半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板及制造方法

摘要

本发明揭露一种半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板及其制造方法。在一反射区上依序堆叠形成多个第一凸块、第二凸块、第三凸块以及第四凸块。所述第二凸块设置对应于所述第一凸块且第一凸块的表面积大于所述第二凸块。所述第三凸块设置对应于所述第二凸块且第二凸块的表面积大于第三凸块。第四凸块设置对应于所述第三凸块，且第四凸块是由一梳状像素电极图案所构成。本发明在反射区具有凸状的堆叠结构，即不需利用有机层，使得在反射区以及穿透区形成双液晶盒间隙差异，达到穿透区域的穿透率-电压曲线与反射区域的反射率-电压曲线一致。并在反射区形成具有反射效果的凸状反射面结构，能够将反射光反射的更均匀，达到较好的反射效果。

权利要求

1.半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下列步骤：形成一公共电极图案于一基板上，并在所述基板上划分为一反射区以及一穿透区；

形成一闸极电极以及一电容电极，并同时形成多个第一凸块于所述反射区上；所述电容电极形成于所述公共电极之上，且与所述公共电极相接触；

形成一闸绝缘层连续覆盖于所述闸极电极、所述电容电极以及所述第一凸块于所述基板上；

形成一半导体层图案于所述闸绝缘层上且对应所述闸极电极，并同时形成多个第二凸块于所述闸绝缘层上且对应所述第一凸块；

形成一源极图案以及一汲极图案于所述半导体层图案上，并同时形成多个第三凸块于所述第二凸块上；

形成一第一绝缘层图案，以覆盖所述半导体层图案、所述源极图案、所述汲极图案上以及所述反射区上的所述第二凸块及所述第三凸块上，并曝露出一电容电极接触孔；

形成一反射电极图案以覆盖于所述反射区上的所述第一绝缘层图案，且通过所述电容电极接触孔接触于所述电容电极；

形成一第二绝缘层图案，以覆盖所述反射电极图案并曝露出一汲极接触孔；以及形成一梳状像素电极图案，以覆盖所述第二绝缘层图案上并通过所述汲极接触孔接触于所述汲极图案，同时覆盖于穿透区，并且形成多个第四凸块于第二绝缘层图案上且对应于所述第三凸块。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述形成一闸极电极以及一电容电极，并同时形成多个第一凸块于所述反射区上的步骤中又包含同时形成一闸极缓冲图案覆盖于所述穿透区上。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述形成一闸绝缘层连续覆盖于所述闸极电极、所述电容电极以及所述第一凸块于所述基板上的步骤中又包含所述闸绝缘层覆盖于所述闸极缓冲图案上。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述形成一第一绝缘层图案，以覆盖所述半导体层图案、所述源极图案、所述汲极图案上以及所述反射区上的所述第二凸块及所述第三凸块上，并曝露出一电容电极接触孔的步骤中又包含将覆盖于所述穿透区的所述闸绝缘层移除，曝露出所述闸极缓冲图案。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述形成一反射电极图案以覆盖于所述反射区上的所述第一绝缘层图案，且通过所述电容电极接触孔接触于所述电容电极的步骤中又包含将所述闸极缓冲图案移除，暴露出位于所述穿透区的所述公共电极图案。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述形成一第二绝缘层图案，以覆盖所述反射电极图案并曝露出一汲极接触孔的步骤中又包含所述第二绝缘层图案同时覆盖所述穿透区的所述公共电极图案。

7.一种半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板，其特征在于，所述半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板包括：一薄膜晶体管以及一公共电极图案设置于一基板上，并在所述基板上划分为一反射区以及一穿透区；

一电容电极以及多个第一凸块设置于所述公共电极的所述反射区上；

一闸绝缘层覆盖于所述第一凸块以及所述公共电极图案上；

多个第二凸块设置于所述闸绝缘层上并对应所述第一凸块；

多个第三凸块设置于所述第二凸块上；

一第一绝缘层图案覆盖于所述第三凸块以及所述第二凸块上；

一反射电极图案覆盖于所述反射区上的所述第一绝缘层图案上，并接触于所述电容电极；

一第二绝缘层图案覆盖于所述反射电极图案上以及所述公共电极图案的所述穿透区上；以及一梳状像素电极图案覆盖于所述第二绝缘层图案上并接触于所述薄膜晶体管，同时覆盖于所述穿透区，并且形成多个第四凸块于第二绝缘层图案上且对应于所述第三凸块。

