可反复弯曲的双面挠性电路基板及折叠式移动电话

摘要

本发明涉及一种可反复弯曲的双面挠性电路基板，其适用于高频信号的传送，并可实现轻薄化，抑制导体断线或断裂，促进电路基板的高密度化。本发明特别涉及一种具有回绕部的可弯曲的双面挠性电路基板，其在绝缘层(3)的两侧设置导体电路(2)与覆盖材料(1)，绝缘层由厚度在10至100μm的液晶聚合物薄膜构成，覆盖材料是仅由热变形温度与绝缘层不同的液晶聚合物薄膜构成，通过下述计算式(1)所算出的铜箔变形值Y在0.5％至3％的范围内。Y(％)＝(tCu+1/2tLI)/(r+tCL.+tCu+1/2tLI)×100 (1)，其中，tLI表示绝缘层厚度μm，tCL.表示覆盖材料厚度μm，tCu表示铜箔厚度μm，r表示回绕部的弯曲半径。

权利要求

1.一种双面挠性电路基板，其具有回绕部，在绝缘层的两侧设置导体电路与覆盖材料且该导体电路由铜箔制成，该双面挠性电路基板的特征在于：绝缘层由厚度为10μm至

100μm的液晶聚合物薄膜构成，覆盖材料仅由热变形温度与绝缘层不同的液晶聚合物薄膜构成，并且通过下述计算式(1)所算出的铜箔变形值Y在0.5％至3％的范围内，该双面挠性电路基板具有弯曲部与非弯曲部，弯曲部被回绕而使用，Y(％)＝(tCu+1/2tLI)/(r+tCL.+tCu+1/2tLI)×100 (1)其中，tLI表示绝缘层薄膜厚度，tCL.表示覆盖材料的液晶聚合物薄膜厚度，tCu表示铜箔厚度，r表示回绕部的弯曲半径，以上tLI、tCL.、tCu及r的单位均为μm，弯曲半径r在2.0mm至5.0mm之间。

2.根据权利要求1所述的双面挠性电路基板，其特征在于，绝缘层由液晶聚合物薄膜构成，其热变形温度在270℃至330℃的范围内，作为覆盖材料的液晶聚合物薄膜的热变形温度比上述温度低。

3.根据权利要求1或2所述的双面挠性电路基板，其特征在于，导体电路的厚度在

5μm至30μm的范围内。

4.根据权利要求1或2所述的双面挠性电路基板，其特征在于，覆盖材料的厚度在

10μm至100μm的范围内。

5.根据权利要求1或2所述的双面挠性电路基板，其特征在于，双面挠性电路基板被使用在折叠式移动电话的折叠部。

6.一种折叠式移动电话，其特征在于，将根据权利要求1至5中任意一项所述的双面挠性电路基板使用在折叠式移动电话的折叠部。

7.根据权利要求6所述的折叠式移动电话，其特征在于，在将折叠式移动电话的闭合状态设为0°时，打开状态的角度为在10°至180°的范围内。

说明书

可反复弯曲的双面挠性电路基板及折叠式移动电话

[0001] 本申请是申请号为200610007679.2，申请日为2006年2月17日发明名称为“可反复弯曲的双面挠性电路基板”的中国专利申请的分案申请。

[0002] 技术领域

[0003] 本发明涉及一种适用于频繁弯曲的移动电话的铰链部等的可反复弯曲双面挠性电路基板。

[0004] 背景技术

[0005] 移动电话作为电子设备的关键构成组件而扮演重要的角色，伴随着电子零件的小型化及高集成化，更要求其具备高性能。对于这些要求，即使在具有配线电路的电路基板中，不仅高密度化、轻薄化、挠性，近年来为了处理大量信息，信号的高频化也受到注目。 [0006] 为了传送高频信号，必须使用低介电系数、低介质损耗角正切(dielectric loss tangent)的材料。在此，液晶聚合物薄膜作为高耐热性、吸湿尺寸稳定性、高频电气特性等佳的材料而被公众所知。例如，现有的电路基板中，为了实现尺寸稳定性，采用预浸(pre-preg)层作为绝缘体，该预浸层使用玻璃纤维及作为接着剂的树脂，且在具有细微配线的电路基板中，为了确保细微配线间的充填性，也采用涂布有接着剂的薄膜作为覆盖材料。然而，上述材料并不适于传送高频信号。在此，由同一材料制成绝缘层与覆盖材料，或仅使用液晶聚合物薄膜作为覆盖材料，则无须考虑绝缘层及覆盖材料的材料特性，即可构成不会损伤液晶聚合物薄膜特性的挠性电路基板。

