本发明公开了一种场效应晶体管自加热效应的温度的测量方法。本发明的测量方法使用亚阈电流作为温度计，通过编写栅端、源端和漏端的偏压波形，使器件电流在亚阈电流Isub和开态电流Ion之间切换，电流方向在源端和漏端之间切换，检测亚阈电流的变化值，最终得到源端和漏端的温度。本发明的测量方法简单，可以得到晶体管正常工作时源端和漏端的温度，以及晶体管正常工作时，晶体管的自加热效应导致晶体管的源区和漏区的温度提高的大小，且不需要设计特殊的测试结构。此外，该测量方法还能用于表征晶体管间热耦合对晶体管的源端和漏端的温度的影响。测试得到的源端和漏端的温度能够有效用于晶体管的可靠性及性能的分析中，有利于晶体管及芯片的设计及优化。
1.一种温度的测量方法，用来测量由正常工作时自加热效应引起的设置在芯片中的场效应晶体管的源端和漏端的温度，其特征在于，所述测量方法包括以下步骤：
1)得到所述场效应晶体管的亚阈电流的温度灵敏度S；
2)测试所述芯片工作时而所述晶体管没有自加热时的环境温度Tsur；
3)测试所述晶体管正常工作时的源端的温度：通过亚阈电流变化值(Isub-s-Isub-s′)以及步骤1)测得的亚阈电流温度灵敏度S，得到晶体管正常工作由自加热引起源端的温度的升高值ΔTs，ΔTs＝(Isub-s-Isub-s′)/S，从而得到源端的温度Ts为Tsur+ΔTs；或者测试所述晶体管正常工作时的漏端的温度：通过亚阈电流变化值(Isub-d-Isub-d′)以及步骤1)测得的亚阈电流温度灵敏度S，得到晶体管正常工作由自加热引起漏端的温度的升高值ΔTd，ΔTd＝(Isub-d-Isub-d′)/S，从而得到漏端的温度Td为Tsur+ΔTd。
2.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，其中步骤1)具体包括以下步骤：
a)将具有所述场效应晶体管及其他半导体器件的芯片置于具有加热功能的测试平台上，设置所述晶体管的源端、漏端和栅端的偏压Vs、Vd和Vg，使所述晶体管工作在亚阈区，所述芯片上的其他器件均不工作，保证所述晶体管的温度等于室温，即300K，改变加热平台的温度，变化量为ΔT1，并测得相对应的亚阈电流的变化量为ΔIsub1，从而得到所述晶体管在此偏压下的亚阈电流的温度灵敏度S1，S1＝ΔIsub1/ΔT1；
b)改变Vs、Vd，重复步骤a)n次，得到所述晶体管在不同偏压下的温度改变ΔTi时亚阈电流的变化值ΔIsubi及亚阈电流的温度灵敏度Si，Si＝ΔIsubi/ΔTi，其中1≤i≤n，n为自然数；
c)比较所述晶体管在各个不同偏压下的亚阈电流的温度灵敏度Si，选取最大值为所述晶体管的亚阈电流的温度灵敏度S，即S＝max(Si)，并将此时的Vgs和Vds值作为晶体管工作在亚阈区时的偏压，在以下步骤中，晶体管在亚阈区时均将所述晶体管的工作电压设置为这个Vgs和Vds值，其中，1≤i≤n，n为自然数，Vgs＝Vg-Vs，Vds＝Vd-Vs。
3.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，其中步骤2)具体包括以下步骤：
a)使所述晶体管所在芯片的其他器件都不工作，设置所述晶体管的偏压，使其工作在亚阈区，测试此时所述晶体管的亚阈电流Isub；
b)使所述晶体管所在芯片的其他器件正常工作，设置所述晶体管的偏压，使其工作在亚阈区，此时所述晶体管所处的环境温度为Tsur，即为最坏环境温度，测试此时所述晶体管的亚阈电流Isub′；
c)根据所述晶体管的亚阈电流的变化值(Isub-Isub′)以及亚阈电流的温度灵敏度S，得到温度的变化值ΔT，ΔT＝(ΔIsub-Isub′)/S，认为所述芯片不工作时的环境温度为室温300K，则芯片工作时而所述晶体管处于亚阈区时的环境温度Tsur为ΔT+300K。
