冲压-层叠设备及方法

摘要

冲压-层叠设备及方法。冲压结构(15A、15B)均包括：模头(19)，与模头(19)协作以冲压工件W的冲头(20)，将横向压力施加到从工件W中冲压出的芯片Wa的模头支撑构件(21)，以及将反压力从与冲头(20)相对的一侧朝向冲头(20)施加到芯片Wa的反压力施加机构(23)。冲压结构(15A、15B)分别还包括选择机构(37A、37B)。冲压结构(15A、15B)在向芯片Wa施加横向压力和反压力的状态下层叠芯片Wa。冲压结构(15A、15B)沿着工件W的传送方向排列。选择机构(37A、37B)选择要被置于暂停状态的一个冲压结构(15A、15B)，以使得一个冲压结构(15A、15B)在冲压结构(15A、15B)的冲压操作期间处于暂停状态。

权利要求

1.一种冲压-层叠设备，其包括：冲压部件，其由模头以及与所述模头协作以冲压工件的冲头形成；横向压力环，其对从所述工件冲压出的冲压片施加横向压力；以及反压力施加机构，其从与所述冲头相对的一侧朝向所述冲头对所述冲压片施加反压力，其中所述工件以预定的节距沿一个方向被间歇地传送，所述冲压-层叠设备在向所述冲压片施加所述横向压力和所述反压力的状态下层叠所述冲压片，所述冲压-层叠设备的特征在于：所述冲压部件为多个冲压部件中的一个；

所述冲压-层叠设备还包括选择部件，所述选择部件能选择要被置于暂停状态的冲压部件，以使得所述多个冲压部件中的至少一个冲压部件在冲压操作期间处于暂停状态；

所述选择部件由切换构件形成，所述切换构件包括相对于升降部件限制冲头的限制部分和允许所述冲头相对于所述升降部件升降的允许部分；以及当所述切换构件移动时，相对于所述升降部件被限制的冲头冲压所述工件，并且相对于所述升降部件被允许升降的冲头的冲压被置于暂停状态。

2.如权利要求1所述的冲压-层叠设备，其特征在于，所述多个冲压部件沿着所述工件被传送的方向排列。

3.如权利要求1所述的冲压-层叠设备，其特征在于，所述多个冲压部件排列的距离是通过将所述工件的传送节距乘以整数而获得的。

4.如权利要求1所述的冲压-层叠设备，其特征在于，还包括能沿着所述工件的传送方向移动所述切换构件的致动部件，其中，所述限制部分和所述允许部分沿着所述工件的传送方向排列。

5.一种冲压-层叠方法，所述冲压-层叠方法用以冲压沿一个方向以预定的节距传送的工件并且层叠从所述工件冲压出的冲压片，其中，形成冲压部件的模头和冲头被用于冲压所述工件，当层叠所述冲压片时，对所述冲压片施加横向压力，并且从与所述冲头相对的一侧对所述冲压片施加朝向所述冲头的反压力，所述方法的特征在于：所述冲压部件为多个冲压部件中的一个；

沿着所述工件被传送的方向排列所述多个冲压部件；

利用选择部件在所述多个冲压部件中选择要被置于暂停状态的冲压部件，使得至少一个冲压部件在冲压操作期间处于暂停状态；

所述选择部件由切换构件形成，所述切换构件包括相对于升降部件限制冲头的限制部分和允许所述冲头相对于所述升降部件升降的允许部分；以及当所述切换构件移动时，相对于所述升降部件被限制的冲头冲压所述工件，并且相对于所述升降部件被允许升降的冲头的冲压被置于暂停状态。

说明书

冲压-层叠设备及方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种冲压-层叠设备及方法，该冲压-层叠设备及方法适用于制造电机芯以便连续地从工件冲压出诸如环状材料的芯片并对于每个单元层叠预定数量的芯片。

背景技术

[0002] 日本特开2006-26735号公报公开了这样一种冲压-层叠设备。该冲压-层叠设备包括模头和冲头。该冲头面对该模头的上表面并被设置成可沿着与该模头相同的轴线移动。该模头的下方设置有横向压力环。该横向压力环也可设置在与该模头相同的轴线上并位于邻近该模头的位置处。当该冲头向着该模头下降时，可从工件冲压出芯片。该横向压力环向多个芯片施加横向压力。预定数量的芯片可被层叠在横向压力环的内侧。依照该方法，在层叠芯片时，横向压力将被施加到芯片的外周面。这样会让层叠的芯片弯曲而使芯片的上表面为凹面。结果，会使芯片的平面度降低，并可造成产品精度下降。

