涂覆显影装置和涂覆显影方法

摘要

本发明提供一种抑制处理块的设置面积并且抑制装置的工作效率降低的技术。构成具备模式选择部的涂覆显影装置，上述模式选择部用于在由检查模块进行的检查中检查出基板异常时，基于存储在存储部的数据，从模式M1和M2中选择后续的基板的搬送模式。上述模式M1，确定显影处理用的单位块中处理过基板的模块，控制单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块，上述模式M2，确定处理过基板的显影处理用的单位块，控制交接机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的显影处理用的单位块以外的显影处理用的单位块。

权利要求

1.一种涂覆显影装置，包括：具有保持涂覆显影对象的基板的载体的载体块、一端与所述载体块连接，在被载体搬入的基板上形成包括抗蚀剂膜的涂覆膜的处理块、对基板进行曝光的曝光装置和与所述处理块的另一端及所述曝光装置连接的接口块，被所述处理块形成了包括抗蚀剂膜的涂覆膜的基板经由所述接口块被搬送到曝光装置，在所述处理块对通过所述接口块返回的曝光后的基板进行显影处理，并交接到所述载体块，该涂覆显影装置的特征在于，具备：a)所述处理块，其包括：

将第一前段涂覆用单位块和第二前段涂覆用单位块上下相互叠层二层而形成前段涂覆用的单位块，所述前段涂覆用的单位块具备：向基板供给药液，形成用于曝光处理涂覆膜中的前段涂覆膜的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的前段涂覆用的单位块用的搬送机构；

将第一后段涂覆用单位块和第二后段涂覆用单位块上下相互叠层二层而形成后段涂覆用的单位块，该后段涂覆用的单位块具备：相对于所述前段涂覆用单位块叠层、向用于曝光处理涂覆膜中的所述前段涂覆膜上供给药液而形成后段涂覆膜的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的后段涂覆用的单位块用的搬送机构；和将第一显影处理用的单位块和第二显影处理用的单位块上下相互叠层二层而形成显影处理用的单位块，该显影处理用的单位块具备：相对于所述前段涂覆用单位块叠层、向基板供给显影液的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的显影处理用的单位块用的搬送机构，所述前段涂覆用的单位块、后段涂覆用的单位块和显影处理用的单位块任一者都包括对基板进行处理的模块，b)所述前段涂覆膜和后段涂覆膜的一方为包括抗蚀剂膜的涂覆膜，

c)针对所述前段涂覆用的单位块、后段涂覆用的单位块和显影处理用的单位块的各单位块的每个设置于载体块一侧的、在与各单位块的搬送机构之间进行基板的交接的交接部，d)第一交接机构，其用于将基板从载体分配、交接到与前段涂覆用的各单位块对应的所述交接部，并且使基板从显影处理用的各单位块的交接部返回载体，并且将通过前段涂覆用的各单位块处理过的基板交接到与后段涂覆用的各单位块对应的所述交接部，e)第二交接机构，其用于接收在所述处理块处理过的曝光前的基板，并将曝光后的基板分配、交接到显影处理用的单位块，f)对显影处理后的基板进行检查的显影后检查模块，

g)对检查对象的基板到在所述检查模块接收受检查为止被搬送过的路径的数据进行存储的存储部，以及h)模式选择部，其用于在利用所述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，从包括模式M1和模式M2的显影后异常应对用的模式组中选择后续的基板的搬送模式，所述模式M1为如下模式：在显影处理用的单位块中，确定处理过被检测出异常的基板的模块，控制显影处理用的单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块，所述模式M2为如下模式：确定处理过被检查出异常的基板的显影处理用的单位块，控制第二交接机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的显影处理用的单位块以外的显影处理用的单位块。

2.如权利要求1所述的涂覆显影装置，其特征在于：

所述模式组还包括模式M3，

所述模式M3为如下模式：在显影处理用的单位块和前段涂覆用的单位块中，确定处理过检查出异常的基板的模块，控制显影处理用的单位块和前段涂覆用的单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块。

3.如权利要求1或2所述的涂覆显影装置，其特征在于：

所述模式组还包括模式M4，

所述模式M4为如下模式：在显影处理用的单位块、前段涂覆用的单位块和后段涂覆用的单位块中，确定处理过检查出异常的基板的模块，控制所述前段涂覆用的单位块、后段涂覆用的单位块和显影处理用的单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块。

4.如权利要求1～3中任一项所述的涂覆显影装置，其特征在于：

所述模式组还包括模式M5，

所述模式M5为如下模式：确定处理过检查出异常的基板的显影处理用的单位块和前段涂覆用的单位块，控制第二交接机构的动作，将后续的基板搬送到所确定的单位块以外的单位块。

5.如权利要求1～4中任一项所述的涂覆显影装置，其特征在于：

所述模式组还包括模式M6，

所述模式M6为如下模式：确定处理过检查出异常的基板的显影处理用的单位块、前段涂覆用的单位块和后段涂覆用的单位块，控制第二交接机构的动作，将后续的基板搬送到所确定的单位块以外的单位块。

6.如权利要求1～5中任一项所述的涂覆显影装置，其特征在于，还具备：

形成抗蚀剂膜之后，对曝光前的基板进行检查的涂覆后检查模块；

对检查对象的基板到在所述涂覆后检查模块接受检查为止被搬送过的路径的数据进行存储的涂覆后检查路径存储部；和涂覆后检查模式选择部，其用于当利用所述涂覆后检查模块进行的检查中检查出基板异常时，基于在涂覆后检查路径存储部存储的数据，从包括模式N1和模式N2的涂覆后异常应对用的模式组中选择后续的基板的搬送模式，所述模式N1为如下模式：在至少包括形成抗蚀剂膜的液处理模块的所述前段涂覆用的单位块、后段涂覆用的单位块和显影处理用的单位块中，确定处理过被检查出异常的基板的模块，控制所述前段涂覆用的单位块、后段涂覆用的单位块和显影处理用的单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块，所述模式N2为如下模式：在至少包括形成抗蚀剂膜的液处理模块的所述前段涂覆用的单位块、后段涂覆用的单位块和显影处理用的单位块中，确定处理过被检查出异常的基板的单位块，控制第二交接机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的单位块以外的单位块。

7.如权利要求1～6中任一项所述的涂覆显影装置，其特征在于：

前段涂覆用的单位块具备：向基板供给药液，形成下层侧的防反射膜的下层用的液处理模块；向所述防反射膜上供给抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的涂覆模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用搬送机构，后段涂覆用的单位块具备：向形成有抗蚀剂膜的基板供给药液，形成抗蚀剂膜的上层侧的保护膜或防反射膜的上层用的液处理模块；用于对形成有抗蚀剂膜的基板进行曝光前的前处理的前处理模块；对基板进行加热的加热模块；为了在这些模块之间搬送基板，在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构。

8.如权利要求1～6中任一项所述的涂覆显影装置，其特征在于：

前段涂覆用的单位块具备：向基板供给药液，形成下层侧的防反射膜的下层用的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构，后段涂覆用的单位块具备：供给抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构。

9.如权利要求8所述的涂覆显影装置，其特征在于：

将上层用的单位块作为第一上层用单位块和第二上层用单位块上下地相互叠层二层，将由此而形成的部件与所述后段涂覆用的单位块叠层，所述上层用的单位块具备：向形成有抗蚀剂膜的基板供给药液形成抗蚀剂膜的上层侧的保护膜或防反射膜的上层用的液处理模块；用于对形成有抗蚀剂膜的基板进行曝光前的前处理的前处理模块；对基板进行加热的上层用加热模块；用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的上层用单位块用的搬送机构。

10.一种涂覆显影方法，其利用涂覆显影装置，该涂覆显影装置包括：具有保持涂覆显影对象的基板的载体的载体块、一端与所述载体块连接，在被载体搬入的基板上形成包括抗蚀剂膜的涂覆膜的处理块、对基板进行曝光的曝光装置和与所述处理块的另一端及所述曝光装置连接的接口块，被所述处理块形成了包括抗蚀剂膜的涂覆膜的基板经由所述接口块被搬送到曝光装置，在所述处理块对通过所述接口块返回的曝光后的基板进行显影处理，并交接到所述载体块，所述涂覆显影装置具备：a)所述处理块，其包括：

将第一前段涂覆用单位块和第二前段涂覆用单位块上下相互叠层二层而形成前段涂覆用的单位块，所述前段涂覆用的单位块具备：向基板供给药液，形成用于曝光处理涂覆膜中的前段涂覆膜的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的前段涂覆用的单位块用的搬送机构；

将第一后段涂覆用单位块和第二后段涂覆用单位块上下相互叠层二层而形成后段涂覆用的单位块，该后段涂覆用的单位块具备：与所述前段涂覆用单位块叠层、向用于曝光处理涂覆膜中的所述前段涂覆膜上供给药液而形成后段涂覆膜的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的后段涂覆用的单位块用的搬送机构；和将第一显影处理用的单位块和第二显影处理用的单位块上下相互叠层而形成显影处理用的单位块，该显影处理用的单位块具各：与所述前段涂覆用单位块叠层、向基板供给显影液的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的显影处理用的单位块用的搬送机构，所述前段涂覆用的单位块、后段涂覆用的单位块和显影处理用的单位块任一者都包括对基板进行处理的模块，b)所述前段涂覆膜和后段涂覆膜的一方为包括抗蚀剂膜的涂覆膜，

c)针对所述前段涂覆用的单位块、后段涂覆用的单位块和显影处理用的单位块的各单位块的每个设置于载体块一侧的、在与各单位块的搬送机构之间进行基板的交接的交接部，d)第一交接机构，其用于将基板从载体分配、交接到与前段涂覆用的各单位块对应的所述交接部，并且使基板从显影处理用的各单位块的交接部返回载体，并且将通过前段涂覆用的各单位块处理过的基板交接到与后段涂覆用的各单位块对应的所述交接部，和e)第二交接机构，其用于接收在所述处理块处理过的曝光前的基板，并将曝光后的基板分配、交接到显影处理用的单位块，所述涂覆显影方法包括：

