测试系统

摘要

本发明公开了一种测试系统，包括一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括若干个薄膜晶体管以及若干个连接焊垫，各薄膜晶体管包括一第一电极、一第二电极以及一第三电极，所述薄膜晶体管基板还包括一测试焊垫，各薄膜晶体管的第一电极及第二电极的其中一者电性连接至这些连接焊垫的其中一者，各薄膜晶体管的第一电极及第二电极的另一者以及所述第三电极电性连接至所述测试焊垫。本发明的测试系统能降低测试系统的成本及电路配置复杂的复杂度。

权利要求

1.一种测试系统，包括一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括若干个薄膜晶体管以及若干个连接焊垫，各薄膜晶体管包括一第一电极、一第二电极以及一第三电极，其特征在于，所述薄膜晶体管基板还包括一测试焊垫以及若干个探针，各薄膜晶体管的第一电极及第二电极的其中一者电性连接至这些连接焊垫的其中一者，各薄膜晶体管的第一电极及第二电极的另一者以及所述第三电极电性连接至所述测试焊垫，这些探针分别对应地与这些连接焊垫及所述测试焊垫接触，将一测试信号经由与所述测试焊垫接触的探针施加至所述测试焊垫，通过分别侦测这些连接焊垫是否具有所述测试信号来判断这些连接焊垫与对应的探针是否接触不良。

2.根据权利要求1所述的测试系统，其特征在于，所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极，所述第三电极为闸极。

3.一种测试系统，包括一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括若干个薄膜晶体管以及若干个连接焊垫，各薄膜晶体管包括一第一电极、一第二电极以及一第三电极，其特征在于，所述薄膜晶体管基板还包括一第一测试焊垫、一第二测试焊垫以及若干个探针，各薄膜晶体管的第一电极及第二电极的其中一者电性连接至所述第一测试焊垫，各薄膜晶体管的第一电极及第二电极的另一者电性连接至这些连接焊垫的其中一者，各薄膜晶体管的第三电极电性连接至所述第二测试焊垫，这些探针分别对应地与这些连接焊垫、所述第一测试焊垫及所述第二测试焊垫接触，将一第一测试信号经由与所述第一测试焊垫接触的探针施加至所述第一测试焊垫，将一第二测试信号经由与所述第二测试焊垫接触的探针施加至所述第二测试焊垫，通过分别侦测这些连接焊垫是否具有所述第一测试信号来判断这些连接焊垫与对应的探针是否接触不良。

4.根据权利要求3所述的测试系统，其特征在于，所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极，所述第三电极为闸极。

说明书

测试系统

【技术领域】

[0001] 本发明涉及测试技术领域，特别涉及一种能降低测试成本的测试系统。【背景技术】

[0002] 液晶显示装置主要包括一液晶面板以及一背光模块。所述液晶面板包括一薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)基板、一彩色滤光片(Color Filter,CF)基板以及一设置于所述薄膜晶体管基板与所述彩色滤光片基板之间的液晶层。

[0003] 在高分子 聚合物稳定 型垂直配 向(Polymer Stabilization Vertical Align,PSVA)制程、阵列制程(array process)、组立制程(cell process)或其它制程中，必须对薄膜晶体管基板进行测试，检查薄膜晶体管基板上的元件例如薄膜晶体管是否功能正常。

[0004] 请参阅图1，其为现有技术中测试系统的示意图。测试系统包括一探针框架(probe frame)10、若干个探针12以及一薄膜晶体管基板(Thin Film Transistor,TFT)14。所述探针12是设置于所述探针框架10上且由具弹性的金属材质制成。在测试之前，必须先在薄膜晶体管基板上制作若干个焊垫P1～P5，将需要输入信号的元件(未图示)分别电性连接至所述焊垫P1～P5，进行测试时，将所述探针框架10的探针12与对应的焊垫P1～P5对齐并接触，检查薄膜晶体管基板14上的元件是否功能正常。

[0005] 然而所述探针框架10的探针12与对应的焊垫P1～P5对齐时可能会产生对位误差或所述探针12长期使用导致无法完全弹性恢复而造成长度不同，造成所述探针12与对应的焊垫P1～P5接触不良，使得测试结果有误。

[0006] 为了改善上述接触不良的问题，请参阅图2，其为现有技术中另一种测试系统的示意图。与图1的测试系统不同的是图2的测试系统包括焊垫P1～P5及P1’～P5’，所述焊垫P1～P5分别与所述焊垫P1’～P5’电性连接，亦即图2的焊垫数量为图1的焊垫数量的两倍。以所述焊垫P1与P1’为例，进行测试时，可任意地选择所述焊垫P1与P1’的其中一者来施加测试信号，通过对所述焊垫P1与P1’的另一者进行侦测来判断有无接触不良的问题，当判断有接触不良的问题时，调整所述探针框架10的探针12与对应的焊垫P1～P5及P1’～P5’的对位或是调整薄膜晶体管基板14的位置。