4.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，其中步骤3)测试所述晶体管正常工作时的源端的温度具体包括以下步骤：a)所述晶体管的源端、漏端和栅端均连接脉冲电压发生器，设置Vgs和Vds，使所述晶体管一开始正常工作，电流为开态电流Ion，电流使所述晶体管加热，源端和漏端分别具有温度Ts和Td；
b)所述脉冲电压发生器快速改变所述晶体管的源端、漏端和栅端的偏压，使所述晶体管工作在亚阈区，电流从源端流到漏端，这里探测的是源端的温度，最开始亚阈电流Isub-s对应的是所述晶体管正常工作有自加热效应时源端的温度Ts；
c)所述晶体管工作在亚阈区，所述晶体管不存在自加热效应，经过一段时间散热后，亚阈电流变小，并趋于定值Isub-s′，这时的亚阈电流对应所述晶体管没有自加热时源端的温度，即为环境温度Tsur；
d)通过亚阈电流变化值(Isub-s-Isub-s′)以及步骤1)测得的亚阈电流温度灵敏度S，得到所述晶体管正常工作由自加热引起源端的温度的升高值ΔTs，ΔTs＝(ΔIsub-s-Isub-s′)/S，从而得到源端的温度Ts为Tsur+ΔTs，当环境温度为300K时，所述晶体管源端的温度Ts为ΔTs+300K。
5.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，其中步骤3)测试所述晶体管正常工作时的漏端的温度具体包括以下步骤：a)所述脉冲发生器再次快速改变所述晶体管的源端、漏端和栅端的偏压，使所述晶体管正常工作，电流为开态电流Ion，电流使所述晶体管自加热，源端和漏端分别具有温度Ts和Td；
b)所述脉冲电压发生器快速改变所述晶体管的源端、漏端和栅端的偏压，便所述晶体管工作在亚阈区，此时电流从步骤3.a)所对应的漏端流到源端，这里探测的是漏端的温度，最开始亚阈电流Isub-d对应的是所述晶体管正常工作有自加热效应时漏端的温度Td；
c)所述晶体管工作在亚阈区，所述晶体管不存在自加热效应，经过一段时间散热后，亚阈电流变小，并趋于定值Isub-d′，这时的亚阈电流对应所述晶体管没有自加热时源端的温度，即为环境温度Tsur；
d)通过亚阈电流变化值(Isub-d-Isub-d′)以及步骤1)测得的亚阈电流温度灵敏度S，得到所述晶体管正常工作由自加热引起漏端的温度的升高值ΔTd，ΔTd＝(ΔIsub-d-Isub-d′)/S，从而得到漏端的温度Td为Tsur+ΔTd，当环境温度为300K时，所述晶体管的漏端的温度Td为ΔTd+300K。
6.如权利要求2所述的测量方法，其特征在于，其中在步骤a)或b)中，所述晶体管在一定偏压下，改变加热平台温度ΔTi若干次，测量相应的亚阈电流的变化值ΔIsubi，这样重复得到一组在此偏压下的亚阈电流的温度灵敏度Si，Si＝ΔIsubi/ΔTi，最后取平均值，得到所述晶体管在此偏压下的亚阈电流的温度灵敏度Si，其中，1≤i≤n，n为自然数。
一种场效应晶体管自加热效应的温度测量方法
技术领域
[0001] 本发明涉及场效应晶体管热效应技术，特别涉及针对场效应晶体管的自加热效应，测量场效应晶体管正常工作时源端和漏端的温度的方法。
背景技术
[0002] 随着半导体器件特征尺寸进入纳米量级，绝缘衬底上的硅材料(Silicon-On-Insulator)SOI和应力硅等新材料以及鳍式场效晶体管FinFET和纳米线晶体管等新器件结构被引入来优化小尺寸器件的电学特性。这些新材料和新结构的引入使得器件产生的热量不能及时耗散，从而使这些半导体器件具有比较严重的自加热效应。
