具有MEMS光阀的显示装置及其形成方法

摘要

一种具有MEMS光阀的显示装置及其形成方法，所述显示装置包括：基底；位于所述基底上的固定光栅、MEMS光阀，所述MEMS光阀用于控制所述固定光栅的开启、关闭；所述MEMS光阀包括：第一光阀和第二光阀；通过控制所述第一光阀和所述第二光阀的移动控制所述固定光栅的开启、关闭，且所述第一光阀和第二光阀的移动方向相反。本发明可以提高MEMS光阀的灵敏度。

权利要求

1.一种具有MEMS光阀的显示装置，包括：

基底；

位于所述基底上的固定光栅、MEMS光阀，所述MEMS光阀用于控制所述固定光栅的开启、关闭；

其特征在于，所述MEMS光阀包括：第一光阀和第二光阀，所述第一光阀设于所述第二光阀之上；通过控制所述第一光阀和所述第二光阀的移动控制所述固定光栅的开启、关闭，且所述第一光阀和第二光阀的移动方向相反；

所述第一光阀包括：第一可动光栅，第一电极和第二电极；

所述第一可动光栅与所述第一电极固定连接，所述第一电极和第二电极相对设置，在第一电极和第二电极之间形成电容，在所述第二电极和所述第一电极之间具有电势差时，所述第一电极带动所述第一可动光栅移动；所述第一可动光栅在与所述第一电极相对的一侧具有固定端，通过所述固定端固定所述第一可动光栅，在所述第一电极和第二电极之间没有电势差时，所述第一可动光栅的固定端带动第一可动光栅回复原状；

所述第二光阀包括：第二可动光栅，第三电极和第四电极；所述第三电极、第四电极位于所述第二可动光栅相对于第一电极和第二电极的另一侧；

所述第二可动光栅与所述第三电极固定连接，所述第三电极和第四电极相对设置，在第三电极和第四电极之间形成电容，在所述第三电极和所述第四电极之间具有电势差时，所述第三电极带动所述第二可动光栅移动；所述第二可动光栅在与所述第三电极相对的一侧具有固定端，通过所述第二可动光栅的固定端固定所述第二可动光栅，在所述第三电极和第四电极之间没有电势差时，所述第二可动光栅的固定端带动第二可动光栅回复原状。

2.如权利要求1所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述固定光栅为矩形，具有顶边、底边和两侧边；

所述第一可动光栅和第二可动光栅均为矩形，且均具有第一边、第二边、第三边和第四边，所述第一边和第三边相对，第一边对应所述顶边，第三边对应所述底边，所述第二边和第四边相对，分别对应所述两侧边；

所述第一电极和所述第二电极设置于所述第一可动光栅的第二边一侧，所述第一可动光栅的固定端设于所述第一可动光栅的第四边一侧；

所述第三电极和所述第四电极设置于第二可动光栅的第四边一侧，所述第二可动光栅的固定端设于所述第二可动光栅的第二边一侧。

3.如权利要求2所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述第一光阀还包括第一固定板，设于所述第一可动光栅的第四边与第一可动光栅固定连接，所述第一固定板为两个，对称分布在所述第一可动光栅的第四边，且分别位于所述第一可动光栅的第一边一侧和第三边一侧；所述第一可动光栅的固定端设于所述第一固定板远离第一可动光栅的一端；

所述第二光阀还包括第二固定板，设于所述第二可动光栅的第二边与第二可动光栅固定连接，所述第二固定板为两个，对称分布在所述第二可动光栅的第二边，且分别位于所述第二可动光栅的第一边一侧和第三边一侧；所述第二可动光栅的固定端设于所述第二固定板远离第二可动光栅的一端。

4.如权利要求2所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述第一电极具有第一板、第二板，第一板和第二板与所述第一可动光栅连接且对称分布，所述第一板和所述第二板远离第一可动光栅的一端为第一固定端，通过所述第一固定端固定所述第一电极；

所述第二电极具有第三板和第四板，第三板与所述第一电极的第一板相对，第四板与所述第一电极的第二板相对，所述第三板和所述第四板之间具有第二固定端，第二固定端连接第三板和第四板，通过所述第二固定端固定所述第二电极；所述第二电极两端与第一电极之间的距离小于第二固定端与第一电极之间的距离。

5.如权利要求2所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述第三电极具有第一板、第二板，所述第一板和所述第二板与所述第二可动光栅连接且对称分布，所述第一板和所述第二板远离第二可动光栅的一端为第三固定端，通过所述第三固定端固定所述第三电极；

所述第四电极具有第三板和第四板，第三板与所述第三电极的第一板相对，第四板与所述第三电极的第二板相对，所述第三板和所述第四板之间具有第四固定端，第四固定端连接第三板和第四板，通过所述第四固定端固定所述第四电极；所述第四电极两端与第三电极之间的距离小于第四固定端与第三电极之间的距离。

6.如权利要求2所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述第一可动光栅、第二可动光栅具有多个条状的透光开口，所述条状的透光开口与所述第一可动光栅、第二可动光栅的第二边平行。

7.如权利要求1所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述固定光栅为圆形；

所述第一可动光栅为圆形，具有多个扇形的透光开口；所述第二可动光栅为圆形，具有多个扇形的透光开口；

所述第一电极、第二电极、第一可动光栅的固定端设于第一可动光栅的圆周边；

所述第三电极、第四电极、第二可动光栅的固定端设于第二可动光栅的圆周边。

8.如权利要求7所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述第一电极具有第一板，第一板与所述第一可动光栅的圆周边缘连接，所述第一板远离第一可动光栅的一端为第一固定端，通过所述第一固定端固定所述第一电极；

所述第二电极具有第二板，第二板与所述第一电极的第一板相对，所述第二板具有第二固定端，通过所述第二固定端固定所述第二电极；所述第二板远离第二固定端的一端与第一电极之间的距离小于第二固定端与第一电极之间的距离；

所述第三电极具有第三板，第三板与所述第二可动光栅的圆周边缘连接，所述第三板远离第二可动光栅的一端为第三固定端，通过所述第三固定端固定所述第三电极；

所述第四电极具有第四板，第四板与所述第三电极的第三板相对，所述第四板具有第四固定端，通过所述第四固定端固定所述第二电极；所述第四板远离第四固定端的一端与第二电极之间的距离小于第四固定端与第二电极之间的距离。

9.如权利要求8所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述第一光阀还包括第一固定板，位于所述圆形的第一可动光栅的圆周边缘与第一可动光栅固定连接；所述第一可动光栅的固定端设于所述第一固定板的远离第一可动光栅的一端；

所述第二光阀还包括第二固定板，位于所述圆形的第二可动光栅的圆周边缘与第二可动光栅固定连接；所述第二可动光栅的固定端设于所述第二固定板的远离第二可动光栅的一端。

10.如权利要求1所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述固定光栅为扇形；所述第一可动光栅为扇形，具有多个条状的透光开口；所述第二可动光栅为扇形，具有多个条状的透光开口；

所述第一电极、第二电极设于第一可动光栅的短圆弧边、第一可动光栅的固定端设于第一可动光栅的长圆弧边一侧；

所述第三电极、第四电极设于第二可动光栅的短圆弧边、第二可动光栅的固定端设于第二可动光栅的长圆弧边一侧。

11.如权利要求10所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述第一电极具有第一板，第一板与所述第一可动光栅的短圆弧边连接，所述第一板远离第一可动光栅的一端为第一固定端，通过所述第一固定端固定所述第一电极；

所述第二电极具有第二板，第二板与所述第一电极的第一板相对，所述第二板具有第二固定端，通过所述第二固定端固定所述第二电极；所述第二板远离第二固定端的一端与第一电极之间的距离小于第二固定端与第一电极之间的距离；

所述第三电极具有第三板，第三板与所述第二可动光栅的短圆弧边连接，所述第三板远离第二可动光栅的一端为第三固定端，通过所述第三固定端固定所述第三电极；

所述第四电极具有第四板，第四板与所述第三电极的第三板相对，所述第四板具有第四固定端，通过所述第四固定端固定所述第四电极；所述第四板远离第四固定端的一端与第三电极之间的距离小于第四固定端与第三电极之间的距离。

12.如权利要求11所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述第一光阀还包括第一固定板，位于所述第一可动光栅的长圆弧边缘与第一可动光栅固定连接；所述第一可动光栅的固定端设于所述第一固定板远离第一可动光栅的一端；

所述第二光阀还包括第二固定板，位于所述第二可动光栅的长圆弧边缘与第二可动光栅固定连接；所述第二可动光栅的固定端设于所述第二固定板远离第二可动光栅的一端。

13.如权利要求1所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，还包括TFT开关，位于所述基底或固定光栅上，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极分别与相应的TFT开关电连接。

14.如权利要求13所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述TFT开关包括：栅极，源区、漏区，用于电导通源区和漏区的导电沟道，位于所述栅极和导电沟道之间的栅介质层，与所述源区电连接的源电极，与所述漏区电连接的漏电极，电容；所述电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层；

所述第一极板与所述栅极位于同一层，所述第一极板与所述栅极的材料相同，为透光率小于50%的导电材料；

所述第二极板与所述源电极和漏电极位于同一层，所述第二极板与所述源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50%的导电材料，所述第二极板与源电极或漏电极电连接，所述第二极板与所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极电连接。

15.如权利要求14所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述导电沟道为低掺杂硅层，所述低掺杂硅层和栅介质层之间为高掺杂硅层，所述高掺杂硅层具有开口，开口两侧分别为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层。

16.如权利要求14所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述栅介质层的材料与所述电容介质层的材料相同，且栅介质层和电容介质层位于同一层。

17.如权利要求14所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金属。

18.如权利要求17所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴其中之一或者它们的任意组合。

19.如权利要求14所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者它们的任意的组合。

20.如权利要求13所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述TFT开关为LTPS-TFT开关。

