倒角基板布线方法

摘要

本发明涉及一种倒角基板布线方法。该方法重要是包括以下步骤，这些步骤包括：借助于等离子体在所述基板(4)的外周环形区(400)上淀积一层保护材料(6)；借助于等离子体部分地蚀刻所述保护材料(6)，以便在待布线的所述基板(4)的正面(41)上保留保护材料环(60)，该环(60)距所述基板的边缘(43)一定距离延伸，并由此界定可到达的外周环形区(400’)；借助于在所述可到达的外周环形区(400’)上的等离子体对构成待布线的所述基板(4)的材料蚀刻一定厚度；借助于等离子体移除所述保护材料环(60)。本发明还涉及在电子学、光学或者光电子学领域中的应用。

权利要求

1.一种倒角基板（4）布线方法，其特征在于，该方法包括以下步骤，这些步骤包括：-借助于等离子体在所述基板（4）的外周环形区（400）上淀积一层保护材料（6）；

-借助于等离子体部分地蚀刻所述保护材料（6），以便在待布线的所述基板（4）的正面（41）上保留保护材料环（60），该环（60）距所述基板的边缘（43）一定距离延伸，并由此界定所述基板的缩小的外周环形区（400’），等离子体可到达该缩小的外周环形区；

-产生部分蚀刻等离子体，该部分蚀刻等离子体被局限在可到达的所述缩小的外周环形区（400’）上，以便对该区中存在的材料蚀刻一定厚度；

-借助于等离子体移除所述保护材料环（60）。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法的各个步骤在用于形成各向同性的等离子体的腔体（50）中进行。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤，这些步骤包括：-将待布线的所述基板（4）引入到用于形成各向同性的等离子体的腔体（50）中，所述腔体配备有盘式上绝缘元件（53）以及两个电极（51,52），所述两个电极中的一个电极（52）称为“下电极”，所述下电极被圆形轮廓的下绝缘元件（54）围绕，所述基板（4）布置在所述腔体（50）中,使得所述基板的背面（42）与所述下电极（52）接触且与所述下绝缘元件（54）接触，以便限定所述等离子体不能到达的背面隔离区（540），并且所述上绝缘元件（53）定位在距所述基板（4）的正面（41）一定距离处，以便限定所述等离子体同样不能到达的正面隔离区（530），这两个绝缘元件即所述上绝缘元件（53）与所述下绝缘元件（54）的外径小于待布线的所述基板（4）的直径，所述基板（4）的在所述正面隔离区（530）和所述背面隔离区（540）外侧延伸的区构成所述外周环形区（400）；

-借助于在所述腔体（50）中形成的等离子体在所述外周环形区（400）上淀积保护材料（6）形成的所述层；

-使所述上绝缘元件（53）朝所述基板的所述正面（41）移动并对所述保护材料（6）执行所述部分蚀刻；

-在使所述上绝缘元件（53）保持处于其位置的同时，对构成待布线的所述基板（4）的材料蚀刻一定厚度；

-将所述上绝缘元件（53）从所述基板的所述正面（41）移开并移除所述保护材料环（60）。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述保护材料（6）是聚合物。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述保护材料（6）是通过基于C2H4的等离子体获得的聚乙烯。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，用于蚀刻所述保护材料（6）或用于移除该保护材料的等离子体是氧基等离子体。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，待布线的所述基板（4）由硅制成，并且所述蚀刻等离子体基于SF6与氩气形成的混合物。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，使待布线的所述基板（4）覆盖有氧化硅层（40），并且所述蚀刻等离子体基于CHF3与氮气形成的混合物。

9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，待布线的所述基板（4）由覆盖有氧化硅层（40）的硅制成，并且相继执行蚀刻所述氧化硅层（40）的步骤以及蚀刻硅层的一定厚度的步骤。

