阵列基板及其制造方法和液晶显示器

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器，该阵列基板的制造方法包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，所述导电图案至少包括栅线、栅电极、有源层、源电极、漏电极、数据线、像素电极和公共电极，所述阵列基板上的公共电极之间通过公共电极连接线连通，其中，所述公共电极连接线与所述像素电极之间还包括阻断块和阻断沟槽，形成所述阻断块和阻断沟槽的步骤具体包括：在形成栅线、公共电极、栅电极和绝缘层的衬底基板上，通过构图工艺形成包括阻断块的图案；在形成上述图案的衬底基板上，通过构图工艺形成包括阻断沟槽的图案。本发明可以解决像素电极的材料残留导致像素电极与公共电极短路的问题，提高良品率。

权利要求

1.一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，所述导电图案至少包括栅线、栅电极、有源层、源电极、漏电极、数据线、像素电极和公共电极，所述阵列基板上的公共电极之间通过公共电极连接线连通，其特征在于，所述公共电极连接线与所述像素电极之间还包括阻断块和阻断沟槽，形成所述阻断块和阻断沟槽的步骤具体包括：在形成栅线、公共电极、栅电极和绝缘层的衬底基板上，通过构图工艺形成包括阻断块的图案，所述阻断块位于所述公共电极连接线与所述像素电极的图案对应的位置之间；

在形成上述图案的衬底基板上，通过构图工艺形成包括阻断沟槽的图案，所述阻断沟槽位于所述公共电极连接线与所述像素电极的图案对应的位置之间，所述阻断沟槽设置于所述绝缘层，所述阻断沟槽将所述阻断块的第二部分与所述绝缘层断开，所述阻断块的第一部分与所述绝缘层接触，所述阻断块的第二部分悬空。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阻断块与所述源电极、漏电极、数据线同层设置且同步形成。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括钝化层和栅绝缘层，形成所述阻断块、源电极、漏电极和数据线的步骤具体包括：在形成栅线、公共电极、栅电极、栅绝缘层和有源层图案的衬底基板上，形成数据线金属薄膜；

在所述数据线金属薄膜上涂覆光刻胶后，采用单色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应数据线、源电极、漏电极和阻断块的图案，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域，刻蚀所述数据线金属薄膜形成包括数据线、源电极、漏电极和阻断块的图案，并刻蚀所述有源层形成沟道图案；

去除剩余的光刻胶。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阻断块与所述有源层、源电极、漏电极、数据线同层设置且同步形成。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括钝化层和栅绝缘层，形成所述阻断块、有源层、源电极、漏电极和数据线的步骤具体包括：在形成栅线、公共电极、栅电极和栅绝缘层的衬底基板上，形成有源层薄膜和数据线金属薄膜；

在所述数据线金属薄膜上涂覆光刻胶后，采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度大于所述光刻胶部分保留区域的光刻胶厚度，所述光刻胶部分保留区域对应薄膜晶体管有源层之上的沟道区域，所述光刻胶完全保留区域对应有源层、源电极、漏电极、数据线和阻断块的图案，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；

刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域对应的所述数据线金属薄膜和有源层薄膜，形成包括有源层、数据线、源电极、漏电极和阻断块的图案；

去除光刻胶部分保留区域的光刻胶；

刻蚀掉所述光刻胶部分保留区域对应的所述数据线金属薄膜，并刻蚀所述有源层形成沟道图案；

去除剩余的光刻胶。

6.根据权利要求1-5任一所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述公共电极连接线通过公共电极连接过孔连通所述公共电极，所述公共电极连接过孔与所述阻断沟槽同步形成。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括钝化层和栅绝缘层，形成所述公共电极连接过孔与阻断沟槽的步骤具体包括：在形成阻断块图案的衬底基板上，形成钝化层；

在所述钝化层之上涂覆光刻胶；

对光刻胶进行曝光显影之后，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全去除区域包括对应阻断沟槽和公共电极连接过孔的图案，所述光刻胶完全保留区域对应其他区域；其中，所述对应阻断沟槽和公共电极连接过孔的图案对应阻断块的第二部分以及所述阻断块与像素电极之间的部分区域；

刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的钝化层和栅绝缘层形成包括所述阻断沟槽和公共电极连接过孔的图案，所述阻断沟槽包括位于所述阻断块的第二部分之下的空间，所述阻断块的第一部分位于所述栅绝缘层之上、夹设在所述钝化层与栅绝缘层之间。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述公共电极连接线与所述像素电极同层设置且同步形成，形成所述公共电极连接线和像素电极的步骤具体包括：在形成所述公共电极连接过孔和阻断沟槽图案的衬底基板上，形成透明导电薄膜；

在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶；

对光刻胶进行曝光显影之后，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域包括对应所述公共电极连接线和像素电极的图案，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；

刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的所述透明导电薄膜形成包括所述公共电极连接线和像素电极的图案。

9.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上有导电图案和绝缘层，所述导电图案至少包括栅线、栅电极、有源层、源电极、漏电极、数据线、像素电极和公共电极，数据线和栅线横纵交叉围设形成多个像素单元，每个像素单元中包括像素电极、栅电极、源电极、漏电极、有源层和公共电极，所述阵列基板上的公共电极之间通过公共电极连接线连通，其特征在于：所述公共电极连接线与所述像素电极之间形成有阻断块和阻断沟槽，所述阻断沟槽设置于所述绝缘层，所述阻断沟槽将所述阻断块的第二部分与所述绝缘层断开，所述阻断块的第一部分与所述绝缘层接触，所述阻断块的第二部分悬空。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阻断块采用数据线金属薄膜制成，所述阻断块与所述源电极、漏电极、数据线同层设置且同步形成。

11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于：所述阻断块采用数据线金属薄膜和有源层薄膜制成，所述阻断块与所述有源层、源电极、漏电极、数据线同层设置且同步形成。

12.根据权利要求9-11任一所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括栅绝缘层和钝化层；

所述阻断沟槽将所述阻断块的第二部分与所述钝化层和所述栅绝缘层断开，所述阻断沟槽包括位于所述阻断块的第二部分之下的空间，所述阻断块的第一部分位于所述栅绝缘层之上、夹设在所述钝化层与栅绝缘层之间。

13.根据权利要求9-11任一所述的阵列基板，其特征在于：所述阻断块的第一部分与所述公共电极之间形成有绝缘层。

14.根据权利要求9-11任一所述的阵列基板，其特征在于：所述阻断块的第一部分与所述衬底基板之间形成有绝缘层。

15.根据权利要求9-11任一所述的阵列基板，其特征在于：所述阻断块的第一部分邻近所述像素电极设置，所述阻断块的第二部分邻近所述公共电极设置。

16.根据权利要求9-11任一所述的阵列基板，其特征在于：所述阻断块的第一部分邻近所述公共电极设置，所述阻断块的第二部分邻近所述像素电极设置。

17.根据权利要求9-11任一所述的阵列基板，其特征在于：

所述阻断块包括第一阻断块和第二阻断块，

所述第一阻断块的第一部分邻近所述像素电极设置，所述第一阻断块的第二部分邻近所述公共电极设置；

所述第二阻断块的第一部分邻近所述公共电极设置，所述第二阻断块的第二部分邻近所述像素电极设置；

所述阻断沟槽形成在所述第一阻断块和所述第二阻断块之间以及所述第一阻断块第二部分和所述第二阻断块第二部分之下。

18.根据权利要求9-11任一所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极连接线与所述像素电极同层设置且同步形成。