[0007] 挠性电路基板作为具有良好的挠性且可弯曲使用的材料而为人所知。其中，单面挠性电路基板，在绝缘层的单侧形成导体层，适用于反复弯曲的情况。双面挠性电路基板，在绝缘层两侧形成有以导体构成的电路，适用于仅在实际安装时弯曲一次的情况下。 [0008] 必须使用可反复弯曲的电子电路基板时，使用单面挠性电路基板。然而，在单面挠性电路基板中，存在电路基板的安装密度仅为双面挠性电路基板的一半等成本昂贵等问题。例如，专利文献1揭示，在包含双面挠性电路基板与单面挠性电路基板的单一挠性电路基板中，使单面挠性电路基板部弯曲，由重合于另一单面挠性电路基板的部分构成弯曲部，提升其弯曲性。专利文献2揭示，在挠性电路基板的弯曲部位的内侧配置具有圆筒面的支持材料的配置构造，由此可防止弯曲部压碎及折断，并抑制导体断线或破断，此外也可应用于折叠式移动电话。

[0009] [专利文献1]日本特开平11-195850号公报

[0010] [专利文献2]日本特开平15-258388号公报

[0011] 然而，组合单面挠性电路基板而构成弯曲部的情况下，构成的挠性电路基板的层本身的厚度会增加，因此轻薄性及挠性将比单一的单面挠性电路基板差。而且，在挠性电路基板具有补强构造的情况下，因具有补强构造，会妨碍电子电路或电子零件在电路基板中的高密度化。

发明内容

[0012] 本发明的目的在于，提供一种适于传送高频信号，轻薄化，且可抑制导体断线或破断及实现电路基板的高密度化的双面挠性电路基板。

[0013] 本发明为了解决前述课题，研究发现只使用液晶聚合物薄膜作为用于移动电话等的可反复弯曲的双面挠性电路基板的覆盖材料，由此可获得与单面挠性电路基板同等的挠性。

[0014] 本发明涉及一种具有回绕部的可弯曲的双面挠性电路基板，其是一种在绝缘层两侧设置导体电路与覆盖材料且该导体电路由铜箔制成的双面挠性电路基板，其特征在于：绝缘层是由厚度在10μm至100μm的液晶聚合物薄膜构成，覆盖材料是仅由热变形温度与绝缘层不同的液晶聚合物薄膜构成，使用下述计算式(1)所算出的铜箔变形值Y在0.5％至
3％的范围内，该双面挠性电路基板具有弯曲部与非弯曲部，弯曲部被回绕而使用。 [0015] Y(％)＝(tCu+1/2tLI)/(r+tCL.+tCu+1/2tLI)×100(1)

[0016] 其中，tLI表示绝缘层薄膜厚度(μm)，tCL.表示覆盖材料的液晶聚合物薄膜厚度(μm)，tCu表示铜箔厚度(μm)，r表示回绕部的弯曲半径(μm，弯曲半径r为2.0mm至5.0mm)。

[0017] 满足以下任意一个以上条件，上述双面挠性电路基板将具备更好的性能。(1)绝缘层是由液晶聚合物薄膜构成，其热变形温度在270℃至330℃的范围内，作为覆盖材料的液晶聚合物薄膜热变形温度比上述温度低；(2)导体电路的厚度在5μm至30μm的范围内；(3)覆盖材料的厚度在10μm至100μm的范围内；(4)回绕部的弯曲半径r在2.0mm至5.0mm的范围内。

