CdTe/ZnSe量子点的制备方法转让专利

申请号 : CN201010275996.9

文献号 : CN102399559B

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相似专利:

发明人 : 胡德红蔡林涛张鹏飞龚萍

申请人 : 中国科学院深圳先进技术研究院

摘要 :

一种CdTe/ZnSe量子点的制备方法,包括如下步骤:分别制备Te前体溶液、Se前体溶液、Zn前体溶液和Cd溶液;向加热至250℃~300℃的Cd溶液中加入Te前体溶液,并降温至200℃~280℃,得到CdTe量子点;150℃~260℃的温度条件下,向所述CdTe量子点中加入Zn前体溶液,反应1~60min后,再加入Se前体溶液,升温至160℃~350℃反应0.5h~12h,得到CdTe/ZnSe量子点。上述CdTe/ZnSe量子点的制备方法通过前体溶液的连续加入的方法合成了以CdTe为内核的量子点,并在其表面形成了连续、致密、厚度可控制且均匀增长的ZnSe外壳,只需要通过连续加入前体溶液即可,因此在制备过程中具备了设备简单、操作简便、成本低廉、反应时间短、反应条件温和、重现性好、低毒的优点。

权利要求 :

1.一种CdTe/ZnSe量子点的制备方法,包括如下步骤:

分别制备Te前体溶液、Se前体溶液、Zn前体溶液和Cd溶液;其中,所述Zn前体溶液是ZnO、油酸和十八烯在200℃~300℃下溶解并冷却至25℃~60℃的混合溶液,所述ZnO、油酸以及十八烯的质量比为0.1~1:0.3~3:23.6~236;所述Se前体溶液是Se单质与三辛基膦和十八烯的混合溶液,所述Se单质、三辛基膦与十八烯的质量之比为0.019~

0.38:0.831~8.31:7.95~79.5;所述Te前体溶液、Se前体溶液和Zn前体溶液的体积比为0.1~3:0.1~3:0.1~3;

向加热至250℃~300℃的Cd溶液中加入Te前体溶液,并降温至200℃~280℃,得到CdTe量子点;

150℃~260℃的温度条件下,向所述CdTe量子点中加入Zn前体溶液,反应1~60min后,再加入Se前体溶液,升温至160℃~350℃反应0.5h~12h,得到CdTe/ZnSe量子点。

2.根据权利要求1所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法,其特征在于,还包括在得到所述CdTe量子点或所述CdTe/ZnSe量子点后的提纯步骤。

3.根据权利要求2所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法,其特征在于,所述在得到所述CdTe量子点或所述CdTe/ZnSe量子点后的提纯的步骤是:将所述CdTe量子点或所述CdTe/ZnSe量子点冷却至室温,加入体积比为1:0.2~5的正己烷和甲醇,在离心分离的作用下吸出上层溶液,并向下层溶液加入丙酮再次进行离心分离2~15min后将沉淀取出并在25℃~60℃,0.01~0.5MPa的条件下真空干燥。

4.根据权利要求1所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法,其特征在于,所述Te前体溶液是在100℃~300℃的温度条件下超声溶解得到的Te单质或含Te化合物与膦化合物及十八烯的混合溶液。

5.根据权利要求4所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法,其特征在于,所述膦化合物是三丁基膦,所述Te单质、三丁基膦以及十八烯的质量比是0.64~6.4:2.88~28.8:175~

354。

6.根据权利要求5所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法,其特征在于,所述Cd溶液是由含Cd化合物、油酸和十八烯在氮气中150℃~300℃的温度条件下制备得到的混合溶液。

7.根据权利要求6所述的CdTe/ZnSe量子点的制备方法,其特征在于,所述含Cd化合物是CdO,所述CdO、油酸及十八烯的质量比是0.0064~0.128:0.1125~1.125:0.5~70。

说明书 :

