用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法转让专利
申请号 : CN201110218318.3
文献号 : CN102376724B
文献日 : 2013-11-20
发明人 : 黄志辉 , 蔡正原 , 杜友伦 , 蔡嘉雄 , 杨敦年 , 刘人诚
摘要 :
本发明提供了一种呈现改进的量子效率的图像传感器器件。例如,提供了一种背照式(BSI)图像传感器器件,包括:具有前表面和后表面的基板;设置在基板的前表面处的感光区;以及设置在基板的后表面上方的抗反射层。当在小于700nm的波长处进行测量时,抗反射层具有大于或等于约2.2的折射率以及小于或等于约0.05的消光系数。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法。