21.如权利要求1～20任一项所述的具有MEMS光阀显示装置，其特征在于，还包括封盖层和密封盖，所述封盖层在四周包围所述MEMS光阀、在顶部遮盖所述MEMS光阀，且在所述封盖层的顶部具有开口；所述密封盖密封所述开口。

22.如权利要求21所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述封盖层和密封盖的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者它们的任意组合。

23.如权利要求1所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述固定光栅位于所述基底上；

所述第二光阀位于所述固定光栅之上，所述第一光阀位于所述第二光阀之上。

24.如权利要求1所述的具有MEMS光阀的显示装置，其特征在于，所述第二光阀位于所述基底上，所述第一光阀位于所述第二光阀之上；

所述固定光栅位于所述第一光阀之上。

25.一种形成权利要求1～12任一项所述的具有MEMS光阀的显示装置的方法，其特征在于，包括：提供基底；

在所述基底上形成固定光栅、MEMS光阀；

其中，在所述基底上形成固定光栅后，在所述固定光栅之上形成MEMS光阀；或者，在所述基底之上形成MEMS光阀后，在MEMS光阀之上形成固定光栅；

所述形成MEMS光阀包括：

在所述基底或者固定光栅上形成图形化的第一牺牲层、定义出第二光阀的位置；

在所述图形化的第一牺牲层的表面形成第三导电层、第二介质层，图形化所述第三导电层、第二介质层形成第二可动光栅、第二可动光栅的固定端；

在所述图形化后的第三导电层、第二介质层上形成图形化的第二牺牲层，定义出第一光阀的位置；

在所述图形化的第二牺牲层上，形成第四导电层、第三介质层，图形化所述第四导电层、第三介质层形成第一光阀、所述第二光阀的第三电极、第四电极；

去除所述图形化的第一牺牲层、图形化的第二牺牲层。

26.如权利要求25所述的方法，其特征在于，在形成MEMS光阀之前，在所述基底或固定光栅上形成TFT开关，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极分别与相应的TFT开关电连接。

27.如权利要求26所述的方法，其特征在于，所述形成TFT开关的方法包括：在所述基底或固定光栅上形成第一导电层，所述第一导电层的材料为透光率小于50%的导电材料；

图形化所述第一导电层，形成栅极、第一极板；

形成第一介质层，覆盖所述栅极、第一极板，位于所述第一极板上的第一介质层作为电容介质层，位于所述栅极上方的第一介质层作为栅介质层；

在所栅极上的第一介质层上依次形成低掺杂硅层、高掺杂硅层；所述高掺杂硅层具有开口，开口两侧为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层，所述低掺杂硅层为导电沟道；

形成第二导电层，覆盖所述第一介质层和低掺杂硅层、高掺杂硅层，所述第二导电层的材料为透光率小于50%的导电材料；

图形化所述第二导电层，形成与源区电连接的源电极、与漏区电连接的漏电极和第二极板，所述第二极板、第一极板和第一极板上的第一介质层组成电容，所述第二极板与源电极或漏电极电连接。

28.如权利要求27所述的方法，其特征在于，第一导电层和第二导电层的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者它们的任意的组合。

29.如权利要求25所述的方法，其特征在于，在去除所述图形化的第一牺牲层和图形化的第二牺牲层之前还包括：形成第三牺牲层，覆盖所述MEMS光阀、图形化的第一牺牲层、图形化的第二牺牲层；

在所述第三牺牲层的表面形成封盖层，所述封盖层上具有多个开口，暴露出第三牺牲层；所述封盖层在四周包围所述MEMS光阀、在顶部遮盖所述MEMS光阀。

30.如权利要求29所述的方法，其特征在于，所述去除第一牺牲层和第二牺牲层时，同时去除第三牺牲层。

31.如权利要求30所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层的材料为非晶碳；

去除第一牺牲层和第二牺牲层，同时去除第三牺牲层的方法包括：

等离化氧化形成氧等离子体；

将所述氧等离子体通入所述开口，在温度范围为150℃～450℃的条件下灰化所述非晶碳。

32.如权利要求30所述的方法，其特征在于，还包括：在去除第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层后，形成密封盖，覆盖所述封盖层。

33.如权利要求32所述的方法，其特征在于，形成第三牺牲层后，形成封盖层之前还包括：图形化所述第三牺牲层，形成相邻的MEMS光阀之间的隔离槽；

所述封盖层形成于所述图形化后的第三牺牲层的表面。

34.如权利要求32所述的方法，其特征在于，所述封盖层和密封盖的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者它们的任意组合，形成方法为化学气相沉积。

说明书

具有MEMS光阀的显示装置及其形成方法

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及具有MEMS光阀的显示装置及其形成方法。

背景技术

[0002] 近年来，随着信息通讯领域的迅速发展，对各种类型的显示设备的需求越来越大。目前主流的显示装置主要有：阴极射线管显示器(CRT)，液晶显示器(LCD)，等离子体显示器(PDP)，电致发光显示器(ELD)和真空荧光显示器(VFD)等。由于液晶显示装置具有：轻、薄、占地小、耗电小、辐射小等优点，被广泛应用于各种数据处理设备中，例如电视、笔记本电脑、移动电话、个人数字助理等。

[0003] 液晶显示装置主要包括：基底，在该基底内设有背光源；像素电极，位于所述基底上，基底上还具有TFT(薄膜晶体管开关)阵列，该TFT(薄膜晶体管开关)阵列用于与像素电极电连接，控制像素电极的电位；彩色滤光板，以及位于像素电极和彩色滤光板之间的液晶层，并且在彩色滤光板向液晶层的一面上形成有公共电极层。通过TFT(薄膜晶体管开关)阵列给像素电极提供电势，使公共电极层和像素电极之间具有电势差，通过该电势差使液晶层中的液晶偏转，根据电势差的大小控制液晶偏转的角度，从而可以控制背光源发出的光透过液晶层发送至彩色滤光板的光的多少。液晶显示装置中，使用的背光源为白光，而且只有偏振光才可以通过液晶层，这将会损失50％的光，使光的利用率仅有50％，当光通过彩色滤光板，光的效率最多只有33％，因此液晶显示装置中光的利用率比较低。此外，液晶显示装置还具有其他方面的缺陷：例如视角范围小，结构复杂、成本高等。

[0004] 随着MEMS技术的发展，显示装置中，利用MEMS光阀替换液晶层，通过MEMS光阀控制背光源发出的光的透光率。TFT-MEMS借助现有TFT-LCD平板微加工技术，用高速高效的MEMS光阀替换液晶，不再需要偏光片、彩色滤光板，可大幅度提高光效率、降低功耗以及制造成本。

[0005] 2007年9月18日公开的公开号为US7271945B2的美国专利公开了一种用MEMS光阀的显示装置，然而MEMS光阀灵敏度较低。

发明内容

[0006] 本发明解决的问题是现有技术的显示装置中的MEMS光阀灵敏度低。

[0007] 为解决上述问题，本发明提供一种具有MEMS光阀的显示装置，包括：

[0008] 基底；

[0009] 位于所述基底上的固定光栅、MEMS光阀，所述MEMS光阀用于控制所述固定光栅的开启、关闭；

[0010] 所述MEMS光阀包括：第一光阀和第二光阀，所述第一光阀设于所述第二光阀之上；通过控制所述第一光阀和所述第二光阀的移动控制所述固定光栅的开启、关闭，且所述第一光阀和第二光阀的移动方向相反。

[0011] 可选的，所述第一光阀包括：第一可动光栅，第一电极和第二电极；

[0012] 所述第一可动光栅与所述第一电极固定连接，所述第一电极和第二电极相对设置，在第一电极和第二电极之间形成电容，在所述第二电极和所述第一电极之间具有电势差时，所述第一电极带动所述第一可动光栅移动；所述第一可动光栅在与所述第一电极相对的一侧具有固定端，通过所述固定端固定所述第一可动光栅，在所述第一电极和第二电极之间没有电势差时，所述第一可动光栅的固定端带动第一可动光栅回复原状。

[0013] 可选的，所述第二光阀包括：第二可动光栅，第三电极和第四电极；所述第三电极、第四电极位于所述第二可动光栅相对于第一电极和第二电极的另一侧；

[0014] 所述第二可动光栅与所述第三电极固定连接，所述第三电极和第四电极相对设置，在第三电极和第四电极之间形成电容，在所述第三电极和所述第四电极之间具有电势差时，所述第三电极带动所述第二可动光栅移动；所述第二可动光栅在与所述第三电极相对的一侧具有固定端，通过所述第二可动光栅的固定端固定所述第二可动光栅，在所述第三电极和第四电极之间没有电势差时，所述第二可动光栅的固定端带动第二可动光栅回复原状。

[0015] 可选的，所述固定光栅为矩形，具有顶边、底边和两侧边；

[0016] 所述第一可动光栅和第二可动光栅均为矩形，且均具有第一边、第二边、第三边和第四边，所述第一边和第三边相对，第一边对应所述顶边，第三边对应所述底边，所述第二边和第四边相对，分别对应所述两侧边；

[0017] 所述第一电极和所述第二电极设置于所述第一可动光栅的第二边一侧，所述第一可动光栅的固定端设于所述第一可动光栅的第四边一侧；

[0018] 所述第三电极和所述第四电极设置于第二可动光栅的第四边一侧，所述第二可动光栅的固定端设于所述第二可动光栅的第二边一侧。

[0019] 可选的，所述第一光阀还包括第一固定板，设于所述第一可动光栅的第四边与第一可动光栅固定连接，所述第一固定板为两个，对称分布在所述第一可动光栅的第四边，且分别位于所述第一可动光栅的第一边一侧和第三边一侧；所述第一可动光栅的固定端设于所述第一固定板远离第一可动光栅的一端；