19.一种液晶显示器，包括液晶面板，其特征在于：所述液晶面板包括对盒设置的彩膜基板和权利要求9-18任一所述的阵列基板，所述彩膜基板和阵列基板中夹设有液晶层。

说明书

阵列基板及其制造方法和液晶显示器

技术领域

[0001] 本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。

背景技术

[0002] 液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

[0003] 图1A为现有TFT-LCD的阵列基板的局部俯视结构示意图，图1B为图1A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图，如图1A和图1B所示，TFT-LCD的阵列基板包括衬底基板1；衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线5和栅线2；数据线5和栅线2围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括TFT开关、公共电极12和像素电极11；TFT开关包括栅电极3、源电极7、漏电极8和有源层6；栅电极3连接栅线2，源电极7连接数据线5，漏电极8通过钝化层过孔连接像素电极11，有源层6形成在源电极7和漏电极8与栅电极3之间，栅电极3和有源层6之间为栅绝缘层4，像素电极11与漏电极8之间为钝化层9。其中，栅线
2、数据线5、栅电极3、源电极7、漏电极8和像素电极11等图案统称为导电图案，栅绝缘层
4和钝化层9统称为绝缘层。为了提高公共电极的均匀性，可以采用矩阵公共电极(Matrix Vcom)方法提高显示质量，如图1A和图1B所示，在形成像素电极的过程中，可以采用与像素电极相同的材料如：ITO形成公共电极连接线14通过公共电极连接过孔15连通公共电极12。其中，在TN模式下，公共电极可以为类似于条状的图案，通常也叫做公共电极线；在AD-SDS或IPS模式下公共电极可以为整块图案。高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维空间复合电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。

[0004] 在刻蚀过程中，连通公共电极连接线14与像素电极11之间容易产生像素电极的材料残留的现象，导致像素电极11与公共电极12短路，引起TFT-LCD显示不良。

发明内容

[0005] 本发明提供一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器，以减少因像素电极的材料残留导致像素电极与公共电极短路，提高液晶显示器的良品率。

[0006] 本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，所述导电图案至少包括栅线、栅电极、有源层、源电极、漏电极、数据线、像素电极和公共电极，所述阵列基板上的公共电极之间通过公共电极连接线连通，其中，所述公共电极连接线与所述像素电极之间还包括阻断块和阻断沟槽，形成所述阻断块和阻断沟槽的步骤具体包括：

[0007] 在形成栅线、公共电极、栅电极和绝缘层的衬底基板上，通过构图工艺形成包括阻断块的图案，所述阻断块位于所述公共电极连接线与所述像素电极的图案对应的位置之间；

[0008] 在形成上述图案的衬底基板上，通过构图工艺形成包括阻断沟槽的图案，所述阻断沟槽位于所述公共电极连接线与所述像素电极的图案对应的位置之间，所述阻断沟槽将所述阻断块的第二部分与所述绝缘层断开，所述阻断块的第一部分与所述绝缘层接触，所述阻断块的第二部分悬空。

[0009] 本发明又提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上有导电图案和绝缘层，所述导电图案至少包括栅线、栅电极、有源层、源电极、漏电极、数据线、像素电极和公共电极，数据线和栅线横纵交叉围设形成多个像素单元，每个像素单元中包括像素电极、栅电极、源电极、漏电极、有源层和公共电极，所述阵列基板上的公共电极之间通过公共电极连接线连通，其中：

[0010] 所述公共电极连接线与所述像素电极之间形成有阻断块和阻断沟槽，所述阻断沟槽将所述阻断块的第二部分与所述绝缘层断开，所述阻断块的第一部分与所述绝缘层接触，所述阻断块的第二部分悬空。

[0011] 本发明还提供一种液晶显示器，包括液晶面板，其特征在于：所述液晶面板包括对盒设置的彩膜基板和本发明提供的任一所述的阵列基板，所述彩膜基板和阵列基板中夹设有液晶层。

[0012] 本发明提供的阵列基板及其制造方法和液晶显示器，通过在连通公共电极连接线与像素电极之间形成阻断块和阻断沟槽，在形成像素电极时，由于阻断沟槽与阻断块已经将钝化层断开，形成台阶，可以使像素电极的材料在钝化层断开的台阶处断裂，即使公共电极连接线与像素电极之间存在像素电极的材料残留，也不会使像素电极与公共电极短路，因此可以解决像素电极的材料残留导致像素电极与公共电极短路的问题，提高了良品率。

