外依次递减的多个封装层，用来缓冲折射率的过渡，因此，针对多个封装层，可以在晶圆上预先生长多个凸起，每一个凸起用于界定一个封装层。

[0046] 请参考图3，图3为本发明实施例LED阵列封装的示意图，LED阵列通常由多个LED芯片14构成，作为LED阵列衬底的基板选用晶圆11，在晶圆11上设置与LED阵列中各个LED芯片14分别对应的凸起(图中未示出)，每一个凸起用于界定一个透镜成型区域，将这些LED芯片安装在晶圆上，并完成电气连接，形成LED阵列，再将用于透镜成型的封装材料注入到各个LED芯片的顶部，经固化形成封装各个LED芯片的透镜13，这样就完成了晶圆级LED阵列的整个封装过程。本发明还可以将电流电压控制模块和防静电模块等功能控制芯片都集成在晶圆之中或组装于其上，这样可以实现系统集成不同功能的芯片级光源。LED单晶或者多晶封装全是在晶圆上完成，无需单颗芯片独立封装，且结构简单、与现有半导体工艺相兼容，容易实现自动化和大规模生产，可以提供高产量、低成本的封装产品。

[0047] 本实施例中以在晶圆11上生长单个圆形凸起12为例，请参考图4a、图4b、图4c，图4a为本发明实施例单个圆形凸起的LED封装器件的俯视图，图4b为本发明另一实施例单个圆形凸起的LED封装器件的俯视图，图4c为本发明另一实施例单个圆形凸起的LED封装器件的俯视图；由图4a、图4b、图4c可知，本实施例中导电层16的布线有以下几种方式：图4a示出的是导电层16与凸起12之间有较小的空隙，该空隙相对于凸起12的尺寸可忽略，图4b示出的是导电层16覆于凸起12之上，图4c示出的是导电层置于凸起12之下，图
4b和图4c是导电层16与凸起12相互重叠。三种不同的位置关系可根据凸起的制作材料来选用，例如：凸起的制作材料为导电金属，则选用图4a中示出的方式比较方便，假如选择图4b、图4c的方式，可能需要在导电层16和凸起12的重叠区域做绝缘处理，比如淀积绝缘层；如果凸起的制作材料为硅胶、氧化物等绝缘材料，上述三种方式都可以采用。

[0048] 凸起12的平面形状不限于圆形，凸起12的平面形状可以是圆形、方形、多边形等，图5为本发明另一实施例单个方形凸起的LED封装器件的俯视图，在图5中，仅示出导电层16布线的一种方式，即导电层16与凸起12之间有较小的空隙，该空隙相对于凸起12的尺寸可忽略，但不局限这一种，对于方形凸起来说，导电层16的布线方式如同圆形凸起一样，有上述多种布线方式。

[0049] 本发明还可以对上述实施例做进一步改进，图6为本发明另一实施例LED封装器件的示意图，请参考图6，可以知道本发明实施例的LED封装器件中包括：晶圆11、凸起12a、凸起12b、第一透明层13a、黄色荧光粉层13b、红色荧光粉层13c、蓝光芯片14、焊球
15及导电层16。蓝光芯片14指当施加电流时产生蓝光的LED芯片，晶圆11用作蓝光芯片14的衬底，用作衬底的基板不限于晶圆，还可以将PCB板、BT板、玻璃板、陶瓷板或者塑料板作为基板；第一透明层13a选用设定剂量的折射率相对较大的硅胶作为封装材料固化形成；黄色荧光粉层13b由预先配置好的设定剂量的黄色荧光粉与硅胶混合固化形成；红色荧光粉层13c由预先配置好的红色荧光粉与硅胶混合固化形成，本实施例中，黄色荧光粉指其被激发后发的光波峰范围570nm-600nm，红色荧光粉指被激发后发的光波峰范围为
620nm-760nm；对应于本实施例的上述两层荧光粉层，本实施例在晶圆11上生长两个同心的环形的凸起12a和12b，凸起12b围绕黄色荧光粉层13b的成型区域，用于界定黄色荧光粉层13b的成型区域，凸起12a围绕红色荧光粉层13c的成型区域，用于界定红色荧光粉层
13c的成型区域，蓝光芯片14位于由凸起12a、12b界定的区域中，优选的是位于第一透明层
13a、黄色荧光粉层13b及红色荧光粉层13c的成型区域的中心位置；导电层16预先制作在晶圆11上，焊球15用于将蓝光芯片14倒装在导电层16上。