对显影处理后的基板进行检查的显影后检查工序；

将检查对象的基板到接受利用该显影后检查工序的检查为止被搬送过的路径的数据存储到存储部的工序；和在利用所述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，确定显影处理用的单位块中处理基板的模块，控制显影处理用的单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块的工序。

11.如权利要求10所述的涂覆显影方法，其特征在于，

在所述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，代替确定显影处理用的单位块中的处理过基板的模块，而确定处理过基板的显影处理用的单位块，将后续的基板搬送到所确定的显影处理用的单位块以外的显影处理用的单位块。

12.如权利要求10所述的涂覆显影方法，其特征在于：

在所述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，确定显影处理用的单位块中的处理过基板的模块，并且确定前段涂覆用的单位块中处理过基板的模块，将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块。

13.如权利要求12所述的涂覆显影方法，其特征在于：

在所述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，确定显影处理用的单位块和前段涂覆用的单位块中处理过基板的模块，并且确定后段涂覆用的单位块中处理过基板的模块，将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块。

14.如权利要求11所述的涂覆显影方法，其特征在于：

在所述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，确定处理过基板的显影处理用的单位块，并且确定前段涂覆用的单位块中处理过基板的单位块，将后续的基板搬送到所确定的前段涂覆用的单位块以外的前段涂覆用的单位块。

15.如权利要求11所述的涂覆显影方法，其特征在于：

在所述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，确定处理过基板的显影处理用的单位块和前段处理用的单位块，并且确定后段涂覆用的单位块中处理过基板的单位块，将后续的基板搬送到所确定的后段涂覆用的单位块以外的后段涂覆用的单位块。

16.如权利要求10～15中任一项所述的涂覆显影方法，其特征在于，还包括：

对形成抗蚀剂膜之后的基板进行检查的涂覆后检查工序；

将检查对象的基板到在该涂覆后检查工序中接受检查为止被搬送过的路径的数据存储在存储部的工序；和在所述涂覆后检查工序中检查出基板异常时，基于存储在存储部的数据，确定至少包括形成抗蚀剂膜的液处理模块的所述前段涂覆用的单位块、后段涂覆用的单位块和显影处理用的单位块中处理过检查出异常的基板的模块，将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块的工序。

17.如权利要求16所述的涂覆显影方法，其特征在于：

在所述涂覆后检查工序中检测出基板异常时，基于存储在存储部的数据，确定处理过所述基板的至少包括形成抗蚀剂膜的液处理模块的所述前段涂覆用的单位块、后段涂覆用的单位块和显影处理用的单位块，来代替确定在至少包括形成抗蚀剂膜的液处理模块的所述前段涂覆用的单位块、后段涂覆用的单位块和显影处理用的单位块中处理过检测出异常的基板的模块，将后续的基板搬送到所确定的单位块以外的单位块。

说明书

涂覆显影装置和涂覆显影方法

技术领域

[0001] 本发明涉及在基板上涂覆抗蚀剂，进行显影的涂覆显影装置、涂覆显影方法和存储介质。

[0002] 背景技术

[0003] 在作为半导体制造工序之一的光致抗蚀剂工序中，在半导体晶片(以下，称为晶片)的表面涂覆抗蚀剂，以规定图案曝光该抗蚀剂之后进行显影，形成抗蚀剂图案。在形成上述抗蚀剂图案用的涂覆显影装置中，设置有具备在晶片上进行各种处理用的处理模块的处理块。

[0004] 处理块，例如专利文献1所记载，通过将形成抗蚀剂膜等的各种涂覆膜的单位块和进行显影处理的单位块相互叠层构成。晶片依次被交接到各单位块上设置的处理模块接收处理。

[0005] 在此，由于形成更细微的图案，进而使成品率降低，因而设置在上述处理块的处理模块需要多样化。例如，在晶片上涂覆抗蚀剂的抗蚀剂膜形成模块和供给显影液的显影模块之外，还存在设置有对涂覆有抗蚀剂的晶片的背面进行清洁的背面清洁模块、向抗蚀剂膜的上层供给药液进一步形成膜的上层用的液处理块等的情况。研究在将这些各种处理模块搭载于处理块的基础上，如何抑制涂覆显影装置的占地面积。

[0006] 上述叠层单位块的结构，用于抑制上述占地面积很有效，但是由于晶片依次向各单位块搬送，因此1个处理模块或单位块发生异常而进行维修时，就不得不停止涂覆显影装置的整个处理。如此，会有装置的工作效率降低的问题。

[0007] 专利文献

[0008] 【专利文献1】特开2007-115831

[0009] 发明内容

[0010] 本发明是在上述事实下完成的，其提供一种能够抑制处理块的设置面积，并且在单位块发生异常而进行维修时，能够抑制涂覆显影装置的工作效率降低的技术。

[0011] 本发明的涂覆显影装置，将通过载体搬入到载体块的基板交接到处理块，在该处理块形成包括抗蚀剂膜的涂覆膜之后，通过相对于上述处理块位于与载体块相反侧(即：上述处理块位于上述接口块与上述载体块之间)的接口块搬送到曝光装置，在上述处理块对通过上述接口块返回的曝光后的基板进行显影处理，并交接到上述载体块，该涂覆显影装置的特征在于，具备：

[0012] a)上述处理块，其包括：

[0013] 将前段(前级)涂覆用的单位块作为第一前段涂覆用单位块和第二前段涂覆用单位块上下二层化并相互叠层而形成的部件，上述前段涂覆用的单位块具备：向基板供给药液，形成曝光处理所必要的薄膜中的前段薄膜的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；

[0014] 将后段(后级)涂覆用的单位块作为第一后段涂覆用单位块和第二后段涂覆用单位块上下二层化并相互叠层而形成的部件，该后段涂覆用的单位块具备：相对于上述前段涂覆用单位块叠层、向曝光处理所必要的薄膜中的上述前段薄膜上供给药液而形成后段薄膜的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；和

[0015] 将显影处理用单位块作为第一显影处理用的单位块和第二显影处理用的单位块上下二层化并相互叠层而形成的部件，该显影处理用的单位块具备：相对于上述前段涂覆用单位块叠层、向基板供给显影液的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构，

[0016] b)上述前段薄膜和后段薄膜的一方为包括抗蚀剂膜的薄膜，

[0017] c)针对(按照)各单位块的每个设置于载体块一侧的、在与各单位块的搬送机构之间进行基板的交接的交接部，

[0018] d)第一交接机构，其用于将基板从载体分配、交接到与前段涂覆用的各单位块对应的上述交接部，并且使基板从显影处理用的各单位块的交接部返回载体，并且将通过前段涂覆用的各单位块处理过的基板交接到与后段涂覆用的各单位块对应的上述交接部，[0019] e)第二交接机构，其用于接收在上述处理块处理过的曝光前的基板，并将曝光后的基板分配、交接到显影处理用的单位块，

[0020] f)对显影处理后的基板进行检查的显影后检查模块，

[0021] g)存储直到检查对象的基板在上述检查模块接收检查为止，上述检查对象的基板被搬送的路径的数据的存储部，以及

[0022] h)模式选择部，其用于在利用上述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，从包括模式M1和模式M2的显影后异常应对用的模式组中选择后续的基板的搬送模式，

[0023] 上述模式M1为如下模式：在显影处理用的单位块中，确定处理过被检测出异常的基板的模块，控制单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块，

[0024] 上述模式M2为如下模式：确定处理过被检查出异常的基板的显影处理用的单位块，控制第二交接机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的显影处理用的单位块以外的显影处理用的单位块。

[0025] 上述涂覆显影装置也可以包括如下模式。

[0026] 上述模式M3：在显影处理用的单位块和前段涂覆用的单位块中，确定处理过检查出异常的基板的模块，控制单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块。

[0027] 上述模式M4：在显影处理用的单位块、前段涂覆用的单位块和后段涂覆用的单位块中，确定处理过检查出异常的基板的模块，控制单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块。

[0028] 上述模式M5：确定处理过检查出异常的基板的显影处理用的单位块和前段涂覆用的单位块，控制第二交接机构的动作，将后续的基板搬送到所确定的单位块以外的单位块。

[0029] 上述模式M6：确定处理过检查出异常的基板的显影处理用的单位块、前段涂覆用的单位块和后段涂覆用的单位块，控制第二交接机构 的动作，将后续的基板搬送到所确定的单位块以外的单位块。

[0030] 涂覆显影装置还可以具备：形成抗蚀剂膜之后，对曝光前的基板进行检查的涂覆后检查模块；

[0031] 存储直到检查对象的基板在上述涂覆后检查模块接收检查为止搬送过的该检查对象的基板的路径的数据的存储部；和

[0032] 模式选择部，其用于当利用上述涂覆后检查模块进行的检查中检查出基板异常时，基于在存储部存储的数据，从包括模式N1和模式N2的涂覆后异常应对用的模式组中选择后续的基板的搬送模式，

[0033] 上述模式N1为如下模式：在至少包括形成抗蚀剂膜的液处理模块的单位块中，确定处理过被检查出异常的基板的模块，控制单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块，

[0034] 上述模式N2为如下模式：在至少包括形成抗蚀剂膜的液处理模块的单位块中，确定处理过被检查出异常的基板的单位块，控制第二交接机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的单位块以外的单位块。