10.根据权利要求3的方法，其特征在于，待布线的所述基板（4）包括弱化区（44），所述弱化区（44）在与该基板（4）的正面（41）平行的平面中延伸，并且对所述保护材料（6）执行所述部分蚀刻，使得通过这种方式形成的所述保护材料环（60）的外径小于或者等于所述正面（41）的未倒角平面区（410）的外径，通过这种方式对构成待布线的所述基板的材料蚀刻至少与整个所述倒角区的宽度相对应的宽度。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述上绝缘元件（53）的直径小于或等于待布线的所述基板的所述正面（41）的未倒角平面区（410）的直径。

12.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，待布线的所述基板（4）包括弱化区（44），所述弱化区（44）在与所述基板的正面（41）平行的平面中延伸，并且对所述基板（4）蚀刻与所述弱化区的厚度相对应的厚度。

13.一种用于制造应用于电子学、光学或者光电子学领域中的基板的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：-在供体基板（4）内部形成弱化区（44），以便在所述供体基板上界定待从所述基板的其余部分（442）转移的层（441）；

-对所述供体基板（4）执行根据上述权利要求中任一项所述的布线方法；

-通过分子粘附将以这种方式布线后的所述供体基板（4）结合到一操作基板（7）上；

-执行处理，以沿着所述弱化区（44）分离待转移的所述层（441），从而将该层（441）转移到所述操作基板（7）上。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述弱化区（44）通过植入原子和/或离子种类而形成。

说明书

倒角基板布线方法

技术领域

[0001] 本发明总体涉及一种用于应用于电子学、光学或者光电子学领域中的基板的制造。

背景技术

[0002] 在所应用的各种制造方法中，会提及使用结合步骤和层转移步骤的方法。下面描述这种方法的一个例子。

[0003] 根据这种方法，对任选地覆盖有对其进行包封的绝缘体层的第一所谓“供体基板(donor substrate)”进行原子和/或离子种类植入，而在该供体基板中产生弱化区。所述基板随后通过分子粘附结合到第二所谓“操作”基板，然后所述供体基板沿着该弱化区分成两部分，以使期望厚度的供体基板材料以及任选地绝缘体层(如果存在的话)转移到操作基板上。

[0004] 在此转移之后，所述供体基板成为所谓的“负”残余板，而该操作基板成为所谓的“正”多层基板。

[0005] 这种层转移方法能够制造尤其是公知的缩写为“SOI”的基板，“SOI”代表“硅绝缘体”，并且能以具有竞争力的成本来进行制造，不过要所述供体基板能被再循环。

[0006] 附图1以截面图示意性示出了第一层转移后获取的负板的示例的一部分(这里为右侧)的形状。所述负板需要再循环以形成能够在上述制造方法中使用的新供体基板。

[0007] 附图1示出了整体以标号1表示的负板，所述负板包括供体基板10，供体基板10具有所谓的“正”面101(因为其为与操作基板相接触的面)和相反的“背”面102。

[0008] 供体基板10在其正面与背面上的环形外周区被倒角。最初，供体基板10被绝缘体层2完全覆盖，但在将在正面101与弱化区103之间延伸进入到所述基板的未倒角区的材料层分离以后，会发现负板包括未转移圆环104。

[0009] 该未转移环104在分离边界105与基板的外边缘之间延伸，即靠近植入的倒角区。该未转移环104包括一部分绝缘体2a以及一部分硅106。例如未转移环104的厚度可达到几百纳米，并且宽度约为1至3毫米。未转移环104的存在与供体基板的倒角部分未与操作基板充分粘附并因此未被转移有关。

[0010] 根据现有技术执行的再循环包括：

[0011] -除去全部的绝缘体层2，也就是除去背面和边缘上存在的绝缘体2a；

[0012] -除去剩余的硅环106以消除台阶形轮廓；

[0013] -在基板的整个正面侧上移除至少与通过植入损坏的厚度相当的厚度的硅；

[0014] -将所述负板的正面磨光，以便恢复称为“镜面抛光”的表面状态，例如执行本领域普通技术人员公知的缩写为“CMP”的化学机械抛光。

[0015] 该再循环例如可以根据文献EP 1 156 531中描述的方法实施，该方法包括执行例如通过在酸浴中蚀刻对负板进行去氧的步骤、磨削晶片最边缘的步骤以及最后的磨光植入表面的步骤。