[0018] 上述双面挠性电路基板有效地使用在折叠式移动电话的折叠部。而且，本发明所涉及的折叠式移动电话的特征是将上述双面挠性电路基板使用在折叠式移动电话的折叠部。本发明所涉及的折叠式移动电话是将其闭合状态设为0°，打开状态的角度为在10°至180°的范围内。

[0019] 以下，进一步说明本发明涉及的双面挠性电路基板。

[0020] 本发明涉及的双面挠性电路基板适用于移动电话的铰链部等弯曲部位，例如作为移动电话的铰链部使用时，其反复弯曲寿命可达30万次以上。

[0021] 本发明涉及的双面挠性电路基板是利用电路加工等已知的方法获得的，在由液晶聚合物薄膜或聚酰亚胺薄膜构成的绝缘层的双面设置导体电路，且在其外侧设置仅由液晶聚合物薄膜构成的覆盖材料。

[0022] 作为绝缘层或覆盖材料使用的液晶聚合物薄膜可以是可形成光学异向性的熔融相的任意液晶聚合物薄膜，也称之为热致性(Thermotropic)液晶高分子。可形成光学异向性的熔融相的高分子如相关领域技术人员所知，是在具备加热装置的偏光显微镜正交偏光镜(crossed Nicol)下观察熔融状态的试料时，具有穿透偏光的性质的高分子。 [0023] 由耐热性、加工性的观点来看，液晶聚合物薄膜优选的是其转移至光学异向性的熔融相的转换温度在200℃至400℃，特别是在250℃至350℃的范围内。再者，在不损及薄膜特性的范围，也可以配合使用滑剂、氧化防止剂、填充剂等。本发明所使用的液晶聚合物薄膜可以是薄膜状或涂布溶液，而薄膜状可有利于接合铜箔。

[0024] 液晶聚合物薄膜通过挤压成形等已知方法获得。在挤压成形时，可使用任意挤压成形法，但已知的T模具法、叠层体延伸法、膨胀法等，从工业生产来看较为有利。尤其是，膨胀法、叠层体延伸法，不仅在薄膜的机械轴方向(以下称MD方向)，而且在与该MD方向正交的方向(以下称TD方向)也施加应力，因此可以获得MD方向与TD方向的机械性质均衡的薄膜。

[0025] 作为绝缘层使用的薄膜也可以是液晶聚合物薄膜，也可以是聚酰亚胺薄膜。聚酰亚胺薄膜可以作为FPC(挠性电路基板)被广泛使用，聚酰亚胺薄膜层由2层以上的聚酰亚胺薄膜层构成也可以。

[0026] 覆盖材料采用作为绝缘层使用的液晶聚合物薄膜、或聚酰亚胺薄膜的热变形温度不同的液晶聚合物薄膜。热变形温度优选的是相差10℃至100℃。使用液晶聚合物薄膜作为绝缘层时，其热变形温度优选的是在270℃至330℃的范围，作为覆盖材料的液晶聚合物薄膜优选的是比上述温度低，最好低10℃至100℃。

[0027] 制造本发明涉及的双面挠性电路基板的方法，包括：在绝缘层的双面积层导体层的步骤；将导体层作为电路的步骤；在位于双面的各导体电路层上积层覆盖材料的步骤。形成导体层的材料优选的是铜箔(含有铜合金箔)。以下，以铜箔为代表说明导体层，但并不限定于使用铜箔。

[0028] 例如，绝缘层为液晶聚合物薄膜时，对铜箔的双面进行粗化处理，积层液晶聚合物薄膜，在加热、加压下进行积层。接着，利用已知的方法进行铜箔的电路加工。然后，在双面配置作为覆盖材料的液晶聚合物薄膜，在加热、加压下进行积层。将液晶聚合物薄膜作为覆盖材料，配置在导体电路上时，如上所述有：(1)仅配置液晶聚合物薄膜并进行加热、加压的方法；或(2)在导体电路上配置液晶聚合物薄膜与铜箔的积层物的液晶聚合物薄膜面，进行加热、加压，然后利用蚀刻去除铜箔的方法。本发明可使用其中任意一种方法。 [0029] 绝缘层为聚酰亚胺薄膜时，并不一定需要进行与聚酰亚胺薄膜接合的铜箔面的粗化处理，聚酰亚胺薄膜可通过涂布、干燥、硬化聚酰亚胺溶液或其前驱体溶液而形成。 [0030] 铜箔粗化处理可以采用喷砂(blast)处理、研磨等干式的粗化方法或 以药液进行的湿式粗化方法，但优选的是利用黑化处理。