8.如权利要求7所述的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板，其特征在于，所述第一凸块的表面积大于所述第二凸块的表面积，又所述第二凸块表面积大于所述第三凸块的表面积。

9.如权利要求8所述的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板，其特征在于，所述反射电极图案的表面是沿着所述第二以及第三凸块起伏。

10.如权利要求7所述的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板，其特征在于，所述反射电极图案具有与公共电极相同电性。

11.如权利要求7所述的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板，其特征在于，所述半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板还包括一彩色滤光片，其相对于所述基板设置，并相距所述穿透区上的所述像素梳状电极图案一预设距离。

12.如权利要求11所述的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板，其特征在于，所述彩色滤光片距离所述反射区上的所述像素梳状电极图案是所述预设距离的一半。

说明书

半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板及制造方法

技术领域

[0001] 本发明是有关于一种边缘电场开关型液晶显示面板及其制造方法，特别有关于一种半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板及制造方法。

背景技术

[0002] 液晶显示装置具有低辐射性、体积轻薄短小及耗电低等众多优点，故于使用上日渐广泛，但同时仍具有视角各向异性和视角范围较小的弱点，即如果以偏离垂直于显示板法线方向观察时，对比度明显下降。

[0003] 为克服这一缺陷，有提出一种平面间转换模式(In-Plane Switching mode，IPS)的广视角液晶显示装置。该种平面内旋转型液晶显示装置与传统的扭曲向列型(Twist Nematic，TN)、超扭曲向列型(Super Twisted Nematic，STN)液晶显示装置区别在于：其公共(Common)电极与像素电极是设置于同一基板上，利用公共电极与像素电极间产生的横向水平电场使液晶分子在平面上转动。该种平面内旋转型液晶显示装置可显著提高液晶显示装置的视角，但因其公共电极与像素电极设置于同一基板上，其开口率较低，且对比度及响应时间与传统的扭曲向列型或超扭曲向列型液晶显示装置相比并无多大改善。

[0004] 因此有人提出一种边缘电场开关(Fringe Field Switching，FFS)技术。从原理来讲，可以看作是在IPS技术基础上的进一步发展，该种FFS液晶显示装置改进IPS液晶显示装置的电极设置方式，其将IPS液晶显示装置的不透明金属电

[0005] 极改为透明的公共电极并作成板状以增加透射率，从而可改善IPS液晶显示装置开口率不足的缺陷。此外，FFS液晶显示装置的正负电极不像IPS液晶显示装置的间隔排列，而是将正负电极通过绝缘层分离重叠排列，可大大缩小电极宽度和间距，这种设计使电场分布更密集。

[0006] 对光源的利用方式划分，液晶显示装置可分为穿透式(Transmitive)、半穿透半反射式(Transflective)及反射式(Reflective)三种。半穿透半反射液晶显示器是为一种双重模式显示器，具有反射模式与穿透模式。在反射模式下，也即当环境光源充足时，半反射半穿透显示面板不需用到内建光源，而是充分利用环境光源，通过半穿透半反射显示器像素中的反射区域，将环境光源的光线反射，以达成省电的效果。而在穿透模式时，则利用内建的背光光源通过半穿透半反射显示器像素中的穿透区来提供影像的显示。

[0007] 但是，当穿透区域与反射区域液晶盒间隙(Cell gap)的距离相同时，反射区的光线经过反射所走光径(Light path)(行过液晶盒间隙两趟的距离)即为穿透区的背光光源所走的光径(行过液晶盒间隙一趟的距离)的两倍。因此，造成了穿透区域的穿透率-电压曲线(Transmittance V.S.Voltage curve，T-V)与反射区域的反射率-电压曲线(Reflectance V.S Voltage curve，R-V)不一致。现有的半穿透半反射液晶显示器，若使用单液晶盒间隙(Single cell gap)，则穿透区和反射区使用不同的控制电路，或是穿透区域和反射区域使用不同的晶体管进行控制，可能增加阵列(Array)的复杂性和困难度，驱动方式也较复杂。