CdTe/ZnSe量子点的制备方法

【技术领域】

[0001] 本发明涉及量子点的制备,特别是涉及一种CdTe/ZnSe量子点的制备方法。【背景技术】
[0002] 量子点通常指半径小于或接近激子玻尔半径的半导体纳米晶粒,具有尺寸依赖的电学和光学性能,作为生物探针被广泛应用于分子生物学、医学诊断学等学科以及生物医学活体成像的研究中。在可见光区(400~650nm)成像存在着诸多问题,例如受到生物组织中内源性物质(黑色素、有氧/无血红蛋白、胆红素和水等)的吸收、散射等对光学成像的影响,而近红外区域(650~900nm)的能量不易被生物组织中内源性物质吸收,因此采用近红外量子点成像具有更有效地穿透性、灵敏度高等特点。
[0003] 在理想状态下,近红外量子点应当具备如下特点:(1)最大荧光峰介于650~900nm之间;(2)量子产率高;(3)狭窄的发射谱;(4)化学和光稳定性高;(5)无毒;(6)良好的生物亲和性。然而,传统的近红外量子点主要由Ⅱ-Ⅵ或Ⅲ-Ⅴ族元素组成,但是由于Ⅲ-Ⅴ族元素近红外量子点的合成条件非常苛刻,量子效率较低,因此Ⅲ-Ⅴ族近红外量子点的生物标记及分析应用还处于初级阶段。而合成的Ⅱ-Ⅵ族近红外量子点表面通常含有Cd,具有一定的生物毒性,且反应时间也比较长,操作繁琐,因此又进一步限制了Ⅱ-Ⅵ族近红外量子点的应用。
【发明内容】
[0004] 基于此,有必要提供一种操作简便的CdTe/ZnSe量子点的制备方法。
[0005] 一种CdTe/ZnSe量子点的制备方法,包括如下步骤:分别制备Te前体溶液、Se前体溶液、Zn前体溶液和Cd溶液;向加热至250℃~300℃的Cd溶液中加入Te前体溶液,并降温至200℃~280℃,得到CdTe量子点;150℃~260℃的温度条件下,向所述CdTe量子点中加入Zn前体溶液,反应1~60min后,再加入Se前体溶液,升温至160℃~350℃反应0.5h~12h,得到CdTe/ZnSe量子点。
[0006] 优选地,还包括在得到所述CdTe量子点或所述CdTe/ZnSe量子点后的提纯步骤。
[0007] 优选地,所述在得到所述CdTe量子点或所述CdTe/ZnSe量子点后的提纯的步骤是:将所述CdTe量子点或所述CdTe/ZnSe量子点冷却至室温,加入体积比为1:0.2~5的正己烷和甲醇,在离心分离的作用下吸出上层溶液,并向下层溶液加入丙酮再次进行离心分离2~15min后将沉淀取出并在25℃~60℃,0.01~0.5MPa的条件下真空干燥。
[0008] 优选地,所述Te前体溶液是在100℃~300℃的温度条件下超声溶解得到的Te单质或含Te化合物与膦化合物及十八烯的混合溶液。
[0009] 优选地,所述膦化合物是三丁基膦,所述Te单质、三丁基膦以及十八烯的质量比是0.64~6.4:2.88~28.8:175~354。
[0010] 优选地,所述Se前体溶液是Se单质或含Se化合物与三辛基膦和十八烯的混合溶液,所述Se单质、三辛基膦与十八烯的质量之比为0.019~0.38:0.831~8.31:7.95~79.5。
[0011] 优选地,所述Zn前体溶液是含Zn化合物、油酸和十八烯在200℃~300℃下溶解并冷却至25℃~60℃的混合溶液。
[0012] 优选地,所述含Zn化合物是ZnO,所述ZnO、油酸以及十八烯的质量比为0.1~1:0.3~3:23.6~236。
[0013] 优选地,所述Cd溶液是由含Cd化合物、油酸和十八烯在氮气中150℃~300℃的温度条件下制备得到的混合溶液
[0014] 优选地,所述含Cd化合物是CdO,所述CdO、油酸及十八烯的质量比是0.0064~0.128:0.1125~1.125:0.5~70。
[0015] 优选地,所述Te前体溶液、Se前体溶液和Zn前体溶液的体积比为0.1~3:0.1~3:0.1~3。