[0031] 绝缘层厚度范围优选的是在200μm以下，最好在10μm至100μm。薄膜厚度未满10μm时，容易破裂，处理较为困难；超过100μm时，薄膜变得僵直而难以卷绕为筒状，难以处理。

[0032] 叠合热变形温度不同的液晶聚合物薄膜，以制造双面挠性电路基板时，优选的是，绝缘层与覆盖材料热变形温度相差10℃以上。该热变形温度的差未满10℃时，在使用由液晶聚合物薄膜构成的绝缘层与覆盖材料来作成双面挠性电路基板的情况下，由于积层时的加压，存在液晶聚合物薄膜同时热变形，所有导体电路变得容易移动，难以进行导体电路的定位控制的隐患。在此，绝缘层为液晶聚合物薄膜时，其热变形温度为260℃以上，优选的是在270℃至330℃的范围内。热变形温度未满270℃时，存在无法区别作为绝缘层使用的液晶聚合物薄膜与作为覆盖材料的液晶聚合物薄膜的热变形的。另一方面，热变形温度在330℃以上时，超过液晶聚合物薄膜的融点，难以维持电路基板的形状。即使在绝缘层为聚酰亚胺的情况下，绝缘层与覆盖材料的热变形温度必须不同，优选的是覆盖材料的热变形温度比绝缘层的热变形温度低10℃以上。

[0033] 本发明所涉及的双面挠性电路基板通过式(1)所计算的铜箔变形值Y在0.5％至3％的范围内。铜箔变形值Y未满0.5％时，绝缘层厚度、与绝缘层接合的铜箔厚度及覆盖材料厚度会变薄，因此存在导体电路断线的隐患。另一方面，铜箔变形值Y超过3％时，形成双面挠性电路基板的各层厚度会增加、弯曲半径变大，因此难以实际满足以轻薄化、挠性为特征的移动电话反复弯曲的要求。

[0034] 导体层的优选厚度在100μm以下。导体层为铜箔时，其厚度优选的是在5μm至30μm。从形成精细图案的观点来看，最好使铜箔厚度变薄，然而其厚度变得过薄时，存在在生产过程中铜箔会产生皱纹，此外在作为配线基板形成电路时，配线断裂而降低电路基板的可靠性的问题。另一方面，铜箔厚度增加时，蚀刻铜箔时会在电路侧面产生倾斜，不利于形成精细图案。

[0035] 本发明所使用的铜箔可以通过辊轧法或电气分解法中的任意一种生产。为了确保与作为绝缘层的液晶聚合物薄膜的接着力等目的，也 可以在不损害本发明效果的范围内，对铜箔施加粗化处理等物理性表面处理或酸洗等化学性表面处理。

[0036] 仅由液晶聚合物薄膜构成的覆盖材料的优选厚度在300μm以下，最好在10μm至100μm。覆盖材料厚度未满10μm时，铜箔变形值会明显变大，存在覆盖材料难以起到保护导体电路的作用的隐患。另一方面，覆盖材料厚度超过100μm时，总厚度会变厚，因此难以实际满足以轻薄化、挠性为特征的移动电话反复弯曲的要求。