附图说明

[0013] 图1A为现有TFT-LCD的阵列基板的局部俯视结构示意图；

[0014] 图1B为图1A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

[0015] 图2A为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法的流程示意图；

[0016] 图2B为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法制成的阵列基板的局部俯视结构示意图；

[0017] 图2C为图2B中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

[0018] 图3A为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法的流程示意图；

[0019] 图3B为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成栅线、栅电极、公共电极的局部俯视结构示意图；

[0020] 图3C为图3B中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

[0021] 图3D为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成栅绝缘层的侧视剖切结构示意图；

[0022] 图3E为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成有源层的局部俯视结构示意图；

[0023] 图3F为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成数据线、源电极、漏电极和阻断块的局部俯视结构示意图；

[0024] 图3G为图3F中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

[0025] 图3H为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成钝化层后图3F沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

[0026] 图3I为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成阻断沟槽后图3F沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

[0027] 图3J为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成像素电极和公共电极连接线后图3F沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

[0028] 图4A为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法的流程示意图；

[0029] 图4B为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法中形成有源层、数据线、源电极、漏电极和阻断块的局部俯视结构示意图；

[0030] 图4C为图4B中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

[0031] 图4D为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法中形成阻断沟槽后图4B沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

[0032] 图4E为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法中沉积透明导电薄膜的局部俯视结构示意图；

[0033] 图4F为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法中形成像素电极的局部俯视结构示意图；

[0034] 图4G为图4F中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

[0035] 图5A为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法中形成公共电极连接过孔与阻断沟槽的流程示意图；

[0036] 图5B为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法中形成公共电极连接线与像素电极的流程示意图；

[0037] 图6A为本发明实施例六提供的阵列基板中阻断块位置的一种示意图；

[0038] 图6B为本发明实施例六提供的阵列基板中阻断块位置的另一种示意图；

[0039] 图6C为本发明实施例六提供的阵列基板中阻断块位置的再一种示意图。

[0040] 主要附图标记：

[0041] 1-衬底基板； 2-栅线； 3-栅电极；

[0042] 4-栅绝缘层； 5-数据线； 6-有源层；

[0043] 7-源电极； 8-漏电极； 9-钝化层；

[0044] 11-像素电极； 12-公共电极； 14-公共电极连接线；

[0045] 15-公共电极连接过孔；17-阻断块； 171-第一部分；

[0046] 172-第二部分； 173-第一阻断块；174-第二阻断块；

[0047] 19-阻断沟槽。

具体实施方式

[0048] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0049] 实施例一

[0050] 图2A为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法的流程示意图，图2B为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法制成的阵列基板的局部俯视结构示意图，图2C为图2B中沿A-A线的侧视剖切结构示意图，如图2B和图2C所示，该阵列基板的制造方法包括在衬底基板1上形成导电图案和绝缘层的步骤，所述导电图案至少包括栅线2、栅电极3、有源层6、源电极7、漏电极8、数据线5、像素电极11和公共电极12，其中，一个公共电极可以对应一个或多个像素单元，公共电极之间可以通过公共电极连接线连接，例如：一行像素单元对应一个公共电极，或一列像素单元对应一个公共电极，或其他形式。其中，公共电极可以与栅线同时形成，也可以与其他层薄膜结构同时形成或是单独形成。公共电极12互相连接形成矩阵公共电极(MatrixVcom)。

[0051] 其中，公共电极连接线14与像素电极11之间还包括阻断块17和阻断沟槽19，形成阻断块17和阻断沟槽19的步骤具体可以包括：

[0052] 步骤101、在形成栅线2、公共电极12、栅电极3和绝缘层20的衬底基板1上，通过构图工艺形成包括阻断块17的图案，所述阻断块17位于所述公共电极连接线14与所述像素电极11的图案对应的位置之间；其中，有源层可以包括半导体层和重掺杂半导体层(即欧姆接触层)，也可以仅包括半导体层。其中，阻断块17可以与数据线5采用相同的材料同步制成，也可以单独形成。