[0035] 各单位块，例如为如下结构。

[0036] (1)前段涂覆用的单位块具备：向基板供给药液，形成下层侧的防反射膜的下层用的液处理模块；向上述防反射膜上供给抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的涂覆模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用搬送机构，

[0037] 后段涂覆用的单位块具备：向形成有抗蚀剂膜的基板供给药液，形成上层侧的膜的上层用的液处理模块；用于对形成有抗蚀剂膜的基板进行曝光前的前处理的前处理模块；对基板进行加热的加热模块；为了在这些模块之间搬送基板，在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构。

[0038] (2)前段涂覆用的单位块具备：向基板供给药液，形成下层侧的防反射膜的下层用的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构，

[0039] 后段涂覆用的单位块具备：供给抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构。

[0040] (3)将上层用的单位块作为第一上层用单位块和第二上层用单位块上下地二层化并相互叠层，将由此而形成的部件与上述后段涂覆用的单位块叠层，上述上层用的单位块具备：向形成有抗蚀剂膜的基板供给药液形成上层侧的膜的上层用的液处理模块；用于对形成有抗蚀剂膜的基板进行曝光前的前处理的前处理模块；对基板进行加热的加热模块；用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构。

[0041] 本发明的涂覆显影方法，其利用涂覆显影装置，该涂覆显影装置将通过载体搬入到载体块的基板交接到处理块，在该处理块形成包括抗蚀剂膜的涂覆膜之后，通过相对于上述处理块位于与载体块相反侧的接口块搬送到曝光装置，在上述处理块对通过上述接口块返回的曝光后的基板进行显影处理，并交接到上述载体块，上述涂覆显影装置具备：

[0042] a)上述处理块，其包括：

[0043] 将前段涂覆用的单位块作为第一前段涂覆用单位块和第二前段涂覆用单位块上下二层化并相互叠层而形成的部件，上述前段涂覆用的单位块具备：向基板供给药液，形成曝光处理所必要的薄膜中的前段薄膜的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；

[0044] 将后段涂覆用的单位块作为第一后段涂覆用单位块和第二后段涂覆用单位块上下二层化并相互叠层而形成的部件，该后段涂覆用的单位块具备：与上述前段涂覆用单位块叠层、向曝光处理所必要的薄膜中的上述前段薄膜上供给药液而形成后段薄膜的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和用于在这些模块之间搬送基板、在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构；和

[0045] 将显影处理用单位块作为第一显影处理用的单位块和第二显影处 理用的单位块上下二层化并相互叠层而形成的部件，该显影处理用的单位块具备：与上述前段涂覆用单位块叠层、向基板供给显影液的液处理模块；对基板进行加热的加热模块；和在连接载体块和接口块的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构，

[0046] b)上述前段薄膜和后段薄膜的一方为包括抗蚀剂膜的薄膜，

[0047] c)针对各单位块的每个设置于载体块一侧的、在与各单位块的搬送机构之间进行基板的交接的交接部，

[0048] d)第一交接机构，其用于将基板从载体分配、交接到与前段涂覆用的各单位块对应的上述交接部，并且使基板从显影处理用的各单位块的交接部返回载体，并且将通过前段涂覆用的各单位块处理过的基板交接到与后段涂覆用的各单位块对应的上述交接部，和[0049] e)第二交接机构，其用于接收在上述处理块处理过的曝光前的基板，并将曝光后的基板分配、交接到显影处理用的单位块，

[0050] 上述涂覆显影方法包括：

[0051] 对显影处理后的基板进行检查的显影后检查工序；

[0052] 将直到检查对象的基板接收利用该显影后检查工序的检查为止的上述检查对象的基板被搬送的路径的数据存储到存储部的工序；和

[0053] 在利用上述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，确定显影处理用的单位块中处理基板的模块，控制单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块的工序。

[0054] 作为上述涂覆显影方法的具体方式，例如以下所述。

[0055] (1)在上述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，代替确定显影处理用的单位块中的处理过基板的模块，而确定处理过基板的显影处理用的单位块，将后续的基板搬送到所确定的显影处理用的单位块以外的显影处理用的单位块。

[0056] (2)在上述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，确定显影处理用的单位块中的处理过基板的模块，并且确定前段涂覆用的单位块中处理过基板的模块，将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块。

[0057] (3)在上述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存 储部存储的数据，确定显影处理用的单位块和前段涂覆用的单位块中处理过基板的模块，并且确定后段涂覆用的单位块中处理过基板的模块，将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块。

[0058] (4)在上述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，确定处理过基板的显影处理用的单位块，并且确定前段涂覆用的单位块中处理过基板的单位块，将后续的基板搬送到所确定的前段涂覆用的单位块以外的前段涂覆用的单位块。

[0059] (5)在上述检查模块进行的检查中检测出基板异常时，基于在存储部存储的数据，确定处理过基板的显影处理用的单位块和前段处理用的单位块，并且确定后段涂覆用的单位块中处理过基板的单位块，将后续的基板搬送到所确定的后段涂覆用的单位块以外的后段涂覆用的单位块。

[0060] (6)还包括：对形成抗蚀剂膜之后的基板进行检查的涂覆后检查工序；

[0061] 将直到检查对象的基板在该涂覆后检查工序中接收检查为止的上述检查对象的基板被搬送的路径的数据存储在存储部的工序；和

[0062] 在上述涂覆后检查工序中检查出基板异常时，基于存储在存储部的数据，确定至少包括形成抗蚀剂膜的液处理模块的单位块中处理过检查出异常的基板的模块，将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块的工序。

[0063] (7)在本发明第十六方面记载的涂覆显影方法中，在上述涂覆后检查工序中检测出基板异常时，基于存储在存储部的数据，代替确定在至少包括形成抗蚀剂膜的液处理模块的单位块中处理过检测出异常的基板的模块，而确定处理过上述基板的至少包括形成抗蚀剂膜的液处理模块的单位块，将后续的基板搬送到所确定的单位块以外的单位块。

[0064] 本发明的存储介质，其存储有在涂覆显影装置中使用的计算机程序，该存储介质的特征在于：上述计算机程序是用于实施上述的涂覆显影方法的程序。

[0065] 发明效果

[0066] 根据本发明，在前段处理用的单位块配置用于形成下层侧的防反 射膜和抗蚀剂膜的模块，在后段处理用的单位块配置进行抗蚀剂膜的上层侧的膜的形成和曝光前的处理例如基板的背面清洁的模块，各单位块上下地2层化。然后在这些单位块组上进一步叠层上下2层化的显影处理用的单位块。因此，能够将处理块的进深尺寸设置为适宜的大小并且能够减小设置面积。此外，由于各单位块2层化，即使一个单位块发生异常或进行维修时，也能够使用另一个单位块，能够抑制工作效率降低。并且，准备以下两种模式：在显影后通过检查模块进行的检查中检查出基板发生异常时，基于存储在存储部的数据，将后续的基板搬送到显影处理用的单位块中先前的基板通过的模块以外的模块的模式；和搬送到先前的基板通过的显影处理用的单位块以外的显影处理用的单位块的模式，因此，工作效率、后续控制的基板的处理枚数、基板的异常的状态等，能够根据当时的状况更加灵活地应变。

附图说明

[0067] 图1为本发明的涂覆显影装置的平面图。

[0068] 图2为上述涂覆显影装置的立体图。

[0069] 图3为上述涂覆显影装置的纵截侧面图。

[0070] 图4为上述涂覆显影装置的液处理模块的纵截侧面图。

[0071] 图5为接口块的纵截正面图。

[0072] 图6为设置在上述接口块的交接模块的立体图。

[0073] 图7为上述涂覆显影装置的控制部的结构图。

[0074] 图8为表示上述控制部的存储器的数据的模式图。

[0075] 图9为表示上述控制部的存储器的数据的模式图。

[0076] 图10为表示通过设定部能够选择的模式的说明图。

[0077] 图11为表示上述涂覆显影装置中的晶片的搬送路径的流程图。

[0078] 图12为表示直到向单位块的搬送停止的工艺的流程图。

[0079] 图13为表示检查出异常的情况下的晶片的搬送路径的模式图。

[0080] 图14为表示检查出异常的情况下的晶片的搬送路径的模式图。

[0081] 图15为表示直到向处理模块的搬送停止的工艺的流程图。

[0082] 图16为接口块的纵截正面图。

[0083] 图17为其他的处理块的纵截侧面图。

[0084] 图18为其他的处理块的纵截侧面图。

[0085] 图19为表示通过设定部能够选择的模式的说明图。

具体实施方式

[0086] (第一实施方式)

[0087] 说明本发明的涂覆显影装置1。图1表示本发明的涂覆显影装置1适用于抗蚀剂图案形成装置的情况的一个实施方式的平面图，图2为该概略立体图，图3为该概略侧面图。该涂覆显影装置1通过将用于搬入搬出密闭收纳有例如25枚作为基板的晶片W的载体C的载体块S1、对晶片W进行处理用的处理块S2、和接口块S3直线状排列而构成。在接口块S3连接有进行液浸曝光的曝光装置S4。

[0088] 在上述载体块S1设置有载置上述载体C的载置台11、从该载置台11看设置在前方壁面的开闭部12、和用于通过开闭部12从载体C取出晶片W的交接臂13。交接臂13在上下方向上具备5个晶片保持部14，构成为在能够自由进退、自由升降、围绕铅直轴自由旋转、在载体C的排列方向上自由移动。后述的控制部51对载体C的晶片W赋予序号，交接臂13从序号小的晶片开始每次5枚依次交接晶片W，并一起交接到模块BU1。然后从序号小的晶片开始依次从交接模块BU1分配到各单位块。另外，能够载置晶片W的场所记为模块，在该模块中对晶片W进行加热、液处理、气体供给或周边曝光等的处理的模块记载为处理模块。此外，在处理模块中，向晶片W供给药液和清洁液的模块记载为液处理模块。