[0016] 在实践中，人们发现仅移除基板正面上的材料的设备不能移除规则厚度。为此，优选地使用对负板进行双面抛光的设备，该设备导致在供体基板的每个面上均移除接近5μm的材料。

[0017] 上述再循环方法具有许多缺陷，具体地说即：

[0018] -由于存在至少两个，甚至三个抛光步骤因此需要昂贵且庞大的设备，该设备维护困难，并由于消耗品例如抛光泥浆和抛光垫的高消耗，产生高成本。

[0019] -方法复杂。

[0020] -每次执行再循环时以约10μm的较大程度移除材料，这迅速导致获取的基板太薄因此太易碎，尤其是在几个再循环周期以后。这种基板因此不再符合SEMI规格，因此不能再次使用，尤其是作为操作基板使用。

[0021] -最后，另一个缺点在于植入但未结合的圆环在进行退火处理以分离来自供体基板的层期间至少局部变差。这造成冒泡现象，冒泡现象产生很多颗粒，这些颗粒不但会污染正板也会污染随后用于这些晶片的各种处理的设备，尤其是用于在分离后进行清洗的设备。

[0022] 文献WO 2005/038903描述了通过组装两个倒角晶片来进行活性层转移。为防止未结合晶片边缘以失控方式破裂并造成其它表面存在颗粒，建议除去活性层的边缘区。因为该步骤非常复杂，文件WO 2005/038903建议在将这两个晶片结合在一起之前沿其中一个晶片中的外周部进行布线。

[0023] 附图2以截面图非常示意地示出了SOI型供体基板的一部分在如文献WO2005/038903中所述在结合之前经过布线处理之后理论上应具有的形状。

[0024] 与图1中相同的元件具有相同的附图标号。

[0025] 可以看出，去除了在正面上延伸的外周环形区中的绝缘体层2以及供体基板10的材料层的一部分，去除的宽度至少相当于倒角区的宽度，去除的厚度至少等于植入区的深度。由弱化区界定的活性层具有附图标号107。

[0026] 例如，通过蚀刻进行去除。

[0027] 然而，上述文献WO 2005/038903中提出的用于执行布线的方案不能能获取这样陡峭的侧缘，也就是如在图2中所示的垂直于正面的侧缘。

[0028] 具体地说，申请人利用由借助等离子相继蚀刻氧化硅层然后蚀刻硅层构成的方案进行测试，表明所获取的布线具有如附图3A中所示的浅坡。其中，在蚀刻硅的步骤期间氧化硅继续被蚀刻。

[0029] 此外，如在图3B中可见，获取的负板保持包括氧化层和植入硅层的未转移环，这极大的削弱了用于以后再循环负板的布线方法所期望的优点。

[0030] 最后，文献WO 2005/038903中提出的布线方案包括：

[0031] -通过淀积保护层(例如氧化物)来保护处理过的正基板，然后通过石印术移除基板的外周圆环；

[0032] -通过蚀刻所述正基板的非保护层进行布线；

[0033] -随后移除所述保护掩模。

[0034] 然而，使用形成保护掩模的附加步骤增加了成本，并且最重要的是成为污染源。而且，优选的是避免在结合之前引入杂质，因为目的是减少所获得的基板的缺陷。

发明内容

[0035] 本发明的目的在于解决现有技术的上述缺点。

[0036] 具体地说，本发明的一个目的是提供一种布线倒角基板的方法，所述基板设有弱化区，所述弱化区使得可获得尖锐的布线边缘，即垂直于或几乎垂直于所述基板的平坦的正面，并且这样做而不增加所述基板的次品率。

[0037] 本发明的另一个目的是提供这样一种方法，该方法不增加制造成本并且能够被轻易结合到微电子领域目前使用的生产线中。

[0038] 最后，所述布线方法也可用于层转移方法中。

[0039] 为此，本发明提供一种倒角基板布线方法。

[0040] 根据本发明，该方法包括以下步骤，这些步骤包括：

[0041] -借助于等离子体在所述基板的外周环形区上淀积一层保护材料；

[0042] -借助于等离子体部分地蚀刻所述保护材料，以便在待布线的所述基板的正面上保留保护材料环，该环距所述基板的边缘一定距离延伸，并由此界定所述基板的缩小的外周环形区，等离子体可到达该缩小的外周环形区；