[0008] 因此，在制作半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示器的制程中，除了形成边缘电场开关型液晶显示器的结构之外，还必须在每一像素结构中的反射区域制作一凹凸状表面的有机层，与穿透区域形成双液晶盒间隙(Dual cell gap)，达到穿透区域的穿透率-电压曲线与反射区域的反射率-电压曲线一致。例如美国专利US 20060256268在反射区域制作表面起伏的有机层，从而定义出双液晶盒间隙(Dual cell gap)，即反射区的液晶层厚度为穿透区的一半，以达成穿透区的T-V特性曲线与反射区的R-V特性曲线相同，惟整个制作流程需10道光罩制程，不利于量产。其它改良方式也有提出利用半色调网点光罩(Half-tonemask)的技术来制作反射区上的有机层，从而减少光罩制程，惟半色调网点光罩的制程仍然所费不赀。因此，生产效率不高并且制造成本居高不下。

[0009] 有鉴于此，目前亟需提出一种半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板及其制造方法，从而改善上述的问题。

发明内容

[0010] 本发明的目的在于提供一种半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的制造方法，其可通过减少微影制程而简化制造步骤，从而减少液晶显示器的制作成本。

[0011] 为达上述的目的，本发明提供半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的制造方法，所述制造方法包括下列步骤：

[0012] 形成一公共电极图案于一基板上，并在所述基板上划分为一反射区以及一穿透区；

[0013] 形成一闸极电极以及一电容电极，并同时形成多个第一凸块于所述反射区上；所述电容电极形成于所述公共电极之上，且与所述公共电极相接触；

[0014] 形成一闸绝缘层连续覆盖于所述闸极电极、所述电容电极以及所述第一凸块于所述基板上；

[0015] 形成一半导体层图案于所述闸绝缘层上且对应所述闸极电极，并同时形成多个第二凸块于所述闸绝缘层上且对应所述第一凸块；

[0016] 形成一源极图案以及一汲极图案于所述半导体层图案上，并同时形成多个第三凸块于所述第二凸块上；

[0017] 形成一第一绝缘层图案，以覆盖所述半导体层图案、所述源极图案、所述汲极图案上以及所述反射区上的所述第二凸块及所述第三凸块上，并曝露出一电容电极接触孔；

[0018] 形成一反射电极图案以覆盖于所述反射区上的所述第一绝缘层图案，且通过所述电容电极接触孔接触于所述电容电极；

[0019] 形成一第二绝缘层图案，以覆盖所述反射电极图案并曝露出一汲极接触孔；以及[0020] 形成一梳状像素电极图案，以覆盖所述第二绝缘层图案上并通过所述汲极接触孔接触于所述汲极图案，同时覆盖于穿透区，并且形成多个第四凸块于第二绝缘层图案上且对应于所述第三凸块。

[0021] 因此，根据本发明的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板制造方法，不需额外形成一凹凸状表面的有机层，在半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的制造步骤中，利用原本所需的光罩制程一并形成在反射区堆叠的由小到大的凸块，使该堆叠的凸块形成表面起伏的反射凸块结构。因此使制造过程简化而提高产能并降低成本。

[0022] 本发明还提供一种半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板，包括：一薄膜晶体管以及一公共电极图案设置于一基板上，并在所述基板上划分为一反射区以及一穿透区；

[0023] 一电容电极以及多个第一凸块设置于所述公共电极的所述反射区上；

[0024] 一闸绝缘层覆盖于所述第一凸块以及所述公共电极图案上；

[0025] 多个第二凸块设置于所述闸绝缘层上并对应所述第一凸块；

[0026] 多个第三凸块设置于所述第二凸块上；

[0027] 一第一绝缘层图案覆盖于所述第三凸块以及所述第二凸块上；

[0028] 一反射电极图案覆盖于所述反射区上的所述第一绝缘层图案上，并接触于所述电容电极；

[0029] 一第二绝缘层图案覆盖于所述反射电极图案上以及所述公共电极图案的所述穿透区上；以及

[0030] 一梳状像素电极图案覆盖于所述第二绝缘层图案上并接触于所述薄膜晶体管，同时覆盖于所述穿透区，并且形成多个第四凸块于第二绝缘层图案上且对应于所述第三凸块。

[0031] 本发明的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板，在反射区具有凸状的堆叠结构，即不需利用有机层，使得在反射区以及穿透区形成双液晶盒间隙差异，达到穿透区域的穿透率-电压曲线与反射区域的反射率-电压曲线一致。并在反射区形成具有反射效果的凸状反射面结构，能够将反射光反射的更均匀，达到较好的反射效果。

