本发明涉及电解铜箔生产工艺，属于电解铜箔技术领域。特征在于：1）电解液工艺：电解铜箔的生产过程为先将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解，生成硫酸铜溶液，再进入电解槽中进行电解，生成铜箔，其中，Cu2+：70～90g/l、H2SO4：80～120g/l、t：40～55℃；电解铜箔生产电流密度在50～70A/dm2、极距在6～30mm；2）添加剂的选择：在电解液中连续分别加入组合添加剂A、组合添加剂B和组合添加剂C，能得到性能稳定的电解铜箔。本发明的替代压延铜箔用于挠性覆铜板生产的双光电解铜箔生产工艺，拉近了电解铜箔和压延铜箔的差距，用于挠性覆铜板使用可以替代压延铜箔使用。
1.替代压延铜箔用于挠性覆铜板生产的双光电解铜箔生产工艺，其特征在于工艺步骤如下：
在电解液中连续分别加入组合添加剂A、组合添加剂B和组合添加剂C，能得到性能稳定的电解铜箔，三种组合添加剂A、B、C的添加重量配比为（4～5）：（1～2）：（1～2）；
所述组合添加剂A中的添加剂为聚二硫二丙烷磺酸钠、3-巯基丙烷磺酸钠、羟乙基纤维素，三者之间比例为1:（0.95～1.05）:（7.5～8.5）；
所述组合添加剂B中的添加剂为2-巯基苯骈咪唑、乙撑硫脲、丙烯基硫脲，三者之间比例为（2.8～3.2）: （4.8～5.2）: （1.8～2.2）；
所述组合添加剂C中的添加剂为明胶、干酪素，二者之间比例为（3.8～4.2）:1。
2.如权利要求1所述替代压延铜箔用于挠性覆铜板生产的双光电解铜箔生产工艺，其特征在于电解铜箔的生产过程为先将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解，生成硫酸铜溶液，再
进入电解槽中进行电解，生成铜箔，其中，Cu ：70～90g/l、H2SO4：80～120g/l、t：40～2
55℃；电解铜箔生产电流密度在50～70A/dm、极距在6～30mm。
3.如权利要求1所述替代压延铜箔用于挠性覆铜板生产的双光电解铜箔生产工艺，其特征在于所述组合添加剂A中的添加剂为聚二硫二丙烷磺酸钠、3-巯基丙烷磺酸钠、羟乙基纤维素，三者之间最佳比例为1:1:0.8；所述组合添加剂B中的添加剂为2-巯基苯骈咪唑、乙撑硫脲、丙烯基硫脲，三者之间最佳比例为3:5:2；所述组合添加剂C中的添加剂为明胶、干酪素，二者之间最佳比例为4:1。
4.按照权利要求1-3任一权利要求所述替代压延铜箔用于挠性覆铜板生产的双光电解铜箔生产工艺，其特征在于上述A、B、C添加剂的使用直接用水或电解液溶解后在逐渐添加到电解液中。
5.按照权利要求1-3任一权利要求所述替代压延铜箔用于挠性覆铜板生产的双光电解铜箔生产工艺，其特征在于
电解工艺过程中的最佳工艺范围为：Cu ：80～85g/l、H2SO4：100～110g/l、t：48～2
52℃；最佳电流密度在50～60A/dm、极距在6～15mm。
替代压延铜箔用于挠性覆铜板生产的双光电解铜箔及其生
产工艺
技术领域
[0001] 本发明涉及一种用于挠性覆铜板生产的双光电解铜箔及其生产工艺，属于电解铜箔及其生产工艺技术领域。
背景技术
[0002] 我国推动覆铜板发展的动力主要是大众化消费类电子产品，如计算机用硬盘驱动器、软盘驱动器、手机、笔记本电脑、照相机、摄录机、掌上电脑等便携式电子产品和平板显示产品。中国电子产业“十一五”仍处于高速发展期，作为基础的上游覆铜板行业发展速度必定高于电子行业发展。
[0003] 覆铜板分刚性覆铜板（简称CCL）和挠性覆铜板（简称FCCL），其中刚性覆铜板用铜箔近几年得到很大的发展，但挠性覆铜板用铜箔没有得到发展，还是被日本、韩国控制。“十一五”规划中，电子信息产业将获得更大的发展，而作为电子信息产业基础原材料之一的覆铜板行业中的挠性覆铜板如果得不到同步发展，势必掣肘我国电子强国战略的实施，因此迫切的需要国内的铜箔企业研发生产技术，批量生产挠性覆铜板用铜箔。
[0004] 由于挠性覆铜板大量使用压延铜箔，而压延铜箔大都被日本少数企业控制，价格昂贵，严重制约国内挠性覆铜板和相关电子产品的发展，随着电解铜箔技术的发展，生产双光电解铜箔且性能逐渐接近压延铜箔已成为可能，所以用电解法生产饶板用铜箔并取代压延铜箔是可以实现的。
发明内容