[0020] 所述第二光阀还包括第二固定板，设于所述第二可动光栅的第二边与第二可动光栅固定连接，所述第二固定板为两个，对称分布在所述第二可动光栅的第二边，且分别位于所述第二可动光栅的第一边一侧和第三边一侧；所述第二可动光栅的固定端设于所述第二固定板远离第二可动光栅的一端。

[0021] 可选的，所述第一电极具有第一板、第二板，第一板和第二板与所述第一可动光栅连接且对称分布，所述第一板和所述第二板远离第一可动光栅的一端为第一固定端，通过所述第一固定端固定所述第一电极；

[0022] 所述第二电极具有第三板和第四板，第三板与所述第一电极的第一板相对，第四板与所述第一电极的第二板相对，所述第三板和所述第四板之间具有第二固定端，第二固定端连接第三板和第四板，通过所述第二固定端固定所述第二电极；所述第二电极两端与第一电极之间的距离小于第二固定端与第一电极之间的距离。

[0023] 可选的，所述第三电极具有第一板、第二板，所述第一板和所述第二板与所述第二可动光栅连接且对称分布，所述第一板和所述第二板远离第二可动光栅的一端为第三固定端，通过所述第三固定端固定所述第三电极；

[0024] 所述第四电极具有第三板和第四板，第三板与所述第三电极的第一板相对，第四板与所述第三电极的第二板相对，所述第三板和所述第四板之间具有第四固定端，第四固定端连接第三板和第四板，通过所述第四固定端固定所述第四电极；所述第四电极两端与第三电极之间的距离小于第四固定端与第三电极之间的距离。

[0025] 可选的，所述第一可动光栅、第二可动光栅具有多个条状的透光开口，所述条状的透光开口与所述第一可动光栅、第二可动光栅的第二边平行。

[0026] 可选的，所述固定光栅为圆形；所述第一可动光栅为圆形，具有多个扇形的透光开口；所述第二可动光栅为圆形，具有多个扇形的透光开口；

[0027] 所述第一电极、第二电极、第一可动光栅的固定端设于第一可动光栅的圆周边；

[0028] 所述第三电极、第四电极、第二可动光栅的固定端设于第二可动光栅的圆周边。

[0029] 可选的，所述第一电极具有第一板，第一板与所述第一可动光栅的圆周边缘连接，所述第一板远离第一可动光栅的一端为第一固定端，通过所述第一固定端固定所述第一电极；

[0030] 所述第二电极具有第二板，第二板与所述第一电极的第一板相对，所述第二板具有第二固定端，通过所述第二固定端固定所述第二电极；所述第二极板远离第二固定端的一端与第一电极之间的距离小于第二固定端与第一电极之间的距离；

[0031] 所述第三电极具有第三板，第三板与所述第二可动光栅的圆周边缘连接，所述第三板远离第二可动光栅的一端为第三固定端，通过所述第三固定端固定所述第三电极；

[0032] 所述第四电极具有第四板，第四板与所述第三电极的第三板相对，所述第四板具有第四固定端，通过所述第四固定端固定所述第二电极；所述第四极板远离第四固定端的一端与第二电极之间的距离小于第四固定端与第二电极之间的距离。

[0033] 可选的，所述第一光阀还包括第一固定板，位于所述圆形的第一可动光栅的圆周边缘与第一可动光栅固定连接；所述第一可动光栅的固定端设于所述第一固定板的远离第一可动光栅的一端；

[0034] 所述第二光阀还包括第二固定板，位于所述圆形的第二可动光栅的圆周边缘与第二可动光栅固定连接；所述第二可动光栅的固定端设于所述第二固定板的远离第二可动光栅的一端。

[0035] 可选的，所述固定光栅为扇形；所述第一可动光栅为扇形，具有多个条状的透光开口；所述第二可动光栅为扇形，具有多个条状的透光开口；

[0036] 所述第一电极、第二电极设于第一可动光栅的短圆弧边、第一可动光栅的固定端设于第一可动光栅的长圆弧边一侧；

[0037] 所述第三电极、第四电极设于第二可动光栅的短圆弧边、第二可动光栅的固定端设于第二可动光栅的长圆弧边一侧。

[0038] 可选的，所述第一电极具有第一板，第一板与所述第一可动光栅的短圆弧边连接，所述第一板远离第一可动光栅的一端为第一固定端，通过所述第一固定端固定所述第一电极；

[0039] 所述第二电极具有第二板，第二板与所述第一电极的第一板相对，所述第二板具有第二固定端，通过所述第二固定端固定所述第二电极；所述第二极板远离第二固定端的一端与第一电极之间的距离小于第二固定端与第一电极之间的距离；

[0040] 所述第三电极具有第三板，第三板与所述第二可动光栅的短圆弧边连接，所述第三板远离第二可动光栅的一端为第三固定端，通过所述第三固定端固定所述第三电极；

[0041] 所述第四电极具有第四板，第四板与所述第三电极的第三板相对，所述第四板具有第四固定端，通过所述第四固定端固定所述第四电极；所述第四极板远离第四固定端的一端与第三电极之间的距离小于第四固定端与第三电极之间的距离。

[0042] 可选的，所述第一光阀还包括第一固定板，位于所述第一可动光栅的长圆弧边缘与第一可动光栅固定连接；所述第一可动光栅的固定端设于所述第一固定板远离第一可动光栅的一端；

[0043] 所述第二光阀还包括第二固定板，位于所述第二可动光栅的长圆弧边缘与第二可动光栅固定连接；所述第二可动光栅的固定端设于所述第二固定板远离第二可动光栅的一端。

[0044] 可选的，还包括TFT开关，位于所述基底或固定光栅上，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极分别与相应的TFT开关电连接。

[0045] 可选的，所述TFT开关包括：

[0046] 栅极，源区、漏区，用于电导通源区和漏区的导电沟道，位于所述栅极和导电沟道之间的栅介质层，与所述源区电连接的源电极，与所述漏区电连接的漏电极，电容；所述电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层；

[0047] 所述第一极板与所述栅极位于同一层，所述第一极板与所述栅极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料；

[0048] 所述第二极板与所述源电极和漏电极位于同一层，所述第二极板与所述源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料，所述第二极板与源电极或漏电极电连接，所述第二极板与所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极电连接。

[0049] 可选的，所述导电沟道为低掺杂硅层，所述低掺杂硅层和栅介质层之间为高掺杂硅层，所述高掺杂硅层具有开口，开口两侧分别为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层。

[0050] 可选的，所述栅介质层的材料与所述电容介质层的材料相同，且栅介质层和电容介质层位于同一层。

[0051] 可选的，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金属。

[0052] 可选的，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴其中之一或者它们的任意组合。

[0053] 可选的，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者它们的任意的组合。

[0054] 可选的，所述TFT开关为LTPS-TFT开关。

[0055] 可选的，还包括封盖层和密封盖，所述封盖层在四周包围所述MEMS光阀、在顶部遮盖所述MEMS光阀，且在所述封盖层的顶部具有开口；所述密封盖密封所述开口。

[0056] 可选的，所述封盖层和密封盖的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者它们的任意组合。

[0057] 可选的，所述固定光栅位于所述基底上；

[0058] 所述第二光阀位于所述固定光栅之上，所述第一光阀位于所述第二光阀之上。

[0059] 可选的，所述第二光阀位于所述基底上，所述第一光阀位于所述第二光阀之上；

[0060] 所述固定光栅位于所述第一光阀之上。

[0061] 本发明还提供一种形成具有MEMS光阀的显示装置的方法，包括：

[0062] 提供基底；

[0063] 在所述基底上形成固定光栅、以上所述的MEMS光阀；

[0064] 其中，在所述基底上形成固定光栅后，在所述固定光栅之上形成MEMS光阀；或者，在所述基底之上形成MEMS光阀后，在MEMS光阀之上形成固定光栅。

[0065] 可选的，在形成MEMS光阀之前，在所述基底或固定光栅上形成TFT开关，所述固定电极与相应的TFT开关电连接。

[0066] 可选的，所述形成TFT开关的方法包括：

[0067] 在所述基底或固定光栅上形成第一导电层，所述第一导电层的材料为透光率小于50％的导电材料；

[0068] 图形化所述第一导电层，形成栅极、第一极板；

[0069] 形成第一介质层，覆盖所述栅极、第一极板，位于所述第一极板上的第一介质层作为电容介质层，位于所述栅极上方的第一介质层作为栅介质层；

[0070] 在所栅极上的第一介质层上依次形成低掺杂硅层、高掺杂硅层；所述高掺杂硅层具有开口，开口两侧为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层，所述低掺杂硅层为导电沟道；

[0071] 形成第二导电层，覆盖所述第一介质层和低掺杂硅层、高掺杂硅层，所述第二导电层的材料为透光率小于50％的导电材料；

[0072] 图形化所述第二导电层，形成与源区电连接的源电极、与漏区电连接的漏电极和第二极板，所述第二极板、第一极板和第一极板上的第一介质层组成电容，所述第二极板与源电极或漏电极电连接。

[0073] 可选的，第一导电层和第二导电层的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者它们的任意的组合。