附图说明

[0032] 图1a至图8a是本发明较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的光罩制程俯视图。

[0033] 图1b至图8b是图1a至图8a的A-A`断面图。

[0034] 图8c是本发明实施例提供的梳状像素电极图案的俯视图。

[0035] 图9是本发明的一较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的剖视图。

[0036] 图10是本发明实施例提供的表示反射区与穿透区中各层结构的厚度。

具体实施方式

[0037] 为了使本发明的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

[0038] 以下将以图1a至图8a来逐步说明本发明较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的制作步骤，其中每一图代表一道光罩制程，其包括了现有的微影(Photolithography)技术，即曝光、显影及蚀刻等步骤。图示中仅绘示单一像素构造来清楚说明本发明的制作步骤，本领域的普通技术人员应可以根据本说明来据以实施。

[0039] 请参阅图1a及图1b。图1a是本发明较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的第一道光罩制程的俯视图，图1b为图1a的A-A`断面图。为了清楚说明，图中一基板100显示的为单一像素区域，并划分为一薄膜晶体管区101、一反射区102以及一穿透区103。首先，利用第一道光罩制程将一公共(Common)电极图案110形成于该基板100上。其中该基板100是为透明基板，例如玻璃等；该公共电极图案110材质是透明电极材质，例如铟锡氧化物(Tin-doped Indium Oxide，ITO)。

[0040] 请参阅图2a及图2b。图2a是本发明较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的第二道光罩制程的俯视图，图2b为图2a的A-A`断面图。在第一道光罩制程之后，利用第二道光罩制程形成一闸极(Gate)电极210以及一电容电极220，并同时形成多个第一凸块230在该反射区102上。其中又包含同时形成一闸极缓冲图案240覆盖于该穿透区103上。

[0041] 请参阅图3a及图3b。图3a是本发明较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的第三道光罩制程的俯视图，图3b为图3a的A-A`断面图。在第二道光罩制程之后，形成一闸绝缘层310连续覆盖于该基板上的该闸极电极210、该电容电极220、该些第一凸块230以及该闸极缓冲图案240。其中形成该闸绝缘层310的方法较佳可为沉积法，又该闸绝缘层310的材质为较佳为氮化硅(SiNx)。

[0042] 利用第三道光罩制程将一半导体层图案320形成于该闸绝缘层310上，该半导体图案320的位置是对应该闸极电极210，并同时形成多个第二凸块330于该闸绝缘层上310，第二凸块330的位置是对应第一凸块230。其中该半导体层图案320由一非晶硅层(amorphous Si，未图示)，以及一欧姆接触层(例如n+掺杂非晶硅层，未图示)所组成。其中该半导体层图案320除了形成在薄膜晶体管区之外，还需在反射区102的第一凸块230往上堆叠，以增加位于穿透区103的液晶层厚度差异，以利于后续形成双液晶盒间隙结构。

[0043] 请参阅图4a及图4b。图4a是本发明较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的第四道光罩制程的俯视图，图4b为图4a的A-A`断面图。在第三道光罩制程之后，利用第四道光罩制程形成一源极图案410以及一汲极图案420于该半导体层图案320上，并同时形成多个第三凸块430于该些第二凸块330上。其中，该源极图案410、该汲极图案420以及该半导体层图案320是利用金属材质形成。同样地，该源极图案410以及该汲极图案420除了形成在薄膜晶体管区之外，还需在反射区102的第二凸块330往上堆叠，以增加位于穿透区103的液晶层厚度差异，以利于后续形成双液晶盒间隙结构。

[0044] 本发明较佳实施例中，形成该些第一凸块230的表面积大于该些第二凸块330的表面积，又该些第二凸块330表面积大于该些第三凸块430的表面积，如图4a、4b所示。