[0089] 在载体块S1连接有处理块S2，该处理块S2构成为从下依次叠层对晶片W进行液处理的第一～第六的块B1～B6。参照作为处理块S2的概略纵截侧面图的图4继续说明。作为前段处理用单位块的第一单位块B1和第二单位块B2同样地构成，在晶片W上进行防反射膜的形成和抗蚀剂膜的形成。

[0090] 作为后段处理用的单位块的第三单位块B3和第四单位块B4相同地构成，进行液浸曝光用的保护膜的形成和晶片W的背面侧的清洁。作为显影处理用的单位块的第五单位块B5和第六单位块B6同样地构成，对液浸曝光后的晶片W进行显影处理。如此，每2层设置有对晶 片W进行同样处理的单位块。此外，为了方便，第一～第四单位块B1～B4称为涂覆块，第五～第六单位块B5～B6称为显影块。在该第一实施方式中，第一和第二单位块B1、B2相当于前段涂覆用的单位块，第三和第四单位块B3、B4相当于后段涂覆用的单位块。

[0091] 这些单位块B1～B6，具备液处理模块、加热模块、作为单位块用的搬送单元的主臂A、上述主臂A移动的搬送区域R1，在各单位块B，这些配置布局为相同结构。在各单位块B，通过主臂A相互独立地搬送晶片W进行处理。上述搬送区域R1为从载体块S1向接口块S3延伸的直线搬送路径。图1中表示了第一单位块B1，以下，作为代表说明第一单位块B1。

[0092] 在该第一单位块B1的中央形成有上述搬送区域R1。在从载体块S1向接口块S3侧看该搬送区域R1的左右分别配置有液处理单元21、架单元U1～U6。

[0093] 在液处理单元21设置有防反射膜形成模块BCT1、BCT2、抗蚀剂膜形成模块COT1、COT2，从载体块S1侧向接口块S3侧依次排列有BCT1、BCT2、COT1、COT2。防反射膜形成模块BCT和抗蚀剂膜形成模块COT具备旋转卡盘(chuck)22。旋转卡盘22构成为吸附保持晶片W的背面中央部，并且围绕铅直轴自由旋转。图中23为处理罩，上侧开口。处理罩23包围旋转卡盘22的周围，抑制药液的飞散。处理晶片W时，在该处理罩23内收容晶片W，晶片W的背面中央部保持于旋转卡盘22。

[0094] 此外，在防反射膜形成模块BCT1、BCT2设置有这些模块共用的喷嘴24。图中25为支承喷嘴24的臂，图中26为驱动机构。驱动机构26通过臂25在各处理罩23的排列方向上移动喷嘴24，并且通过臂25升降喷嘴24。通过驱动机构26，喷嘴24在防反射膜形成模块BCT1的处理罩23上和防反射膜形成模块BCT2的处理罩23上之间移动，向交接到各旋转卡盘22的晶片W的中心喷出防反射膜形成用的药液。供给的药液利用通过上述旋转卡盘22围绕铅直轴旋转的晶片W的离心力，向晶片W的周边延展，形成防反射膜。此外，虽然省略图示，但防反射膜形成模块BCT1、BCT2具备向晶片W的周端部供给溶剂，并除去该周端部不需要的膜的喷嘴。

[0095] 抗蚀剂膜形成模块COT1、COT2与防反射膜形成模块BCT1、BCT2同样地构成。即，抗蚀剂膜形成模块COT1、COT2具备用于处理各个晶片W的处理罩23和旋转卡盘22，各个处理罩23和旋转卡盘22共有喷嘴24。但是，从该喷嘴24供给抗蚀剂代替防反射膜形成用药液。此外，在此，说明了每1个液处理模块设置有各处理罩23，2个液处理模块共有1个喷嘴24的情况，但是也能够见到1个液处理模块具备1个喷嘴24和2个处理罩23，喷嘴24由2个处理罩23共有。

[0096] 架单元U1～U6从载体块S1侧向接口块S3侧依次排列。各架单元U1～U5构成为：进行晶片W的加热处理的加热模块例如叠层为2层。因此，单位块B1具备10个加热模块，各加热模块为HP100～HP109。架单元U6构成为：层叠有对涂覆抗蚀剂后的晶片W进行周边曝光的周边曝光模块WEE1、WEE2。

[0097] 在上述搬送区域R1设置有上述主臂A1，该主臂A1构成为：能够自由进退、自由升降、围绕铅直轴自由旋转、在处理块S2的长度方向上自由移动，能够在单位块B1的全部的模块之间进行晶片W的交接。

[0098] 对其他单位块进行说明。第二单位块B2与已述的第一单位块B1同样地构成，设置有防反射膜形成模块BCT3、BCT4和抗蚀剂膜形成模块COT3、COT4。此外，作为构成各架单元U1～U5的加热模块，设置有HP200～209这10个。作为构成架单元U6的周边曝光模块，设置有WEE3、WEE4这2个。

[0099] 第三单位块B3与第一单位块B1大致相同地构成，差异点如下：具备液浸曝光用保护膜形成模块TCT1、TCT2代替防反射膜形成模块BCT1、BCT2。此外，具备背面清洁模块BST1、BST2代替抗蚀剂膜形成模块COT1、COT2。保护膜形成模块TCT1、TCT2向晶片W供给形成防水性保护膜用的药液，除此之外与防反射膜形成模块BCT同样地构成。即，各保护膜形成模块TCT1、TCT2具备处理各晶片W用的处理罩23和旋转卡盘22，喷嘴24为这2个处理罩23和旋转卡盘22共有。

[0100] 背面清洁模块BST1、BST2，分别设置有对晶片W的背面和周边的斜角部供给清洁液，并对晶片W的背面进行清洁的喷嘴，代替设置向晶片W表面供给药液的喷嘴24。除了这个不同之外，与防反射膜形 成模块BCT同样地构成。此外，背面清洁模块BST也可以构成为只对晶片W的背面侧进行清洁或者只对上述斜角部进行清洁。此外，第三单位块B3的架单元U6，也可以代替周边曝光模块WEE而由加热模块构成。该架单元U1～U6的加热模块为HP300～311。

[0101] 第四单位块B4与已述的第三单位块B3同样地构成，设置有保护膜形成模块TCT3、TCT4和背面清洁模块BST3、BSTT4。第四单位块B4的架单元U1～U6由加热模块HP400～411构成。

[0102] 第五单位块B5与单位块B1为大致相同的结构，差异点在于：具备显影模块DEV1～DEV4代替防反射膜形成模块BCT1和抗蚀剂膜形成模块COT。显影模块DEV向晶片W供给显影液代替抗蚀剂，除此之外，与抗蚀剂膜形成模块COT为相同的结构。此外，第五单位块B5的架单元U1～U6由加热模块HP500～HP511构成。

[0103] 第六单位块B6与单位块B5同样地构成，设置有显影模块DEV5～DEV8。此外，第六单位块B6的架单元U1～U6由加热模块HP600～HP611构成。

[0104] 各单位块的液处理单元21中，向晶片W供给的药液，向例如涂覆显影装置的下方侧设置的未图示的排液路径排出。在防反射膜形成模块BCT、抗蚀剂膜形成模块COT和保护膜形成模块TCT中，供给到晶片W的药液的粘度比显影液的粘度高。因此，该实施方式中，将显影模块DEV配置在上侧的单位块，其他的液处理模块配置在下侧的单位块，由此能够使得各药液迅速排出。其结果，能够防止在各处理模块中的药液的挥发，能够防止液处理单元21内的处理环境变化。

[0105] 在搬送区域R1的载体块S1侧，如图1和图3所示，设置有跨越各单位块B的架单元U7。以下，说明架单元U7的结构。架单元U7由相互叠层的多个模块构成，在第一单位块B1的主臂A1能够访问的高度位置设置有疏水化处理模块ADH1、ADH2和交接模块CPL1～CPL3。在第二单位块B2的主臂A2能够访问的高度位置设置有疏水化处理模块ADH3、ADH4和交接模块CPL4～CPL6。说明中，记载为CPL的交接模块具备对所载置的晶片W进行冷却的冷却工作台。记载为BU的交接模块构成为，能够收容多枚晶片W，并能够使晶片W停留。

[0106] 此外，疏水化处理模块ADH1～ADH6，向晶片W供给处理气体，提高晶片W表面的疏水性。由此，液浸曝光时能够抑制各膜从晶片W的剥离。特别是通过提高晶片W的斜角部(周端部)的疏水性，即使是在各液处理模块中该周端部的膜被除去而暴露晶片W的表面的状态，该表面具有防水作用，也能够以抑制在液浸曝光时各膜从该周端部剥离的方式进行处理。

[0107] 此外，在单位块B3、B4的主臂A3、A4能够访问的高度位置设置有交接模块CPL7～CPL8、CPL9～CPL10。并且，在载体块S1的交接臂13能够访问的高度位置设置有交接模块BU1和CPL0。交接模块BU1，为了接收从已述的交接臂13搬送的晶片W，在上下方向具备5个晶片W的保持部。交接模块CPL0是为了使显影处理过的晶片W返回载体C而使用。

[0108] 在单位块B5的主臂A5能够访问的高度位置设置有交接模块CPL12～CPL13和BU2，在单位块B6的主臂A6能够访问的位置设置有交接模块CPL14～CPL15和BU3。