[0005] 本发明的目的在于解决上述已有技术存在的不足之处，提供一种替代压延铜箔用于挠性覆铜板生产的双光电解铜箔及其生产工艺，通过该工艺生产出的双光电解铜箔外观近似压延铜箔，且致密度高、两面粗糙度小、延展性好。
[0006] 本发明的技术方案如下：
[0007] 替代压延铜箔用于挠性覆铜板生产的双光电解铜箔生产工艺，与常规电解铜箔生产方法的主要区别在于添加剂混合量上，其特征在于工艺步骤如下：
[0008] 1、电解液工艺
[0009] 电解铜箔的生产过程为先将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解，生成硫酸铜溶2+
液，再进入电解槽中进行电解，生成铜箔，其中，Cu ：70～90g/l、H2SO4：80～120g/l、t：
2
40～55℃；电解铜箔生产电流密度在50～70A/dm、极距在6～30mm；
[0010] 2、添加剂的选择
[0011] 在电解液中连续分别加入组合添加剂A、组合添加剂B和组合添加剂C，能得到性能稳定的电解铜箔，三种组合添加剂A、B、C的添加重量配比为（4～5）：（1～2）：（1～2）；
[0012] 所述组合添加剂A中的添加剂为聚二硫二丙烷磺酸钠、3-巯基丙烷磺酸钠（MPS）、羟乙基纤维素，三者之间比例为1:（0.95～1.05）:（7.5～8.5），最佳比例为1:1:0.8；
[0013] 所述组合添加剂B中的添加剂为2-巯基苯骈咪唑、乙撑硫脲、丙烯基硫脲，三者之间比例为（2.8～3.2）: （4.8～5.2）: （1.8～2.2），最佳比例为3:5:2；
[0014] 所述组合添加剂C中的添加剂为明胶、干酪素，二者之间比例为（3.8～4.2）:1，最佳比例为4:1。
[0015] 上述A、B、C添加剂的使用直接用水或电解液溶解后再逐渐添加到电解液中。
[0016] 上述电解工艺过程中，最佳工艺范围为：Cu2+：80～85g/l、H2SO4：100～110g/l、t：48～52℃；最佳电流密度在50～60A/dm2、极距在6～15mm。
[0017] 本发明具有如下特点：
[0018] 1、本电解铜箔制造工艺，工艺范围较宽，主要取决于添加剂的使用比例；
[0019] 2、本电解铜箔制造工艺，采用现有的电解铜箔生产设备，可以低成本的生产出可替压延铜箔的电解铜箔；
[0020] 3、本电解铜箔制造工艺生产的电解铜箔双面Ra值均小于0.3um，为替代压延铜箔奠定了基础；
[0021] 4、本电解铜箔制造工艺生产的电解铜箔致密度可达到8.8 g/cm3以上；
[0022] 5、本电解铜箔制造工艺生产的电解铜箔常温延伸率>6%。
[0023] 6、本电解铜箔制造工艺生产的电解铜箔耐折度大于40次。
[0024] 7、本电解铜箔制造工艺生产的电解铜箔厚度为6～18µm。
[0025] 本发明上述电解工艺制得的双光电解铜箔外观近似压延铜箔，且致密度高、两面粗糙度小、延展性好，拉近了电解铜箔和压延铜箔的差距，可以替代压延铜箔用于挠性覆铜板生产。
具体实施方式
[0026] 以下给出本发明的具体实施方式，用来对本发明作进一步的说明。
[0027] 实施例1
[0028] 本实施例的双光电解铜箔制造工艺如下：
[0029] 1、电解液工艺：电解铜箔的生产过程为先将阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解，2+
生成硫酸铜溶液，再进入电解槽中进行电解，生成铜箔，其中，Cu ：80g/l、H2SO4：100g/l、t：
2
50℃；电解铜箔生产电流密度50A/dm、极距10mm，生产9微米铜箔。
[0030] 实施例1
[0031] 所述组合添加剂A中的添加剂为聚二硫二丙烷磺酸钠、3-巯基丙烷磺酸钠、羟乙基纤维素，三者之间比例为1:1:0.8；
[0032] 所述组合添加剂B中的添加剂为2-巯基苯骈咪唑、乙撑硫脲、丙烯基硫脲，三者之间比例为3:5:2；
[0033] 所述组合添加剂C中的添加剂为明胶、干酪素，二者之间比例为4:1。
[0034] 添加剂A、B、C的用量比为5:1:1。
[0035] 本实施方式电解铜箔制造工艺，生产的9um电解铜箔延伸率7.8%、致密度8.82g/cm3、耐折度：52次，双面粗糙度Ra分别为0.22um和0.20um。
[0036] 实施例2
[0037] 本实施方式与实施例1不同在于