[0007] 然而图2的测试系统的焊垫数量及探针数量是图1的测试系统的焊垫数量及探针数量的两倍，增加测试系统的成本及薄膜晶体管基板14上电路配置的复杂度。

[0008] 因此，需要对上述现有测试系统的问题提出解决方法。【发明内容】

[0009] 本发明的一个目的在于提供一种测试系统，以解决现有技术中测试系统的成本过高及电路配置复杂的问题。

[0010] 为解决上述问题，本发明提供了一种测试系统，包括一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括若干个薄膜晶体管以及若干个连接焊垫，各薄膜晶体管包括一第一电极、一第二电极以及一第三电极，所述薄膜晶体管基板还包括一测试焊垫以及若干个探针，各薄膜晶体管的第一电极及第二电极的其中一者电性连接至这些连接焊垫的其中一者，各薄膜晶体管的第一电极及第二电极的另一者以及所述第三电极电性连接至所述测试焊垫，这些探针分别对应地与这些连接焊垫及所述测试焊垫接触，将一测试信号经由与所述测试焊垫接触的探针施加至所述测试焊垫，通过分别侦测这些连接焊垫是否具有所述测试信号来判断这些连接焊垫与对应的探针是否接触不良。

[0011] 在本发明的测试系统中，所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极，所述第三电极为闸极。

[0012] 本发明的另一个目的在于提供一种测试系统，以解决现有技术中测试系统的成本过高及电路配置复杂的问题。

[0013] 为解决上述问题，本发明提供了一种测试系统，包括一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括若干个薄膜晶体管以及若干个连接焊垫，各薄膜晶体管包括一第一电极、一第二电极以及一第三电极，所述薄膜晶体管基板还包括一第一测试焊垫、一第二测试焊垫以及若干个探针，各薄膜晶体管的第一电极及第二电极的其中一者电性连接至所述第一测试焊垫，各薄膜晶体管的第一电极及第二电极的另一者电性连接至这些连接焊垫的其中一者，各薄膜晶体管的第三电极电性连接至所述第二测试焊垫，这些探针分别对应地与这些连接焊垫、所述第一测试焊垫及所述第二测试焊垫接触，将一第一测试信号经由与所述第一测试焊垫接触的探针施加至所述第一测试焊垫，将一第二测试信号经由与所述第二测试焊垫接触的探针施加至所述第二测试焊垫，通过分别侦测这些连接焊垫是否具有所述第一测试信号来判断这些连接焊垫与对应的探针是否接触不良。

[0014] 在本发明的测试系统中，所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极，所述第三电极为闸极。

[0015] 本发明相对于现有技术，解决了现有技术中测试系统的成本过高及电路配置复杂的问题。

[0016] 为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：【附图说明】

[0017] 图1为现有技术中测试系统的示意图；

[0018] 图2为现有技术中另一种测试系统的示意图；

[0019] 图3为根据本发明较佳实施例中测试系统的示意图；

[0020] 图4为根据本发明另一较佳实施例中测试系统的示意图。【具体实施方式】

[0021] 以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。

[0022] 请参阅图3，其为根据本发明较佳实施例中测试系统的示意图。

[0023] 所述测试系统包括一薄膜晶体管基板30，所述薄膜晶体管基板30包括若干个薄膜晶体管T1～T5、若干个连接焊垫R1～R5以及一测试焊垫TP。各薄膜晶体管T1～T5包括一第一电极、一第二电极以及一第三电极。于本实施例中，所述第一电极为源极S(source)，所述第二电极为漏极D(drain)，所述第三电极为闸极G(gate)。薄膜晶体管T1～T5为所述薄膜晶体管基板30上需要测试的元件。

[0024] 本发明的测试系统中，各薄膜晶体管T1～T5的漏极D对应地电性连接至所述连接焊垫R1～R5，各薄膜晶体管T1～T5的源极S及闸极G电性连接至所述测试焊垫TP。

[0025] 所述测试系统还包括若干个探针31～36，所述探针31～35分别对应地与所述连接焊垫R1～R5接触，所述探针36与所述测试焊垫TP接触。

[0026] 判断所述焊垫R1～R5与对应的探针31～35是否接触不良的过程如下。首先将一测试信号经由与所述测试焊垫TP接触的探针36施加至所述测试焊垫TP，通过分别侦测与所述探针31～35接触的所述连接焊垫R1～R5是否具有所述测试信号来判断所述连接焊垫R1～R5与对应的探针31～35是否接触不良。

[0027] 所述测试信号例如是10伏特的直流电压，通过分别侦测所述连接焊垫R1～R5是否等于10伏特来判断所述连接焊垫R1～R5与对应的探针31～35是否接触不良。例如所述连接焊垫R1未侦测到10伏特时，表示所述连接焊垫R1与对应的探针31接触不良，因此需要重新调整所述焊垫R1～R5与对应的探针31～35的对位或是重新调整薄膜晶体管基板30的位置。