[0003] 对于场效应晶体管来说，自热效应会使得晶体管开态电流降低，同时使泄漏电流增大，使晶体管开关比减小。自加热效应不仅会引起晶体管、电路乃至系统性能的退化，还会导致严重的可靠性问题。沟道尤其是漏端的高温会使时间相关介质击穿、热载流子效应以及负(正)偏置温度不稳定性等效应更加明显。电流的减小以及连线电阻随温度的变大导致连线延迟的增长，高温还会引起Al连线发生电迁移。对于电路来说，模拟电路的受到热效应的影响要大于数字电路，譬如热耦合会引起电流镜的失配等。而高性能集成电路上的热分布则可能导致时序错误和模块功能的失效。
[0004] 温度测量是场效应晶体管自加热效应的主要表征手段之一。测试晶体管正常工作时源端和漏端的温度有助于评估晶体管乃至芯片的温度及温度分布，并有利于分析自加热效应对晶体管的关态泄漏电流以及可靠性退化的影响。
[0005] 表征场效应晶体管温度的方法包括：四端法测量多晶硅栅电阻，根据多晶硅电阻值与温度的关系得到温度的方法；测量场效应晶体管体区域的热噪声，根据热噪声与温度关系得到温度；测量场效应晶体管漏区与衬体区PN结的反向泄漏电流，根据泄漏电流与温度关系得到温度等方法。但是，这些测试方法都只针对特殊的晶体管结构(如，多晶硅栅电阻测温法需要栅有多个引出孔；热噪声法需要体区有多个引出孔来测试体区热阻，并且不适用于超薄体结构以及无衬底晶体管；泄漏电流法不适用于无衬底晶体管)，不能应用到所有场效应晶体管中。此外，利用交流漏电导法、交流电容法以及脉冲测量法也能得到场效应晶体管的温度。虽然这些方法不需要设计特殊测试结构，但是这些方法得到的是晶体管的平均温度，无法得到晶体管的局部温度，如源端和漏端的温度。
发明内容
[0006] 本发明的目的是，针对场效应晶体管的自加热效应，提供一种简便有效的测量源端和漏端的温度的方法。
[0007] 本发明的场效应晶体管的自加热效应的源端和漏端的温度的测量方法如下：
[0008] 1、得到场效应晶体管的亚阈电流的温度灵敏度S：
[0009] 1)、将具有待测场效应晶体管及其他半导体器件的芯片置于测试平台上，测试平台具有加热功能，设置晶体管源端、漏端和栅端的偏压Vs、Vd和Vg，使晶体管工作在亚阈区，芯片上其他器件均不工作，保证待测晶体管的温度等于室温，即300K，改变加热平台的温度，变化量为ΔT1(这里认为加热稳定时加热平台的温度等于晶体管沟道温度)，并测得相对应的亚阈电流的变化量为ΔIsub1，从而得到在此偏压下的亚阈电流的温度灵敏度S1，S1＝ΔIsub1/ΔT1；(也可改变加热平台的温度，重新测量亚阈电流的变化值，这样重复得到一组亚阈电流的温度灵敏度，最后取平均值，得到所述晶体管在此偏压下的亚阈电流的温度灵敏度)；
[0010] 2)、改变Vg、Vd，重复步骤1)n次，得到晶体管在不同偏压下的温度改变ΔTi时亚阈电流的变化值ΔIsubi及亚阈电流的温度灵敏度Si，Si＝ΔIsubi/ΔTi，其中1≤i≤n，n为自然数；
[0011] 3)、比较晶体管在各个不同偏压下的亚阈电流的温度灵敏度Si，选取最大值为晶体管的亚阈电流的温度灵敏度S，即S＝max(Si)，并将此时的Vgs(Vgs＝Vg-Vs)和Vds(Vds＝Vd-Vs)值作为晶体管工作在亚阈区时的偏压，在以下步骤中，晶体管在亚阈区时均将晶体管的工作电压设置为这个Vgs和Vds值，其中，1≤i≤n，n为自然数。
[0012] 2、测试芯片工作时而待测晶体管没有自加热时的环境温度Tsur：
[0013] 1)、使晶体管所在芯片的其他器件都不工作，设置待测晶体管的偏压，使其工作在亚阈区，测试此时待测晶体管的亚阈电流Isub；
[0014] 2)、使晶体管所在芯片的其他器件正常工作，设置待测晶体管的偏压，使其工作在亚阈区，此时晶体管所处的环境温度为Tsur，即为最坏环境温度，测试此时待测晶体管的亚阈电流Isub′；
