磁记录介质用玻璃基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种磁记录介质用玻璃基板及其制造方法，该磁记录介质用玻璃基板为在中心部具有圆孔的圆盘形状，其特征在于，所述磁记录介质用玻璃基板具有内周侧面、外周侧面及两主平面，磁记录介质用玻璃基板的所述两主平面的至少记录重放区域上的平行度为3.2μm以下。

权利要求

1.一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法，包括：对具有板形状的玻璃基板赋予形状的形状赋予工序；所述玻璃基板的主平面的磨削工序；所述主平面的研磨工序；及所述玻璃基板的清洗工序，所述磁记录介质用玻璃基板的制造方法的特征在于，所述研磨工序是如下的工序：在双面研磨装置的上平台的研磨面与下平台的研磨面之间配置对具有板形状的玻璃基板进行保持的托架，在使上平台的研磨面与下平台的研磨面相互按压于玻璃基板的两主平面的状态下，向玻璃基板的主平面供给研磨液，并且使玻璃基板与研磨面相对移动，从而对玻璃基板的两主平面同时进行研磨，所述上平台及所述下平台具有存在内周端和外周端的圆盘形状，

在所述上平台与所述下平台的与玻璃基板相对的面上安装有研磨垫，所述研磨垫为了将上平台的研磨面和下平台的研磨面分别形成为规定的形状，而使用修整工具实施修整处理，设内周端的上平台的研磨面与下平台的研磨面之间的距离为Din，并设外周端的上平台的研磨面与下平台的研磨面之间的距离为Dout时，对玻璃基板进行研磨之前的双面研磨装置的上平台的研磨面和下平台的研磨面的形状是从Dout减去Din后的ΔD（=Dout-Din）为-30μm～+23μm的形状，所述研磨液的温度Ts减去所述修整处理中使用的修整水的温度Td后的ΔTsd（=Ts-Td）为-5℃～+7℃。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，

使用双面研磨装置的玻璃基板的研磨工序具有形成上平台的研磨面和下平台的研磨面的形状的修整处理工序，上平台的温度Tp减去所述修整处理中使用的修整水的温度Td后的ΔTpd（=Tp-Td）为-3℃～+5℃。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其中，在使用双面研磨装置的玻璃基板的研磨工序中，所述研磨液的温度Ts减去上平台的平台温度Tp后的ΔTsp（=Ts-Tp）为-6℃～+10℃。

4.一种磁记录介质用玻璃基板，通过权利要求1～3中任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的制造方法进行制造，其中，使用激光干涉仪测定的所述磁记录介质用玻璃基板的至少记录重放区域上的两主平面的平行度为2.5μm以下。

说明书

磁记录介质用玻璃基板及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及平行度优良的磁记录介质用玻璃基板及其制造方法。

背景技术

[0002] 伴随着近年的磁盘的高记录密度化，对磁记录介质用玻璃基板的要求特性逐年变得严格。为了实现磁盘的高记录密度化，逐渐成为使磁头通过直到玻璃基板的端部，以有效利用玻璃基板的主平面的面积。为了将大容量的信息向磁盘快速地进行记录重放，也进行了使磁盘的转速高速化的讨论。

[0003] 在使磁头通过直到玻璃基板的端部、且使磁盘的转速高速化的情况下，当磁记录介质用玻璃基板的形状(例如板厚分布、端部形状、平面度等)存在紊乱时，磁头的上升姿势紊乱，从而有可能产生因磁头与磁记录介质接触所产生的障碍。

[0004] 作为控制磁记录介质用玻璃基板的形状尤其是控制板厚的技术，提出有将磁记录介质用玻璃基板的同一玻璃基板面内的板厚分布控制成规定的形状的玻璃基板(专利文献1)、减少在同一批次中研磨加工后的磁记录介质用玻璃基板间的板厚偏差的托架(专利文献2)。

[0005] 然而，专利文献1所记载的磁记录介质用玻璃基板的板厚分布(以下称为平行度)是使主平面倾斜成玻璃基板的板厚从中央部朝外侧面变薄的形状，以防止外部冲击产生的玻璃基板的破裂为目的，关于使磁头的上升姿势稳定化，而高可靠性地进行磁头向磁盘的记录重放，并未记载或暗示。而且，也未研究磁记录介质用玻璃基板的平行度与研磨加工之间的关系。

[0006] 专利文献2所记载的托架仅对于使用了软质垫的研磨加工有效，通过将玻璃基板保持部和齿轮部分别设计成不同的材质和厚度，抑制玻璃基板向软质垫下沉，使施加于玻璃基板的研磨加工的载荷不会不均匀，控制玻璃基板的研磨量，减少同一批次内的板厚偏差，但无法提高研磨加工的磁记录介质用玻璃基板间的平行度。