[0074] 可选的，在所述形成TFT开关后，形成MEMS光阀，所述形成MEMS光阀包括：

[0075] 在所述基底或者固定光栅上形成图形化的第一牺牲层、定义出第二光阀的位置；

[0076] 在所述图形化的第一牺牲层的表面形成第三导电层、第二介质层，图形化所述第三导电层、第二介质层形成第二可动光栅、第二可动光栅的固定端；

[0077] 在所述图形化后的第三导电层、第二介质层上形成图形化的第二牺牲层，定义出第一MEMS光阀的位置；

[0078] 在所述图形化的第二牺牲层上，形成第四导电层、第三介质层，图形化所述第四导电层、第三介质层形成第一光阀、所述第二光阀的第三电极、第四电极；

[0079] 去除所述图形化的第一牺牲层、图形化的第二牺牲层。

[0080] 可选的，在去除所述图形化的第一牺牲层和图形化的第二牺牲层之前还包括：

[0081] 形成第三牺牲层，覆盖所述MEMS光阀、图形化的第一牺牲层、图形化的第二牺牲层；

[0082] 在所述第三牺牲层的表面形成封盖层，所述封盖层上具有多个开口，暴露出第三牺牲层；所述封盖层在四周包围所述MEMS光阀、在顶部遮盖所述MEMS光阀。

[0083] 可选的，所述去除第一牺牲层和第二牺牲层时，同时去除第三牺牲层。

[0084] 可选的，所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层的材料为非晶碳；

[0085] 去除第一牺牲层和第二牺牲层，同时去除第三牺牲层的方法包括：

[0086] 等离化氧化形成氧等离子体；

[0087] 将所述氧等离子体通入所述开口，在温度范围为150℃～450℃的条件下灰化所述非晶碳。

[0088] 可选的，还包括：在去除第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层后，形成密封盖，覆盖所述封盖层。

[0089] 可选的，形成第三牺牲层后，形成封盖层之前还包括：

[0090] 图形化所述第三牺牲层，形成相邻的MEMS光阀之间的隔离槽；

[0091] 所述封盖层形成于所述图形化后的第三牺牲层的表面。

[0092] 可选的，所述封盖层和密封盖的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者它们的任意组合，形成方法为化学气相沉积。

[0093] 与现有技术相比，本发明具有以下优点：

[0094] 本发明的显示装置中的MEMS光阀包括第一光阀和第二光阀，通过第一光阀和第二光阀两者相对运动，来控制固定光栅的开启和关闭，相对于一个光阀而言可以提高MEMS光阀的灵敏度。

[0095] 在本发明具体实施例中，所述第一光阀包括：第一可动光栅，第一电极和第二电极，在所述第二电极和所述第一电极之间具有电势差时，所述第一电极带动所述第一可动光栅移动。所述第二光阀包括：第二可动光栅，第三电极和第四电极，在所述第三电极和所述第四电极之间具有电势差时，所述第三电极带动所述第二可动光栅移动，并且第一光阀和第二光阀的移动方向相反。而且，第一光阀和第二光阀均有固定端，将第一光阀和第二光阀与基底连接，当需要回复原位时，取消第一电极与第二电极之间、第三电极与第四电极之间的电势差，第一可动光栅的固定端、第二可动光栅的固定端会带动第一可动光栅和第二可动光栅回复原位。因此，可以通过控制第一电极和第二电极之间的电势差控制第一光阀的移动，通过控制第三电极和第四电极之间的电势差控制第二光阀的移动，使MEMS光阀的控制简单，而且结构也相对简单。

[0096] 而且，在本发明的具体实施例中，TFT开关，其电容的第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层组成了电容，由于第一极板与栅极位于同一层，第一极板与栅极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料；第二极板与源电极和漏电极位于同一层，第二极板与源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料。在应用于具有MEMS光阀的显示装置中时，由于MEMS光阀显示装置不需要大的开口率，因此可以将TFT开关形成在显示装置中不用来进行透光的部位上，而且第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极为透光率小于50％导电材料，这样TFT开关与MEMS光阀的兼容性更好，可以提高显示装置的性能。这样结构的TFT开关，第一极板可以和栅极一起形成，第二极板可以和源极、漏极一起形成，电容介质层可以在形成栅介质层时一起形成，从而使形成TFT开关的工艺简化，不用单独形成电容，节约成本，加快生产进度，提高效率。

附图说明

[0097] 图1a是本发明具体实施例的MEMS光阀的立体结构图；

[0098] 图1b是本发明具体实施例的具有MEMS光阀的显示装置沿图1a所示的a-a方向的剖面结构示意图；

[0099] 图2为本发明的具有MEMS光阀的显示装置的电路结构示意图；

[0100] 图3为另一具体实施例的MEMS光阀的平面示意图；

[0101] 图4为又一具体实施例的MEMS光阀的平面示意图；

[0102] 图5为本发明具体实施例的形成具有MEMS光阀的显示装置的方法的流程图；

[0103] 图6～图20为本发明具体实施例的形成具有MEMS光阀的显示装置的方法的剖面结构示意图；

[0104] 图8a1、8a2～图8d为本发明具体实施例的TFT开关的形成方法的剖面结构示意图；

[0105] 图21为本发明另一实施例的具有MEMS光阀的显示装置的剖面结构示意图；

[0106] 图22为本发明具体实施例的LTPS-TFT开关的剖面结构示意图；

[0107] 图23为LTPS-TFT开关应用于本发明的显示装置的结构示意图。

具体实施方式

[0108] 为了使本领域的技术人员可以更好的理解本发明，下面结合具体实施例详细说明本发明具体实施方式的显示装置。

[0109] 图1a是本发明具体实施例的MEMS光阀的立体结构图；图1b为本发明具体实施例的具有MEMS光阀的显示装置沿图1a所示的a-a方向的剖面结构示意图。结合参考图1a和图1b，本发明具体实施方式的显示装置包括：基底40；位于所述基底40上的固定光栅30、MEMS光阀100，所述MEMS光阀100用于控制所述固定光栅30的开启、关闭；所述MEMS光阀100包括：第一光阀10和第二光阀20，所述第一光阀10设于所述第二光阀20之上；通过控制所述第一光阀10和所述第二光阀20的移动控制所述固定光栅30的开启、关闭，且所述第一光阀10和第二光阀20的移动方向相反。也就是说，通过第一光阀10和第二光阀20的相对运动，可以加快固定光栅30的透光、遮光速度，从而提高MEMS光阀的灵敏度。

[0110] 继续结合参考图1a和图1b，本发明具体实施例中，所述第一光阀10包括：第一可动光栅11，第一电极12和第二电极13，所述第一可动光栅11与所述第一电极12固定连接，所述第一电极12和第二电极13相对设置，在第一电极12和第二电极13之间形成电容，在所述第二电极13和所述第一电极12之间具有电势差时，所述第一电极12带动所述第一可动光栅11移动；所述第一可动光栅11在与所述第一电极12相对的一侧具有固定端141，通过所述固定端141固定所述第一可动光栅，在所述第一电极12和第二电极13之间没有电势差时，所述第一可动光栅的固定端141带动第一可动光栅11回复原状。

[0111] 所述第二光阀20包括：第二可动光栅21，第三电极22和第四电极23；所述第三电极22、第四电极23位于所述第二可动光栅21相对于第一电极12和第二电极13的另一侧；所述第二可动光栅21与所述第三电极22固定连接，所述第三电极22和第四电极23相对设置，在第三电极22和第四电极23之间形成电容，在所述第三电极22和所述第四电极24之间具有电势差时，所述第三电极22带动所述第二可动光栅21移动；所述第二可动光栅
21在与所述第三电极22相对的一侧具有固定端241，通过所述固定端241固定所述第二可动光栅21，在所述第三电极22和第四电极23之间没有电势差时，所述第二可动光栅21的固定端241带动第二可动光栅21回复原状。并且，本发明中，第一可动光栅11和第二可动光栅21两者的移动方向相反，这样第一光阀10和第二光阀20才可以配合移动，提高MEMS光阀的灵敏度。

[0112] 在本发明具体实施例中，所述固定光栅30为矩形，具有顶边、底边和两侧边，其中，顶边为显示装置处于正常放映时，远离地面的一边，底边为与顶边相对的一边。

[0113] 与固定光栅30相配合，所述第一可动光栅11和第二可动光栅21均为矩形，且均具有第一边、第二边、第三边和第四边，所述第一边和第三边相对，第一边对应所述顶边，第三边对应所述底边，所述第二边和第四边相对，分别对应所述两侧边；所述第一电极12和所述第二电极13设置于所述第一可动光栅11的第二边一侧，所述第一可动光栅11的固定端141设于所述第一可动光栅11的第四边一侧；所述第三电极22和所述第四电极23设置于第二可动光栅的第四边一侧，所述第二可动光栅的固定端241设于所述第二可动光栅21的第二边一侧。

[0114] 本发明具体实施例中，所述第一电极12具有第一板122和第二板123，第一板122和第二板123与第一可动光栅11连接，且对称分布，第一板122和第二板123远离第一可动光栅11的一端为第一固定端121，通过所述第一固定端121固定所述第一电极12，并且第一板和第二板均具有一第一固定端121。第一固定端121用于与TFT开关电连接、且固定在TFT开关上。所述第二电极13具有第三板132和第四板133，第三板132与所述第一电极12的第一板122相对，第四板133与所述第一电极12的第二板123相对，所述第三板132和所述第四板133之间具有第二固定端131，第二固定端131连接第三板132和第四板
133，并且通过所述第二固定端131固定所述第二电极13；所述第二电极13两端与第一电极12之间的距离小于第二固定端131与第一电极12之间的距离。第二固定端131用于与TFT开关电连接、且固定在TFT开关上。并且，本发明具体实施例中，第三板132和第四板
133之间的夹角不是180度，两者之间的夹角大于90度小于180度。这样在第一电极和第二电极在靠近端部处两者之间的距离最小，即所述第二电极两端与第一电极之间的距离小于第二固定端与第一电极之间的距离，这样电荷积聚在端部，从而第一电极与第二电极之间具有较小的电势差时，第二电极就可以吸引第一电极运动。在其他实施例中，第一电极与第二电极也可以相互平行。

[0115] 第三电极22和第四电极23设置于所述第四边一侧，且第四电极23和所述第四边分别位于第二电极22的两侧。也就是说，第三电极22、第四电极23与第一电极12、第二电极13处于相对侧，这样可以保证第一可动光栅11和第二可动光栅21的移动方向相反。