[0015] 3)、根据晶体管的亚阈电流的变化值(Isub-Isub′)以及亚阈电流的温度灵敏度S，得到温度的变化值ΔT，ΔT＝(ΔIsub-Isub′)/S，认为芯片不工作时的环境温度为室温300K，则芯片工作时而待测晶体管处于亚阈区(此时没有自加热)时的环境温度Tsur为ΔT+300K。
[0016] 3、测试晶体管正常工作时的源端和漏端的温度：
[0017] 1)、检测晶体管正常工作时源端的温度：
[0018] a)、晶体管的源端、漏端和栅端均连接脉冲电压发生器，设置Vgs和Vds，使晶体管一开始正常工作，电流为开态电流Ion，电流使晶体管加热，源端和漏端分别具有温度Ts和Td；
[0019] b)、脉冲电压发生器快速改变晶体管的源端、漏端和栅端的偏压，使晶体管工作在亚阈区，电流从源端流到漏端，这里探测的是源端的温度，最开始亚阈电流Isub-s对应的是晶体管正常工作有自加热效应时源端的温度Ts；
[0020] c)工作在亚阈区，晶体管不存在自加热效应，经过一段时间散热后，亚阈电流变小，并趋于定值Isub-s′，这时的亚阈电流对应晶体管没有自加热时源端的温度，即为环境温度Tsur；
[0021] d)通过亚阈电流变化值(Isub-s-Isub-s′)以及步骤1测得的亚阈电流温度灵敏度S，得到晶体管正常工作由自加热引起源端的温度的升高值ΔTs，ΔTs＝(ΔIsub-s-Isub-s′)/S，从而得到源端的温度Ts为Tsur+ΔTs，当环境温度为300K时，晶体管源端的温度Ts为ΔTs+300K。
[0022] 2)、检测晶体管正常工作时漏端的温度：
[0023] a)、脉冲发生器再次快速改变晶体管的源端、漏端和栅端的偏压，使晶体管正常工作，电流为开态电流Ion，电流使晶体管自加热，源端和漏端分别具有温度Ts和Td；
[0024] b)、脉冲电压发生器快速改变晶体管的源端、漏端和栅端的偏压，使晶体管工作在亚阈区，此时电流从步骤3.1)所对应的漏端流到源端，这里探测的是漏端的温度，最开始亚阈电流Isub-d对应的是晶体管正常工作有自加热效应时源端的温度Td；
[0025] c)晶体管工作在亚阈区，晶体管不存在自加热效应，经过一段时间散热后，亚阈电流变小，并趋于定值Isub-d′，这时的亚阈电流对应晶体管没有自加热时源端的温度，即为环境温度Tsur；
[0026] d)通过亚阈电流变化值(Isub-d-Isub-d′)以及步骤1测得的亚阈电流温度灵敏度S，得到晶体管正常工作由自加热引起漏端的温度的升高值ΔTd，ΔTd＝(ΔIsub-d-Isub-d′)/S，从而得到漏端的温度Td为Tsur+ΔTd，当环境温度为300K时，晶体管的漏端的温度Td为ΔTd+300K。
[0027] 本发明的测量方法简单，可以分别一次性得到晶体管正常工作时源端和漏端的温度，以及晶体管正常工作时，晶体管的自加热效应导致晶体管的源区和漏区温度提高的大小，且不需要设计特殊的测试结构。同时，该测试方法在测试过程中不会对场效应晶体管加热或使其产生新的热效应。此外，该测量方法还能用于表征晶体管间热耦合对晶体管的源端和漏端的温度的影响。测试得到的源端和漏端的温度能够有效用于晶体管的可靠性及性能的分析中，有利于晶体管及芯片的设计及优化。
[0028] 对于这种温度表征方法，被测温度的场效应晶体管的衬底可以是SOI材料，也可以是体硅材料，甚至是任何衬底材料；另外，该晶体管可以是普通平面场效应晶体管，也可以是三栅场效应晶体管，FinFET结构，或者是硅纳米线场效应晶体管结构等其他一切具有栅控功能的晶体管结构。
附图说明
[0029] 图1为场效应晶体管的亚阈电流的温度灵敏度与源端电压关系的曲线图；
[0030] 图2为进行温度测量时施加在场效应晶体管栅端、源端和漏端上的脉冲电压的波形图。
具体实施方式
[0031] 下面结合附图详细说明本发明的测量方法。