[0007] 专利文献1：日本国特开2006-318583号公报

[0008] 专利文献2：日本国特开2009-214219号公报

发明内容

[0009] 本发明目的在于提供一种平行度优良的磁记录介质用玻璃基板。而且，目的在于提供一种高生产率地研磨平行度优良的磁记录介质用玻璃基板的玻璃基板的研磨方法及具有该研磨方法的磁记录介质用玻璃基板的制造方法。

[0010] 本发明提供一种磁记录介质用玻璃基板，为在中心部具有圆孔的圆盘形状，其特征在于，所述磁记录介质用玻璃基板具有内周侧面、外周侧面及两主平面，磁记录介质用玻璃基板的所述两主平面的至少记录重放区域上的平行度为3.2μm以下。

[0011] 另外，本发明提供一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法，包括：对具有板形状的玻璃基板赋予形状的形状赋予工序；对所述玻璃基板的主平面进行磨削的磨削工序；对所述主平面进行研磨的研磨工序；对所述玻璃基板进行清洗的清洗工序，所述磁记录介质用玻璃基板的制造方法的特征在于，所述研磨工序是如下的工序：在双面研磨装置的上平台的研磨面与下平台的研磨面之间配置对具有板形状的玻璃基板进行保持的托架，在使上平台的研磨面与下平台的研磨面相互按压于玻璃基板的两主平面的状态下，向玻璃基板的主平面供给研磨液，并且使玻璃基板与研磨面相对移动，从而对玻璃基板的两主平面同时进行研磨，所述上平台及所述下平台具有存在内周端和外周端的圆盘形状，设内周端的上平台的研磨面与下平台的研磨面之间的距离为Din，并设外周端的上平台的研磨面与下平台的研磨面之间的距离为Dout时，对玻璃基板进行研磨之前的双面研磨装置的上平台的研磨面和下平台的研磨面的形状是从Dout减去Din后的ΔD(＝Dout-Din)为-30μm～+30μm的形状。

[0012] 根据具有使用了本发明的研磨方法的研磨工序的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，能够以高生产率制造板厚的均匀性优良的磁记录介质用玻璃基板。在本发明的平行度优良的磁记录介质用玻璃基板上形成磁性层等薄膜而制造的磁盘在HDD(硬盘驱动)试验中，能够消除或减少因磁头与磁盘相接触而产生的障碍。

附图说明

[0013] 图1是磁记录介质用玻璃基板的立体图。

[0014] 图2是磁记录介质用玻璃基板的剖视立体图。

[0015] 图3A～图3D是使用激光干涉仪测定磁记录介质用玻璃基板的平行度的例子。图3A是通过激光干涉仪观察到的干涉条纹根数与磁记录介质用玻璃基板的平行度之间的关系，图3B～图3D是通过激光干涉仪观察到的干涉条纹的图像(干涉条纹根数为1根、7根、
12根的图像)。

[0016] 图4是双面研磨装置的简图。

[0017] 图5是示出上平台的研磨面和下平台的研磨面的形状测定位置的简图。

[0018] 图6是示意性地表示在对玻璃基板进行研磨之前双面研磨装置的上平台的研磨面和下平台的研磨面的形状为ΔD(＝Dout-Din)＞0时的形状的剖视图。

[0019] 图7是示意性地表示在对玻璃基板进行研磨之前双面研磨装置的上平台的研磨面和下平台的研磨面的形状为ΔD(＝Dout-Din)＜0时的形状的剖视图。

[0020] 图8A～8E是上平台的研磨面和下平台的研磨面的形状测定结果(例1～例5)。

[0021] 图9A～9D是上平台的研磨面和下平台的研磨面的形状测定结果(例6～例9)。

[0022] 图10是表示研磨液温度与修整水温度之差(ΔTsd)和玻璃基板的平行度之间的关系的坐标图。

[0023] 图11是表示磁记录介质用玻璃基板的微小波纹度Wq与平行度之间的关系的图形。

[0024] 标号说明

[0025] 10：磁记录介质用玻璃基板

[0026] 101：磁记录介质用玻璃基板的主平面

[0027] 102：内周侧面

[0028] 103：外周侧面

[0029] 104：内周倒角部

[0030] 105：外周倒角部

[0031] A1和A6：磁记录介质用玻璃基板的外径侧区域的板厚

[0032] A2和A5：磁记录介质用玻璃基板的中间区域的板厚

[0033] A3和A4：磁记录介质用玻璃基板的内径侧区域的板厚

[0034] 20：双面研磨装置

[0035] 30：上平台的研磨面

[0036] 40：下平台的研磨面

[0037] 50：托架

[0038] 201：上平台

[0039] 202：下平台

[0040] 203：太阳齿轮

[0041] 204：内齿轮

[0042] X：研磨面的形状测定位置

[0043] X2和X3：研磨面30、40的内周端

[0044] X1和X4：研磨面30、40的外周端

[0045] Din：内周端的上平台的研磨面30与下平台的研磨面40之间的距离[0046] Dout：外周端的上平台的研磨面30与下平台的研磨面40之间的距离[0047] ΔH1：上平台的研磨面30的最大高低差