[0003] 为了解决上述问题，日本特开2006-26735号公报公开的冲压-层叠设备在模头下方具有反压力施加机构。该反压力施加机构可从与冲头相对的一侧(从下方)朝向冲头(向上)将反压力施加到冲压-层叠的芯片。这样能够抑止芯片弯曲。在该冲压-层叠设备中，在模头的下方设置有产品排出机构。当预定数量的芯片被层叠时，在由反压力施加机构支撑的状态下，层叠的芯片下降到与产品排出机构相对应的位置。而后，产品排出机构将层叠的芯片从反压力施加机构上的位置处排出到侧方。

[0004] 依照该冲压-层叠设备，在其它层叠的芯片在被产品排出机构支撑的状态下下降并被排出期间，芯片不断地被冲压层叠。在这种情况下，在反压力施加机构下降的状态下，正在被加工的芯片将不会受到反压力的作用。结果，芯片的弯曲度被改变，使产品精度降低。为了避免上述缺陷，在层叠的芯片被排出期间，需要暂停芯片的冲压和层叠。但是，排出层叠的芯片要耗费一定量的时间。因此，如果在排出其它芯片期间暂停芯片的加工，将会使生产率显著降低。

发明内容

[0005] 因此，本发明的目的在于提供一种即使在排出冲压层叠片期间仍能够连续地冲压工件并将冲压片层叠且不会降低产品精度的冲压-层叠设备及冲压-层叠方法，从而提高生产率。

[0006] 为了实现上述目的，本发明第一方面提供了一种冲压-层叠设备，该冲压-层叠设备从工件形成冲压片。该冲压-层叠设备包括：冲压结构、横向压力环以及反压力施加机构。该冲压结构包括模头以及与该模头相互协作以冲压工件的冲头。该横向压力环可将横向压力施加到从工件冲压出的冲压片。反压力施加机构从与冲头相对的一侧将朝向冲头的反压力施加到冲压片。工件以预定的节距沿一个方向被间歇地传送，并且该冲压层叠-设备在向冲压片施加横向压力和反压力的同时层叠冲压片。该冲压-层叠设备包括多个冲压结构。该冲压-层叠设备还包括选择机构，选择机构能在多个冲压结构中选择要被置于暂停状态的冲压结构，使得至少一个冲压结构在冲压操作期间处于暂停状态。

[0007] 本发明第二方面提供了一种冲压-层叠方法，该方法用于冲压工件。该冲压-层叠方法包括：沿着一个方向以预定的节距传送工件，同时使用沿着所述方向排列的多个冲压结构从工件冲压出冲压片，其中各冲压结构均包括模头和冲头；在冲压出的冲压片被层叠时，在对冲压片施加横向压力并且从与冲头相对的一侧朝向各冲头将反压力施加到冲压片的状态下，层叠冲压片；在多个冲压结构中选择要被置于暂停状态的冲压结构，使得至少一个冲压结构在冲压操作期间处于暂停状态。