[0116] 本发明具体实施例中，所述第三电极22具有第一板222、和第二板223，所述第一板222和所述第二板223与所述第二可动光栅21连接，且对称分布，所述第一板222和所述第二板223远离第二可动光栅21的一端为第三固定端221，通过所述第三固定端221固定所述第三电极22，并且第一板和第二板均具有一第三固定端221。第三固定端221用于与TFT开关电连接、且固定在TFT开关上。所述第四电极23具有第三板232和第四板233，第三板232与所述第三电极22的第一板222相对，第四板233与所述第三电极22的第二板223相对，所述第三板232和所述第四板233之间具有第四固定端231，第四固定端231连接第三板232和第四板233，并且通过所述第四固定端231固定所述第四电极23，所述第四电极23两端与第三电极22之间的距离小于第四固定端231与第三电极23之间的距离。第四固定端231用于与TFT开关电连接、且固定在TFT开关上。并且，本发明具体实施例中，第三板232和第四板233之间的夹角不是180度，两者之间的夹角大于90度小于180度。
这样在第三电极和第四电极在靠近端部处两者之间的距离最小，所述第三电极两端与第四电极之间的距离小于第四固定端与第一电极之间的距离，这样电荷积聚在端部，从而第三电极与第四电极之间具有较小的电势差时，第四电极就可以吸引第一电极运动。在其他实施例中，第三电极与第四电极也可以相互平行。

[0117] 本发明具体实施例中，所述第一光阀10还包括第一固定板14，设于所述第一可动光栅11的第四边与第一可动光栅固定连接，沿第四边方向延伸，所述第一固定板14为两个，对称分布在所述第一可动光栅11的第四边，且分别位于所述第一边一侧和第三边一侧；所述第一可动光栅11的固定端141设于所述第一固定板14的远离第一可动光栅的一端，也就是没有与第一可动光栅11连接的一端。该固定端141与相应的TFT开关固定电连接，并且固定在TFT开关上，从而将第一可动光栅11通过该固定端141固定。

[0118] 本发明具体实施例中，所述第二光阀20还包括第二固定板24，设于所述第二可动光栅21的第二边与第二可动光栅固定连接，沿第二边方向延伸，所述第二固定板24为两个，对称分布在所述第二可动光栅21的第二边，且分别位于所述第一边一侧和第三边一侧；所述第二可动光栅11的固定端241设于所述第二固定板24的远离第一可动光栅的一端，也就是没有与第二可动光栅21连接的一端。该固定端241与相应的TFT开关固定电连接，并且固定在TFT开关上，从而将第二可动光栅21通过该固定端241固定。

[0119] 在图1a和图1b所示的本发明的具体实施例中，由于固定光栅30为矩形，与该固定光栅30配合的第一可动光栅11、第二可动光栅21也为矩形。固定光栅30和第一可动光栅11、第二可动光栅21均具有多个条状的透光开口，所述条状的透光开口与所述第二边、第四边平行。当固定光栅30和第一可动光栅11、第二可动光栅21上的条状的透光开口吻合，即固定光栅30上的透光开口没有被第一可动光栅11、第二可动光栅21上的不透光开口完全遮住时，由基底40上的背光源发出的光可以透过固定光栅30的透光开口以及第一可动光栅11、第二可动光栅21的透光开口，并且，根据固定光栅30的透光开口被第一可动光栅11、第二可动光栅21的不透光开口遮住的范围调节光量。

[0120] 本发明具体实施例的显示装置的工作原理为：第一电极12的第一固定端121、第二电极13的第二固定端131均通过TFT开关(图中未示)与外围的控制电极电连接，例如，通过控制电极给第一电极12施加0V的电压，给第二电极13施加10V的电压，则第一电极12和第二电极13之间具有10V的电势差，第一电极12上具有负电荷，第二电极13上具有正电荷，第一电极12受到向左的静电力，这样第一电极12就会带动与其固定连接的第一可动光栅11向左移动，由于第一电极12的末端的第一固定端121与相应的TFT开关连接，第二电极13中间的第二固定端131与相应的TFT开关固定连接，因此在第一电极12带动第一可动光栅移动时，第一电极12、第二电极13以及与第一电极12固定连接的第一可动光栅11发生形变。如果要使第一可动光栅11向右运动回复原状，给第二电极13施加0V的电压，同时第一电极12上的电压保持0V，这样，第一电极12和第二电极13之间的电势差为
0，静电力也因此为0，第一电极12、第二电极13以及第一可动光栅11在第一光阀的固定端
141的作用下将弹回原位，回复原状。

[0121] 第三电极22的第三固定端221、第四电极23的第四固定端231均通过TFT开关与外围的控制电极电连接，例如，通过控制电极给第三电极22施加0V的电压，给第四电极23施加10V的电压，则第三电极22和第四电极23之间具有10V的电势差，第三电极22上具有负电荷，第四电极23上具有正电荷，第三电极22受到向右的静电力，这样第三电极22就会带动与其固定连接的第二可动光栅21向右移动，由于第三电极22的末端的固定端221与相应的TFT开关连接，第四电极23的中间的固定端231与相应的TFT开关固定连接，因此在第三电极22带动第二可动光栅21移动时，第三电极22、第四电极23以及与第三电极
22固定连接的第二可动光栅21发生形变。如果要使第二可动光栅21向左运动回复原状，给第四电极23施加0V的电压，同时第三电极22上的电压保持0V，这样，第三电极22和第四电极23之间的电势差为0，静电力也因此为0，第三电极22、第四电极23以及第二可动光栅21在第二光阀的固定端241的作用下将弹回原位，回复原状。

[0122] 需要说明的是，此处为了说明MEMS光阀的运动原理所列举的电压只是起举例说明作用，在实际应用中，给各个电极施加的电压要根据实际情况确定。

[0123] 在本发明具体实施例中，第一可动光栅11、第一电极12、第二电极13和第一固定板14以及第二可动光栅21、第三电极22、第四电极23和第二固定板24的材料为可导电材料，可以是金属，如金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴等其中之一或者其中的组合；也可以是导电非金属，如非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅等等；还可以是金属和导电非金属的组合；本发明具体实施例中，优选铝。在第一可动光栅11、第一电极12、第二电极13和第一固定板14的表面形成有一层绝缘层，第二可动光栅21、第三电极22、第四电极23和第二固定板24的表面形成有一层绝缘层，该绝缘层的材料可以为氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅。

[0124] 在图1a和图1b所示的本发明的具体实施例中，所述固定光栅30位于所述基底40上；所述第二光阀20位于所述固定光栅30之上，所述第一光阀10位于所述第二光阀20之上。在本发明的其他实施例中，MEMS光阀100和固定光栅30的上下位置可以互换，也就是说，所述第二光阀20位于所述基底40上，所述第一光阀10位于所述第二光阀20之上；所述固定光栅30位于所述第一光阀10之上。

[0125] 在图1a和图1b所示的本发明的具体实施例中，在固定光栅30上形成有TFT开关(thin film transistor，薄膜晶体管开关)阵列(图中未示)，也就是说，TFT开关形成在固定光栅30的不用来进行透光率控制的部位。TFT开关用来与第一电极、第二电极、第三电极、第四电极固定电连接。

[0126] 本发明具体实施例中，所述基底40内有背光源，且背光源包括蓝光光源、红光光源和绿光光源，所述的蓝光光源、红光光源和绿光光源可以分别由蓝光LED、红光LED和绿光LED提供，也可以通过激光提供，且提供红绿蓝三色激光。本发明中，所述固定光栅30面向背光源的一面具有大于60％的反射率。

[0127] 显示装置中固定光栅30以及MEMS光阀100均为多个，呈阵列排布，本发明具体实施例中，以一个固定光栅30和一个MEMS光阀100为例进行说明。

[0128] 图2为本发明的具有MEMS光阀的显示装置的电路结构示意图，参考图2，本发明的显示装置还包括：位于基底上的多条平行的扫描线G1、G2、......Gm，位于基底上的垂直于扫描线的多条平行的数据线D1、D2、......Dn；数据线D1、D2、.....Dn与相应的TFT开关的源电极电连接，扫描线G1、G2、......Gm与相应的TFT开关的栅极电连接，通过扫描线G1、G2、......Gm控制TFT开关的开启、关闭，通过数据线D1、D2、......Dn控制施加给TFT开关的电压，TFT开关的漏电极与MEMS光阀100电连接，控制施加给MEMS光阀100的电压；电容C与MEMS光阀100电连接。需要说明的是，图示中没有示意出与每一个MEMS光阀100电连接的所有的TFT开关。

[0129] 参考图8d，本发明具体实施例的TFT开关，包括：栅极41，源区、漏区、用于电导通源区和漏区的导电沟道，位于所述导电沟道和栅极41之间的栅介质层441，与源区电连接的源电极42、与漏区电连接的漏电极43，电容。所述导电沟道为低掺杂硅层442，所述低掺杂硅层442和栅介质层之间为高掺杂硅层443，所述高掺杂硅层443具有开口(图中未标号)，开口两侧的高掺杂硅层443分别为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层442。所述电容包括第一极板45、第二极板46以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层(图中未标号)；所述第一极板45与所述栅极41位于同一层、材料为相同的不透光材料；所述第二极板46与所述源电极42、漏电极43位于同一层、材料为相同的不透光材料，且所述第二极板46与所述漏电极43电连接，第一极板45接地；所述第一电极12、第二电极13、第三电极22、第四电极23分别与相应的TFT开关的漏电极43电连接，TFT开关的源电极42与显示装置的数据线电连接，栅极41与显示装置的扫描线电连接。其中，第一极板45、第二极板46、位于第一极板45、第二极板46之间的介质层组成了本发明中所述的电容C。

[0130] 在本发明具体实施例中，第二极板46与漏电极43电连接，MEMS光阀通过第二极板与漏电极43电连接，数据线49与源电极42电连接。在其他实施例中，第二极板46也可以与源电极42电连接，MEMS光阀通过第二极板46与源电极42电连接，数据线49与漏电极43电连接，根据源区和漏区的类型确定。