[0043] -产生部分蚀刻等离子体，该部分蚀刻等离子体被局限在可到达的所述缩小的外周环形区上，以便对该区中存在的材料蚀刻一定厚度；

[0044] -借助于等离子体移除所述保护材料环。

[0045] 根据本发明其他有利的非限定性特征，单独地或组合地：

[0046] -该方法的各个步骤在用于形成各向同性的等离子体的腔体中进行；

[0047] -所述方法包括以下步骤，这些步骤包括：

[0048] ·将待布线的所述基板引入到用于形成各向同性的等离子体的腔体中，所述腔体配备有盘式上绝缘元件以及两个电极，所述两个电极中的一个电极称为“下电极”，所述下电极被圆形轮廓的下绝缘元件围绕，所述基板布置在所述腔体中，使得所述基板的背面与所述下电极接触且与所述下绝缘元件接触，以便限定所述等离子体不能到达的背面隔离区，并且所述上绝缘体定位在距所述基板的正面一定距离处，以便限定所述等离子体同样不能到达的正面隔离区，这两个绝缘元件即所述上绝缘元件与所述下绝缘元件的外径小于待布线的所述基板的直径，所述基板的其余部分构成所述外周环形区；

[0049] ·借助于在所述腔体中形成的等离子体在所述外周环形区上淀积保护材料形成的所述层；

[0050] ·使所述上绝缘体朝所述基板的所述正面移动并对所述保护材料执行所述部分蚀刻；

[0051] ·在使所述上绝缘体保持处于其位置的同时，对构成待布线的所述基板的材料蚀刻一定厚度；

[0052] ·将所述上绝缘体从所述基板的所述正面移开并移除所述保护材料环；

[0053] -所述保护材料是聚合物；

[0054] -所述保护材料是通过基于C2H4的等离子体获得的聚乙烯；

[0055] -用于蚀刻所述保护材料或用于移除该保护材料的等离子体是氧基等离子体；

[0056] -待布线的所述基板由硅制成，并且所述蚀刻等离子体基于SF6与氩气形成的混合物；

[0057] -使待布线的所述基板覆盖有氧化硅层，并且所述蚀刻等离子体基于CHF3与氮气形成的混合物；

[0058] -待布线的所述基板由覆盖有氧化硅层的硅制成，并且相继执行蚀刻所述氧化硅层以及蚀刻硅层的一定厚度；

[0059] -待布线的所述基板包括弱化区，所述弱化区在与该基板的正面平行或基本平行的平面中延伸，并且对所述保护材料执行所述部分蚀刻，使得通过这种方式形成的所述保护材料环的外径小于或者等于所述正面的未倒角平面区的外径，通过这种方式对构成待布线的所述基板的材料蚀刻至少与整个所述倒角区的宽度相对应的宽度；