[0037] 本发明涉及的双面挠性电路基板适用在移动电话等的反复弯曲的用途，因此有助于高频信号的传送、轻薄化、抑制导体断线或断裂及电路基板的高密度化。 附图说明

[0038] 图1是用以说明双面挠性电路基板的实施例1的剖视图。

[0039] 图2是用以说明双面挠性电路基板的实施例3的剖视图。

[0040] 图3是用以说明双面挠性电路基板的比较例1的剖视图。

[0041] 图4是用以说明双面挠性电路基板的比较例3的剖视图。

[0042] 图5是用以说明双面挠性电路基板的比较例5的剖视图。

[0043] 图6(A)及6(B)是用以说明双面挠性电路基板的使用例的模式图。 [0044] 图7是用以说明折叠式移动电话的一例的模式图。

[0045] 符号说明

[0046] 1 液晶聚合物薄膜覆盖材料 2 导体电路层

[0047] 3 液晶聚合物薄膜绝缘层 4 聚酰亚胺薄膜绝缘层

[0048] 5 聚酰亚胺薄膜覆盖材料 6 接合层

[0049] 7 试验片 8 弯曲部

[0050] 9 非弯曲部 10 弯曲部的回绕轴

[0051] 11铰链部 12 本体

[0052] 13盖部。

具体实施方式

[0053] 以下，针对本发明涉及的双面挠性电路基板及其使用例，参照附图进行说明。图1是用以说明双面挠性电路基板的层构造的一例的剖 视图，在由液晶聚合物薄膜构成的绝缘层3的双面设有导体电路层2，并且在导体电路层2上设置由液晶聚合物薄膜1构成的覆盖材料。图2是用以说明双面挠性电路基板的层构造的另一例的剖视图，在由聚酰亚胺薄膜构成的绝缘层4的双面设有导体电路层2，并且在导体电路层2上设置由液晶聚合物薄膜1构成覆盖材料。

[0054] 图3是以说明双面挠性电路基板的层构造的另一例的剖视图，在由液晶聚合物薄膜构成的绝缘层3的双面设有导体电路层2，并且在导体电路层2上设置由附有环氧系接着层6的聚酰亚胺薄膜5构成的覆盖材料。图4是将图3中的绝缘层3变为由聚酰亚胺薄膜构成的绝缘层4的例子的剖视图。图5是由聚酰亚胺薄膜构成绝缘层4，将液晶聚合物薄膜1及聚酰亚胺系接着薄膜6所构成的复合薄膜作为覆盖材料的一例的剖视图。并且，图3至图5表示本发明范围外的双面挠性电路基板。

[0055] 图6是用以说明将本发明涉及的双面挠性电路基板使用在铰链部时的一例的模式图，将具有弯曲成图6(A)所示的S字型的弯曲部8的双面挠性电路基板7，如图6(B)所示在弯曲部附近以剖面为圆形状的方式卷绕、回绕。而且，通过回绕，从上向下看时，回绕部两侧的非弯曲部9的表面成为同一个面。在回绕时，也可以在作为其回绕轴10的部分使用圆筒形材料。

[0056] 图6(B)是在移动电话反复弯曲的使用形态下的一例，弯曲部的双面挠性电路基板在回绕部旋转一周，在回绕部处的弯曲半径在2.0mm至5.0mm的范围内。在将该双面挠性电路基板使用在折叠式移动电话时，开闭角度在10°至180°的范围内。图6(B)显示具有弯曲部与非弯曲部的双面挠性电路基板的弯曲部8旋转并回绕一周的状态，将该部分称为α卷。

[0057] 在回绕部的弯曲半径(与回绕轴10的半径大致相等)，其优选范围是在2.0mm至5.0mm之间。弯曲半径未满2.0mm时，难以维持弯曲形状。另一方面，弯曲半径超过5.0mm时，难以实际满足以轻薄化、挠性为特征的移动电话反复弯曲的要求。 [0058] 图7是用以说明折叠式移动电话的模式图，双面挠性电路基板7在铰链部11处回绕，连接本体(按键部)12与盖部(显示部)13。本体12 与盖部13所形成的开闭角度的优选范围是10°至180°之间。开闭角度未满10°时，产生称之为无法开闭的实用阻障。另一方面，开闭角度超过180°时，则其用途并非作为移动电话反复弯曲，而是作为折弯用。 [0059] 实施例