[0028] 确认所述焊垫R1～R5与对应的探针31～35接触良好后，后续制程例如高分子聚合物稳定型垂直配向制程、阵列制程、组立制程或其它制程中对薄膜晶体管T1～T5的测试结果才能确保无误。

[0029] 于本实施例中，各薄膜晶体管T1～T5的漏极D分别对应地电性连接至所述连接焊垫R1～R5，各薄膜晶体管T1～T5的闸极G以及源极S电性连接至所述测试焊垫TP。要注意的是，由于各薄膜晶体管T1～T5的漏极D以及源极S可根据施加的测试信号而对调使用，因此于另一实施例中，可以将各薄膜晶体管T1～T5的源极S分别对应地电性连接至所述连接焊垫R1～R5，将各薄膜晶体管T1～T5的闸极G以及漏极D电性连接至所述测试焊垫TP，也可达成等同于图3的功能。

[0030] 请参阅图4，其为根据本发明另一较佳实施例中测试系统的示意图。

[0031] 所述测试系统包括一薄膜晶体管基板40，所述薄膜晶体管基板40包括若干个薄膜晶体管T1～T5、若干个连接焊垫R1～R5、一第一测试焊垫TP1以及一第二测试焊垫TP2。所述薄膜晶体管T1～T5及所述连接焊垫R1～R5与图3相同，各薄膜晶体管T1～T5的漏极D对应地电性连接至所述连接焊垫R1～R5也与图3相同，此不多加赘述。各薄膜晶体管T1～T5为所述薄膜晶体管基板40上需要测试的元件。

[0032] 图3与图4的不同处在于图4的薄膜晶体管基板40包括两个测试焊垫，即所述第一测试焊垫TP1以及所述第二测试焊垫TP2，且所述薄膜晶体管T1～T5的闸极G、源极S与所述第一测试焊垫TP1以及所述第二测试焊垫TP2的电性连接也与图3不同。

[0033] 如图4所示，各薄膜晶体管T1～T5的源极S电性连接至所述第一测试焊垫TP1，各薄膜晶体管T1～T5的闸极G电性连接至所述第二测试焊垫TP2。

[0034] 所述测试系统还包括若干个探针31～35及46～47，所述探针31～35与图3相同，分别对应地与所述连接焊垫R1～R5接触，所述探针46与所述第一测试焊垫TP1接触，所述探针47与所述第二测试焊垫TP2接触。

[0035] 判断所述焊垫R1～R5与对应的探针31～35是否接触不良的过程如下。首先将一第一测试信号经由与所述第一测试焊垫TP1接触的探针46施加至所述第一测试焊垫TP1，将一第二测试信号经由与所述第二测试焊垫TP2接触的探针47施加至所述第二测试焊垫TP2，通过分别侦测与所述探针31～35接触的所述连接焊垫R1～R5是否具有所述第一测试信号来判断所述连接焊垫R1～R5与对应的探针31～35是否接触不良。

[0036] 举例来说，所述第一测试信号是10伏特的直流电压，所述第二测试信号是5伏特的直流电压，通过分别侦测所述连接焊垫R1～R5是否等于10伏特来判断所述连接焊垫R1～R5与对应的探针31～35是否接触不良。例如所述连接焊垫R2未侦测到10伏特时，表示所述连接焊垫R2与对应的探针32接触不良，因此需要重新调整所述焊垫R1～R5与对应的探针31～35的对位或是重新调整薄膜晶体管基板40的位置。

[0037] 确认所述焊垫R1～R5与对应的探针31～35接触良好后，后续制程例如高分子聚合物稳定型垂直配向制程、阵列制程、组立制程或其它制程中对薄膜晶体管T1～T5的测试结果才能确保无误。

[0038] 于本实施例中，各薄膜晶体管T1～T5的漏极D分别对应地电性连接至所述连接焊垫R1～R5，各薄膜晶体管T1～T5的源极S电性连接至所述第一测试焊垫TP1，各薄膜晶体管T1～T5的闸极G电性连接至所述第二测试焊垫TP2。要注意的是，由于各薄膜晶体管T1～T5的漏极D以及源极S可根据施加的测试信号而对调使用，因此于另一实施例中，可以将各薄膜晶体管T1～T5的源极S对应地电性连接至所述连接焊垫R1～R5，各薄膜晶体管T1～T5的漏极D电性连接至所述第一测试焊垫TP1，各薄膜晶体管T1～T5的闸极G电性连接至所述第二测试焊垫TP2，也可达成等同于图4的功能。

[0039] 与图2现有薄膜晶体管基板14需要额外增加一组的焊垫P1’～P5’相比，本发明的薄膜晶体管基板30、40只需要增加一个(如图3)或两个(如图4)测试焊垫就能达到判断连接焊垫R1～R5与探针31～35之间是否接触不良的功能，因此大幅地降低所述薄膜晶体管基板上电路配置的复杂度。再者，由于只需要增加一个(如图3)或两个(如图4)测试焊垫，探针数量也可以减少，进而降低测试系统的成本。

[0040] 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。