[0109] 在架单元U7上设置有检查模块31。从单位块B5、B6搬出晶片W时，搬入检查模块31的晶片W被搬送到交接模块BU2、BU3。没有搬入检查模块31的晶片W被搬入交接模块CPL12～15。如此，通过分开使用交接模块，以按照上述序号的顺序、即按照从载体C搬出的顺序使晶片W返回载体C的方式控制晶片W的搬送。

[0110] 此外，处理块B2中，在架单元U7附近设置有能够自由升降、自由进退的作为第一交接机构的交接臂30，在架单元U7的各模块之间搬送晶片W。

[0111] 对上述检查模块31进行更详细的说明。如后文所述，根据选择的检查模式，将抗蚀剂膜形成后的晶片W或显影处理后的晶片W搬入检查模块31。关于抗蚀剂膜形成后的晶片W，例如检查抗蚀剂膜的表面的异物的有无和抗蚀剂的膜厚。

[0112] 显影处理后的晶片W被搬送到检查模块31的情况下，进行显影后缺陷的检查。该显影后缺陷分类为显影处理引起的缺陷、显影处理和涂覆处理引起的缺陷，作为显影处理引起的缺陷，有例如图案毁坏、线宽异常、抗蚀剂溶解不良，显影后的泡、异物、抗蚀剂图案之间的 桥接(bridge)缺陷和溶解生成物(残渣)的残留导致的图案缺陷(残渣缺陷)。作为涂覆处理和显影处理引起的缺陷，例如有图案毁坏和图案的线宽的局部异常。

[0113] 该实施方式中，这些各缺陷的有无作为检查项目设定。在执行后述的各检查模式时，检查模块31将得到的检查数据输送到后述的控制部51。后述的控制部51基于该检查数据，判定各缺陷的有无。

[0114] 接着，参照图5说明接口块S3的结构。接口块S3中，在各单位块的主臂A1～A6能够访问的位置设置有架单元U8。架单元U8，在与第三单位块B3～第六单位块B6对应的位置具备交接模块BU4。关于交接模块BU4后述。交接模块BU4的下方相互叠层地设置有交接模块TRS、CPL16～CPL18。

[0115] 在接口块S3叠层设置有例如4个曝光后清洁模块PIR1～PIR4。各曝光后清洁模块PIR与抗蚀剂膜形成模块COT同样地构成，向晶片W表面供给除去保护膜和清洁用的药液代替抗蚀剂。

[0116] 此外，在接口块S3设置有3个接口臂32、33、34。接口臂32、33、34构成为能够自由升降、自由进退，并且接口臂32构成为在水平方向能够自由移动。接口臂32访问曝光装置S4、交接模块TRS、CPL16～CPL18，在它们之间交接晶片W。接口臂33访问交接模块TRS、CPL16～CPL18和BU4，在这些模块之间交接晶片W。接口臂34访问交接模块BU4和曝光后清洁模块PIR1～PIR4，在这些模块之间交接晶片W。接口臂32～34构成第二交接机构。

[0117] 参照图6对交接模块BU4进行说明。交接模块BU4具备在周方向上配置的支柱41。一个支柱41和另一个支柱41之间铺设有电线42，电线42、42相互交叉形成组。该电线42、42的组在相互不同的高度位置设置有多个，电线42、42的交叉部分上设置有例如圆形的支承部43。晶片W水平支承在支承部43上。图6中只表示了5个支承部43，但以向各阶层交接晶片W的方式向上方设置有多个。接口臂33、34和主臂A3～A6能够进入支柱
41之间，进入的各臂通过升降动作在与支承部43之间交接晶片W。交接模块BU1～BU3例如与BU4同样地构成。

[0118] 接着，参照图7对设置于涂覆显影装置1的控制部51进行说明。 图中的52为总线，在总线52连接有进行各种运算的CPU53。并且在总线52连接有程序存储部57，该程序存储部57中存储有处理程序54、搬送程序55和判定程序56。处理程序54向涂覆显影装置1的各部输出控制信号，对各晶片W进行药液、清洁液的供给、加热等的处理。

[0119] 搬送程序55，依照所选择的检查模式和判定程序56的判定结果，向各单位块B1～B6的主臂A1～A6、交接臂30和接口臂32～34输出控制信号，控制晶片W的搬送。判定程序56，基于例如从检查模块31输送的检查数据，判定晶片W的处理的异常的有无。

[0120] 总线52与存储器61连接，该存储器61存储各晶片W的搬送时间表和检查模块31的检查结果。图8中，例示了存储器61中包括的搬送时间表存储区域63中存储的数据的一个例子。该图的数据为通过利用检查模块31的检查，判断为晶片W没有异常时的通常的搬送时间表。

[0121] 搬送时间表存储区域63中相互对应存储晶片W的ID、该晶片W的搬送目的地的模块、和搬送的模块的顺序。例如图中的晶片A1依次被搬送到防反射膜形成模块BCT1、加热模块HP100、抗蚀剂膜形成模块COT1、加热模块HP101、周边曝光模块WEE1、保护膜形成模块TCT1、加热模块HP300、背面清洁模块BST1、加热模块500、显影模块DEV1和加热模块501。

[0122] 此外，该例中，设定为晶片W按照第一单位块B1→第三单位块B3→第五单位块B5的顺序被搬送，或者按照第二单位块B2→第四单位块B4→第六单位块B6的顺序被搬送。并且，某晶片W被搬送到第一单位块B1时，下一个晶片W被搬送到第二单位块B2，再下一个晶片W被搬送到第一单位块B1。如此，持续从载体C送出来的晶片W，交替分配到不同的单位块B。

[0123] 接着，参照图9说明存储器61包含的检查结果存储区域60。该检查结果存储区域60，为关于各晶片按照已述的检查项目存储有无异常的区域。此外，对于有异常的晶片W，如后所述，存储处理过该晶片W的模块和处理过该晶片W的单位块。

[0124] 此外，检查结果存储区域60存储每个检查项目设定的搬送停止基准。该搬送停止基准为，用于停止向处理过被检查出异常的晶片W的 单位块B或处理模块搬送后续的晶片W的基准。关于由上述的检查模块31检查的检查项目，在发生异常的频率相当于该搬送停止基准的情况下启动上述搬送的停止。

[0125] 作为例子，如图9所示，关于对图案毁坏设定的搬送停止基准进行说明。当针对后述的每个单位块B选择停止搬送的模式的情况下，如果所检查的晶片W中初次检测出图案毁坏，其后，如果通过与该晶片W通过的单位块B相同的单位块B而被检查的5枚晶片W中的2枚以上的晶片W被检测出图案毁坏，则停止向该单位块B搬送后续的晶片W。此外，在针对每个处理模块选择停止搬送的模式的情况下，当检查的晶片W中首次检测出图案毁坏时，如果通过与上述晶片W所通过的处理模块相同的处理模块而被检查的5枚晶片W中的2枚以上的晶片W被检查出图案毁坏，则停止向该处理模块的搬送。此外，上述5枚晶片W中，检查出图案毁坏的晶片W为1枚或0枚，则在检查该5枚晶片W之后，到再次检查出图案毁坏时，重新在检查5枚晶片W中的2枚以上的晶片W被检查出图案毁坏的情况下，停止向单位块或处理模块的搬送。

[0126] 对于图9的抗试剂溶解不良、显影后的泡，设定与图案毁坏大致相同的搬送停止基准，但是，这些检查项目与图案毁坏的情况不同，一旦检查出缺陷后被检查的晶片W的5枚中的1枚晶片W检查出图案毁坏，则停止向上述单位块B的搬送。此外，关于图9的残渣缺陷，检测后迅速对处理该晶片W的单位块或处理模块进行搬送的停止处理。这样的搬送停止基准，针对每个已述的检查项目设定。由此，在晶片W偶然发生缺陷的情况下，能够抑制启动向单位块或处理模块的搬送停止。

[0127] 返回图7继续说明。在总线52连接有设定部64。设定部64例如由键盘、鼠标、触摸面板等构成，能够设定在检查模块31进行的检查。图10中，表示从该设定部64能够设定的检查和检查模式。作为上述检查，有显影处理后检查C1和抗蚀剂膜形成后检查C2，由用户选择任意一个。显影处理后检查C1中，将在第五或第六单位块B5、B6接收显影处理的晶片W搬送到检查模块31进行检查。在抗蚀剂膜形成后检查C2中，在第一或第二单位块B1、B2形成抗蚀剂膜的晶片W， 搬送到检查模块31进行检查。

[0128] 选择显影处理后检查C1的情况下，用户进一步选择：使向检查出异常的晶片W所通过的单位块的搬送停止的模式，或者使向上述晶片W通过的每个处理模块停止搬送晶片W的模式。作为停止向单位块的搬送的模式，有模式D1、D2、D3这3种。这些模式D1～D3，在晶片W检查出异常时，停止后续的晶片W的搬送的单位块不同。在模式D1，停止向单位块B5、B6中任一个的单位块搬送后续的晶片W。在模式D2，除了单位块B5、B6中的任一个，还停止向单位块B1、B2中的任一个搬送后续的晶片W。在模式D3，停止向单位块B1、B2中的任一个、B3、B4中的任一个，B5、B6中的任一个搬送后续的晶片W。

[0129] 作为停止向每个上述处理模块的晶片W的搬送的模式，有模式D4、D5、D6这三种。这些模式D4～D6，在晶片W检查出异常时，向哪个单位块的处理模块停止后续的晶片W的搬送是不同的。在模式D4，停止向单位块B5、B6中的任一个的处理模块的搬送。在模式D2，停止向单位块B5、B6中的任一个的处理模块的搬送，还停止对单位块B1、B2中的任一个的处理模块的搬送。在模式D3，停止向单位块B1、B2中的任一个的处理模块的搬送、和停止向B3、B4中的任一个处理模块的搬送、以及停止向B5、B6中的任一个的处理模块的搬送。