[0045] 请参阅图5a及图5b。图5a是本发明较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的第五道光罩制程的俯视图，图5b为图5a的A-A`断面图。在第四道光罩制程之后，利用第五道光罩制程形成一第一绝缘层图案510，以覆盖该半导体层图案320、该源极图案410、该汲极图案420上以及该反射区102上的该第二凸块330及该第三凸块430上，并形成一电容电极接触孔520以暴露出部份电容电极220。将覆盖于该穿透区103的绝缘层(如该闸绝缘层310)移除，曝露出该闸极缓冲图案240。应注意的是，此步骤中该第一绝缘层图案510的形成是先沉积一层如上述该闸绝缘层310相同的材料，例如氮化硅(SiNx)，故图中未在该第一绝缘层图案510与该闸绝缘层310之间画出区隔，如图5b中所示。然后在利用第五道光罩制程挖出该电容电极接触孔520并将该闸绝缘层310以及闸绝缘层310上的第一绝缘层图案510移除，露出该闸极缓冲图案240。其中该闸极缓冲图案
240可保护穿透区103的ITO透明电极在移除该闸绝缘层310以及闸绝缘层310上的第一绝缘层图案510的制程中免于破坏。

[0046] 请参阅图6a及图6b。图6a是本发明较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的第六道光罩制程的俯视图，图6b为图6a的A-A`断面图。在第五道光罩制程之后，利用第六道光罩制程形成一反射电极图案610以覆盖于该反射区102中的该第一绝缘层图案510，且通过该电容电极接触孔520接触于该电容电极220，使得该反射电极图案610与该电容电极220电性连接。

[0047] 此外，上述制程除了在反射区102形成该反射电极图案610外，原本穿透区103的该共享电极110上方的该闸极缓冲图案240也一并被蚀刻清除，仅留下穿透区103所需的该共享电极110(例如透明电极ITO)。在此道制程中，该反射电极图案610使用的材料较佳为与该闸极电极210相同的金属材质以保有较佳的蚀刻均匀性。

[0048] 更进一步地说，该反射电极图案610通过该电容电极接触孔520与该电容电极220电性连接，而该电容电极220又形成在该公共电极110之上与之相接触，因此反射电极图案610有与该共享电极110相同电性。

[0049] 请参阅图7a及图7b。图7a是本发明较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的第七道光罩制程的俯视图，图7b为图7a的A-A`断面图。在第六道光罩制程之后，利用第七道光罩制程形成一第二绝缘层图案710，以覆盖该反射电极图案610并曝露出一汲极接触孔720。其中又包含该第二绝缘层图案710同时覆盖该穿透区103的该公共电极图案110。

[0050] 请参阅图8a、8b及图8c。图8a是本发明较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的第八道光罩制程的俯视图，图8b为图8a的A-A`断面图，图8c为梳状像素电极图案的俯视图。最后，在第七道光罩制程之后，利用第8道光罩制程形成一梳状像素电极图案810。为清楚说明，单独将该梳状像素电极图案810单独绘示如图8c所示，其形成于图8a中的虚线区域，用以覆盖该第二绝缘层图案710上并通过该汲极接触孔720接触该汲极图案420，使得该梳状像素电极图案810电性连接于该汲极图案420。该梳状像素电极图案810同时覆盖于反射区102，并且形成多个第四凸块820于第二保护层图案710上且对应于该些第三凸块430。应注意的是，该些第四凸块820是该梳状像素电极图案810中的某些条状电极覆盖并跨越该些凸块所形成的凸起区域，如图8b所示。

[0051] 其中该梳状像素电极图案810的图案为边缘电场开关型液晶显示面板的上电极，在反射区102隔着一层该第二绝缘层图案710通过该反射电极图案610当作下电极，其电气特性与穿透区103的该梳状像素电极图案810相对该公共电极图案110相同。该梳状像素电极图案810其图形可依需要做设计，本发明并不限于何种图形。于此时本发明较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的结构已完成。

[0052] 综上所述，本发明的较佳实施例使用八道光罩制程，在反射区利用堆叠方式在基板制作双液晶盒间隙差异，并在反射区形成具有反射效果的堆叠式凸状反射面结构，完成断面如图8b图所示。也即在现有制作边缘电场开关型液晶显示面板的制程中，不需额外制作有机层或使用半色调网点光罩制程制作出双液晶盒间隙。利用每一道制程所形成的结构在反射区予以保留，并在该些堆叠的凸块上形成一金属反射面以利于环境光的反射，进而可制作出半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板。本发明具有减少光罩制程与生产成本的效益，解决了现有的需多道制程导致成本太高的问题。