[0048] ΔH2：下平台的研磨面40的最大高低差

具体实施方式

[0049] 以下，说明用于实施本发明的方式，但本发明并不局限于以下记载的实施方式。

[0050] 首先，图1示出本发明的磁记录介质用玻璃基板10的立体图，图2示出剖开磁记录介质用玻璃基板10的剖视立体图。在图1和图2中，各标号分别表示磁记录介质用玻璃基板的主平面101、内周侧面102、外周侧面103、内周倒角部104、外周倒角部105。图2中，A1和A6表示磁记录介质用玻璃基板的外径侧区域的板厚，A2和A5表示磁记录介质用玻璃基板的中间区域的板厚，A3和A4表示磁记录介质用玻璃基板的内径侧区域的板厚。

[0051] 磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度当磁记录介质用玻璃基板的各区域上的板厚(例如A1～A6)均匀时优良，当各区域上的板厚不均匀(板厚偏差大)时变差。

[0052] 磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度能够使用千分尺、激光位移计、激光干涉仪等测定仪器进行测定。在所述测定仪器中，激光干涉仪由于以光的波长为尺度，因此能够高精度地测定平行度。而且，由于能够通过一次的数据获取来测定磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度，因此测定效率优良。因此，作为磁记录介质用玻璃基板的平行度测定仪器，优选使用激光干涉仪。

[0053] 图3A～图3D展示利用本发明的实施例中使用的激光干涉仪(FUJINON公司制，产品名：平面测定用斐索(Fizeau)干涉仪，G102)测定磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度的例子。观察由从两主平面反射的反射光的相位差所形成的干涉条纹并对得到的干涉条纹进行解析，从而进行磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度的测定。通过激光干涉仪观察到的明暗干涉条纹成为等高线，其间隔由光源的波长和入射角决定。

[0054] 图3A表示通过本发明的实施例中使用的激光干涉仪观察到的干涉条纹的根数与磁记录介质用玻璃基板的平行度之间的关系，图3B～图3D表示通过激光干涉仪观察到的干涉条纹的图像(干涉条纹根数为1根、7根、12根的图像)。观察到的干涉条纹根数越少，磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度越优良。即，意味着测定磁记录介质用玻璃基板的平行度的区域的板厚均匀，玻璃基板面内的板厚分布优良。

[0055] 观察到的干涉条纹根数为一根时，磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度为0.32μm，测定磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度的区域的板厚分布形成为0.32μm以下。平行度为3.2μm以下的磁记录介质用玻璃基板的干涉条纹根数为10根以下。

[0056] 在磁记录介质用玻璃基板上形成磁性层等的薄膜而制造的磁盘的HDD(硬盘驱动)试验结果如表1所示。外径侧区域上的微小波纹度Wq超过0.52nm时，磁头的上升姿势紊乱，磁头与磁记录介质接触而产生障碍。外径侧区域上的微小波纹度Wq的值越小，磁头的上升姿势越稳定。

[0057] 在本发明中，微小波纹度Wq是使用光散射方式表面观察仪测定的、具有40μm～5000μm之间的周期的微小波纹度。使波长405nm的激光以60°的角度入射到测定对象物的表面，检测来自测定对象物的反射光，得到主平面的高度信息而测定微小波纹度Wq。测定区域以1.0mm的宽度在沿圆周方向一周的区域进行。测定区域的圆周方向的位置(距离磁记录介质用玻璃基板中心的位置)能够任意选择。

[0058] 本发明人发现了磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度与外径侧区域上的微小波纹度Wq之间的存在相关关系。图11示出研究了磁记录介质用玻璃基板的平行度与微小波纹度Wq之间的关系的结果。为了得到外径侧区域的微小波纹度Wq为0.52nm以下的磁记录介质用玻璃基板，磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度为3.2μm以下。磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度优选为3.0μm以下，更优选2.8μm以下，特别优选2.5μm以下。

[0059] 通常，磁记录介质用玻璃基板及磁盘的制造工序包含以下的工序。(1)将通过浮法法或冲压成形法成形的玻璃坯料基板加工成圆盘形状后，对内周侧面和外周侧面进行倒角加工，制作玻璃基板。(2)对玻璃基板的上下主平面进行磨削(lapping)加工。(3)对玻璃基板的侧面部和倒角部进行端面研磨。(4)对玻璃基板的上下主平面进行研磨。研磨工序可以仅进行一次研磨，也可以进行一次研磨和二次研磨，还可以在二次研磨后进行三次研磨。(5)进行玻璃基板的精密清洗，制造磁记录介质用玻璃基板。(6)在磁记录介质用玻璃基板上形成磁性层等薄膜，制造磁盘。