[0130] 此外，选择抗蚀剂膜形成后检查C2的情况下，用户进一步选择停止向每个单位块B的搬送的模式D7、停止向每个处理模块的搬送的模式D8中的任一个。此外，关于与权利要求的范围的对应，模式D1、D2、D3与M2、M5、M6分别对应。模式D4、D5、D6与M1、M3、M4分别对应。模式D7、D8与N2、N1分别对应。

[0131] 用户，还可以从设定部64指定晶片W的ID，决定作为检查对象的晶片W。此外，在总线52连接有例如由显示器等构成的显示部65。在显示部65显示例如搬送时间表或针对各晶片的每个检查项目的检查结果。

[0132] (模式D3)

[0133] 以进行显影处理后检查C1，停止向每个单位块的搬送为例，对在模式D1～D3中作为代表选择模式D3的情况进行说明。首先，参照图 11，说明涂覆显影装置1中的晶片W的搬送路径。首先，从载体C将晶片W通过交接臂13搬送到交接模块BU1。从交接模块BU1搬送到第一单位块B1的情况下，如图11(a)所示，晶片W通过交接臂30搬送到疏水化处理模块ADH1、ADH2，接收疏水化处理，搬送到交接模块CPL1。

[0134] 搬送到交接模块CPL1，主臂A1将该晶片W按照防反射膜形成模块BCT1、BCT2→加热模块HP100～109→交接模块CPL2→抗蚀剂膜形成模块COT1、COT2→加热模块HP100～109→周边曝光模块WEE3、WEE4→交接模块CPL3的顺序搬送，在晶片W上依次形成防反射膜、抗蚀剂膜。

[0135] 利用交接臂30将晶片W从交接模块CPL3搬送到第三单位块B3的交接模块CPL7，主臂A3将该晶片W按照保护膜形成模块TCT1、TCT2→加热模块HP300～311→交接模块CPL8→背面清洁模块BST1、BST2→交接模块BU4的顺序搬送，在晶片W上形成保护膜，再进行背面清洁。

[0136] 通过接口臂33，上述晶片W按照交接模块CPL16～CPL18→接口臂32→曝光装置S4的顺序被搬送，接收液浸曝光处理。曝光处理后，晶片W按照接口臂32→交接模块TRS→接口臂33→交接模块BU4→接口臂34→曝光后清洁模块PIR1～PIR4→接口臂34→交接模块BU4中的第五单位块B5的高度位置的顺序被搬送。

[0137] 接着，上述晶片W，通过主臂A5，按照加热模块HP500～511→交接模块CPL12→显影模块DEV1～DEV4→交接模块BU2→交接臂30→检查模块31的顺序被搬送、检查。检查后的晶片W，按照检查模块31→交接臂30→交接模块BU1的顺序被搬送，从交接臂13返回载体C。设定为不在检查模块31进行检查的晶片W，在显影模块DEV1～DEV4处理后，按照交接模块CPL14、CPL15→检查模块31→交接臂30→交接模块CPL0→交接臂13→载体C的顺序被搬送。

[0138] 晶片W从缓冲模块BU1搬送到第二单位块B2、B4、B6的情况下也与在搬送到上述单位块B1、B3、B5的情况下对晶片W进行同样处理。图11(b)中表示通过这样的单位块B2→B4→B6的情况下的搬送路径。

[0139] 以下，简单说明搬送路径，上述晶片W，按照交接臂30→疏水化处理模块ADH3、ADH4→交接臂30→交接模块CPL4的顺序被搬送。接着，主臂A2，将晶片W按照防反射膜形成模块BCT3、BCT4→加热模块HP200～209→交接模块CPL5→抗蚀剂膜形成模块COT3、COT4→加热模块HP200～209→周边曝光模块WEE3、WEE4→交接模块CPL6进行搬送。其后，晶片W按照交接臂30→交接模块CPL9的顺序被搬送，通过主臂A4，按照保护膜形成模块TCT3、TCT4→加热模块HP400～411→交接模块CPL10→背面清洁模块BST3、BST4→交接模块BU4的顺序进行搬送。

[0140] 在接口块S3，上述晶片W与被搬送到第一和第三单位块B的晶片W同样地被搬送，接收曝光处理和曝光后清洁处理，然后交接到交接模块BU4的第六单位块B6的高度位置。之后，上述晶片W通过主臂A6，按照加热模块HP600～611→交接模块CPL14→显影模块DEV5～DEV8→加热模块HP600～611→交接模块BU3→交接臂30→检查模块31→交接臂30→交接模块CPL0→载体C的顺序被搬送。

[0141] 表示了晶片W在检查模块31中被检查的情况下的路径，对于不是检查对象的晶片W，在上述搬送路径中，按照显影、加热后处理、交接模块CPL14、15→交接臂30→交接模块CPL0→交接臂13→载体C的顺序被搬送。

[0142] 参照图12，对由控制部51停止向单位块B的搬送的工序进行说明。在上述路径中搬送晶片W的期间，判定程序56基于从检查模块31发送的检查数据，判定已述的各检查项目有无异常，将该判定结果存储在检查结果存储区域60。然后，当判定有异常时，基于搬送时间表存储区域63的搬送时间表，确定处理过检查出异常的晶片W的处理模块和单位块B。并且，将晶片的ID和有异常的检查项目、上述处理模块和单位块B对应，存储在存储器61的检查结果存储区域60(步骤S1)。

[0143] 接着，判定程序56，基于检查结果存储区域60中存储的过去的晶片W的检查履历，判定是否符合对该检查项目设定的已述的搬送停止基准(步骤S2)。例如，有异常的检查项目为图案毁坏的情况下，如已述通过同样的单位块B的晶片W，最初发生图案毁坏后，进行5枚晶 片W的检查期间，判定是否有2枚以上的晶片W发生图案毁坏。判定为与搬送停止基准不相符的情况下，继续利用单位块B1～B6进行处理。

[0144] 判定与搬送停止基准相符的情况下，在步骤S1停止由对检查出异常的晶片W进行处理的单位块B5或B6的各处理模块进行的晶片W的处理和主臂A的动作。然后，搬送程序55，使用单位块B5、B6中没有停止处理模块和主臂A的动作的单位块进行处理，重写搬送时间表。并依据该搬送时间表，搬送晶片W，进行处理(步骤S3)。

[0145] 图13(a)、(b)表示了作为一例向第五单位块B5的晶片W的搬送停止的情况下的搬送路径，如该图所示，在第一～第四的单位块B1～B4接收处理的晶片W，全部搬入第六单位块B6。与该例相反，停止向第六单位块B6的搬送的情况下，在第一～第四单位块B1～B4接收处理的晶片W，全部搬入第五单位块B5。

[0146] 如此，只使用一个显影块继续进行处理。然后，当在晶片W检查出异常时，判定程序56与步骤S1同样地基于搬送时间表存储区域63的搬送时间表，确定处理过检查出异常的晶片W的处理模块和单位块，将晶片的ID和有异常的检查项目、上述处理模块和单位块B对应，存储在存储器61内(步骤S4)。

[0147] 接着，判定程序56参照在向单位块B5或B6的搬送停止后的晶片W的检查履历，判定是否与对该检查项目设定的单位块的搬送停止基准相符合(步骤S5)。在判定不相符的情况下，继续通过单位块B1～B4和B5或B6进行处理。

[0148] 在判定为与搬送停止基准相符合的情况下，判定程序56，判定有异常的检查项目是否与在步骤S2、S3使单位块B5或B6停止时判定为异常的检查项目相同(步骤S6)。在步骤S6，判定为相同的检查项目的情况下，判定程序56进一步判定是否与在步骤S1判定为异常的晶片W所通过的涂覆块、在步骤S4判定为异常的晶片W所通过的涂覆块一致(步骤S7)。

[0149] 在步骤S7，判定为涂覆块一致的情况下，上述检查项目的异常认为是由于在涂覆块的处理而引起的，停止该涂覆块进行的晶片W的处理和主臂A的动作。即，单位块B1和B3、B2和B4的任一方中的晶 片W的处理停止。搬送程序55改写搬送时间表，使得使用单位块B1～B4中进行工作的单位块进行处理。然后，依照该搬送时间表，晶片W被搬送，继续进行处理(步骤S8)。

[0150] 例如，如图13所示从向单位块B5的搬送停止的状态开始，与向该单位块B5的搬送成为停止时相同的检查项目的异常如果继续，则依照上述步骤S6～S8，停止向单位块B1、B3的搬送。然后，所有的晶片W，以图9所示的单位块B2→B4→B6的路径为序被搬送。

[0151] 步骤S6中，判定为与停止显影块时变成异常的检查项目不同时，或者在步骤S7中，判定为成为异常的涂覆块不同的情况下，例如，继续向工作中的各单位块的搬送，在步骤S5中判定为与搬送停止基准相符合的检查项目，在显示部65中显示(步骤S9)。

[0152] 选择模式D1、D2时，进行与上述模式D3大致相同的处理工序。对差异点进行说明：在选择模式D1时，实施从上述步骤S1到S3的工序。因此，向单位块B1～B4的晶片W的搬送不停止。此外，选择模式D2时，实施上述的步骤S1～S9的工序，在步骤S8向单位块B3和B4的晶片W的搬送不停止。

[0153] (模式D7)