[0060] -所述上绝缘体的直径小于或等于待布线的所述基板的所述正面的未倒角平面区的直径；

[0061] -待布线的所述基板包括弱化区，所述弱化区在与所述基板的正面平行或基本平行的平面中延伸，并且对所述基板蚀刻与所述弱化区的厚度相对应的厚度。

[0062] 本发明还涉及一种用于制造应用于电子学、光学或者光电子学领域中的基板的方法。

[0063] 该方法包括以下步骤：

[0064] ·在供体基板内部形成弱化区，以便在所述供体基板上界定从所述基板的其余部分转移的层；

[0065] ·使所述供体基板经过诸如上述的布线方法；

[0066] ·通过分子粘附将以这种方式布线后的所述供体基板结合到一操作基板上；

[0067] ·执行处理，以沿着所述弱化区分离待转移的所述层，从而将该层转移到所述操作基板上。

[0068] 根据一个变型，所述弱化区通过植入原子和/或离子种类而形成。

附图说明

[0069] 参照附图，本发明的其它特点和优点通过下面的描述将显而易见，附图中通过解释而非施加限制的方式示出了本发明的一个可能的实施方式。

[0070] 在这些附图中，除上述外：

[0071] 图4A与图4B分别示意性示出了供体基板的右端以及在分离步骤之后的供体基板和操作基板，所述供体基板经历了根据本发明的布线方法，结合在操作基板上；

[0072] 图5A与图5B表示分别通过现有技术方法和根据本发明的方法布线后的基板的氧化物的截面轮廓作为以mm表述的基板半径R的函数的曲线图；

[0073] 图6A至图6D分别是示出在该方法的各个连续步骤期间，待布线的基板以及用于执行本发明的布线方法的设备的局部截面图。

具体实施方式

[0074] 现在将结合图6A至图6D描述根据本发明的布线方法的一个优选实施方式。

[0075] 首先参照图6A描述待布线的基板。

[0076] 该图不代表相对于安装来说的基板的真实比例。而且，为利于说明，更改了基板的比例。

[0077] 该图示出了待布线的基板，该基板总体具有附图标号4，并且该基板具有正面41、相反的背面42以及横向侧边缘43。

[0078] 基板4被倒角，从而基板4的正面41被分成未倒角平面中央区410和倒角区411，并且类似地基板4的背面42分成未倒角平面中央区420和倒角区421。

[0079] 在示出的示例性实施方式中，基板4包括基板45，在基板45的整个外表面上覆盖有绝缘体层40。然而后一特征不是必要的。

[0080] 该布线方法可以应用于任何类型的基板，尽管该方法尤其适于在设有弱化区的基板的布线中应用，所述基板待随后用于结合和层转移方法中。

[0081] 弱化区的附图标号为44。弱化区44能界定活性层441，活性层441延伸到基板的其余部分442的正面41。

[0082] 有利地，通过根据与本领域公知的称为“智能切割”的技术相结合开发的植入方法植入原子与/或离子种类形成弱化区44。

[0083] 该弱化区44还可以包括多孔层。

[0084] 本发明的布线方法例如可以在诸如图6A到图6D示出的用于形成等离子体的反应器5的内部执行。

[0085] 该反应器包括腔体50，在腔体50内部安装有两个绝缘元件53、54和两个电极51、52，后者与电源(图中未示出)连接。

[0086] 待布线的基板4通过其背面42靠在下电极52与下绝缘元件54上。

[0087] 下电极52被具有圆形轮廓的下绝缘元件54围绕。优选地，电极52为圆形且绝缘元件54为环状。

[0088] 此外，上绝缘体53为盘状，并且围绕上绝缘体53的电极51为环状。

[0089] 上绝缘元件53安装在电机装置(图中未示出)上，电机装置允许上绝缘元件53沿着垂直于基板4的中央平面的竖直轴线移动。因此上绝缘元件53能够在图6D所示的上绝缘元件53与待布线基板4分离最远的位置与图6B和图6C所示的上绝缘元件53靠近该基板4的位置之间移动。

[0090] 用于形成等离子体的气体经由管道引入腔体50，这里例如示出了其中两个管道，以标号55与56表示。

[0091] 在反应期间产生的挥发性物质占据腔体50的内部，这些挥发性物质可以通过抽吸装置和孔(图中未示出)从腔体50排出。

[0092] 电极51和电极52被施加有电压，其作用是在腔体50的内部产生电场并且将引入管道55和56中的气体转化为等离子体。

[0093] 诸如腔体50中主要的温度和压力、引入到腔体50中的气体的性质、流速、比率、等离子体的频率以及施加到电极51和52的端子的电压(或功率)之类的多种参数影响正在形成的等离子体的化学组分和性质，即是淀积等离子体还是蚀刻等离子体。下面将给出这些参数的详细资料。

[0094] 优选地，为淀积和蚀刻形成的等离子体是各向同性的。这意味着等离子体的作用优选地通过在等离子体中产生的原子团实现，并且可任选地通过在等离子体的包层中加速的离子实现。