附图说明

[0008] 图1为电机芯的立体图；

[0009] 图2为电机芯的局部剖视图；

[0010] 图3为环状材料的局部平面图；

[0011] 图4为根据本发明第一实施方式的冲压-层叠设备的剖视图；

[0012] 图5为沿着图4中的5-5线截取的剖视图；

[0013] 图6为沿着图4中的6-6线截取的剖视图；

[0014] 图7A和图7B分别为冲压结构的选择切换凸轮的侧视图；

[0015] 图8A和图8B为选择切换凸轮的切换模式的平面示意图；

[0016] 图9A和图9B为工件冲压的说明图；

[0017] 图10A至图10D为根据第二实施方式的选择切换凸轮的切换模式的平面示意图；

[0018] 图11A至图11D为工件冲压的说明图；

[0019] 图12A至图12D为工件冲压的说明图；

[0020] 图13A至图13D为根据第三实施方式的选择切换凸轮的切换模式的平面示意图；

[0021] 图14A至图14D为根据第四实施方式的选择切换凸轮的切换模式的平面示意图；

[0022] 图15为根据第五实施方式的选择切换凸轮的剖视图；以及

[0023] 图16为变型例的示意图。

具体实施方式

[0024] 现在将对本发明的优选实施方式进行描述。首先，将对通过本实施方式的层叠设备组装的电机芯的结构及组装方法给出说明。

[0025] 图1至图3中所示的电机芯M是通过从工件W中连续地冲压出预定数量的金属环状材料的芯片Wa并层叠多个芯片Wa而形成的。在每一芯片Wa的一部分中形成有突部Pa。每一芯片Wa的突部Pa与相邻芯片Wa的背面的凹部相接合。因此，多个芯片Wa在被层叠状态下联接到一起。每到第n个层叠的芯片Wa具有孔Pb而非突部Pa，其中n为预定数量。
当突部Pa被装配到相邻的芯片Wa的孔Pb中时，具有孔Pb的芯片Wa不会与其它相邻的芯片Wa相接合。如此，在每第n个芯片Wa处，层叠的芯片Wa形成独立的组。由预定数量的层叠的芯片Wa构成的组形成电机芯M。在本实施方式中，该预定数量为一百。

[0026] 当芯片Wa被冲压时，在每第n个芯片Wa中冲压出孔Pb而非突部Pa。如图3中所示，孔Pb预先形成在工件W的与芯片Wa相对应的部分的位置处。而在与具有突部Pa的芯片Wa相对应的部分不会形成孔Pb。随后，在形成突部Pa的过程中，冲压模头将空压或穿过已经形成有孔Pb的芯片Wa中的孔Pb。因此，在工件W中已经形成有孔Pb的部分将不会形成突部Pa。

[0027] (第一实施方式)

[0028] 现在将参照图4至图9B对本发明的第一实施方式加以描述。

[0029] 如图4至图6中所示，冲压-层叠设备包括用以支撑工件W的工件支撑部11。该工件W被工件支撑部11沿着一个方向(图4中的箭头方向)传送。该工件支撑部11的上方设置有用作升降部件的升降构件12。在升降构件12的下表面用弹簧14支撑保持构件13。保持构件13可沿着升降构件12上升和下降的方向相对于升降构件12移动。弹簧14对保持构件13施加向下的力。当升降构件12下降时，在工件支撑部11上放置有工件W的状态下，工件W被牢固地保持在保持构件13与工件支撑部11之间。

[0030] 用作冲压部件的两个冲压结构15A、15B位于工件支撑部11与升降构件12之间。冲压结构15A、15B沿着工件W的传送方向排列。在本实施方式中，工件W能够以图9A和图
9B中所示的预定传送节距P被间歇地且不断地沿一个方向传送。冲压结构15A、15B之间的间隔为2P，该间隔为工件W的传送节距P的两倍。冲压结构15A、15B从工件W连续地冲压出用于电机芯的芯片Wa。同时，多个芯片Wa在受到横向压力与反压力(来自下方的压力)的状态下被层叠。

[0031] 现在将描述冲压结构15A、15B的构造。

[0032] 工件支撑部11的上表面形成有凹部18。工件支撑部11的凹部18中设置有模头支撑构件21。模头19位于工件支撑部11的凹部18中的模头支撑构件21的上表面上。模头19具有一对分别与冲压结构15A、15B对应的冲压孔19a、19b。冲压孔19a与冲压结构15A同轴地设置，冲压孔19b与冲压结构15B同轴地设置。一对冲头20被支撑在升降构件
12的下方。各冲头20沿着与对应的冲压孔19a或19b相同的轴线相对于模头19移动。当升降构件12下降时，冲头20和模头19的冲压孔19a、19b从工件W冲压出芯片Wa。

[0033] 模头支撑构件21中形成一对通孔21a、21b。通孔21a形成为与模头19的冲压孔19a连续。通孔21b形成为与模头19的冲压孔19b连续。通孔21a、21b上端的直径等于冲压孔19a、19b的直径。从工件W冲压出的芯片Wa被向下推动并穿过模头19的冲压孔19a、
19b以及模头支撑构件21的通孔21a、21b。此时，芯片Wa的外周面会受到横向压力。该横向压力层叠多个芯片Wa。冲压孔19a、19b与通孔21a、21b的施加横向压力的外周面的长度被设定为小于具有预定数量的芯片Wa的电机芯M的高度。

[0034] 工件支撑部11的下部形成有一对孔22。每个孔22均与模头支撑构件21的对应的通孔21a、21b相连通。孔22的直径大于通孔21a、21b的下端的直径。反压力施加机构23被设置在每个孔22中以便上升和下降。反压力施加机构23从与冲头20相对的一侧朝向冲头20将反压力施加到层叠的芯片Wa。这样可以防止层叠的芯片的上表面变成凹面。