[0032] 本发明的测量方法的基本原理是，场效应晶体管正常工作时存在自加热效应，场效应晶体管工作在亚阈区时没有自加热效应。亚阈电流具有温度灵敏性并且只与电流的流入端的温度相关，电流从源端流到漏端检测的是源端的温度，以及电流从漏端流到源端检测的是漏端的温度。晶体管正常工作时，晶体管自加热效应使晶体管沟道以及源端和漏端的温度升高。改变电压使晶体管工作状态迅速切换到亚阈区时，晶体管的温度包括源端和漏端的温度并不会立刻改变，此时刚切换到亚阈区时检测到的亚阈电流对应的温度即为晶体管正常工作时的温度。当晶体管工作在亚阈区一段时间后(超过散热时间)，源端和漏端的温度变为晶体管无自加热时的温度，即等于环境温度，亚阈电流减小并趋于定值。使用亚阈电流作为温度计，通过编写栅端、源端和漏端的偏压波形，使晶体管电流在亚阈电流Isub和开态电流Ion之间切换，电流方向在源端和漏端之间切换，监测亚阈电流的变化值，最终得到源端和漏端的温度。
[0033] 图1为场效应晶体管的亚阈电流的温度灵敏度与源端电压关系的曲线图。图中，漏端的偏压保持不变，逐点扫描源端的偏压，得到场效应晶体管在不同偏压下的亚阈电流的温度灵敏度，圆圈为测试得到的点，曲线为拟合曲线。改变漏端的偏压，重复测量，得到类似图1的曲线。比较各条曲线，图1为在各个不同的源端和漏端的偏压下温度灵敏度的曲线峰值最高的曲线图，从而得到晶体管的亚阈电流灵敏度的最大值以及此时所对应的Vgs和Vds。
[0034] 图2为进行温度测试时施加在场效应晶体管栅端、源端和漏端上的脉冲电压波形，包括作为晶体管工作在亚阈区时的栅电压的栅端外接电压Vsub201、漏端外接电压202、源端接地203以及晶体管电流204。其中，-VDD表示电压偏置方向与VDD相反，Ion为开态电流，Isub-s为从正常工作状态切换到亚阈区，从源端流入晶体管的亚阈电流的初始值，Isub-s′为晶体管自加热产生的热量散走后的亚阈电流，Isub-d为从正常工作状态切换到亚阈区，从漏端流入晶体管的亚阈电流的初始值，Isub-d′为晶体管自加热产生的热量散走后的亚阈电流。
[0035] 下面结合硅纳米线场效应晶体管作为实施例对本发明作进一步说明，但本发明并不限于以下实施例。
[0036] 1、得到场效应晶体管亚阈电流的温度灵敏度S：
[0037] 1)、将具有待测场效应晶体管及其他半导体器件的芯片置于测试平台上，测试平台具有加热功能，设置晶体管的源端、漏端和栅端的偏压(Vs、Vd、Vg)，其中栅端Vg接地，源端Vs外接电压Vs范围为-0.3V□0V，步长为0.05V，漏端Vd外接电压Vd范围为0.05V□0.5V，步长为0.05V，在每个偏压点，器件工作在亚阈区，芯片上的其他器件均不工作，保证待测晶体管的温度等于室温，即300K，改变加热平台的温度，变化量为ΔT1(这里认为加热稳定时加热平台的温度等于晶体管的温度)，并测得相对应的亚阈电流的变化量为ΔIsub1，从而得到在此偏压下的亚阈电流的温度灵敏度S1，S1＝ΔIsub1/ΔT1(也可改变加热平台的温度，重新测量亚阈电流的变化值，这样重复得到一组亚阈电流的温度灵敏度，最后取平均值，得到所述晶体管在此偏压下的亚阈电流的温度灵敏度)；
[0038] 2)、改变Vs、Vd，重复步骤1)n次，得到晶体管在不同偏压下的温度变化ΔTi时亚阈电流的变化ΔIsubi及亚阈电流的温度灵敏度Si，Si＝ΔIsubi/ΔTi，，如图1所示，其中1≤i≤n，n为自然数；
[0039] 3)、比较晶体管在各个不同偏压下的亚阈电流的温度灵敏度Si，选取最大值为晶体管的亚阈电流的温度灵敏度S，即S＝max(Si)，并将此时的Vgs(Vgs＝Vg-Vs)和Vds(Vds＝Vd-Vs)值作为晶体管工作在亚阈区时的偏压，在以下步骤中，晶体管在亚阈区时均将晶体管的工作电压设置为这个Vgs和Vds值，其中，1≤i≤n，n为自然数。