[0060] 此外，在上述磁记录介质用玻璃基板及磁盘的制造工序中，也可以在各工序间实施玻璃基板清洗(工序间清洗)或玻璃基板表面的蚀刻(工序间蚀刻)。此外，在磁记录介质用玻璃基板需要高机械强度时，也可以在研磨工序前或研磨工序后或研磨工序间实施在玻璃基板的表层形成强化层的强化工序(例如化学强化工序)。

[0061] 在本发明中，磁记录介质用玻璃基板可以是非结晶玻璃，也可以是结晶玻璃，还可以是在玻璃基板的表层具有强化层的强化玻璃(例如化学强化玻璃)。而且，本发明的玻璃基板的玻璃坯料基板可以通过浮法法制造，也可以通过冲压成形法制造。

[0062] 本发明关于(4)对玻璃基板的上下主平面进行研磨的工序，涉及磁记录介质用玻璃基板的研磨加工。

[0063] 图4是双面研磨装置20的简图。在图4中，10表示磁记录介质用玻璃基板，30表示上平台的研磨面，40表示下平台的研磨面，50表示托架，201表示上平台，202表示下平台，203表示太阳齿轮，204表示内齿轮。

[0064] 磁记录介质用玻璃基板10在由托架50的玻璃基板保持部保持的状态下，被夹持在上平台的研磨面30与下平台的研磨面40之间，在使上平台的研磨面30与下平台的研磨面40相互按压于玻璃基板的两主平面的状态下，向玻璃基板的两主平面供给研磨液，并且使玻璃基板和研磨面相对移动，而同时研磨玻璃基板的两主平面。

[0065] 双面研磨装置20通过分别以规定的转速比驱动太阳齿轮203和内齿轮204旋转，而使托架以自转并同时绕太阳齿轮203公转的方式移动(行星驱动)，并且分别以规定的转速驱动上平台201和下平台202旋转，从而研磨玻璃基板。

[0066] 在上平台201与下平台202的玻璃基板相对向的面上安装有研磨垫。安装在上平台201和下平台202上的研磨垫为了将上平台的研磨面30和下平台的研磨面40分别形成为规定的形状，而使用修整工具实施修整处理。通过向修整工具与研磨垫之间供给修整水，并使修整工具与研磨垫进行相对移动，磨削研磨垫的表面(作为上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的面)从而进行修整处理。

[0067] 实施了修整处理的研磨垫的表面的形状、即上平台的研磨面30和下平台的研磨面40使用直线度计、千分表、平尺和间隙计等进行测定。使用了直线度计的研磨面的形状测定能够在将上平台201或下平台202安装在双面研磨装置上的状态下进行计测。

[0068] 图5示出上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状测定位置。使直线度计的测定元件以通过研磨面30、40的内周端(X2、X3)和外周端(X1、X4)的方式扫描而进行形状测定。

[0069] 在研磨玻璃基板之前上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状的示意性形状剖视图如图6和图7所示，在图6和图7中，Din表示内周端的上平台的研磨面30与下平台的研磨面40之间的距离，Dout表示外周端的上平台的研磨面30与下平台的研磨面40之间的距离，ΔH1表示上平台的研磨面30的最大高低差，ΔH2表示下平台的研磨面40的最大高低差。内周端(X2、X3)高于外周端(X1和X4)时，最大高低差ΔH为正值，内周端(X2、X3)低于外周端(X1和X4)时，最大高低差ΔH为负值。

[0070] 设内周端的上平台的研磨面30与下平台的研磨面40之间的距离为Din，并设外周端的上平台的研磨面30与下平台的研磨面40之间的距离为Dout时，通过从下平台的研磨面40的最大高低差ΔH2减去上平台的研磨面30的最大高低差ΔH1来求出从Dout减去Din后的ΔD(＝Dout-Din)，ΔD＝Dout-Din＝ΔH2-ΔH1。

[0071] 图6是示意性地示出ΔD(＝Dout-Din)＞0时的研磨面的形状的剖视图，是上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在内周端侧较强接触的内接触状态的研磨面形状。图7是示意性地示出ΔD(＝Dout-Din)＜0时的研磨面的形状的剖视图，是上平台的研磨面
30与下平台的研磨面40在外周端侧较强接触的外接触状态的研磨面形状。

[0072] 使用直线度计测定的上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状测定结果如图8A～8E和图9A～9D所示(本发明的实施例)。在图8A～8E和图9A～9D中，上段的分布图是上平台的研磨面30的形状测定结果，下段的分布图是下平台的研磨面40的形状测定结果。根据研磨面的形状测定结果，求出以外周端(X1和X4)为基准点的最高高度(Hmax)和最低高度(Hmin)，算出最大高低差ΔH(＝Hmax-Hmin)。