[0035] 每个反压力施加机构23均包括支撑框架24与支撑构件26。支撑框架24位于滚珠丝杠30的上端，并且支撑构件26被气体弹簧25支撑在支撑框架24上以便上升和下降。从工件W冲压出芯片Wa后，芯片Wa被层叠在模头支撑构件21的通孔21a、21b的内部并被支撑在支撑构件26上。在此状态下，当冲头20从模头19的冲压孔19a、19b上升并且与模头19分开时，在支撑着芯片Wa的状态下，支撑构件26将借助气体弹簧25的力上升到与模头19的上表面具有相同高度的位置处。相反，当冲头20下降以从工件W冲压出芯片Wa时，支撑构件26抵抗气体弹簧25的力而与层叠的芯片Wa一起被向下推动。

[0036] 如图5和图6中所示，电机31位于工件支撑部11的下方。当电机31启动时，螺母28将旋转。因此，与螺母28螺接的滚珠丝杠30将上升或下降，使得反压力施加机构23上升或下降。结果，在芯片Wa从工件W被冲压出之前，调整支撑构件26的位置，使得每个通孔21a、21b中的最上面的芯片Wa的上表面与模头19的上表面处于相同的高度。如图6中所示，当预定数量的芯片Wa被层叠在支撑构件26上时，电机31启动以便降低反压力施加机构23。层叠的芯片Wa将被放置在通孔22的下端附近的产品排出位置。在芯片Wa被放置在产品排出位置后，借由推杆36将芯片Wa从支撑构件26通过产品排出口35排出到排出传送带42。

[0037] 冲压结构15A、15B的上方设置有选择机构37A、37B。用作选择部件的选择机构37A、37B选择要被置于暂停状态的冲压结构15A、15B。在冲压操作过程中，当选择机构37A、
37B选择了要被置于暂停状态的冲压结构15A、15B时，层叠的芯片Wa将在冲压结构15A、
15B的被置于暂停状态的冲压结构侧排出。

[0038] 工件支撑部11的上方设置有安装至安装板39的选择切换凸轮38A、38B。各选择切换凸轮38A、38B均以可在与冲头20上升和下降的方向相垂直的方向上移动的方式被支撑。如图5和图7A中所示，冲压结构15A位于工件W的传送方向的上游侧。选择机构37A被设置成与冲压结构15A相对应。在选择机构37A的选择切换凸轮38A的下表面上形成有用作限制部分的凸状凸轮面38a和用作允许部分的凹状凸轮面38b。凸状凸轮面38a和凹状凸轮面38b沿着选择切换凸轮38A的传送方向配置。如图6和图7B中所示，冲压结构15B位于工件W的传送方向的下游侧。选择机构37B被设置成与冲压结构15B相对应。在选择机构37B的选择切换凸轮38B的下表面上形成有凹状凸轮面38b和凸状凸轮面38a。选择切换凸轮38B中的凹状凸轮面38b和凸状凸轮面38a的配置与选择切换凸轮38A中的凹状凸轮面38b和凸状凸轮面38a的配置相反。

[0039] 图4的左侧和图5示出了选择切换凸轮38A、38B的凸状凸轮面38a已经被切换到与冲压结构15A、15B的冲头20相对应的位置的状态。在此情形下，随着升降构件12的下降，冲头20被凸状凸轮面38a推动。换句话说，冲头20相对于升降构件12的向上移动被限制，使得冲头20与升降机构12一起下降从而冲压工件W。相反，图4的右侧和图6示出了选择切换凸轮38A、38B的凹状凸轮面38b已经被切换到与冲压结构15A、15B的冲头20相对应的位置的状态。在此情形下，随着升降构件12的下降，冲头20接触工件W的上表面。这使冲头20停止下降。结果，冲头20进入凹状凸轮面38b从而相对于升降构件12上升。
所以，冲头20不冲压工件W。

[0040] 如图4中所示，各选择切换凸轮38A、38B均被连接到由螺线管形成的致动器40。致动器40用作致动部件。致动器40在两个位置之间切换选择切换凸轮38A、38B。致动器
40由控制器41控制以便切换选择切换凸轮38A、38B的操作。如图8A及图8B中所示，切换状态的组合产生多种(在本实施方式中为两种)切换模式PT1、PT2。

[0041] 在图8A所示的第一切换模式PT1中，选择机构37A的选择切换凸轮38A处于冲压位置，在该冲压位置处，凸状凸轮面38a与冲头20相对应，并且选择机构37B的选择切换凸轮38B处于暂停位置，在该暂停位置处，凹状凸轮面38b与冲头20相对应。在图8B所示的第二切换模式PT2中，选择切换凸轮38A处于暂停位置，在该暂停位置处，凹状凸轮面38b与冲头20相对应，并且选择切换凸轮38B处于冲压位置，在该冲压位置处，凸状凸轮面38a与冲头20相对应。