[0040] 2、测试芯片工作时而待测晶体管没有自加热时的环境温度Tsur：
[0041] 1)、使晶体管所在芯片的其他器件都不工作，使待测晶体管工作在亚阈区，测试此时待测晶体管的亚阈电流Isub；
[0042] 2)、使晶体管所在芯片的其他器件均正常工作，设置所述晶体管的偏压，使待测晶体管工作在亚阈区，此时晶体管所处的环境温度为Tsur，即为最坏环境温度，测试此时待测晶体管的亚阈电流Isub′；
[0043] 3)、根据晶体管的亚阈电流的变化值(Isub-Isub′)以及晶体管的亚阈电流的温度灵敏度S，得到温度的变化值ΔT，ΔT＝(ΔIsub-Isub′)/S，认为芯片不工作时的环境温度为室温300K，则芯片工作时而待测晶体管处于亚阈区(此时没有自加热)时的环境温度为ΔT+300K。
[0044] 3、测试晶体管工作时的源端和漏端温度：
[0045] 1)、检测晶体管正常工作时源端的温度：
[0046] a)、晶体管的源端、漏端、栅端均连接脉冲电压发生器，如图2所示，源端的偏压Vs接地，漏端的偏压Vd为Vdd，栅端偏压Vg为Vdd，使晶体管正常工作，电流为Ion，电流使晶体管自加热，源端和漏端分别具有温度Ts和Td；
[0047] b)、脉冲电压发生器快速改变晶体管的源端、漏端和栅端的偏压，如图2所示，源端偏压Vs接地，漏端的偏压Vd为Vd-sub，以及栅端的偏压Vg为Vg-sub，晶体管工作在亚阈区，电流从源端流到漏端，这里探测的是源端的温度，最开始亚阈电流Isub-s对应的是晶体管正常工作有自加热效应时源端的温度Ts；
[0048] c)晶体管工作在亚阈区，不存在自加热效应，经过一段时间散热后，亚阈电流变小，并趋于定值Isub-s′，这时的亚阈电流对应晶体管没有自加热时源端的温度，即为环境温度Tsur；
[0049] d)通过亚阈电流变化值(Isub-s-Isub-s′)以及步骤1测得的亚阈电流温度灵敏度S，得到晶体管正常工作时由自加热引起源端温度的升高值ΔTs，ΔTs＝(ΔIsub-s-Isub-s′)/S，从而得到源端的温度Ts为Tsur+ΔTs，当环境温度为300K时，晶体管的源端的温度Ts为ΔTs+300K。
[0050] 2)、检测晶体管正常工作时漏端的温度：
[0051] a)、脉冲发生器再次快速改变晶体管的源端、漏端和栅端的偏压，如图2所示，源端的偏压Vs接地，漏端的偏压Vd为Vdd，以及栅端的偏压Vg为Vdd，晶体管正常工作，电流为Ion，电流使晶体管自加热，源端和漏端分别具有温度Ts和Td。
[0052] b)、脉冲电压发生器快速改变晶体管的源端、漏端和栅端的偏压，源端的偏压Vs接地，漏端的偏压Vd为-Vd-sub，以及栅端的偏压Vg为Vg-sub，晶体管工作在亚阈区，电流从漏端流到源端，这里探测的是漏端的温度，最开始亚阈电流Isub-d对应的是晶体管正常工作有自加热效应时源端的温度Td；
[0053] c)晶体管工作在亚阈区，不存在自加热效应，经过一段时间散热后，亚阈电流变小，并趋于定值Isub-d′，这时的亚阈电流对应晶体管没有自加热时源端的温度，即为环境温度Tsur；
[0054] d)通过亚阈电流变化值(Isub-d-Isub-d′)以及步骤1测得的亚阈电流温度灵敏度S，得到晶体管正常工作时由自加热引起漏端的温度的升高值ΔTd，ΔTd＝(ΔIsub-d-Isub-d′)/S，从而得到漏端的温度Td为Tsur+ΔTd，当环境温度为300K时，晶体管的漏端的温度Td为ΔTd+300K。
[0055] 最后需要注意的是，公布实施例的目的在于帮助进一步理解本发明，但是本领域的技术人员可以理解：在不脱离本发明及所附的权利要求的精神和范围内，各种替换和修改都是可能的。因此，本发明不应局限于实施例所公开的内容，本发明要求保护的范围以权利要求书界定的范围为准。