[0073] 使用图8A(例1)，进一步说明研磨面的形状测定结果。在例1中，上平台的研磨面30的最高高度(Hmax)为+49.2μm，最低高度(Hmin)为-0.1μm，因此上平台的研磨面30的最大高低差ΔH1(＝Hmax-Hmin)为+49.3μm。在例1中，下平台的研磨面40的最高高度(Hmax)为+73.2μm，最低高度(Hmin)为-1.2μm，因此下平台的研磨面40的最大高低差ΔH2(＝Hmax-Hmin)为+74.4μm。ΔD(＝Dout-Din＝ΔH2-ΔH1)为+25μm，图8A(例
1)的研磨面为上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在内周端侧较强接触的内接触状态(图6所示的形状)。

[0074] 为了使用双面研磨装置20对玻璃基板进行研磨加工并得到平行度优良的磁记录介质用玻璃基板，上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状ΔD(＝Dout-Din)为-30μm～+30μm。

[0075] ΔD小于-30μm时(例如为-40μm)，由于上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在外周端侧较强接触，因此对玻璃基板的研磨加工的压力在研磨面的外周端侧变高。而且，研磨的玻璃基板的周向速度在研磨面的外周端侧比内周端侧快。因此，研磨加工的玻璃基板的研磨量在通过研磨面的外周端侧时增多，同一玻璃基板面内的研磨量或在同一批次内研磨的玻璃基板间的研磨量产生偏差，从而难以得到平行度优良的磁记录介质用玻璃基板。

[0076] ΔD超过+30μm时，上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在内周端侧过强地接触，无法稳定地驱动上平台201和下平台202旋转，而研磨加工的压力无法均匀地施加于玻璃基板，玻璃基板的研磨量产生偏差，难以得到平行度优良的磁记录介质用玻璃基板。

[0077] ΔD(＝Dout-Din)优选为-25μm～+25μm，更优选-23μm～+23μm，特别优选-10μm～+20μm。

[0078] 向修整工具与研磨面30、40之间供给修整水，并使修整工具与研磨面30、40进行相对移动，磨削研磨面30、40，从而进行修整处理。通过调整修整水的温度Td与上平台201的温度Tp之间的温度差ΔTpd

[0079] (Tp-Td)，而能够将上平台的研磨面30与下平台的研磨面40的形状形成为规定的形状。在本说明书中，只要未特别说明，上平台201和下平台202就被控制成相同温度。

[0080] 修整水的温度Td低于上平台201的温度Tp时，上平台201在上平台的研磨面侧收缩且下平台202在下平台的研磨面侧收缩，因此进行修整处理时上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状成为上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在外周端侧较强接触的外接触状态的研磨面形状(图7所示的形状)。使研磨面为外接触状态而进行修整处理时，研磨面的外周端侧被磨削较多，在实施了修整处理后，上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状形成为上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在内周端侧较强接触的内接触状态的研磨面形状(图6所示的形状)。

[0081] 修整水的温度Td高于上平台201的温度Tp时，上平台201在上平台的研磨面侧膨胀且下平台202在下平台的研磨面侧膨胀，因此进行修整处理时的上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状成为上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在内周端侧较强接触的内接触状态的研磨面形状(图6所示的形状)。使研磨面为内接触状态而进行修整处理时，研磨面的内周端侧被磨削较多，在实施了修整处理后，上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状形成为上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在外周端侧较强接触的外接触状态的研磨面形状(图7所示的形状)。

[0082] 为了将上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状ΔD(＝Dout-Din)形成为-30μm～+30μm，而优选使ΔTpd(＝Tp-Td)为-3℃～+5℃。

[0083] 在ΔTpd(＝Tp-Td)小于-3℃(例如-6℃)的温度下进行修整处理时，形成的上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状有可能成为ΔD(＝Dout-Din)超过+30μm的研磨面形状，上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在内周端侧过强地接触，无法稳定地驱动上平台201和下平台202旋转，无法使研磨加工的压力均匀地施加于玻璃基板，玻璃基板的研磨量产生偏差，有可能难以得到平行度优良的磁记录介质用玻璃基板。

[0084] 在ΔTpd(＝Tp-Td)超过+5℃的状态下进行修整处理时，形成的上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状成为ΔD(＝Dout-Din)小于-30μm的研磨面形状，由于上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在外周端侧过强地接触而使对玻璃基板的研磨加工的压力在外周端侧升高、研磨的玻璃基板的周向速度在外周端侧比内周端侧快等理由，所以研磨加工的磁记录介质用玻璃基板在通过外周端侧时研磨量增多，同一玻璃基板面内的研磨量或在同一批次内研磨的玻璃基板间的研磨量产生偏差，从而有可能难以得到平行度优良的磁记录介质用玻璃基板。

[0085] 修整水的温度Td与上平台201的温度Tp之间的温度差ΔTpd(＝Tp-Td)优选为-3℃～+5℃，特别优选-2℃～+4℃。

[0086] 通过修整处理，在将上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状分别形成为规定的形状后，进行玻璃基板的研磨加工。