[0042] 现在将对上述冲压-层叠设备的操作进行描述。

[0043] 在冲压操作过程中，工件W每次被间歇地传送传送节距P，就执行图9A和图9B中所示的操作。因此，沿着工件W的传送方向排列的上游冲压结构15A和下游冲压结构15B可进行冲压或被置于暂停状态，从而能够连续地从工件W冲压出芯片Wa。图9A和图9B示意性地示出冲压操作。圆圈表示已经被冲压出的孔，而双圆圈表示进行冲压的位置。

[0044] 在图9A所示的情形中，选择机构37A、37B的选择切换凸轮38A、38B被切换到图8A中所示的第一切换模式PT1。因此，上游冲压结构15A连续地进行预定次数的冲压。在冲压结构15A的冲压操作过程中，下游冲压结构15B处于暂停状态。在图9B所示的情形中，选择机构37A、37B的选择切换凸轮38A、38B被切换到图8B中所示的第二切换模式PT2。因此，上游冲压结构15A处于暂停状态。当上游冲压结构15A处于暂停状态时，下游冲压结构15B连续地进行预定次数的冲压。

[0045] 在各冲压结构15A、15B的冲压操作过程中，选择切换凸轮38A、38B的凸状凸轮面38a位于冲头20相对应的位置，如图4的左侧和图5所示。在此状态下，升降构件12向着工件支撑部11上的工件W下降。此时，冲头20与升降构件12一起下降。然后，冲头20和模头19的冲压孔19a、19b从工件W冲压出芯片Wa。冲压出的芯片Wa经过模头19的冲压孔19a、19b被推到模头支撑构件21的通孔21a、21b中。芯片Wa在从通孔21a、21b的圆周表面所施加的横向压力的作用下被层叠。

[0046] 当冲头20在冲压工件W之后返回到初始位置时，芯片Wa被反压力施加机构23向上推动。层叠的芯片Wa中最上面的芯片Wa的上表面与模头19的上表面处于相同的高度。当芯片Wa被冲压出时，层叠的芯片Wa受到与芯片Wa被冲压时受到的压力方向相反的压力的作用。因此，在冲压芯片Wa时，即使层叠的芯片Wa受到从通孔21a、21b的圆周表面所施加的横向压力的作用，芯片Wa的上表面也不会变成凹面。因此，能够以高精度进行芯片Wa的冲压和层叠。

[0047] 当从工件W冲压出芯片Wa以及进行芯片Wa的层叠，并且预定数量(100)的芯片Wa被层叠后，暂停芯片Wa的冲压操作。然后，如图4的右侧和图6所示，反压力施加机构23下降以使得支撑构件26上的芯片Wa向下移动并被放置到产品排出位置。将被排出的层叠的芯片Wa是在一个周期内层叠的芯片，该周期是冲压已经被暂停的那个周期紧前方的周期。此后，借助于推杆36，使层叠的芯片Wa通过产品排出口35从反压力施加机构23的支撑构件26上被移动到排出传送带42。在这种情况下，在上游冲压结构15A的冲压操作暂停的状态下，层叠的芯片Wa被排出。在上游冲压结构15A的排出操作过程中，如图9B中所示，处于冲压操作过程中的下游冲压结构15B正从工件W冲压出芯片Wa。相反，如图9A中所示，在下游冲压结构15B中，在冲压操作被暂停的状态下，层叠的芯片Wa被排出。在下游冲压结构15B的排出操作过程中，如图9A中所示，处于冲压操作过程中的上游冲压结构
15A正从工件W冲压出芯片Wa。

[0048] 因此，本实施方式具有如下的优点：

[0049] (1)该冲压层叠-设备包括选择机构37A、37B。在冲压操作过程中，选择机构37A、37B选择要置入暂停状态的冲压结构15A或15B。也就是说，从冲压结构15A、15B中选择一方置入暂停状态，冲压结构15A、15B中的另一方连续地从工件W冲压出芯片Wa并层叠芯片Wa。并且，冲压结构15A或15B中处于暂停状态的一方能够排出预定数量的被层叠的芯片Wa。也就是说，当冲压结构15A、15B中的一方正排出冲压出并被层叠的芯片Wa时，冲压结构15A、15B中的另一方能够从工件W冲压出芯片Wa并在向芯片Wa施加横向压力和反压力的状态下层叠芯片Wa。因此，不同于现有技术的构造，能够连续地向芯片Wa施加反压力，同时排出其它的层叠的芯片Wa。从而，可防止产品精度下降。