[0053] 步骤102、在形成上述图案的衬底基板1上，通过构图工艺形成包括阻断沟槽19的图案，所述阻断沟槽19位于所述公共电极连接线14与所述像素电极11的图案对应的位置之间，所述阻断沟槽19将所述阻断块17的第二部分172与所述绝缘层20断开，所述阻断块17的第一部分171与所述绝缘层20接触，所述阻断块17的第二部分172悬空。

[0054] 然后，在形成上述图案的衬底基板1上，形成导电薄膜，通过构图工艺形成包括所述公共电极连接线14的图案。其中，导电薄膜可以为透明导电薄膜例如：ITO，这种情况下，公共电极连接线14可以与像素电极11采用相同的材料同步制成、且同层设置；导电薄膜也可以为非透明导电薄膜，这种情况下，公共电极连接线14可以单独形成。

[0055] 本实施例通过在连通公共电极连接线与像素电极之间形成阻断块和阻断沟槽，在形成像素电极时，由于阻断沟槽与阻断块已经将绝缘层断开，形成台阶，可以使像素电极的材料在绝缘层断开的台阶处断裂，即使经过刻蚀后，公共电极连接线与像素电极之间存在像素电极的材料残留，也不会使像素电极与公共电极短路，因此可以解决像素电极的材料残留导致像素电极与公共电极短路的问题，提高了液晶显示器的良品率。

[0056] 实施例二

[0057] 图3A为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法的流程示意图，图3B为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成栅线、栅电极、公共电极的局部俯视结构示意图，图3C为图3B中沿A-A线的侧视剖切结构示意图，如图3A、图3B和图3C所示，阻断块17可以与源电极7、漏电极8、数据线5同层设置且同步形成，本实施例中，以绝缘层包括钝化层9和栅绝缘层4为例，该阵列基板的制造方法具体包括：首先，在衬底基板1上先沉积栅极金属层，通过构图工艺形成栅线2、栅电极3(以栅电极形成在栅线上为例)、公共电极
12后，沉积一层栅绝缘层4，如图3D所示，为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成栅绝缘层的侧视剖切结构示意图。接着，在形成上述图案的衬底基板上，形成有源层薄膜；在所述有源层薄膜上涂覆光刻胶后，采用单色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应有源层的图案，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域，刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的有源层薄膜形成包括有源层的图案；去除剩余的光刻胶；经过该构图工艺过程形成有源层，如图3E所示，为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成有源层的局部俯视结构示意图，在图3E中沿A-A线的侧视剖切结构可以参见图3D，此时公共电极12之上可以覆盖有栅绝缘层4。

[0058] 然后，形成阻断块17、源电极7、漏电极8和数据线5的步骤具体可以包括：

[0059] 步骤201、在形成栅线、公共电极、栅电极、栅绝缘层和有源层图案的衬底基板上，形成数据线金属薄膜；

[0060] 步骤202、在所述数据线金属薄膜上涂覆光刻胶后，采用单色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域对应数据线、源电极、漏电极和阻断块的图案，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域，刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的数据线金属薄膜形成包括数据线、源电极、漏电极和阻断块的图案，并刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的有源层形成沟道图案；其中，阻断块的材料可以为数据线金属薄膜的材料，并且与数据线、源电极、漏电极同步形成，不需要增加额外的工艺。

[0061] 步骤203、去除剩余的光刻胶。

[0062] 图3F为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成数据线、源电极、漏电极和阻断块的局部俯视结构示意图，图3G为图3F中沿A-A线的侧视剖切结构示意图，如图3F和图3G所示，在形成有源层6的衬底基板1上，形成数据线金属薄膜后，涂覆光刻胶，采用单色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影后，刻蚀数据线金属薄膜可以形成包括数据线5、源电极7、漏电极8和阻断块17的图案，然后去除剩余的光刻胶，完成一次光刻过程。