[0131] 本发明具体实施例中，电容介质层和栅介质层在同一层，且材料相同，在制作工艺中，在栅极41和第一极板45上形成介质层，位于栅极41上的介质层作为栅介质层，位于第一极板45上的介质层作为电容介质层。

[0132] 第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金属，金属选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴其中之一或者它们的任意组合。第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料也可以选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者它们的任意的组合。所述电容介质层和栅介质层的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者它们的任意组合。可选的，第一极板45和第二极板46的材料均为金属，电容C为MIM(金属-介质层-金属)电容。

[0133] 本发明的该具体实施例中的TFT开关，在应用于具有MEMS光阀的显示装置中时，由于MEMS光阀显示装置不需要大的开口率，因此可以将TFT开关形成在显示装置中不用来进行透光的部位上，而且第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极为透光率小于50％导电材料，这样TFT开关与MEMS光阀的兼容性更好，可以提高显示装置的性能。

[0134] 另外，参考图1b，本发明具体实施例中，显示装置还包括：封盖层57和密封盖59，所述封盖层57在四周包围所述MEMS光阀、在顶部遮盖所述MEMS光阀，且在所述封盖层57的顶部具有开口(图中未标号)；所述密封盖59密封所述开口。在本发明具体实施例中，密封盖59不仅密封开口，而且也覆盖整个封盖层57的顶部。所述封盖层57和所述密封盖59的材料可以选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者它们的任意组合。密封盖59可以起到密封显示装置的作用，防止水蒸气、灰尘、杂质等进入显示装置内，这样可以提高显示装置的寿命。

[0135] 以上所述的本发明的具体实施例中，固定光栅30和第一可动光栅11、第二可动光栅21均为矩形，但是本发明中，固定光栅30和第一可动光栅11、第二可动光栅21不限于矩形。例如，所述固定光栅为圆形，具有多个扇形的透光开口；所述可动光栅为圆形，具有多个扇形的透光开口。

[0136] 图3为另一具体实施例的MEMS光阀的平面示意图，该具体实施例的固定光栅为圆形(图中未示)，具有多个扇形的透光开口，该固定光栅的形状与MEMS光阀的形状相配合；与固定光栅配合，参考图3，所述第一可动光栅11a和第二可动光栅21a也为圆形，具有多个扇形的透光开口。由于是平面图，因此图3中将第一光阀和第二光阀示意在一个平面上。

[0137] 第一电极12a与圆形的第一可动光栅11a的圆周边固定电连接，第二电极13a与第一电极12a相对设置，形成电容，当第二电极13a与第一电极12a之间具有电势差时，第二电极13a和第一电极12a之间具有吸引力，第一电极12a在该吸引力的作用下带动第一可动光栅11a旋转。在第一可动光栅11a相对于第一电极12a的另一侧，具有固定端141a，当第二电极13a与第一电极12a之间没有电势差时，固定端141a带动第一可动光栅11a回复原位。具体的原理参见以上图1a所示的具体实施例。

[0138] 第三电极22a与圆形的第二可动光栅21a的圆周边固定电连接，而且第三电极22a、第四电极23a与第一电极12a、第二电极13a位于MEMS光阀的不同侧，第四电极23a与第三电极22a相对设置，形成电容，当第四电极23a与第二电极22a之间具有电势差时，第四电极23a和第三电极22a之间具有吸引力，第三电极22a在该吸引力的作用下带动第二可动光栅21a旋转。在第二可动光栅21a相对于第三电极22a的另一侧，具有固定端241a，当第四电极23a与第三电极22a之间没有电势差时，固定端241a带动第二可动光栅21a回复原位。具体的原理参见以上图1a所示的具体实施例。

[0139] 所述第一电极12a具有第一板121a，第一板121a与所述第一可动光栅11a的圆周边缘连接，所述第一板121a远离第一可动光栅11a的一端为第一固定端122a，通过所述第一固定端122a固定所述第一电极12a；所述第二电极13a具有第二板131a，第二板131a与所述第一电极12a的第一板121a相对，所述第二板131a具有第二固定端132a，第二固定端132a靠近第一可动光栅11a，第二板131a远离第二固定端132a的一端远离第一可动光栅11a，通过所述第二固定端132a固定所述第二电极13a；所述第二板131a远离第二固定端132a的一端与第一电极12a之间的距离小于第二固定端132a与第一电极12a之间的距离；所述第三电极22a具有第三板221a，第三板221a与所述第二可动光栅21a的圆周边缘连接，所述第三板221a远离第二可动光栅21a的一端为第三固定端222a，通过所述第三固定端222a固定所述第三电极22a；所述第四电极23a具有第四板231a，第四板231a与所述第三电极22a的第三板221a相对，所述第四板231a具有第四固定端232a，第四固定端232a靠近第二可动光栅21a，第四板231a远离第四固定端232a的一端远离第二可动光栅21a，通过所述第四固定端232a固定所述第二电极13a；所述第四板231a远离第四固定端232a的一端与第二电极13a之间的距离小于第四固定端232a与第二电极13a之间的距离。

[0140] 所述第一光阀还包括第一固定板142a，位于所述圆形的第一可动光栅11a的圆周边缘与第一可动光栅11a固定连接；所述第一可动光栅11a的固定端141a设于所述第一固定板142a的远离第一可动光栅11a的一端；所述第二光阀还包括第二固定板242a，位于所述圆形的第二可动光栅21a的圆周边缘与第二可动光栅21a固定连接；所述第二可动光栅21a的固定端241a设于所述第二固定板242a远离第二可动光栅21a的一端。

[0141] 当给各个电极施加一定的电压，使MEMS光阀在静电力的作用下旋转，从而可以控制固定光栅的透光开口与可动光栅上的透光开口的吻合程度，控制固定光栅的透光。在此不对MEMS光阀的原理做详细说明。

[0142] 图4为又一具体实施例的MEMS光阀的平面示意图，该具体实施例的所述固定光栅为扇形(图中未示)，具有多个条状的透光开口，该固定光栅的形状与可动光栅31b的形状相配合；参考图4，第一可动光栅11b和第二可动光栅21b均为扇形，具有多个条状的透光开口(图中未标号)。由于是平面图，因此图4中将第一光阀和第二光阀示意在一个平面上。

[0143] 第一电极12b与扇形的第一可动光栅11b的短圆弧边固定电连接，第二电极13b与第一电极12b相对设置，形成电容，当第二电极13b与第一电极12b之间具有电势差时，第二电极13b和第一电极12b之间具有吸引力，第一电极12b在该吸引力的作用下带动第一可动光栅11b旋转。在第一可动光栅11b相对于第一电极12b的另一侧(即长圆弧边)，具有固定端141b，当第二电极13b与第一电极12b之间没有电势差时，固定端141b带动第一可动光栅11b回复原位。具体的原理参见以上图1a所示的具体实施例。

[0144] 第三电极22b与圆形的第二可动光栅21b的短圆弧边固定电连接，第四电极23b与第三电极22b相对设置，形成电容，当第四电极23b与第二电极22b之间具有电势差时，第四电极23b和第三电极22b之间具有吸引力，且第四电极23b位于第三电极22b的位置与第二电极13b位于第一电极12b的位置相反，这样在该吸引力的作用下带动第二可动光栅21b旋转时，保证第一光阀和第二光阀的转动方向相反。在第二可动光栅21b相对于第三电极22b的另一侧(即长圆弧边)，具有固定端241b，当第四电极23b与第三电极22b之间没有电势差时，固定端241b带动第二可动光栅21b回复原位。具体的原理参见以上图1b所示的具体实施例。

[0145] 所述第一电极12b具有第一板121b，第一板121b与所述第一可动光栅11b的短圆弧边连接，所述第一板121b远离第一可动光栅11b的一端为第一固定端122b，通过所述第一固定端122b固定所述第一电极12b；所述第二电极13b具有第二板131b，第二板131b与所述第一电极12b的第一板121b相对，所述第二板131b具有第二固定端132b，第二固定端132b靠近第一可动光栅11b，第二板131b远离第二固定端132b的一端远离第一可动光栅11b，通过所述第二固定端132b固定所述第二电极13b；所述第二板131b远离第二固定端132b的一端与第一电极12b之间的距离小于第二固定端132b与第一电极12b之间的距离；所述第三电极22b具有第三板221b，第三板221b与所述第二可动光栅21b的短圆弧边连接，所述第三板221b远离第二可动光栅21b的一端为第三固定端222b，通过所述第三固定端222b固定所述第三电极22b；所述第四电极23b具有第四板231b，第四板231b与所述第三电极22b的第三板221b相对，所述第四板231b具有第四固定端232b，第四固定端232b靠近第二可动光栅21b，第四板231b远离第四固定端232b的一端远离第二可动光栅21b，通过所述第四固定端232b固定所述第四电极23b；所述第四板231b远离第四固定端232b的一端与第三电极22b之间的距离小于第四固定端232b与第三电极22b之间的距离。

[0146] 所述第一光阀还包括第一固定板142b，位于所述第一可动光栅11b的长圆弧边缘与第一可动光栅11b固定连接；所述第一可动光栅11b的固定端141b设于所述第一固定板142b远离第一可动光栅11b的一端；所述第二光阀还包括第二固定板242b，位于所述第二可动光栅21b的长圆弧边缘与第二可动光栅21b固定连接；所述第二可动光栅21b的固定端241b设于所述第二固定板242b远离第二可动光栅21b的一端。

[0147] 当给各个电极施加一定的电压，使MEMS光阀在静电力的作用下旋转，从而可以控制固定光栅的透光开口与可动光栅上的透光开口的吻合程度，控制固定光栅的透光。在此不对MEMS光阀的原理做详细说明。