[0050] 下面详细介绍本发明实施例中LED封装器件的制作流程，请参见图7，图7为本发明另一实施例LED封装方法的流程图：

[0051] S11、在晶圆11上制作绝缘层(图中未示出)，在绝缘层上沉淀导电层16，在导电层16和蓝光芯片14上形成凸点焊球15。其中，基板不限于晶圆，还可以将PCB板、BT板、玻璃板、陶瓷板或者塑料板作为基板，导电层16的材料选自对光具有高反射率的铝、银、铜、铂、镍或其合金材料，焊球15的材料可以是金、铜、锡等单一材料、多层材料、合金或非全金属材料。

[0052] S12、采用淀积的方法在晶圆11上生长两个同心的环形的凸起12a和12b，将作为接下来封装过程中荧光粉层的阻挡装置，用于界定荧光粉层的成型区域。其中，凸起12a和12b的平面形状可以是圆形、方形、多边形等尺寸如宽度、高度、直径等可以通过淀积过程来控制，制作方法有气相淀积工艺、氧化工艺、溅射、回流焊、电镀、丝网印刷等工艺，制作材料可以是金属、硅化物、氧化物、锡膏、硅胶等。

[0053] S13、将蓝光芯片14通过焊球15倒装焊接在导电层16上，蓝光芯片位于凸起所界定的透镜成型区域中，优选的是位于这两凸起所界定的透镜成型区域的中心位置。

[0054] S14、选用一定剂量的粘度较低而折射率(n1，范围为1.4＜n1＜2)较大的硅胶作为封装材料，通过针管将其注入到蓝光芯片14的顶部。此层注入的是少量的硅胶。

[0055] S15、根据采用的硅胶性质以及实际需要，采用紫外线照射、加热或者高温烘烤等方式固化该封装材料到一定程度，使其形成封装该蓝光芯片14的第一透明层13a。通常固化温度在110℃-150℃，所形成的第一透明层13a为薄薄的一层，其最高点高出该蓝光芯片14的距离优选的不超过1mm，该步骤所形成的第一透明层13a有效的将荧光粉与芯片分离，降低芯片发热对荧光粉的影响，同时，因为其所采用的是折射率较大的硅胶作为封装材料，可与后续形成的低折射率的荧光粉层形成折射率梯度，从而提高出光效率。

[0056] S16、通过针管将预先配置好的由黄色荧光粉与硅胶按一定比例混合形成的黄色荧光粉封装材料滴到步骤S15中形成的第一透明层13a的外表面。该步骤所用的硅胶的折射率n2，范围为1.4＜n2＜2.0，满足n2＜n1。

[0057] S17、黄色荧光粉封装材料被凸起12b所围绕，根据采用的硅胶性质以及实际需要，采用紫外线照射、加热或者高温烘烤等方式固化该黄色荧光粉封装材料到一定程度，使其形成黄色荧光粉层13b。黄色荧光粉层13b的高度可通过预先制备的凸起12b的尺寸和形状，以及所注入的黄色荧光粉封装材料的体积进行调节。

[0058] S18、通过针管将预先配置好的由红色荧光粉与硅胶按一定比例混合形成的红色荧光粉封装材料滴到步骤S16中形成的黄色荧光粉层13b的外表面，该层硅胶的折射率(n3，范围为1.4＜n3＜2.0)，满足n3＜n2＜n1.

[0059] S19、红色荧光粉封装材料被凸起12a所围绕，根据采用的硅胶性质以及实际需要，采用紫外线照射、加热或者高温烘烤等方式固化该红色荧光粉封装材料到一定程度，使其形成红色荧光粉层13c。红色荧光粉层13c的高度可通过预先制备的凸起12a的尺寸和形状，以及所注入的红色荧光粉封装材料的体积进行调节。