[0095] 基板4的背面42与下电极52和下绝缘体54接触使得可限定由标号540表示的背面隔离区，背面隔离区540被掩蔽因此等离子体不能到达。

[0096] 在图中可见，待布线的基板4与绝缘体54直接接触，因此绝缘体54的外径与背面隔离区540的直径完全对应。

[0097] 此外，待布线的基板4非常畅通地布置，以便相对于环形绝缘体54对中。

[0098] 而且，上绝缘体53也使得能在基板的正面41上限定等离子体不可到达的所谓的“正面隔离”区530。

[0099] 正面隔离区530的直径不仅取决于上绝缘体53的直径，而且也取决于上绝缘体53与待布线的基板4之间的距离。由此，绝缘体53离基板的正面41的距离越远，正面隔离区530的直径越小(参见图6A)，并且相反地，绝缘体53离基板的正面41的距离越近，正面隔离区530的直径越大(参见图6B)。

[0100] 等离子体仍可到达的基板4的外周环形区，即在上述区域530与540外侧延伸的区以标号400表示。换句话说，该外周环形区400包括基板的侧边缘43、倒角区411和421，并任选地包括正面41和背面42的外周的一部分。

[0101] 现在描述布线方法的多个步骤。

[0102] 在将待布线的基板4引入到腔体50中，使得其背面42抵靠绝缘元件54和下电极52之后，调节用于形成等离子体的参数以便在可到达的所述环形区400上淀积保护材料层
6。

[0103] 优选地，该保护材料6是聚合物。

[0104] 再优选地，保护材料6是借助乙烯C2H4基等离子体获得的聚乙烯。

[0105] 随后使上绝缘体53朝基板4的正面41移动，以使正面隔离区530扩大且直径增加。应注意的是，绝缘体53从不与基板的正面41接触，以防止损坏或污染基板的正面41。

[0106] 在图6B所示的该位置，使等离子体的参数合适对保护材料6进行部分蚀刻。该蚀刻是部分蚀刻，以便在基板4的正面41上仅保留保护材料环60。

[0107] 由于正面隔离区530的扩大使该部分蚀刻成为可能。在如图6A所示的绝缘体53的位置，等离子体可到达环60所在的区域并且可在该区域淀积保护材料6。相反地，当绝缘体53下降时，等离子体不再能到达保护材料的与环60相对应的部分，并因此环60不被等离子体蚀刻。换一种说法，当正面隔离区530的面积增加时，可到达区400的面积减小。缩小的可到达区标以附图标号400’。

[0108] 用于蚀刻保护材料6的等离子体的性质非常明确地取决于这种材料的化学性质。

[0109] 作为实例，对于包括聚乙烯的保护材料通过氧(O2)基等离子体执行蚀刻。

[0110] 在图6C中示出了下一个步骤。当将上绝缘体53保持在如图6B所示的位置时，改变引入到腔体50中的气体的性质以产生适于对构成待布线的基板4的材料蚀刻一定厚度的等离子体。由于环60的存在，仅在等离子体可到达的基板的外周环形区400’中执行蚀刻。

[0111] 在存在绝缘体层40的具体情况下，并且具体地当绝缘体层40是氧化层时，那么蚀刻等离子体将基于氮气与CHF3(三氟甲烷)形成的混合物。

[0112] 当在残余可到达区400’中已完全蚀刻绝缘体40时，改变引入腔体中的气体以蚀刻基板构成材料45。

[0113] 作为实例，当基板构成材料45是硅时，蚀刻等离子体是基于氩气与SF6(六氟化硫)以及任选地氮气形成的混合物。

[0114] 如图6C所示，获得不仅在其正面和背面而且在其侧面在其外周布线的基板4。

[0115] 作为示意性实施例，并且具体应用于层结合与层转移，布线部分从晶片的边缘延伸大约0.5至3mm的宽度，优选的是1至2mm，理想的是1.2mm。布线深度与结合之后的转移厚度相对应。因此如果存在绝缘体层40的话包括绝缘体层40的厚度(典型地接近(150nm)，更通常的是介于100与 之间(10nm至400nm))加上待随后转移的基板层的厚度，即典型地用于制造1000与 (100nm至1000nm)之间的SOI的厚度，优选的是大约 (250nm)。