[0148] 本发明中，TFT开关也可以为LTPS-TFT开关(Low Temperature p-Si TFT，低温多晶硅TFT开关)。

[0149] 图22为LTPS-TFT开关的剖面结构示意图，图23为LTPS-TFT开关应用于本发明的显示装置的结构示意图。参考图22，所述LTPS-TFT开关包括：源区61、漏区62，位于所述源电极61和漏电极62之间的沟道区63，位于所述沟道区63上的栅介质层64，位于所述栅介质层64上的栅极65，所述源区61通过第一插栓与源电极66电连接，所述漏区62通过第二插栓与漏电极67电连接。并且显示装置中的数据线(图中未示)与漏电极67电连接，所述栅极65与显示装置中的扫描线(图中未示)电连接。所述TFT开关还包括位于所述源电极66、漏电极67上的电容；所述电容包括第一极板71、第二极板72，位于所述第一极板71和第二极板72之间的电容介质层73；所述第一极板71位于所述源电极和漏电极上方，且与所述源电极66电连接，所述电容介质层73位于所述第一极板72上，所述第二极板72位于所述电容介质层73上。

[0150] 除此之外，上述TFT开关还可以为其他形式的开关电路，例如MEMS开关等。

[0151] 基于以上所述的显示装置的精神，本发明还提供一种形成显示装置的方法，图5为该法的流程图。图6～图20为本发明具体实施例的形成显示装置的方法的剖面结构示意图，结合参考图5、图6～图20详细说明本发明具体实施例的形成显示装置的方法。

[0152] 结合参考图5和图6，执行步骤S11，提供基底40。本发明具体实施例中，基底40为玻璃基底。在本发明具体实施例中，所述基底40内形成有背光源(图中未示)，且背光源包括蓝光光源、红光光源和绿光光源，所述的蓝光光源、红光光源和绿光光源可以分别由蓝光LED、红光LED和绿光LED提供，也可以通过激光提供，且提供红绿蓝三色激光。

[0153] 继续结合参考图5和图7，执行步骤S12，在所述基底40上形成固定光栅30。本发明具体实施例中，形成固定光栅30的方法包括：在基底40上形成导电层，之后利用光刻的方法图形化导电层形成固定光栅30。在本发明中，固定光栅30的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼等，可以是其中之一，也可以是它们的任意组合，本发明具体实施例中优选为铝。其中，形成导电层的方法可以为化学气相沉积或物理气相沉积。

[0154] 本发明具体实施例中，在形成固定光栅之后，在形成MEMS光阀之前，在所述固定光栅上形成TFT开关。

[0155] 参考图8，本发明具体实施例中，形成固定光栅30后，形成介质层31，覆盖固定光栅30。介质层31的材料为氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、碳氧化硅(SiOC)或氮氧化硅(SiON)。形成介质层31的方法为化学气相沉积。之后在介质层31上形成TFT开关阵列。第一电极、第二电极、第三电极、第四电极分别对应一个TFT开关，与其电连接。

[0156] 在该具体实施例中，形成TFT开关的方法为：

[0157] 结合参考图8a1和图8a2，执行步骤a，在所述固定光栅上形成第一导电层，所述第一导电层的材料为透光率小于50％的导电材料。该第一导电层的材料参见以上对TFT开关的描述。该具体实施例中，第一导电层可以为钛层、铝层和钛层(Ti/Al/Ti)的叠层结构，也可为铝层、钼层(Al/Mo)的叠层结构，或者铬(Cr)层，或者钼(Mo)层，或者钽层，其形成方法为化学气相沉积或物理气相沉积。之后，执行步骤b，图形化所述第一导电层，形成栅极41、第一极板45：即经掩膜、曝光、显影、干法蚀刻第一导电层后形成栅极41、第一极板45以及扫描线48。

[0158] 结合参考图8b1和图8b2，执行步骤c，形成第一介质层441，覆盖所述栅极、第一极板，位于所述第一极板上的第一介质层作为电容介质层；和步骤d，在所栅极41上的第一介质层上依次形成低掺杂硅层442、高掺杂硅层443；所述高掺杂硅层443具有开口，开口两侧为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层442，所述低掺杂硅层442为导电沟道。

[0159] 本发明中，第一介质层441的材料可以为氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)或者碳氧化硅(SiOC)等，也可以为它们的任意组合。利用PECVD法(增强等离子体化学气相沉积)进行连续成膜，形成第一介质层441、低掺杂硅442，高掺杂硅层443，也就是首先利用PECVD法形成第一介质层441，覆盖第一极板45、栅极41以及扫描线48，接着在第一介质层441上形成低掺杂硅层442，之后在低掺杂硅层442上形成高掺杂硅层443。然后，利用光刻(掩膜、曝光)和干法蚀刻图形化低掺杂硅层442、高掺杂硅层443，保留位于所述栅极41上的第一介质层441上的低掺杂硅层442、高掺杂硅层443；之后，图形化所述高掺杂硅层443，形成开口(图中未标号)，开口两侧的高掺杂硅层443分别为源区、漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层442，该低掺杂硅层442作为导电沟道。

[0160] 结合参考图8c1和图8c2，执行步骤e，形成第二导电层，覆盖所述第一介质层441和低掺杂硅层442、高掺杂硅层443，所述第二导电层的材料为透光率小于50％的导电材料；之后，执行步骤f，图形化所述第二导电层，形成与源区电连接的源电极42、与漏区电连接的漏电极43和第二极板46，所述第二极板46、第一极板45和第一极板45上的第一介质层组成电容，所述第二极板46与源电极或漏电极电连接。该具体实施例中，图形化第二导电层时，也形成了数据线49。在该具体实施例中，第二极板46与源电极42电连接，数据线49与漏电极电连接，在其他实施例中，第二极板46也可以与漏电极43电连接，数据线49与源电极电连接，根据源区和漏区的类型确定。

[0161] 该第二导电层的材料参见以上对TFT开关的描述。该具体实施例中，第二导电层可以为钛层、铝层和钛层(Ti/Al/Ti)的叠层结构，也可为铝层、钼层(Al/Mo)的叠层结构，或者铬(Cr)层，或者钼(Mo)层，或者钽层，其形成方法为化学气相沉积或物理气相沉积。

[0162] 参考图8d，该具体实施例中，形成TFT开关后，最后用PECVD法形成钝化层47，钝化层47的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者它们的任意组合；之后再用掩膜曝光及干法蚀刻进行钝化层的蚀刻成形，该钝化层作为保护膜用于对TFT开关进行保护。

[0163] 第一极板可以和栅极一起形成，第二极板可以和源极、漏极一起形成，电容介质层可以在形成栅介质层时一起形成，从而使形成TFT开关的工艺简化，不用单独形成电容，节约成本，加快生产进度，提高效率。

[0164] 结合参考图5和图9、图10，执行步骤S13，在所述固定光栅30上形成图形化的第一牺牲层51、定义出第二光阀的位置。本发明具体实施例中，并非直接在固定光栅30上形成图形化的第一牺牲层51，在所述固定光栅30和图形化的第一牺牲层51之间还形成有钝化层47。具体为：

[0165] 参考图9，在所述固定光栅30上形成第一牺牲层，覆盖所述固定光栅30表面上的结构，在该具体实施例中，为覆盖TFT开关以及介质层31。在本发明具体实施例中，第一牺牲层的材料为非晶碳，其形成方法为CMOS工艺中的普通的化学气相沉积工艺。形成第一牺牲层后，图形化所述第一牺牲层，形成预定的图形化的牺牲层51a，定义出第二MEMS光阀的位置。继续参考图10，形成预定图形的牺牲层51a后，在去除牺牲层的位置上形成预定的牺牲层51b，所述预定的图形化的牺牲层51a和预定的牺牲层51b共同作为图形化的第一牺牲层51。在本发明具体实施例中，预定的牺牲层51b的材料也为非晶碳，其形成方法为CMOS工艺中的普通的化学气相沉积工艺。

[0166] 结合参考图5和图11、图12，执行步骤S14，在所述图形化的第一牺牲层51的表面依次形成第三导电层52、第二介质层(图中未示)，图形化所述第三导电层52、第二介质层形成第二可动光栅、第二可动光栅的固定端。利用各向同性的湿法刻蚀刻蚀第一导电层形成第二可动光栅，第三电极位置的第一导电层保留。在该具体实施例中，也刻蚀形成了与第二可动光栅连接的第二固定板。

[0167] 参考图11，本发明中，所述第三导电层52的材料可以是金属，如金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴等其中之一或者其中的组合；也可以是导电非金属，如非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅等等；还可以是金属和导电非金属的组合。该第三导电层52的形成方法可以为化学气相沉积或物理气相沉积工艺。本发明具体实施例中，可选的，第三导电层52的材料为铝。本发明中，所述第二介质层的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅其中之一或者它们的任意组合，形成第二介质层的方法为化学气相沉积。本发明具体实施例中，第二介质层的材料优选氧化硅。图形化第三导电层52、第二介质层的方法为光刻、刻蚀工艺。

[0168] 结合参考图5和图13，执行步骤S15，在所述图形化后的第三导电层、第二介质层上形成图形化的第二牺牲层，定义出第一MEMS光阀的位置。具体为：在所述第一介质层上形成第二牺牲层，第二牺牲层53′的材料为非晶碳，其形成方法为CMOS工艺中的普通的化学气相沉积工艺。然后利用光刻、刻蚀工艺图形化所述第二牺牲层，形成图形化的第二牺牲层53。

[0169] 结合参考图5和图14、图15、图16，执行步骤S16，在所述图形化的第二牺牲层53上，依次形成第四导电层54、第三介质层(图中未示)，图形化所述第四导电层54、第三介质层形成第一光阀、所述第二光阀的第三电极、第四电极。具体为：