[0053] 除此之外，本发明还提供一种由上述制作方法制得的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板。请参考图9，图9为本发明的一较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板的剖视图。根据本发明的一较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板，包括：一薄膜晶体管10以及一公共电极图案110设置于一基板100上，并在该基板100上划分为一反射区102、一穿透区103以及一薄膜晶体管区101；一电容电极220以及多个第一凸块230设置于该公共电极110的该反射区102上；一闸绝缘层310覆盖于该些第一凸块230以及该公共电极图案110上；多个第二凸块330设置于该闸绝缘层310上并对应该些第一凸块230；多个第三凸块430设置于该些第二凸块330上；一第一绝缘层图510案覆盖于该些第三凸块430以及该些第二凸块上330；一反射电极图案610覆盖于该反射区102上的该第一绝缘层图案510上，并接触于该电容电极220；一第二绝缘层图案710覆盖于该反射电极图案610上以及该公共电极图案110的穿透区103上；以及一梳状像素电极图案810覆盖于该第二绝缘层图案710上并接触于该薄膜晶体管10，同时覆盖于该穿透区103，并且形成多个第四凸块820于第二保护层图案710上且对应于该些第三凸块430。

[0054] 上述薄膜晶体管10还包括：一闸极(Gate)电极210、一半导体层图案320、源极图案410、一汲极图案420、一汲极接触孔720以及形成像素电极的该梳状像素电极图案810。其说明与原理请参考前述的说明，在此不予赘述。

[0055] 在一较佳实施例中，该些第一凸块230的表面积大于该些第二凸块330的表面积，又该些第二凸块330表面积大于该些第三凸块430的表面积。在此实施例中，该些凸块的表面积(俯视)较佳为圆形，可参考图8a所示但并不限定为圆形，也可为矩形或不规则形状。其中本实施例中第一凸块230表面积(圆形)的直径较佳介于5至20微米之间。此外，该些凸块的表面积大小并不需要完全相同，可依光学的需求设计不同的表面积大小或形状。并且，该反射电极图案610顺着堆叠在该第一凸块230及第二凸块330的第一绝缘层图案510做凸状表面起伏，即成为可将环境光源反射的更均匀的反射面。

[0056] 在一较佳实施例中，反射区102与穿透区103的面积比例较佳为1∶1。该电容电极220以及该些第一凸块230，与该反射电极图案610的材质较佳是为同一金属材质，例如铝。该公共电极110以及该像素梳状电极图案810的材质是为透明导电材质，例如铟锡氧化物(ITO)。

[0057] 该反射电极图案610通过该电容电极接触孔520与该电容电极220接触，具有与公共电极110相同电性，用以反射环境光线以及与反射区102的第四凸块820形成FFS的电场以驱动反射区上的液晶分子。

[0058] 本发明的一较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板还包括一彩色滤光片900用于将从反射区102反射的环境光或从穿透区103穿透的背光光源转化成红蓝绿三种不同的颜色。其中还包括一黑色矩阵(Black matrix，BM)910用于遮住不透光的部分(薄膜晶体管区101)，使增加对比度。该彩色滤光片900相对于该基板100设置，并相距该穿透区103上的该像素梳状电极图案一预设距离20，此即大约液晶盒间隙的厚度，例如4μm。

[0059] 更进一步地说，该彩色滤光片900距离该反射区102上的该像素梳状电极图案810是为该上述预设距离20的一半，例如为2微米μm。请参照图10，其表示反射区102与穿透区103中各层结构的厚度。在此实施例中，其中2μm可由该预设距离(4μm)减掉反射区102较穿透区103多出的结构的膜厚加总而得出。下列为此实施例中反射区102较穿透区103多出的结构的膜厚：第一凸块230膜厚400；闸绝缘层310膜厚400；第二凸块330膜厚200；第三凸块430膜厚400；第一绝缘层图案510膜厚300；以及反射电极图案610膜厚300。上述的膜厚单位为纳米(nm)，其加总是2000nm，故该反射区的液晶盒间隙为该预设距离4μm减掉2000nm/2μm即为2μm，即为穿透区的液晶盒间隙距离的一半。

[0060] 由上述可知，本发明的一较佳实施例的半穿透半反射的边缘电场开关型液晶显示面板，在反射区具有凸状的堆叠结构，即不需利用有机层，使得在反射区以及穿透区形成双液晶盒间隙差异，达到穿透区域的穿透率-电压曲线与反射区域的反射率-电压曲线一致。并在反射区形成具有反射效果的凸状反射面结构，能够将反射光反射的更均匀，达到较好的反射效果。

[0061] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。