[0116] 最后，如图6D所示，然后，将上绝缘体53从基板4的上面41移开并且改变等离子体的参数以产生蚀刻等离子体，从而可移除保护材料环60。该蚀刻等离子体通常与图6B所示的蚀刻步骤中使用的蚀刻等离子体相同。

[0117] 对于刚刚描述的涉及淀积等离子体和蚀刻等离子体使用的全部步骤，等离子体的常规频率是13.56MHz。功率为大约100到500W。等离子体的施加时间在5到40秒之间变化。功率和等离子体持续时间的结合具体地说对蚀刻厚度造成影响。最终，腔体内部的压2
力约为几托(1托大约等于10Pa)。

[0118] 当待布线的基板包括弱化区44时，绝缘体53的直径及其位置有利地确定成使环60的外径与未倒角前平面区410的外径相对应。

[0119] 因此，不能仅在基板4的正面的倒角部分411上蚀刻基板4。

[0120] 然而保护层环60的外径可比图中示出的小，即环60的位置向图的左侧移动。然而这也会导致未倒角前平面区410的一部分被蚀刻，这在经济上不太有利。

[0121] 该过程能够确保经过植入的正面的倒角区411的全部都被移除。这由此限制上述后继污染的危险。

[0122] 还有利的是，基板4的蚀刻材料层与在正面与弱化区44之间延伸的材料厚度相对应。

[0123] 在布线以后，获得如图5B所示的具有尖锐边缘的基板。换句话说，基板的位于图左侧的未布线部分与位于图右侧的布线部分之间的过渡区T的宽度很小。

[0124] 通过对比的方式，图5A示出了通过现有技术的布线方法获得的结果，根据这种方法在氧化物层的第一等离子体蚀刻之后执行硅层的第二等离子体蚀刻，而不应用环形保护物淀积。在这种情况下蚀刻坡度减小，一方面因为氧化物的蚀刻不受保护层限制，另一方面因为选择性不是很理想，硅蚀刻也包括轻微的氧化物蚀刻。容易看出，在这种情况下，在基板的相应布线部分与未布线部分之间的过渡区T更宽。那么此种情况如图3A所示。

[0125] 根据以上给出的实施例，可以看出根据本发明的方法能够使过渡区T的宽度减小10倍。

[0126] 图4A和图4B示出了基板制造方法的多个步骤，该方法包括在供体基板4内形成弱化区44后，使供体基板4经过诸如上述的布线方法。

[0127] 该布线过的供体基板4随后结合到操作基板7(参见图4A)上，然后经过分离处理以使其活性层441转移到所述操作基板7(参见图4B)上。

[0128] 通过使用这种方法获得如下优点：

[0129] -获得的正板具有由蚀刻界限很好地界定的活性层441；

[0130] -通过仔细蚀刻与植入深度确定的厚度相对应的材料厚度，所获取的负板不再具有未转移环。因此，在晶片边缘不存在台阶(参见图4的左手侧部分)；

[0131] -由此极大的简化了负板的再循环，并且可以限制为一个CMP步骤，该步骤的目的是移除被植入损坏的区域，以恢复“镜面抛光”的表面状态；

[0132] -由于该方法包括较少的步骤并且消耗较少的主要材料因此再循环的成本还较低，由此甚至在多个再循环操作之后使再循环后的基板就其厚度而言保持符合SEMI标准；

[0133] -最后，通过这种方法，断裂步骤成为产生很少颗粒的步骤。以这种方式获取的SOI基板的环更规则(并且相对于基板宽度更受控制)并且没有硅颗粒粘接在晶片的边缘处。

[0134] 上述方法与现有技术中公知的称为“Bosch”的方法具有某些相同点。然而，该“Bosch”方法包括借助掩模覆盖基板的正面，然后通过对该掩模进行各向异性蚀刻，在该正面上形成大约一微米的图案，以便随后形成电子部件或机电部件，但是绝不在整个晶片的边缘布线超过2mm或3mm的宽度。