[0050] (2)与排出层叠的芯片Wa时停止冲压或层叠芯片Wa的方法不同，本实施方式防止降低生产率。

[0051] (第二实施方式)

[0052] 现在将参照图10A及图12D对依照本发明的第二实施方式的冲压-层叠设备加以描述。在第二实施方式和随后的实施方式的说明中，将主要阐述与第一实施方式的不同之处。

[0053] 第二实施方式是为了防止当冲压预定数量(100)的芯片已经完成之后切换冲头20时发生材料的损耗和时间的浪费。如图9A中所示，在第一实施方式中，当在上游冲压结构15A中完成冲压预定数量的芯片之后，在下游冲压结构15B再次开始冲压之前，工件W必须不经冲压地而移动过三个节距。如图9B中所示，即使是在冲压结构15B刚刚完成冲压预定数量的芯片之后冲压结构15A便立即开始冲压，冲压结构15B和冲压结构15A之间仍会存在工件W的未经处理的部分。为了避免上述缺陷，在具有与第一实施方式相同的构造的第二实施方式中，致动器40具有不同的操作方式，致动器40仅由控制器41来控制。也就是说，致动器40切换选择切换凸轮38A、38B的操作，由此设定如图10A至图10D中所示的多个切换模式PT11至PT14。

[0054] 在图10A中所示的第一切换模式PT11中，上游选择机构37A的选择切换凸轮38A位于冲压位置，在该冲压位置，凸状凸轮面38a与冲头20相对应，并且下游选择机构37B的选择切换凸轮38B处于暂停位置，在该暂停位置，凹状凸轮面38b与冲头20相对应。在图10B所示的第二切换模式PT12中，上游选择机构37A的选择切换凸轮38A处于暂停位置，在该暂停位置，凹状凸轮面38b与冲头20相对应，并且下游选择机构37B的选择切换凸轮
38B也处于暂停位置，在该暂停位置，凹状凸轮面38b与冲头20相对应。在图10C所示的第三切换模式PT13中，上游选择机构37A的选择切换凸轮38A处于暂停位置，在该暂停位置，凹状凸轮面38b与冲头20相对应，并且下游选择机构37B的选择切换凸轮38B处于冲压位置，在该冲压位置，凸状凸轮面38a与冲头20相对应。在图10D所示的第四切换模式PT14中，上游选择机构37A的选择切换凸轮38A处于冲压位置，在该冲压位置，凸状凸轮面38a与冲头20相对应，并且下游选择机构37B的选择切换凸轮38B也处于冲压位置，在该冲压位置，凸状凸轮面38a与冲头20相对应。

[0055] 图11A表示了上游冲压结构15A的冲头20已冲压出第100个芯片Wa的状态。在此状态下，选择机构37A的选择切换凸轮38A和选择机构37B的选择切换凸轮38B被设于图10A所示的第一切换模式PT11。在这种情况下，上游冲压结构15A执行冲压，而下游冲压结构15B处于暂停状态。接下来，与工件W的1节距(one-pitch)传送同步地，选择机构37A的选择切换凸轮38A、选择机构37B的选择切换凸轮38B被设于图11B所示的状态中的第二切换模式PT12，使得上游冲压结构15A和下游冲压结构15B均处于暂停状态。在图11C所示的工件W的下一个1节距传送中，选择机构37A的选择切换凸轮38A、选择机构37B的选择切换凸轮38B被设于第二切换模式PT12，使得上游冲压结构15A和下游冲压结构15B均处于暂停状态。与后续的1节距传送同步地，选择机构37A的选择切换凸轮38A、选择机构
37B的选择切换凸轮38B被设于图11D所示的状态中的第三切换模式PT13，使得上游冲压结构15A处于暂停状态，而下游冲压结构15B冲压接着第100个芯片的第101个芯片。因此，上游冲压结构15A从与图11C对应的时间点被切换到暂停状态，使得层叠的芯片Wa被排出。相反，在上游冲压结构15A继续冲压而下游冲压结构15B继续处于暂停状态的状态下，下游冲压结构15B中的层叠的芯片Wa被排出。