[0063] 在通过两次构图工艺形成包括有源层、源电极、漏电极、数据线和阻断块的图案之后，在形成上述图案的衬底基板1上，可以沉积钝化层9，如图3H所示，为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成钝化层后图3F沿A-A线的侧视剖切结构示意图；然后，通过构图工艺形成刻蚀所述钝化层9形成包括公共电极连接过孔15和阻断沟槽19的图案，由于栅绝缘层和钝化层的成分基本一致，刻蚀性质相近，且与阻断层、公共电极层等金属的刻蚀性质不同，因此钝化层和栅绝缘层可以同时刻蚀，例如采取干刻工艺可以光刻胶完全去除区域对应的栅绝缘层和钝化层，形成阻断沟槽和过孔，不需要增加额外的刻蚀步骤，在不增加额外的成本的情况下，提高了良率。由于栅绝缘层4和钝化层9为透明绝缘材料，本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成阻断沟槽的局部俯视结构示意图可以参见图3F，并且，图3I为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成阻断沟槽后图3F沿A-A线的侧视剖切结构示意图。

[0064] 最后，在形成上述图案的衬底基板1上，沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括所述像素电极11和公共电极连接线14的图案，其中，图3J为本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成像素电极和公共电极连接线后图3F沿A-A线的侧视剖切结构示意图，阻断块17和所述阻断沟槽19位于连通所述公共电极连接线14与所述像素电极11之间，公共电极连接线14可以通过公共电极连接过孔15将不同像素对应的公共电极12连通，参见图2B和图3J。其中，一种情况下，阻断块17的第一部分171可以与公共电极12之间形成栅绝缘层4，此时，阻断沟槽19与公共电极12之间具有交叠区域；另一种情况下，阻断块17的第一部分171可以与衬底基板1之间形成有栅绝缘层4，此时，阻断沟槽19与公共电极12不具有交叠区域，而是位于公共电极12与像素电极11之间的区域，图3B到图3I仅以与公共电极12具有交叠区域为例进行示意，并非对阻断块17和阻断沟槽19的位置进行限制。并且，阻断块17的第一部分既可以在阻断沟槽19边上邻近公共电极12的一边，也可以在阻断沟槽19边上邻近像素电极11的一边，也可以在阻断沟槽19的两边分别存在一个阻断块17，这两个阻断块的第二部分都悬空，互相不接触。

[0065] 本实施例通过在连通公共电极连接线与像素电极之间形成阻断块和阻断沟槽，在形成像素电极时，由于阻断沟槽与阻断块已经将钝化层断开，形成台阶，可以使像素电极的材料在钝化层断开的台阶处断裂，即使公共电极连接线与像素电极之间存在像素电极的材料残留，也不会使像素电极与公共电极短路，因此可以解决像素电极的材料残留导致像素电极与公共电极短路的问题，提高了液晶显示器的良品率。

[0066] 实施例三

[0067] 图4A为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法的流程示意图，参见图4A、图3B和图3C，阻断块17可以与有源层6、源电极7、漏电极8、数据线5同层设置且同步形成，本实施例中，以绝缘层包括钝化层9和栅绝缘层4为例，该阵列基板的制造方法具体包括：
首先，在衬底基板1上先形成栅线2、栅电极3、公共电极12后，阻断块、有源层、源电极、漏电极和数据线的步骤具体可以包括：

[0068] 步骤301、在形成栅线、公共电极、栅电极和栅绝缘层图案的衬底基板上，依次沉积形成所述有源层薄膜和数据线金属薄膜；

[0069] 步骤302、在所述数据线金属薄膜上涂覆光刻胶后，采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度大于所述光刻胶部分保留区域的光刻胶厚度，其中，光刻胶部分保留区域对应薄膜晶体管有源层之上的沟道区域，光刻胶完全保留区域对应有源层、源电极、漏电极、数据线和阻断块的图案，光刻胶完全去除区域对应其他区域；

[0070] 步骤303、刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域对应的所述数据线金属薄膜和有源层薄膜，形成包括有源层、数据线、源电极、漏电极和阻断块的图案；

[0071] 步骤304、采用灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，即薄膜晶体管有源层之上的沟道区域的光刻胶被全部去除，光刻胶完全保留区域，即源电极、漏电极、数据线和阻断块的图案之上的仍覆盖有光刻胶，但厚度变小；