[0087] 磁记录介质用玻璃基板10在由托架50的玻璃基板保持部保持的状态下，被夹持在上平台的研磨面30与下平台的研磨面40之间，在使上平台的研磨面30和下平台的研磨面40相互按压于玻璃基板的两主平面的状态下，向玻璃基板的两主平面供给研磨液，并且使玻璃基板和研磨面相对移动，而同时研磨玻璃基板的两主平面。

[0088] 通过调整向玻璃基板的两主平面供给的研磨液的温度Ts与上平台201的温度Tp之间的温度差ΔTsp(＝Ts-Tp)，而能够控制研磨加工玻璃基板时的上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状。

[0089] 研磨液的温度Ts低于上平台201的温度Tp时，上平台201在上平台的研磨面侧收缩且下平台202在下平台的研磨面侧收缩，因此在研磨加工玻璃基板时上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状成为上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在外周端侧较强接触的外接触状态的研磨面形状(图7所示的形状)。

[0090] 研磨液的温度Ts高于上平台201的温度Tp时，上平台201在上平台的研磨面侧膨胀且下平台202在下平台的研磨面侧膨胀，因此研磨加工玻璃基板时上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状成为上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在内周端侧较强接触的内接触状态的研磨面形状(图6所示的形状)。

[0091] 向玻璃基板的两主平面供给的研磨液的温度Ts与上平台201的温度Tp之间的温度差ΔTsp(＝Ts-Tp)优选为-6℃～+10℃。

[0092] 在ΔTsp(＝Ts-Tp)小于-6℃(例如-10℃)的温度下研磨加工玻璃基板时，由于上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在外周端侧过强地接触，因此玻璃基板的研磨量在研磨面的外周端侧增多，同一玻璃基板面内的研磨量或在同一批次中研磨加工的玻璃基板之间的研磨量产生偏差，从而有可能难以得到平行度优良的磁记录介质用玻璃基板。

[0093] 在ΔTsp(＝Ts-Tp)超过+10℃的状态下研磨加工玻璃基板时，由于上平台的研磨面30与下平台的研磨面40在内周端侧过强地接触，因此无法稳定地驱动上平台201和下平台202旋转，无法使研磨加工的压力均匀地施加于玻璃基板，玻璃基板的研磨量产生偏差，有可能难以得到平行度优良的磁记录介质用玻璃基板。

[0094] 向玻璃基板的两主平面供给的研磨液的温度Ts与上平台201的温度Tp之间的温度差ΔTsp(＝Ts-Tp)优选为-6℃～+10℃，更优选-6℃～+8℃，特别优选-5℃～+7℃。

[0095] 将上平台的研磨面30和下平台的研磨面40的形状形成为规定形状的修整处理中使用的修整水的温度Td影响研磨玻璃基板前的研磨面的形状，玻璃基板的研磨加工中使用的研磨液的温度Ts影响研磨玻璃基板时的研磨面的形状。因此，优选将修整水的温度Td与研磨液的温度Ts之间的温度差ΔTsd(＝Ts-Td)调整为规定的温度范围，而研磨玻璃基板。修整水的温度Td与研磨液的温度Ts之间的温度差ΔTsd(＝Ts-Td)优选为-6℃～+10℃。

[0096] 图10示出研究了修整水的温度Td与研磨液的温度Ts的温度差ΔTsd和研磨后的玻璃基板的平行度之间的关系的结果(实施例)。ΔTsd(＝Ts-Td)小于-6℃时，有可能难以得到平行度优良的磁记录介质用玻璃基板。而且，ΔTsd(＝Ts-Td)超过+10℃时，有可能难以得到平行度优良的磁记录介质用玻璃基板。ΔTsd(＝Ts-Td)优选为-6℃～+10℃，更优选-6℃～+8℃，特别优选-5℃～+7℃。

[0097] 根据具有本发明的研磨工序的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，能够高生产率地制造磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度为3.2μm以下的平行度优良的磁记录介质用玻璃基板。磁记录介质用玻璃基板的两主平面的平行度为3.2μm以下，优选3.0μm以下，更优选2.8μm以下，特别优选2.5μm以下。

[0098] 此外，根据具有本发明的研磨工序的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，能够高生产率地制造同一批次中研磨加工的磁记录介质用玻璃基板之间的平行度的偏差为1.5μm以下的磁记录介质用玻璃基板。同一批次中研磨加工的磁记录介质用玻璃基板之间的两主平面的平行度的偏差为1.5μm以下，优选1.2μm以下，更优选1.0μm以下，特别优选0.8μm以下。

[0099] [实施例]

[0100] 以下列举实施例及比较例进一步说明本发明，但本发明并未受此限制。

[0101] [磁记录介质用玻璃基板的调整]