[0060] 本实施例中，可被LED芯片激发而产生设定光谱的荧光粉包括可被LED芯片激发而产生设定光波峰范围的荧光粉等，本实施例中被封装的是蓝光LED芯片，可选用被激发后发的光波峰范围570nm-600nm的黄色荧光粉和被激发后发的光波峰范围为620nm-760nm的红色荧光粉，黄色荧光粉层13b是完成光色转换最重要一层，所以黄色荧光粉浓度要稍大，红色荧光粉层13c主要是对光谱中的红光进行补偿，所以红色荧光粉浓度要较小，不至于明显降低出光效率。本实施例中，优选的在第一透明层13a的外表面先注入黄色荧光粉封装材料形成黄色荧光粉层13b，再在黄色荧光粉层13b上注入红色荧光粉封装材料，形成红色荧光粉层13c，也可在第一透明层13a的外表面先注入红色荧光粉封装材料，先形成红色荧光粉层13c，再在红色荧光粉层13c外表面注入黄色荧光粉封装材料，形成黄色荧光粉层13b。本实施例中第一透明层13a的制作方法可以是，控制透明封装材料的剂量使其自动成型恰好封装到该蓝光芯片，并且最高点高出该蓝光LED芯片的距离优选的不超过1mm，也可以在晶圆上另行生长一个凸起，用于界定该第一透明层13a的成型区域。本实施例选用的封装材料不局限于硅胶，还可以为环氧树脂或者硅脂，荧光粉封装材料也不局限于荧光粉与硅胶的混合体，还可以是荧光粉与环氧树脂或者荧光粉与硅脂的混合体。优选的是硅胶，因硅胶的粘合度高、密封性好、热导率较环氧树脂高、散热性好、可吸收封装内部的张力，最后透镜可成型为半球型，提高了透镜的出光率且光型得到优化，而且硅胶的耐用性和透明度高，可以为LED芯片提供必需的耐用性和透明度，硅胶还可以适应回流焊高温工艺，降低了透镜成型的成本。本实施例还可在注入的封装材料中添加光引发剂并均匀混合，以加速封装材料的固化。本实施例中，凸起的制作、芯片的安装和透镜的密封成型过程都是在晶圆上进行的，而无需借助额外的模具，该方法也能够适应LED晶圆级封装。

[0061] 当然，根据LED的光转换要求，封装蓝光LED芯片可以选用其他的一种、两种、三种或三种以上的颜色，相应地形成一层、两层、三层或三层以上的荧光粉层，相应的，用于界定荧光粉层成型区域的凸起可以为一个、两个或多个。实际应用中被封装的可以是蓝光LED芯片，也可以是紫外光LED芯片，当被封装的是紫外光LED芯片时，可选用被该紫外光LED芯片激发而产生红光的荧光粉封装材料、可被该紫外光LED芯片激发而产生绿光的荧光粉封装材料和可被该紫外光LED芯片激发而产生蓝光的荧光粉封装材料制作三层荧光粉层，该三层荧光粉层由里到外的次序优选的为：蓝色荧光粉层、绿色荧光粉层、红色荧光粉层；或者，可选用被该紫外光LED芯片激发而产生红光的荧光粉封装材料、可被该紫外光LED芯片激发而产生绿光的荧光粉封装材料、可被该紫外光LED芯片激发而产生蓝光的荧光粉封装材料和可被该紫外光LED芯片激发而产生黄光的荧光粉封装材料制作四层荧光粉层，该四层荧光粉层由里到外的次序优选的为：蓝色荧光粉层、绿色荧光粉层、黄色荧光粉层、红色荧光粉层；当然，根据LED的光转换要求，封装紫外光LED芯片可以选用其他的一种、两种、三种或三种以上的颜色，相应地形成一层、两层、三层或三层以上的荧光粉层，相应的，用于界定荧光粉层成型区域的凸起可以为一个、两个或多个。

[0062] 图8为本发明另一实施例两个圆形凸起的LED封装器件的俯视图，请参考图8，在图8中，仅示出导电层16布线的一种方式，即导电层16覆于凸起12a与12b之上，但不局限这一种，对于两个或多个圆形凸起来说，导电层16的布线方式如同单个圆形凸起一样，有上述多种布线方式。

[0063] 图9为本发明另一实施例两个方形凸起的LED封装器件的俯视图，请参考图9，在图9中，仅示出导电层16布线的一种方式，即导电层16覆于凸起12a与12b之上，但不局限这一种，对于两个或多个方形凸起来说，导电层16的布线方式如同单个圆形凸起一样，有上述多种布线方式。

[0064] 以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。