直接式PECVD生产中节省气体的方法

摘要

本发明涉及一种直接式PECVD生产中节省气体的方法，其包括以下步骤：步骤①，针对原来生产中硅烷跟氨气的使用量，对该生产批次生产出的电池片进行首次取样检测；步骤②，对硅烷跟氨气的使用量进行定量的阶梯式递减供应；步骤③，对步骤②中生产批次生产出的电池片进行二次取样检测；步骤④，如果二次取样检测的结果与首次取样检测的结果对比未出现偏离，则继续进入步骤②，如果二次取样检测的结果与首次取样检测的结果对比出现偏离，则将硅烷跟氨气的使用量调整为级别降低前的量。由此，降低了硅烷跟氨气的使用量，在满足产品优良率的同时节省了成本，值得推广。

权利要求

1.直接式PECVD生产中节省气体的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，针对原来生产中硅烷跟氨气的使用量，对该生产批次生产出的电池片进行首次取样检测；

步骤②，对硅烷跟氨气的使用量进行定量的阶梯式递减供应；

步骤③，对步骤②中生产批次生产出的电池片进行二次取样检测；

步骤④，如果二次取样检测的结果与首次取样检测的结果对比未出现偏离，则继续进入步骤②，如果二次取样检测的结果与首次取样检测的结果对比出现偏离，则将硅烷跟氨气的使用量调整为级别降低前的量，所述取样检测的项目包括氮化硅膜厚、折射率、均匀性，所述硅烷跟氨气定量的阶梯式递减供应为每次递减100ml/min-1L/min单位的量后供应。

说明书

直接式PECVD生产中节省气体的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种气体使用量设置方法，尤其涉及一种直接式PECVD生产中节省气体的方法。

背景技术

[0002] 使用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：等离子体增强化学气相沉积)方法在晶体硅表面生长氮化硅减反层是整个晶硅太阳能电池制作流程中重要的一环，它能减少入射光的反射，极大地提高电池对光的利用。在生产中主要用膜厚跟折射率这两个参数来控制与评价氮化硅膜的质量。

[0003] 目前氮化硅膜的生长主要有两种方式1.直接式——硅片位于一个电极上，直接接触等离子体；2.间接式——基片不接触激发电极，这两种方式都需要用到硅烷跟氨气这两样特种气体。

[0004] 目前生产上采用直接式PECVD的方法制备氮化硅膜的时候特气使用量大约为：氨气6-9L/min，硅烷500-900ml/min，远大于实际反应所需求的量，造成了浪费。

发明内容

[0005] 本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种直接式PECVD生产中节省气体的方法。

[0006] 本发明的目的通过以下技术方案来实现：

[0007] 直接式PECVD生产中节省气体的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，针对原来生产中硅烷跟氨气的使用量，对该生产批次生产出的电池片进行首次取样检测；步骤②，对硅烷跟氨气的使用量进行定量的阶梯式递减供应；步骤③，对步骤②中生产批次生产出的电池片进行二次取样检测；步骤④，如果二次取样检测的结果与首次取样检测的结果对比未出现偏离，则继续进入步骤②，如果二次取样检测的结果与首次取样检测的结果对比出现偏离，则将硅烷跟氨气的使用量调整为级别降低前的量。

[0008] 上述的直接式PECVD生产中节省气体的方法，其中：所述取样检测的项目包括氮化硅膜厚、折射率、均匀性。

[0009] 进一步地，上述的直接式PECVD生产中节省气体的方法，其中：所述硅烷跟氨气定量的阶梯式递减供应为每次递减100ml/min-1L/min单位的量后供应。

[0010] 本发明技术方案的优点主要体现在：可以在降低气体使用量过程中维持气体比例不变，保证氮化硅膜折射率不受影响。由此，降低了硅烷跟氨气的使用量，在满足产品优良率的同时节省了成本，值得推广。

[0011] 本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。