[0016] 上述CdTe/ZnSe量子点的制备方法通过前体溶液的连续加入的方法合成了以CdTe为内核的量子点,并在其表面形成了连续、致密、厚度可控制且均匀增长的ZnSe外壳,只需要通过连续加入前体溶液即可,因此在制备过程中具备了设备简单、操作简便、成本低廉、反应时间短、反应条件温和、重现性好、低毒的优点。【附图说明】
[0017] 图1为CdTe量子点和CdTe/ZnSe量子点的紫外和荧光光谱图。【具体实施方式】
[0018] 一种CdTe/ZnSe量子点的制备方法,包括如下步骤:
[0019] 首先,分别制备Te前体溶液、Se前体溶液、Zn前体溶液和Cd溶液。一实施方式中,Te前体溶液是在100℃~300℃的温度条件下超声溶解得到的Te单质或含Te化合物、膦化合物和十八烯的混合溶液。膦化合物优选为三丁基膦,则Te单质、三丁基膦以及十八烯的质量比是0.64~6.4:2.88~28.8:175~354。在优选的实施例中,Te前体溶液的制备过程具体是:在手套箱的20ml玻璃瓶中分别加入0.0128g~0.128gTe单质、0.0576g~0.576g三丁基膦和3.5g~7.08g十八烯,封闭玻璃瓶并从手套箱中将玻璃瓶取出,在
100℃~300℃的温度条件下超声作用下溶解Te单质。
[0020] Se前体溶液是Se单质或含Se化合物、三辛基膦和十八烯的混合溶液。Se单质的质量、三辛基膦与十八烯的质量之比为0.019~0.38:0.831~8.31:7.95~79.5。在优选的实施例中,制备Se前体溶液的过程具体是:在手套箱中将0.019g~0.38gSe单质、1ml~10ml三辛基膦和7.95g~79.5g十八烯分别加入20ml的玻璃瓶中,封闭玻璃瓶并从手套箱中取出,在超声的作用下使Se单质完全溶解。
[0021] Zn前体溶液是含Zn化合物、油酸和十八烯在200℃~300℃下溶解并冷却至25℃~60℃的混合溶液。含Zn化合物优选为ZnO,则ZnO、油酸以及十八烯的质量比为
0.1~1:0.3~3:23.6~236。在优选的实施例中,在25ml三口圆底烧瓶中分别加入
0.03g~0.3g的ZnO、0.9g~9g的油酸和7.08g~70.8g的十八烯,密封并通入氮气,加热至200℃~300℃并搅拌,待溶液变澄清后冷却至25℃~60℃,将得到的Zn前体溶液转入
20ml带橡胶塞的玻璃瓶中,室温保存。
[0022] Cd溶液是含Cd化合物、油酸和十八烯在氮气中150℃~300℃的温度条件下制备得到的混合溶液。含Cd化合物优选为CdO,则CdO、油酸及十八烯的质量比是0.0064~0.128:0.1125~1.125:0.5~70。CdO可以用含Cd氧化物或镉盐替代。在优选的实施方式中,Cd溶液的制备过程具体是:在50ml三口圆底瓶中分别加入0.0064g~0.128g的CdO、0.1125g~1.125g的油酸和0.5g~70g的十八烯,通入氮气并加热至150℃~300℃,使含CdO完全溶解。
[0023] 其次,向加热至250℃~300℃的Cd溶液中加入Te前体溶液,并降温至200℃~280℃,得到CdTe量子点。一实施例中,Te前体溶液的加入量为0.1~3ml。
[0024] 再次,150℃~260℃的温度条件下,向所述CdTe量子点中加入Zn前体溶液,反应1~60min后,再加入Se前体溶液,升温至160℃~350℃反应0.5h~12h,得到CdTe/ZnSe量子点。一实施例中,Zn前体溶液和Se前体溶液的加入量为0.1~3ml。
[0025] 上述CdTe/ZnSe量子点的制备方法还包括在得到所述CdTe量子点或所述CdTe/ZnSe量子点后的提纯步骤。一实施例中,将所述CdTe量子点或所述CdTe/ZnSe量子点冷却至室温,以1:0.2~5的体积比例加入正己烷和甲醇,在离心分离的作用下吸出上层溶液,并向下层溶液加入丙酮再次进行离心分离2~15min后将沉淀取出并在25℃~60℃,0.01~0.5MPa的条件下真空干燥。其他实施例中,正己烷和甲醇可以用正己烷他丙酮、氯仿和甲醇、氯仿和丙酮以及氯仿和乙醇等溶液代替。在优选的实施例中,可对CdTe量子点不进行提纯,从而一步合成CdTe/ZnSe量子点,有效地简化了合成过程。