[0102] 为了用于外径65mm、内径20mm、板厚0.635mm的磁记录介质用玻璃基板，将通过浮法法成形的以SiO2为主成分的玻璃基板加工成环状圆形玻璃基板(在中央部具有圆孔的圆盘形状玻璃基板)。

[0103] 将该环状圆形玻璃基板的内周侧面和外周侧面进行倒角加工以得到倒角宽度0.15mm、倒角角度45°的磁记录介质用玻璃基板，然后使用氧化铝磨粒，进行玻璃基板上下主平面的磨削，清洗除去磨粒。

[0104] 接下来，使用研磨刷和氧化铈磨粒对内周侧面和内周倒角部进行研磨，除去内周侧面和内周倒角部的伤痕，将内周端面研磨加工成镜面。进行了内周端面研磨后的玻璃基板通过使用了碱性洗涤剂的擦洗、浸渍于碱性洗涤剂溶液的状态下的超声波清洗，而清洗除去磨粒。

[0105] 使用研磨刷和氧化铈磨粒对内周端面研磨后的玻璃基板的外周侧面和外周倒角部进行研磨，除去外周侧面和外周倒角部的伤痕，将外周端面研磨加工成镜面。外周端面研磨后的玻璃基板通过使用了碱性洗涤剂的擦洗、浸渍于碱性洗涤剂溶液的状态下的超声波清洗，而清洗除去磨粒。

[0106] [磁记录介质用玻璃基板的一次～三次研磨]

[0107] 端面加工后的玻璃基板使用硬质聚氨酯制的研磨垫和含有氧化铈磨粒的研磨液(以平均粒子直径、以下简称为平均粒径约为1.3μm的氧化铈为主要成分的研磨液组成物)作为研磨用具，通过22B型双面研磨装置(Speedfam公司制，产品名：DSM22B-6PV-4MH)或16B型双面研磨装置(滨井产业公司制，产品名：16BF-4M5P)对上下主平面进行一次研2
磨。主要的研磨加工压力为85g/cm，平台转速为30rpm(22B型)、45rpm(16B型)，以使研磨量在上下主平面的厚度方向上成为总计40μm的方式设定研磨时间而进行研磨。研磨后的玻璃基板在清洗除去了氧化铈后，测定平行度。

[0108] 在一次研磨工序中，安装在双面研磨装置的上平台和下平台上的研磨垫在研磨玻璃基板之前，使用由含有金刚石磨粒的颗粒构成的修整工具进行修整处理，形成为规定的研磨面。实施了修整处理的研磨垫的研磨面的形状使用直线度计(Hitzハイテクノロジ一公司制，产品名：HSS-1700)进行测定。

[0109] 实施了修整处理后的上平台和下平台的研磨面的形状，通过在研磨面上设置直线度计(以沿图5所示的X线上的方式)，并使直线度计的测定元件以通过研磨面的外周端(X1和X4)和内周端(X2和X3)的方式进行扫描而测定。根据通过直线度计测定到的实施了修整处理的研磨垫的研磨面的结果，求出上平台的研磨面的最大高低差ΔH1、下平台的研磨面的最大高低差ΔH2、ΔD(＝ΔH2-ΔH1＝Dout-Din)。

[0110] 研磨后的玻璃基板的平行度使用激光干涉仪(FUJINON公司制，产品名：G102)进行测定。如图3A所示，观察通过来自玻璃基板两主平面的反射光的相位差而形成的干涉条纹根数，将观测到的干涉条纹根数乘以0.32，算出平行度。平行度的测定以包含外径65mm、内径20mm的磁记录介质用玻璃基板的记录重放区域的方式设定测定区域。在本实施例中，将测定区域设定为距圆盘中心部为10.0mm～32.5mm而进行测定。平行度在通过22B型双面研磨装置进行研磨时，每1批次(180张)抽取6张玻璃基板进行测定，在通过16B型双面研磨装置进行研磨时，每1批次(100张)抽取5张玻璃基板进行测定。

[0111] 表1的例1～例5示出通过具有各研磨面的形状(ΔH1、ΔH2、ΔD)的双面研磨装置进行了研磨的玻璃基板的平行度的测定结果。例2是通过16B型双面研磨装置研磨了玻璃基板的结果，除此之外的例1、例3、例4、例5是通过22B型双面研磨装置研磨了玻璃基板的结果。在表1中，例1～例4是实施例，例5是比较例。而且，图8的例1～例5示出了研磨玻璃基板前的上平台的研磨面和下平台的研磨面的形状测定结果(直线度计的分布图)。

[0112] 在表示双面研磨装置的研磨面的形状的ΔD为-30μm～+30μm的例1～例4中，玻璃基板的平行度为3.2μm以下，在同一批次中研磨加工的玻璃基板间的平行度的偏差(最大平行度值与最小平行度值之差)为1.5μm以下。

