用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法转让专利

申请号 : CN201110218318.3

文献号 : CN102376724B

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发明人 : 黄志辉蔡正原杜友伦蔡嘉雄杨敦年刘人诚

摘要 :

本发明提供了一种呈现改进的量子效率的图像传感器器件。例如,提供了一种背照式(BSI)图像传感器器件,包括:具有前表面和后表面的基板;设置在基板的前表面处的感光区;以及设置在基板的后表面上方的抗反射层。当在小于700nm的波长处进行测量时,抗反射层具有大于或等于约2.2的折射率以及小于或等于约0.05的消光系数。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法。