一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法

摘要

本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法，首先备料：将洗净烘干后的硅料置于电子束熔炼炉中；再预处理：对坩锅水冷、电子枪预热；最后提纯：采用以200-300mA的小束流电子束熔化并熔炼一段时间，然后降低束流为零，待硅锭完全变暗，硅蒸气回凝入熔池后，再次以200-300mA的小束流熔炼多晶硅一段时间后停止束流，重复小束流熔炼和停止束流的操作多次，最后冷却凝固即可得到磷含量很低的多晶硅锭。本发明的显著效果是采用了电子束分次熔炼的技术，一方面降低硅的蒸发损失量，此方法提纯效果好，技术稳定，工艺简单，节能降耗，周期短，生产效率高。