[0060] 以下，通过实施例具体说明本发明，但本发明并非局限于这些实施例。 [0061] 加工铜箔电路

[0062] 在液晶聚合物薄膜所构成的双面贴铜积层板上叠层干薄膜，并使用光阻宽度100μm、电路宽度100μm的图案薄膜，利用UV(紫外线)曝光形成电路图案。接着，利用氯化铜蚀刻液进行铜箔蚀刻。利用光学显微镜确认所得的双面导体电路基板的电路是否有剥离或电路间是否有残铜。

[0063] 测定厚度

[0064] 依据JISC5016，使用膜厚测试器(三丰公司制，度盘式指示表215-153)，来测定绝缘层、覆盖材料及铜箔的厚度。

[0065] 测定初始电阻值

[0066] 依据JISC5016，使用电阻测试器(CUSTOM公司制，CX-180N)，来测试冲压覆盖材料前双面导体电路基板的电阻值。

[0067] 计算铜箔变形值

[0068] 利用公式(1)，由使用在双面挠性电路基板上的铜箔厚度、绝缘层厚度、覆盖材料厚度及弯曲半径，来计算铜箔变形值。

[0069] 移动电话反复弯曲试验

[0070] 使用耐铰链弯曲试验机(PROS公司制，PIS-FPJ310)进行配置双面挠性电路基板的移动电话的反复弯曲试验。双面挠性电路基板的破裂条件是电阻值从初始电阻值上升5％。

[0071] 第1实施例

[0072] 将厚度为25μm的液晶聚合物薄膜280(KURARAY公司制Beckstar(音译)、热变形温度280°)作为绝缘层，在其双面设有厚度为18μm的辊轧铜箔(日矿MATERIALS公司制BHY-22B-T)的双面贴铜积层板，叠层干薄膜，并使用光阻宽度100μm、电路宽度100μm的图案薄膜，利用UV(紫外线)曝光形成电路图案。接着，利用氯化铜蚀刻液 进行铜箔蚀刻，作成双面导体电路基板W。然后，将厚度为25μm的液晶聚合物薄膜260(KURARAY公司制Beckstar、热变形温度260°)作为双面导体电路基板W的覆盖材料，在其单面准备具有厚度为18μm的上述辊轧铜箔的单面贴铜积层板S。

[0073] 在此，利用碱性水溶液对双面导体电路基板W与单面贴铜积层板S的液晶聚合物薄膜面进行药液处理，以纯水洗净后，用90℃的热风烤箱进行干燥。而且，为了使铜箔与作为覆盖材料的液晶聚合物薄膜接合，对双面导体电路基板的铜表面进行黑化处理。然后，在包夹双面导体电路基板W的形态下，积层以流动温度不同的液晶聚合物薄膜为树脂层的单面贴铜积层板S，并利用精密冲压在260℃、9MPa的条件下进行冲压，作成电路基板。冲压后，蚀刻去除所得的电路基板的最外层铜箔，得到由液晶聚合物薄膜构成绝缘层及覆盖材料作的双面挠性电路基板(图1)。

[0074] 将通过上述方法所得的双面挠性电路基板切割成图6(A)所示的形状，作成试验片。回绕试验片的弯曲部而成为α卷，将线/空间＝100/100(μm)的电路面作为内侧，进行耐铰链弯曲试验(参照图6(B))。然后，在耐铰链弯曲试验结束后，算出各试验片的铜箔变形值。

[0075] 第2实施例

[0076] 除了使用50μm厚度的液晶聚合物薄膜260作为覆盖材料以外，与第1实施例采用同样方法制作双面挠性电路基板，进行相同的实验。

[0077] 第3实施例(参考例)