[0154] 接着，说明以进行抗蚀剂膜形成后检查C2的方式进行设定，并且选择针对每个单位块使搬送停止的模式D7的情况。作为抗蚀剂膜形成后检查C2执行时的晶片W的搬送路径，结束抗蚀剂涂覆处理，搬入到交接模块CPL4、CPL6的晶片W，由交接臂30搬入到检查模块31。在检查模块31被检查后，通过交接模块CPL9、CPL12搬入第三、第四单位块。显影处理后的晶片W按照交接模块CPL13、CPL15→交接模块BU1的顺序返回载体C。除了上述不同，与显影处理后检查C1执行时同样地搬送晶片W。

[0155] 该模式D7执行时，与显影处理后检查模式执行时同样，针对每个检查项目检查晶片W的异常，执行步骤S1～S2的处理。然后，在步骤S2判定为不与搬送停止基准相符合的情况下继续进行处理。判定为与搬送停止基准相符合的情况下，停止利用对检查出异常的晶片W进行处理的单位块B1或B2的各处理模块进行的晶片W的处理和主臂A的动作。然后，搬送程序55重写搬送时间表，使得使用单位块B1、 B2中处理模块和臂的动作没有停止的一方的单位块进行处理。

[0156] 图14作为一例表示向第二单位块B2的晶片W的搬送停止的情况下的搬送路径，如该图所示，后续的晶片W从载体C全部搬入第一单位块B1。然后从第一单位块B1分配给第三、第四单位块B3、B4。反之，停止向第一单位块B1的搬送的情况下，后续的晶片W全部从载体C搬入第一单位块B1。

[0157] (模式D6)

[0158] 接着，以进行显影处理后检查C1、针对每个处理模块停止搬送为例，模式D4～D6中，以选择模式D6的情况为代表进行说明。以下，参照图15对模式D6执行时的流程，以与模式D3的差异点为中心进行说明。在晶片W检查出异常的情况下，基于搬送时间表，在单位块B5、B6中，确定处理该晶片W的处理模块。将晶片的ID和变得异常的检查项目以及上述处理模块对应存储在存储器61中(步骤S11)。接着，判定程序56，基于检查结果存储区域60的数据，针对在步骤S11中确定的处理模块的每个，判定上述各处理模块是否与搬送停止基准相符合(步骤S12)。

[0159] 在判定哪一个处理模块都与搬送停止基准不相符的情况下，继续向各处理模块的晶片W的搬送。存在与搬送停止基准相符合的处理模块的情况下，停止在该处理模块中的晶片W的处理(步骤S13)。然后，以除了像这样停止处理的模块以外进行搬送的方式设置搬送时间表，继续晶片W的搬送和处理。

[0160] 继续晶片W的处理，接着，晶片W发生异常时，判定程序56与步骤S11同样地，将异常的晶片的ID、变得异常的检查项目、显影块中处理该晶片W的处理模块相对应，存储在检查结果存储区域60中(步骤S14)。然后与步骤S12同样，判定程序56，对在步骤S14中确定的处理模块的每个，基于检查结果存储区域60的数据，判定是否存在与搬送停止基准相符合的模块(步骤S15)。

[0161] 然后，当与搬送停止基准相符合的检查项目存在时，则判定程序56，判定该检查项目是否为与步骤S13中停止向处理模块的搬送的检查项目相同的检查项目(步骤S16)。判定为不是相同的检查项目的情况下，执行步骤S13之后的处理，在显影块中，停止向该与搬送停止 基准相符合的处理模块的搬送。

[0162] 在步骤S16，判定为相同的检查项目的情况下，判定程序56基于搬送时间表在单位块B1～B4中确定步骤S14中处理过检查出异常的晶片W的处理模块。然后，所确定的处理模块中的晶片W的处理停止。进一步，以除了像这样的停止处理的处理模块以外进行搬送的方式设定搬送时间表，继续晶片W的搬送和处理(步骤S17)。

[0163] 在此，执行该模式D6的情况下，对搬送停止的处理模块进行补充说明。例如，在上述步骤S11，在晶片W上检测出图案毁坏，该晶片W在显影模块DEV1和加热模块600接收处理的情况下，参照过去在DEV1接收处理的晶片W的检查结果，判定各处理模块与搬送停止基准是否相符合。进一步，参照过去在加热模块600接收处理的晶片W的检查结果，判定是否与搬送停止基准相符合。然后，DEV1和加热模块600中，对于判定为与搬送停止基准相符合的处理模块，停止向该处理模块的搬送。如此，对每个处理模块分别判定是否与搬送停止基准相符合。

[0164] 但是，显影模块DEV1和DEV2、DEV3和DEV4、DEV5和DEV6、DEV7和DEV8，分别共有喷嘴24。像这样在共有喷嘴24的DEV中，决定停止向一个DEV的搬送时，则决定向另一个DEV的搬送也停止。因此，向DEV1的搬送停止时，向DEV2的搬送也停止。

[0165] 此外，关于防反射膜形成模块BCT、抗蚀剂膜形成模块COT和保护膜形成模块TCT，共有在各单位块设置的2个喷嘴。因此，为了防止在各单位块的处理停止，在步骤S17使向这些液处理模块的搬送不停止，取而代之，在步骤S15，将处理过与停止基准相符合的晶片W的各液处理模块与变得异常的检查项目对应，显示在显示部65。

[0166] 但是，选择模式D4、D5时，进行与上述模式D6大致相同的处理工序。对差异点进行说明：选择模式D4时，实施从上述的步骤S11到S13的工序。因此，不停止向单位块B1～B4的处理模块的搬送。此外，选择模式D5时，实施上述步骤S11～步骤S17的工序，但是在步骤S17中不停止向单位块B3和B4的处理模块的搬送。

[0167] (模式D8)

[0168] 接着，对以进行抗蚀剂涂覆后检查C2的方式进行设定，并且选择 针对每个处理模块停止晶片W的搬送的模式D8的情况，以与选择模式D6时的差异点为中心进行说明。执行模式D8时，与执行模式D7时同样地进行晶片W的搬送。即，在单位块B1、B2结束处理的晶片W被搬送到检查模块31。并且，在晶片W被检查出异常的情况下，与模式D6同样地，判定每个处理过该晶片W的处理模块是否与搬送停止基准相符合，在与搬送停止基准相符合的情况下，停止向该处理模块的搬送。在该模式D8中，由于检查抗蚀剂涂覆后的晶片W，所以搬送停止的处理模块为单位块B1、B2的处理模块。向处理模块的搬送，基于在模式D6已说明的规则停止。即，关于防反射膜形成模块BCT和抗蚀剂膜形成模块COT，即使与搬送停止基准相符合，也继续对这些处理模块的搬送。

[0169] 根据该涂覆显影装置1，将防反射膜和抗蚀剂膜的形成用的模块配置在二层化的单位块B1、B2中，将抗蚀剂膜的上层侧的膜的形成和进行曝光前的处理例如基板的背面清洁的模块配置在二层化的单位块B3、B4中，并且在这些单位块B1～B4上，进一步上下层叠二层化的显影处理用的单位块B5、B6。因此，处理块的进深尺寸能够设定为适宜的大小，并且能够减小设置面积。此外，由于将各单位块二层化，即使一个单位块发生异常，或者进行故障时的修理、或定期检查、调整确认等的维修时，也能够使用另一个单位块，能够抑制工作效率的降低。并且，显影后通过检查模块31的检查检测出晶片W异常时，基于存储器61存储的数据，准备向先前的晶片W所通过的单位块以外的单位块搬送的模式，和将后续的晶片W的搬送向先前的基板所通过的模块以外的模块搬送的模式，因此，能够对应于工作效率、后续控制的晶片W的处理枚数、晶片W的异常状态等、与此时的状况相对应地灵活应对。并且在该例中，用户通过选择模式D1～D6，在晶片W发生异常时，能够选择停止搬送的单位块和包括停止搬送的模块的单位块。此外，该涂覆显影装置1具备：检查抗蚀剂涂覆后的晶片W，使对处理该晶片W的单位块或者处理模块的搬送停止的模式D7、D8。通过具备这些模式D1～D8，用户根据检查出异常时的状况，能够更灵活地应对。此外，2层化是指以对晶片W分别进行同样处理的方式构成单位块即可，不限制在各单位块中排列或模块数相同。

[0170] 此外，在上述模式D2、D3中阶段性的进行向显影块的搬送停止和向涂覆块的搬送停止，由此能够抑制使向没有必要停止搬送的涂覆块的搬送停止，能够更可靠的抑制涂覆显影装置1的工作效率的降低。但是，不限于像这样阶段性地停止向各单位块的搬送。例如，执行模式D2、D3时，在晶片W检测出包括图案毁坏、线宽的局部异常等、包含涂覆工序因素的显影缺陷的情况下，也可以同时停止处理过该晶片W的显影块和涂覆块的搬送。对于上述模式D5、D6也同样，阶段性的停止向显影块的处理模块的搬送、向涂覆块的处理模块的搬送，因此能够更可靠的抑制涂覆显影装置1的工作效率的降低，也可以同时停止向这些处理模块的搬送。

[0171] 此外，执行模式D4～D6时，对于液处理模块BCT、COT、TCT、BST和DEV，也可以针对各处理罩(cup)的每个控制晶片W的搬送的停止。即，停止向这些各处理模块中处理过发生了异常的晶片W的处理罩23的晶片W的搬送，向与该处理罩23共有喷嘴24的处理罩23的晶片W的搬送继续。此外，关于BCT、COT、TCT和BST，决定停止向这些液处理模块的搬送停止的情况下，也可以代替继续向这些液处理模块搬送，而停止向包括该液处理模块的单位块的晶片W的搬送。此外，如上所述，针对每个处理罩23使晶片W的搬送停止的情况下，为了调整装置内的晶片W的处理枚数，例如不使用1个BCT的处理罩23的情况下，能够设定为不使用相同单位块的一个的COT的处理罩23。同样，例如不使用1个COT的处理罩
23的情况下，能够设定为也不使用相同单位块的1个BCT。如此，与向COT和BCT的处理罩
23的搬送停止的单位块相同结构的单位块中，也停止向COT的1个处理罩23和BCT的1个处理罩23的搬送，也可以调整晶片W的处理枚数。