[0026] 上述CdTe/ZnSe量子点是ZnSe包覆于CdTe量子点外侧,ZnSe在CdTe量子点表面形成了连续、致密、厚度可控制且均匀增长的外壳。
[0027] 下面结合具体的实施例详细阐述CdTe/ZnSe量子点的制备方法。
[0028] 实施例1
[0029] Te前体溶液的制备:在手套箱将0.0128gTe单质、0.0576g三丁基膦以及3.5g十八烯分别加入20ml玻璃瓶中,密封后从手套箱中取出,在超声作用下溶解。
[0030] Se前体溶液的制备:在手套箱中将0.038gSe单质、1ml三辛基膦和7.95g十八烯分别加入20ml的玻璃瓶中,封闭玻璃瓶并从手套箱中取出,在超声的作用下使Se单质完全溶解。
[0031] Zn前体溶液的制备:在25ml三口圆底烧瓶中分别加入0.03g的ZnO、0.9g的油酸和7.08g的十八烯,密封并通入氮气,加热至250℃并搅拌,待溶液变澄清后冷却至60℃,将得到的Zn前体溶液转入20ml带橡胶塞的玻璃瓶中,室温保存。
[0032] Cd溶液的制备:在50ml三口圆底瓶中分别加入0.0128g的CdO、0.1125g的油酸和3.5g的十八烯,通入氮气并加热至200℃,使含CdO完全溶解。
[0033] 向加热至300℃的Cd溶液注射1mlTe前体溶液,并降低至260℃,得到CdTe量子点。在200℃的温度条件下,向CdTe量子点注射1ml Zn前体溶液,5min后再次注射1mlSe前体溶液,升温至260℃反应0.5h,得到CdTe/ZnSe量子点。
[0034] 最后,将CdTe/ZnSe量子点冷却至室温,以1:2的体积比例加入正己烷和甲醇,在离心分离的作用下吸出上层溶液,加入丙酮再次以4000转/分离心分离5min后将沉淀取出并在25℃,0.08MPa的条件下真空干燥。
[0035] 实施例2
[0036] Te前体溶液的制备:在手套箱将0.0128gTe单质、0.1152g三丁基膦以及3.5g十八烯分别加入20ml玻璃瓶中,密封后从手套箱中取出,在100℃的温度条件下超声作用下溶解。
[0037] Se前体溶液的制备:在手套箱中将0.019gSe单质、1ml三辛基膦和3.5g十八烯分别加入20ml的玻璃瓶中,封闭玻璃瓶并从手套箱中取出,在超声的作用下使Se单质完全溶解。
[0038] Zn前体溶液的制备:在25ml三口圆底烧瓶中分别加入0.02g的ZnO、1.2g的油酸和3.5g的十八烯,密封并通入氮气,加热至260℃并搅拌,待溶液变澄清后冷却至60℃,将得到的Zn前体溶液转入20ml带橡胶塞的玻璃瓶中,室温保存。
[0039] Cd溶液的制备:在50ml三口圆底瓶中分别加入0.0128g的CdO、0.225g的油酸和7g的十八烯,通入氮气并加热至200℃,使含CdO完全溶解。
[0040] 向加热至280℃的Cd溶液注射1mlTe前体溶液,并降低至240℃,得到CdTe量子点。在150℃的温度条件下,向CdTe量子点注射1mlZn前体溶液,5min后再次注射1mlSe前体溶液,升温至210℃反应1h,得到CdTe/ZnSe量子点。
[0041] 最后,将CdTe/ZnSe量子点冷却至室温,以1:2的体积比例加入正己烷和甲醇,在离心分离的作用下吸出上层溶液,加入丙酮再次以6000转/分离心分离5min后将沉淀取出并在25℃,0.08MPa的条件下真空干燥。
[0042] 实施例3
