铜互连结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种铜互连结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成刻蚀停止层、超低K介质层、低介电常数保护层；进行光刻、刻蚀工艺，形成贯穿所述刻蚀停止层、超低K介质层和低介电常数保护层的通孔和/或沟槽；在所述通孔和/或沟槽内沉积铜层；进行化学机械研磨工艺，去除部分铜层和部分低介电常数保护层，剩余的低介电常数保护层的厚度范围为50～150埃。本发明减少了化学机械研磨中产生的缺陷，增强了低介电常数保护层与上层的刻蚀停止层之间的粘附力，避免在后续封装中的诱导应力引起热机械失效，同时改善了可靠性。