[0172] 此外，上述涂覆显影装置1中，接口块S3也可以如图16所示那样构成。在该例中，晶片W通过接口块S3向单位块B1、B2→B3、B4搬送。说明与图5所示的接口块S3的差异点，在对应于单位块B1、B2的高度位置分别设置交接模块BU5、BU6。在与单位块B3对应的高度位置设置有交接模块BU7、BU8。在与单位块B4对应的高度位置，设置有交接模块BU9、BU10。此外，在对应于单位块B5、B6的高度 位置分别设置有交接模块TRS1、TRS2。此外，设置有交接模块BU11。各交接模块相互叠层。

[0173] 在单位块B1、B2结束处理的晶片W，分别被搬送到交接模块BU5、BU6，再通过接口臂33被搬送到交接模块BU7、BU8。搬送到交接模块BU7、BU8的晶片W，通过交接臂A3、A4分别搬入单位块B3、B4接收处理。在单位块B3、B4接收处理的晶片W，被搬送到交接模块BU9、BU10，通过接口臂33搬送到交接模块CPL14、CPL15。之后，晶片W与图5的例子同样地，依次搬送到曝光装置S4→交接模块TRS，然后，搬送到交接模块TRS→接口臂33→交接模块BU11→交接模块TRS1、TRS2，通过主臂A5、A6搬送到单位块B5、B6。

[0174] 此外，在上述实施方式中，将在TCT1～TCT4形成保护膜，在加热模块HP300～311或HP400～411被加热的晶片W搬送到检查模块31，进行检查。这种情况下，例如关于检查出异常的晶片W，停止向在该晶片W形成防反射膜、抗蚀剂膜和保护膜的单位块的搬送，或者停止向上述单位块所包括的处理过该晶片W的模块的搬送。

[0175] 上述例子中，TCT也可以不是保护膜形成模块，而是在抗蚀剂膜的上层形成防反射膜的模块。此外，在疏水化处理模块ADH的疏水化处理，代替在防反射膜形成模块BCT中形成防反射膜之前进行，而在上述防反射膜的形成后，抗蚀剂涂覆前进行也可以，在抗蚀剂涂覆后，将晶片W搬送到单位块B3、B4前进行也可以。此外，各单位块的叠层顺序不限于该例，例如进行显影处理的第五、第六单位块也可以设置在进行抗蚀剂膜的形成的第一和第二单位块的下方。

[0176] (第二实施方式)

[0177] 接着，参照图17，对第二实施方式的涂覆显影装置的处理块S5进行说明。在该处理块S5中，分别包括防反射膜形成模块BCT、抗蚀剂膜形成模块COT、保护膜形成模块TCT的单位块被2层化地设置。处理块S5的各单位块B1～B4，除去所搭载的液处理模块不同之外，与处理块S2的各单位块B1～B4同样地构成。在处理块S5的单位块B1、B2、B3、B4分别设置有防反射膜形成模块BCT1～BCT4、防反射膜形成模块BCT5～BCT8、抗蚀剂膜形成模块COT1～COT4、抗蚀剂膜形成模块COT5～COT8。这些液处理模块，与已述的处理块S2 的液处理模块同样地分别具备处理罩23。并且，以从载体块S1侧向着接口块S3侧每2个相互相邻的方式设置的处理罩23，共有向晶片W供给处理液的喷嘴24。

[0178] 单位块B1、B2相互同样地构成，此外，单位块B3、B4相互同样地构成。并且，晶片W与在处理块S2同样地在各单位块之间被交接。即，在单位块B1、B2接收处理的晶片W，通过架单元U7的交接模块CPL和交接臂30被搬送到单位块B3、B4。此外，通过架单元U8的交接模块交接到单位块B3～B6和曝光装置S4。

[0179] 通过如此构成处理块S5，进行已述的显影后检查C1的情况下，晶片W按照单位块B1、B2→单位块B3、B4→曝光装置S4→单位块B5、B6→检查模块31的顺序被搬送并接收处理。此外，进行抗蚀剂涂覆后检查C2的情况下，晶片W按照单位块B1、B2→单位块B3、B4→检查模块31的顺序被搬送被处理之后，通过架单元U7和单位块B3、B4搬送到接口块S3，按照曝光装置S4→单位块B5、B6的顺序被搬送并接收处理。

[0180] 具备该处理块S5的涂覆显影装置1中，用户能够例如如已述那样选择各检查模式D1～D8，在晶片W检查出异常时，能够根据所选择的模式停止向每个单位块或每个处理模块搬送晶片W。此外，在该处理块S5中，各层按照每2个设置共有喷嘴24的处理罩23的组，因此选择针对每个模块停止搬送的模式D4～D6或D8，决定向液处理模块的搬送停止的情况下，晶片W被分配给例如与成为搬送停止的该液处理模块相同层不共有喷嘴24的液处理模块。即，例如，COT1停止搬送的情况下，后续的晶片W分配给不共有喷嘴24的COT3、COT4。

[0181] 在该第二实施方式中，与第一实施方式同样，即使停止处理过被检查出异常的晶片W的单位块或模块，在其他单位块或模块也继续晶片W的处理。另一方面，能够进行停止的单位块或模块的故障修理或定期检查、调整确认等的维修，因此能够抑制生产率的降低。

[0182] (第三实施方式)

[0183] 处理块的其他例子，参照图18所示的处理块S6进行说明。作为与已述的处理块S5的差异点，能够举出叠层8层单位块。在该处理块S6中，单位块E1～E4与处理块S5的单位块B1～B4同样地构成。在 单位块E4上叠层相互同样地构成的单位块E5、E6，在这些单位块E5、E6分别设置有保护膜形成模块TCT1～TCT4、TCT5～TCT8。除液处理模块不同之外，单位块E5、E6与其他的单位块E1～E4同样地构成。在单位块E6上叠层有单位块E7、E8，这些单位块E7、E8与第一实施方式中的处理块S2的单位块B5、B6同样地构成。在该第三实施方式中，单位块E1、E2与前段涂覆用的涂覆块相当，单位块E3、E4与后段涂覆用的单位块相当。

[0184] 晶片W通过架单元U7的各交接模块CPL和交接臂30，能够在该处理块S6中的单位块E1～E6之间移动。此外，通过架单元U8的各交接模块和各接口臂32～34，在单位块E5～E8和曝光装置S4之间能够进行晶片W的交接。由此，进行显影后检查C1的情况下，晶片W按照单位块E1、E2→单位块E3、E4→单位块E5、E6→曝光装置S4→单位块E7、E8→检查模块31的顺序被搬送。此外，进行抗蚀剂涂覆后检查C2的情况下，晶片W按照单位块E1、E2→单位块E3、E4→检查模块→单位块E5、E6→曝光装置S4→单位块E7、E8的顺序被搬送接收处理。

[0185] 具备该处理块S6的涂覆显影装置，与第一和第二实施方式同样，设置根据检查模块31的检查结果控制晶片W的搬送的各种模式，对晶片W能够进行显影后的检查或抗蚀剂涂覆后、曝光前的检查。图19中表示从该涂覆显影装置的设定部64能够选择的检查的种类和模式。该涂覆显影装置的显影处理后检查C1包括例如与已述的模式D1～D6分别对应的模式F1～F6。

[0186] 在模式F1，在单位块E7、E8中，停止向处理过成为异常的晶片W的单位块的晶片W的搬送。在模式F2，单位块E1～E4、E7、E8中，停止向处理过成为异常的晶片W的单位块的晶片W的搬送。在模式F3，在单位块E1～E8中，停止向处理过成为异常的晶片W的单位块的晶片W的搬送。在模式F4，在单位块E7、E8中，停止向处理过成为异常的晶片W的单位块的模块的晶片W的搬送。在模式F5，在单位块E1～E4、E7、E8中，停止向处理过成为异常的晶片W的单位块的模块的晶片W的搬送。在模式F6，在单位块E1～E8中，停止向处理过成为异常的晶片W的单位块的模块的晶片W的搬送。

[0187] 此外，该涂覆显影装置1的抗蚀剂涂覆后检查C2中，例如包括与已述的模式D7～D8分别对应的模式F7～F8。在模式F7，关于单位块E1～E4，停止向处理过成为异常的晶片W的单位块搬送后续的晶片W。在模式F8，关于单位块E1～E4中，停止向处理过成为异常的晶片W的处理模块搬送后续的晶片W。

[0188] 在如此形成处理块S6的情况下，能够进行对停止晶片W的搬送的单位块或处理模块的维修，同时继续晶片W的处理，因此得到与上述涂覆显影装置1同样的效果。

[0189] 符号说明

[0190] W晶片

[0191] BCT1～BCT4防反射膜形成模块

[0192] BST1～BST4背面清洁模块

[0193] COT1～COT4抗蚀剂膜形成模块

[0194] DEV1～DEV8显影模块

[0195] HP加热模块

[0196] TCT1～TCT4保护膜形成模块

[0197] S1载体块

[0198] S2处理块

[0199] S3接口块

[0200] WEE周边曝光模块

[0201] 1涂覆显影装置

[0202] 30交接臂

[0203] 51控制部

[0204] 55搬送程序

[0205] 56判定程序

[0206] 61存储器

[0207] 64设定部

[0208] A1～A6主臂