[0043] Te前体溶液的制备:在手套箱将0.0128gTe单质、0.1728g三丁基膦以及7.08g十八烯分别加入20ml玻璃瓶中,密封后从手套箱中取出,在100℃的温度条件下超声作用下溶解。
[0044] Se前体溶液的制备:在手套箱中将0.038g的Se单质、2ml的三辛基膦和7.95g的十八烯分别加入20ml的玻璃瓶中,封闭玻璃瓶并从手套箱中取出,在超声的作用下使Se单质完全溶解。
[0045] Zn前体溶液的制备:在25ml三口圆底烧瓶中分别加入0.04g的ZnO、0、90g的油酸和7.08g的十八烯,密封并通入氮气,加热至270℃并搅拌,待溶液变澄清后冷却至60℃,将得到的Zn前体溶液转入20ml带橡胶塞的玻璃瓶中,室温保存。
[0046] Cd溶液的制备:在50ml三口圆底瓶中分别加入0.0128g的CdO、0.225g的油酸和7g的十八烯,通入氮气并加热至200℃,使含CdO完全溶解。
[0047] 向加热至270℃的Cd溶液注射1mlTe前体溶液,并降低至220℃,得到CdTe量子点。在180℃的温度条件下,向CdTe量子点注射2mlZn前体溶液,5min后再次注射2mlSe前体溶液,升温至240℃反应2h,得到CdTe/ZnSe量子点。
[0048] 最后,将CdTe/ZnSe量子点冷却至室温,以1:2的体积比例加入正己烷和甲醇,在离心分离的作用下吸出上层溶液,加入丙酮再次以8000转/分离心分离5min后将沉淀取出并在25℃,0.08MPa的条件下真空干燥。
[0049] 实施例4
[0050] Te前体溶液的制备:在手套箱将0.0128gTe单质、0.0576g三丁基膦以及3.5g十八烯分别加入20ml玻璃瓶中,密封后从手套箱中取出,在100℃的温度条件下超声作用下溶解。
[0051] Se前体溶液的制备:在手套箱中将0.038g的Se单质、1ml的三辛基膦和7.95g的十八烯分别加入20ml的玻璃瓶中,封闭玻璃瓶并从手套箱中取出,在超声的作用下使Se单质完全溶解。
[0052] Zn前体溶液的制备:在25ml三口圆底烧瓶中分别加入0.03g的ZnO、0、90g的油酸和7.08g的十八烯,密封并通入氮气,加热至250℃并搅拌,待溶液变澄清后冷却至60℃,将得到的Zn前体溶液转入20ml带橡胶塞的玻璃瓶中,室温保存。
[0053] Cd溶液的制备:在50ml三口圆底瓶中分别加入0.0128g的CdO、0.1125g的油酸和3.5g的十八烯,通入氮气并加热至200℃,使含CdO完全溶解。
[0054] 向加热至300℃的Cd溶液注射1mlTe前体溶液,并降低至260℃,得到CdTe量子点。将CdTe量子点冷却至室温,以1:2的体积比例加入正己烷和甲醇,在离心分离的作用下吸出上层溶液,加入丙酮再次以4000转/分离心分离5min后将沉淀取出并在25℃,0.08MPa的条件下真空干燥。
[0055] 在200℃的温度条件下,向CdTe量子点注射1mlZn前体溶液,5min后再次注射1mlSe前体溶液,升温至260℃反应1h,得到CdTe/ZnSe量子点。
[0056] 最后,将CdTe/ZnSe量子点冷却至室温,以1:2的体积比例加入正己烷和甲醇,在离心分离的作用下吸出上层溶液,加入丙酮再次以4000转/分离心分离5min后将沉淀取出并在25℃,0.08MPa的条件下真空干燥。
[0057] 如图1示出了CdTe量子点和CdTe/ZnSe量子点的紫外和荧光光谱。
[0058] 上述CdTe/ZnSe量子点的制备方法通过前体溶液的连续加入的方法合成了以CdTe为内核的量子点,并在其表面形成了连续、致密、厚度可控制且均匀增长的ZnSe外壳,只需要通过连续加入前体溶液即可,因此在制备过程中具备了设备简单、操作简便、成本低廉、反应时间短、反应条件温和、重现性好、低毒的优点。
[0059] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。