[0056] 也就是，图12A示出了下游冲压结构15B的冲头20已冲压出第98个芯片Wa的状态。在此状态下，选择机构37A的选择切换凸轮38A、选择机构37B的选择切换凸轮38B被设于第三切换模式PT13，使得下游冲压结构15B执行冲压，而上游冲压结构15A处于暂停状态。接下来，与工件W的1节距传送同步地，选择机构37A的选择切换凸轮38A、选择机构37B的选择切换凸轮38B被设于图12B所示的状态中的第四切换模式PT14，使得上游冲压结构15A和下游冲压结构15B均执行冲压(第99个和第1个芯片)。在图12C所示的下一个1节距传送中，选择机构37A的选择切换凸轮38A、选择机构37B的选择切换凸轮38B被设于第四切换模式PT14，使得上游冲压结构15A和下游冲压结构15B均执行冲压(第100个和第2个芯片)。与下一个1节距传送同步地，选择机构37A的选择切换凸轮38A、选择机构37B的选择切换凸轮38B被设于图12D所示的状态中的第一切换模式PT11，使得上游冲压结构15A执行冲压，而下游冲压结构15B处于暂停状态。因此，在下游冲压结构15B中，从图12D所示的时间点与芯片Wa的冲压同时地排出层叠的芯片Wa。

[0057] 因此，本实施方式具有如下的优点：

[0058] (3)如图11A至图11D以及图12A至图12D清楚地示出，工件W不存在未冲压部分或未加工部分。因此，能够防止材料的损耗和时间的浪费。

[0059] (第三实施方式)

[0060] 现在将参照图13A至图13D对本发明的第三实施方式加以描述。

[0061] 在第三实施方式中，选择机构37A的选择切换凸轮38A、选择机构37B的选择切换凸轮38B沿着与工件W被传送的方向相垂直的方向配置，并且选择机构37A的选择切换凸轮38A、选择机构37B的选择切换凸轮38B通过联接部45相互连接。在选择切换凸轮38A的与上游冲压结构15A相对应的下表面上，从图13所示的下侧起顺次形成有凸状凸轮面38a、凹状凸轮面38b、凸状凸轮面38a以及凹状凸轮面38b。在选择切换凸轮38B的与下游冲压结构15B相对应的下表面上，从图13所示的下侧起顺次形成有凸状凸轮面38a、凸状凸轮面38a以及凹状凸轮面38b。

[0062] 诸如电机等致动器40对选择切换凸轮38A、38B进行切换，由此设定如图13A至图13D所示的多个(本实施方式中为四个)切换模式PT21至PT24。也就是说，在图13A所示的第一切换模式PT21中，上游选择切换凸轮38A位于冲压位置，在该冲压位置，凸状凸轮面
38a与冲头20相对应，并且下游选择切换凸轮38B处于暂停位置，在该暂停位置，凹状凸轮面38b与冲头20相对应。在图13B所示的第二切换模式PT22中，上游选择切换凸轮38A处于暂停位置，在该暂停位置，凹状凸轮面38b与冲头20相对应，并且下游选择切换凸轮38B处于暂停位置。

[0063] 在图13C所示的第三切换模式PT23中，上游选择切换凸轮38A被切换到暂停位置，并且下游选择切换凸轮38B被切换到冲压位置。在图13D所示的第四切换模式PT24中，上游选择切换凸轮38A被切换到冲压位置，并且下游选择切换凸轮38B也被切换到冲压位置。切换模式PT21至PT24按照与第二实施方式中相同的顺序进行切换。因此，上游冲压结构15A和下游冲压结构15B选择性地执行冲压或被置于暂停状态，从而能够从工件W连续地冲压出芯片Wa并且不会造成材料的损耗和时间的浪费。

[0064] 除第二实施方式的优点之外，第三实施方式还具有如下优点：

[0065] (4)两个选择切换凸轮38A、38B彼此相互联接从而可一体地移动。这使得选择切换凸轮38A、38B可通过单一的致动器加以切换，因此简化了选择机构37A、37B的结构。

[0066] (第四实施方式)

[0067] 现在将参照图14A至图14D对依据本发明第四实施方式的冲压-层叠设备加以描述。

[0068] 依照第四实施方式的冲压-层叠设备具有单个的选择机构37，该选择机构37与上游冲压结构15A和下游冲压结构15B两者相对应。该选择机构37包括可沿着工件W的传送方向移动的单个的选择切换凸轮38。在选择切换凸轮38的下表面上，从上游端起顺次形成有凸状凸轮面38a、凹状凸轮面38b、凸状凸轮面38a、凹状凸轮面38b、凹状凸轮面38b以及凸状凸轮面38a。