[0113] 表3的例6～例9示出在各上平台的温度Tp和修整水的温度Td下进行修整处理时形成的研磨面的形状(ΔH1、ΔH2、ΔD)。例7是关于16B型双面研磨装置的结果，此外的例6、例8、例9是关于22B型双面研磨装置的结果。在表3中，例7和例8是实施例，例6和例9是比较例。在本实施例中，修整水的温度Td是向双面磨削装置供给前的修整的温度。

[0114] 在ΔTpd(＝Tp-Td)为-3℃～+5℃的例7和例8中，修整处理后的研磨面的形状ΔD形成为-30μm～+30μm。

[0115] 图10示出将研磨液的温度Ts与修整水的温度Td之差ΔTsd(＝Ts-Td)设定为各温度差，而研磨玻璃基板时的玻璃基板的平行度。在本实施例中，研磨液的温度Ts是向双面研磨装置供给前的研磨液的温度。以使ΔTsd成为-6℃～+10℃的方式设定研磨液的温度Ts，研磨后的玻璃基板的平行度为3.2μm以下。

[0116] 一次研磨后的玻璃基板使用软质聚氨酯制的研磨垫和含有平均粒径比上述氧化铈磨粒小的氧化铈磨粒的研磨液(以平均粒径约0.5μm的氧化铈为主要成分的研磨液组成物)作为研磨用具，通过双面研磨装置对上下主平面进行研磨，清洗除去氧化铈。

[0117] 二次研磨后的玻璃基板进行精研磨(三次研磨)。使用软质聚氨酯制的研磨垫和含有硅胶的研磨液(以一次粒子的平均粒径为20～30nm的硅胶为主要成分的研磨液组成物)作为精研磨(三次研磨)的研磨用具，通过双面研磨装置对上下主平面进行研磨加工。

[0118] 将进行了三次研磨后的玻璃基板浸渍在调整成与精研磨的研磨液相同的pH后的溶液中，依次进行基于碱性洗涤剂的擦洗、浸渍在碱性洗涤剂溶液的状态下的超声波清洗、浸渍在纯水中的状态下的超声波清洗，利用异丙醇蒸气进行干燥。

[0119] 在对玻璃基板进行了清洗干燥后，测定磁记录介质用玻璃基板的平行度。磁记录介质用玻璃基板的平行度通过与一次研磨后的玻璃基板相同的方法测定。对通过具有例1～例4的研磨面的形状的双面研磨装置研磨后的玻璃基板进行二次研磨、三次研磨而得到的磁记录介质用玻璃基板的平行度为1.5μm以下，同一批次中研磨加工后的玻璃基板间的平行度的偏差(最大平行度值与最小平行度值之差)为1.0μm以下。而且，对图10所示的以使ΔTsd成为-6℃～+10℃的方式设定研磨液的温度Ts而进行研磨加工后的玻璃基板进行二次研磨、三次研磨而得到的磁记录介质用玻璃基板的平行度为1.5μm以下，同一批次中研磨加工后的玻璃基板间的平行度的偏差(最大平行度值与最小平行度值之差)为1.0μm以下。

[0120] 使用光散射方式表面观察仪(KLA Tencor公司制，产品名：Candela6100)对测定了平行度后的磁记录介质用玻璃基板的微小波纹度Wq进行测定。将微小波纹度Wq的测定区域设定为磁记录介质用玻璃基板的主平面的外径侧区域(距圆盘中心部为30.5mm～31.5mm的位置)而进行测定。标绘了磁记录介质用玻璃基板的平行度与外径侧区域的微小波纹度Wq的相关坐标图如图11所示。平行度超过3.5μm时，外径侧区域的微小波纹度Wq超过0.52nm。

[0121] 在磁记录介质用玻璃基板上形成磁性层等薄膜而制造的磁盘的HDD试验结果如表1所示。外径侧区域上的微小波纹度Wq超过0.52nm时，磁头的上升姿势紊乱，磁头与磁记录介质接触，产生HDD的障碍。根据磁记录介质用玻璃基板的平行度与外径侧区域的微小波纹度Wq的相关坐标图可知，在HDD试验结果中不产生磁头障碍的磁记录介质用玻璃基板的平行度为3.2μm以下。

[0122] [表1]

[0123]

[0124] [表2]

[0125]

[0126] [表3]

[0127]

[0128] 以上详细地并参照特定的实施方式说明了本发明，但本领域技术人员可知不脱离本发明的精神和范围而能够施加各种变更或修正。

[0129] 本申请基于2010年2月1日提出的日本专利申请2010-020520，并作为参照而引入其内容。

[0130] 工业实用性

[0131] 本发明能够适用于包括研磨具有板形状的玻璃基板的工序的玻璃基板的制造方法。作为具有板形状的玻璃基板，列举有磁记录介质用、光掩模用、液晶或有机EL等显示器用等玻璃基板作为具体形式。