[0078] 在厚度为25μm的聚酰亚胺薄膜双面具有厚度18μm的辊轧铜箔的双面贴铜积层板M(新日铁化学公司制，expanex(音译)M级)上叠层干薄膜，并使用光阻宽度100μm、电路宽度100μm的图案薄膜，利用UV(紫外线)曝光形成电路图案。接着，利用氯化铜蚀刻液进行铜箔蚀刻，作成双面导体电路基板。然后，为了将厚度25μm的液晶聚合物薄膜260作为上述双面导体电路基板的覆盖材料，在其单面准备具有厚度为18μm的辊轧铜箔的单面贴铜积层板。在包夹双面导体电路基板的形态下，积层以液晶聚合物薄膜为树脂层的单面贴铜积层板，并利用精密冲压在260℃、9MPa的条件下进行冲压，作成电路基板。冲压后，蚀刻去除所得的电路基板的最外层铜箔，绝缘层使用聚酰亚胺薄膜及 覆盖材料仅用液晶聚合物薄膜，作成积层不同种类树脂层的双面挠性电路基板(图2)。

[0079] 第1比较例

[0080] 绝缘层使用厚度为25μm的液晶聚合物薄膜280，在其双面具有厚度为18μm的辊轧铜箔的双面贴铜积层板上叠层干薄膜，并使用光阻宽度100μm、电路宽度100μm的图案薄膜，利用UV(紫外线)曝光形成电路图案。接着，利用氯化铜蚀刻液进行铜箔蚀刻，作成双面导体电路基板。然后，将在聚酰亚胺薄膜K(CAPTON，注册商标)上设有环氧系接着层的聚酰亚胺薄膜作为覆盖材料使用，在包夹双面导体电路基板的形态下，利用精密冲压在160℃至170℃、2至7MPa的条件下进行冲压，作成双面挠性电路基板(图3)。

[0081] 第2比较例

[0082] 除了使用在聚酰亚胺薄膜K上设有环氧系接着层的表1所示厚度的聚酰亚胺薄膜覆盖材料(3种)作为覆盖材料以外，与第1比较例采用同样的方法进行处理，并进行相同的实验。

[0083] 第3比较例

[0084] 在厚度为25μm的聚酰亚胺薄膜双面设有厚度为18μm的辊轧铜箔的双面贴铜积层板M上叠层干薄膜，并使用光阻宽度100μm、电路宽度100μm的图案薄膜，利用UV(紫外线)曝光形成电路图案。接着，利用氯化铜蚀刻液进行铜箔蚀刻，作成双面导体电路基板。然后，使用在聚酰亚胺薄膜K上设有环氧系接着层的聚酰亚胺薄膜覆盖材料，在包夹上述双面导体电路基板的形态下，利用精密冲压在160℃至170℃、2至7MPa的条件下进行冲压，作成双面挠性电路基板(图4)。

[0085] 第4比较例

[0086] 除了使用在聚酰亚胺薄膜K上设有环氧系接着层的表1所示厚度的聚酰亚胺薄膜覆盖材料(3种)作为覆盖材料以外，与第1比较例采用同样的方法进行处理，并进行相同的实验。

[0087] 第5比较例

[0088] 在厚度为25μm的聚酰亚胺薄膜双面设有厚度为18μm的辊轧铜箔的双面贴铜积层板M上叠层干薄膜，并使用光阻宽度100μm、电路宽度100μm的图案薄膜，利用UV(紫外线)曝光形成电路图案。接着，利 用氯化铜蚀刻液进行铜箔蚀刻，作成双面导体电路基板。然后，在厚度为25μm的液晶聚合物薄膜260的单面，准备具有厚度为18μm的辊轧铜箔的单面贴铜积层板。接着，双面导体电路基板通过聚酰亚胺系接合薄膜(新日铁化学公司制，接合片SPB)，积层以液晶聚合物薄膜为树脂层的单面贴铜积层板，并利用精密冲压在260℃、9MPa的条件下进行冲压，作成电路基板。冲压后，蚀刻去除所得的电路基板的最外层铜箔，作成双面挠性电路基板(图5)。

[0089] 整理实验数据制出表1。比较例中的覆盖材料厚度栏的()内的值表示：PF：聚酰亚胺薄膜，LCPF：液晶聚合物薄膜，Ad：环氧系或聚酰亚胺系接合层的厚度(μm)。 [0090] 表1

[0091]