[0069] 选择切换凸轮38通过诸如电机等致动器40在多个位置之间切换。因此，可设定如图14A至图14D所示的多个(本实施方式中为四个)切换模式PT31至PT34。也就是说，在图14A所示的第一切换模式PT31中，上游冲压结构15A被切换到冲压位置，并且下游冲压结构15B被切换到暂停位置。在图14B所示的第二切换模式PT32中，上游冲压结构15A与下游冲压结构15B两者均被切换到暂停位置。在图14C所示的第三切换模式PT33中，上游冲压结构15A被切换到暂停位置，并且下游冲压结构15B被切换到冲压位置。在图14D所示的第四切换模式PT34中，上游冲压结构15A与下游冲压结构15B两者均被切换到冲压位置。

[0070] 切换模式PT31至PT34按照与图11A至图11D以及图12A至图12D中所示的第二实施方式中相同的顺序进行切换。因此，上游冲压结构15A和下游冲压结构15B选择性地执行冲压或被置于暂停状态，从而能够从工件W连续地冲压出芯片Wa并且不会有间隙。

[0071] 除了第二实施方式的优点之外，第四实施方式还具有如下优点：

[0072] (5)单个的选择机构37被配置成与上游冲压结构15A和下游冲压结构15B两者相对应。该选择机构37具有单个的选择切换凸轮38。因此，该选择机构37的结构得以简化。

[0073] (第五实施方式)

[0074] 现在将参照图15对依照本发明第五实施方式的冲压-层叠设备进行描述。

[0075] 在第五实施方式中，上游冲压结构15A和下游冲压结构15B以与传送节距P相同的间隔沿着工件W被传送的方向排列。并且，单个的选择机构37被配置成与上游冲压结构15A和下游冲压结构15B两者相对应。该选择机构37包括单个的选择切换凸轮38，该选择切换凸轮38可沿着工件W被传送的方向移动。在选择切换凸轮38的下表面上形成有凹状凸轮面38b、凸状凸轮面38a以及凹状凸轮面38b。从工件W的传送方向的上游端向下游端顺次形成上述的凹状凸轮面38b、凸状凸轮面38a以及凹状凸轮面38b。

[0076] 通过切换选择切换凸轮38，凸状凸轮面38a被配置成与冲压结构15A和15B中的一方相对应。冲压结构15A和15B中的一方从工件W冲压出芯片Wa。此时，凹状凸轮面38b位于与冲压结构15A和15B中的另一方相对应的位置上。与凹状凸轮面38b相对应的冲压结构15A和15B中的一方被置于暂停状态，并且在暂停期间，层叠的芯片Wa被排出。当冲压操作从上游冲压结构15A被切换到下游冲压结构15B时，工件W的已经被上游冲压结构15A冲压过的部分被传送到与下游冲压结构15B相对应的位置。因此，在下游冲压结构15B中，将执行空压直到工件W的已经被冲压过的部分经过。

[0077] 相反，当冲压操作从下游冲压结构15B被切换到上游冲压结构15A时，工件W没有已经被冲压过的部分。因此，在上游冲压结构15A中开始冲压操作。在这种情况下，在上游冲压结构15A的冲压操作开始时，如果工件W沿着与传送方向相反的方向被向后移动一个节距以使得工件W上还未被冲压的部分面对上游冲压结构15A，则工件W能够被没有任何浪费地冲压。除了第一实施方式的优点之外，第五实施方式还具有如下优点：

[0078] (6)能够减少形成在选择切换凸轮38上的凸状凸轮面38a和凹状凸轮面38b的数量，选择机构37的结构能够被进一步简化。

[0079] 上述实施方式可以做如下变型：

[0080] 可沿着工件W的传送方向排列三个以上的冲压结构。

[0081] 当工件W的进给节距被当作最小单位时，上游冲压结构与下游冲压结构彼此可间隔大于或等于两个节距的距离。在这种情况下，可以依据与冲压结构之间的间隔相对应的节距数量重复图11C和图12D中所示的步骤。例如，当冲压结构之间被配置成两个节距时，图11C和图12D中所示的步骤将被重复两次。

[0082] 如图3清楚地所示，在各实施方式中，芯片Wa的冲压位置可被配置在沿着环状材料的长度方向的单条直线上。相反，如图16中所示，多个芯片Wa的冲压位置可被配置成沿着工件W的宽度方向。在这种情况下，用以冲压芯片Wa的位置可被配置成沿着工件W的宽度方向，或者沿着相对于宽度方向倾斜的方向。冲压位置也可以被任意地设置。