[0170] 参考图14，依次形成第四导电层54、第三介质层(图中未示意出第三介质层)，覆盖所述基底40上形成的结构，即覆盖图形化的第一牺牲层51、第二可动光栅21。本发明中，所述第四导电层54的材料可以是金属，如金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴等其中之一或者其中的组合；也可以是导电非金属，如非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅等等；还可以是金属和导电非金属的组合。该第四导电层54的形成方法可以为化学气相沉积或物理气相沉积工艺。本发明具体实施例中，可选的，第四导电层52的材料为铝。第三介质层的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅其中之一或者它们的任意组合，形成第三介质层的方法为化学气相沉积。本发明具体实施例中，第三介质层的材料优选氧化硅。图形化第四导电层54、第三介质层的方法为光刻、刻蚀工艺。

[0171] 参考图15，湿法刻蚀第四导电层54、第二介质层，形成第一可动光栅11、第一固定板(图中的截面示意图没有示意出，可结合参考图1a)。参考图16，在湿法刻蚀后的第四导电层54、第二介质层上形成光刻胶，图形化光刻胶，结合参考图1a，定义出第一光阀的第一电极、第二电极，第二光阀的第三电极、第四电极位置，以图形化的光刻胶为掩膜，干法刻蚀第四导电层、第二介质层形成第一光阀的第一电极12、第二电极13，第二光阀的第三电极22、第四电极23，之后灰化去除图形化的光刻胶。

[0172] 结合参考图5和图17至图20，执行步骤S17，去除所述图形化的第一牺牲层、图形化的第二牺牲层。在本发明具体实施例中，去除图形化的第一牺牲层、图形化的第二牺牲层之前还包括：

[0173] 首先参考图17，形成第三牺牲层55，覆盖在基底40上形成的结构。本发明具体实施例中，在本发明具体实施例中，第三牺牲层的材料也为非晶碳，其形成方法为CMOS工艺中的普通的化学气相沉积工艺。形成第三牺牲层55后，还包括：图形化所述第三牺牲层55，形成相邻的MEMS光阀之间的隔离槽56。该隔离槽56可以将各个MEMS光阀相互隔开，隔离槽56为环形。图形化所述第三牺牲层55的方法为常规的光刻、刻蚀工艺。图形化所述第三牺牲层55的方法为常规的光刻、刻蚀工艺。在其他实施例中，也可以不形成隔离槽。

[0174] 参考图18，在所述第三牺牲层55的表面形成封盖层57，也就是在图形化的第三牺牲层55的上表面和周围侧表面上形成封盖层57，所述封盖层57上具有多个开口58，在所述开口的位置处暴露出第三牺牲层55；所述封盖层57在四周包围所述MEMS光阀、在顶部遮盖所述MEMS光阀。该封盖层57包括顶盖571和环盖572，其中环盖572是封盖层57和基底40固定的地方，环盖572为一圈封闭的环盖，可以将MEMS光阀一个个保护起来。本发明中，封盖层57的材料为氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅，该具体实施例中，优选氧化硅。形成封盖层57的方法为：首先用化学气相沉积形成氧化硅层，覆盖所述图形化的第三牺牲层55的表面；然后用光刻、刻蚀工艺刻蚀氧化硅层，形成具有开口58的封盖层57，该开口58暴露出图形化的第三牺牲层55。所述开口58的深宽比范围应为0.5～20，所述开口的孔径范围为0.1～10微米。

[0175] 形成封盖层之后，参考图19，去除图形化的第一牺牲层、图形化的第二牺牲层，也去除图形化的第三牺牲层。所述去除图形化的第一牺牲层、图形化的第二牺牲层和图形化的第三牺牲层包括：离化氧气形成氧等离子体；将所述氧等离子体通入所述开口，在温度范围为150℃～450℃的条件下灰化所述非晶碳。

[0176] 参考图20，在本发明中，形成以上所述的显示装置后，还包括：形成密封盖59，密封所述开口58。所述密封盖59的材料为氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅。所述形成密封盖的方法为化学气相沉积。密封盖59可以起到密封显示装置的作用，防止水蒸气、灰尘、杂质等进入显示装置内，这样可以提高显示装置的寿命。

[0177] 以上所述的形成显示装置的具体实施例，首先在基底上形成固定光栅，然后在固定光栅之上形成MEMS光阀。在本发明的其他实施例中，也可以首先在基底上形成MEMS光阀，然后在MEMS光阀之上形成固定光栅。图21为固定光栅位于MEMS光阀之上的剖面结构示意图，参考图21，在该具体实施例中，先在基底40上形成MEMS光阀，该MEMS光阀包括第一可动光栅11′、第一电极12′、第二电极13′，第二可动光栅21′、第三电极22′、第四电极23′，该具体实施例，由于先形成MEMS光阀，为了配合之后形成的固定光栅30′，MEMS光阀的第一可动光栅11′、第二可动光栅21′相对于第一电极12′、第二电极13′、第三电极22′、第四电极23′做相应的调整，即第一可动光栅11′、第二可动光栅21′的位置上移，使第一可动光栅11′、第二可动光栅21′靠近固定光栅30′。该具体实施例中，MEMS光阀的其他结构根据以上所述的具体实施例可以推知，此不做详述。在形成MEMS光阀后，形成封盖层57以及密封盖59，然后在密封盖59上形成固定光栅30′。本领域技术人员根据以上所述的具体实施例，可以推知该实施例的具体实施方式，在此不做赘述。而且，本领域技术人员根据以上所述的具体实施例的工艺描述，可以推知该实施例中，形成显示装置的方法，在此不做赘述。

[0178] 以上所述为本发明图1a所示的具体实施例详述了形成显示装置的方法，本发明图3和图4所示的具体实施例的显示装置的形成方法也适用于该方法，只是在图形化时需要更换适合的掩膜板。

[0179] 结合参考图22和图23，本发明具体实施例的，形成LTPS-TFT开关的方法包括：

[0180] 步骤1)，在所述基底或所述固定光栅上形成硅层。在图23所示的本发明的具体实施例中，在所述固定光栅30上形成硅层。如果在其他实施例中，先形成MEMS光阀，然后再形成固定光栅，则在基底40上形成硅层。

[0181] 步骤2)，晶化所述硅层形成多晶硅层。

[0182] 步骤3)，图形化所述多晶硅层，形成图形化的多晶硅层，定义出源区61、漏区62以及沟道区63的区域。在该步骤中，可以对沟道区进行掺杂，调节阈值电压。

[0183] 步骤4)，形成栅介质层64，覆盖所述图形化的多晶硅层。

[0184] 步骤5)，离子注入形成源区61和漏区62。

[0185] 步骤6)，在所述栅介质层64上形成栅极65。

[0186] 步骤7)，形成层间介质层(图中未标号)，覆盖所述栅介质层64和栅极65。层间介质层的材料可选氧化硅。

[0187] 步骤8)，在所述栅介质层64和层间介质层中形成第一插栓(图中未标号)，与源区61电连接，形成第二插栓(图中未标号)漏区62电连接。形成插栓的方法为公知技术，此不做详述。

[0188] 步骤9)，在源区61连接的插栓上形成源电极66，在漏区62连接的插栓上形成漏电极67。

[0189] 步骤10)，在所述层间介质层、第一插栓、第二插栓组成的表面上形成图形化的钝化层，所述图形化的钝化层具有开口，所述开口暴露出所述源电极67。

[0190] 步骤11)，在所述图形化的钝化层和开口的表面依次形成第一导电层、介质层、第二导电层。所述第一导电层和所述第二导电层的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者它们的任意的组合，其形成方法为气相沉积。所述介质层的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者它们的任意组合，其形成方法为化学气相沉积。

[0191] 步骤12)，图形化所述第一导电层、介质层、第二导电层形成第一极板、电容介质层、第二极板；所述第一导电层对应形成第一极板，所述第二导电层对应形成第二极板，介质层对于形成电容介质层。

[0192] 在形成LTPS-TFT开关后，可以利用以上所述的方法形成MEMS光阀以及封盖层、密封盖。

[0193] 本发明的显示装置中的MEMS光阀包括第一光阀和第二光阀，通过第一光阀和第二光阀两者相对运动，来控制固定光栅的开启和关闭，相对于一个光阀而言可以提高MEMS光阀的灵敏度。

[0194] 在本发明具体实施例中，所述第一光阀包括：第一可动光栅，第一电极和第二电极，在所述第二电极和所述第一电极之间具有电势差时，所述第一电极带动所述第一可动光栅移动。所述第二光阀包括：第二可动光栅，第三电极和第四电极，在所述第三电极和所述第四电极之间具有电势差时，所述第三电极带动所述第二可动光栅移动，并且第一光阀和第二光阀的移动方向相反。而且，第一光阀和第二光阀均有固定端，将第一光阀和第二光阀与基底连接，当需要回复原位时，取消第一电极与第二电极之间、第三电极与第四电极之间的电势差，第一可动光栅的固定端、第二可动光栅的固定端会带动第一可动光栅和第二可动光栅回复原位。因此，可以通过控制第一电极和第二电极之间的电势差控制第一光阀的移动，通过控制第三电极和第四电极之间的电势差控制第二光阀的移动，使MEMS光阀的控制简单，而且结构也相对简单。

[0195] 而且，在本发明的具体实施例中，TFT开关，其电容的第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层组成了电容，由于第一极板与栅极位于同一层，第一极板与栅极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料；第二极板与源电极和漏电极位于同一层，第二极板与源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料。在应用于具有MEMS光阀的显示装置中时，由于MEMS光阀显示装置不需要大的开口率，因此可以将TFT开关形成在显示装置中不用来进行透光的部位上，而且第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极为透光率小于50％导电材料，这样TFT开关与MEMS光阀的兼容性更好，可以提高显示装置的性能。这样结构的TFT开关，第一极板可以和栅极一起形成，第二极板可以和源极、漏极一起形成，电容介质层可以在形成栅介质层时一起形成，从而使形成TFT开关的工艺简化，不用单独形成电容，节约成本，加快生产进度，提高效率。

[0196] 本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。