[0072] 步骤305、刻蚀掉所述半保留区域对应的所述数据线金属薄膜，并刻蚀所述有源层形成沟道图案(若有源层包括半导体层和重掺杂半导体层，还需刻蚀掉沟道上方的重掺杂半导体层，若有缘层仅包括半导体层仅刻蚀掉数据线金属薄膜即可)；

[0073] 步骤306、去除剩余的光刻胶。

[0074] 图4B为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法中形成有源层、数据线、源电极、漏电极和阻断块的局部俯视结构示意图，图4C为图4B中沿A-A线的侧视剖切结构示意图，如图4B和图4C所示，在形成栅线2、栅电极3、公共电极12的衬底基板1上，形成有源层薄膜和数据线金属薄膜后，涂覆光刻胶，采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影后，刻蚀有源层薄膜和数据线金属薄膜可以形成包括有源层6、数据线5、源电极7、漏电极8和阻断块17的图案，然后去除剩余的光刻胶，完成一次光刻过程，该一次光刻过程为一次构图工艺，其中阻断块17之下形成有有源层薄膜的材料。

[0075] 在通过一次构图工艺形成包括有源层、源电极、漏电极、数据线和阻断块的图案后，在形成上述图案的衬底基板1上，通过沉积钝化层，通过构图工艺刻蚀形成钝化层9，形成包括阻断沟槽19和公共电极连接线14的图案，由于栅绝缘层4和钝化层9为透明绝缘材料，本发明实施例二提供的阵列基板的制造方法中形成阻断沟槽的局部俯视结构示意图可以参见图3F，并且，图4D为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法中形成阻断沟槽后图4B沿A-A线的侧视剖切结构示意图。

[0076] 最后，在形成上述图案的衬底基板1上，沉积透明导电薄膜，该透明导电薄膜可以为像素电极材料ITO，如图4E为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法中沉积透明导电薄膜的局部俯视结构示意图。然后通过构图工艺刻蚀该透明导电薄膜形成包括所述像素电极11的图案，图4F为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法中形成像素电极的局部俯视结构示意图，图4G为图4F中沿A-A线的侧视剖切结构示意图，其中，阻断块17和所述阻断沟槽19位于连通所述公共电极连接线14与所述像素电极11之间。阻断块17和阻断沟槽19的位置，既可以与公共电极12具有交叠区域，也可以与公共电极没有交叠区域，而位于公共电极与像素电极之间的区域，图4B到图4G仅以与公共电极12具有交叠区域为例进行示意，并非对阻断块17和阻断沟槽19的位置进行限制。并且，阻断块17既可以在阻断沟槽19上邻近公共电极12的一边，也可以在阻断沟槽19上邻近像素电极11的一边，也可以在阻断沟槽19的两边都存在部分的阻断块17。

[0077] 本实施例通过在连通公共电极连接线与像素电极之间形成阻断块和阻断沟槽，在形成像素电极时，由于阻断沟槽与阻断块已经将钝化层断开，形成台阶，可以使像素电极的材料在钝化层断开的台阶处断裂，即使公共电极连接线与像素电极之间存在像素电极的材料残留，也不会使像素电极与公共电极短路，因此可以解决像素电极的材料残留导致像素电极与公共电极短路的问题，提高了液晶显示器的良品率。

[0078] 实施例四

[0079] 图5A为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法中形成公共电极连接过孔与阻断沟槽的流程示意图，在上述的实施例一、二、三的基础上，参见图5A、图2B和图2C，该阵列基板上的公共电极连接线14可以通过公共电极连接过孔15连通所述公共电极12，所述公共电极连接过孔15与所述阻断沟槽19同步形成，参见图3I和图4D，以绝缘层包括钝化层9和栅绝缘层4为例，在形成有源层、数据线、源电极、漏电极和阻断块之后，形成所述公共电极连接过孔与阻断沟槽的步骤具体包括：

[0080] 步骤401、在形成阻断块图案的衬底基板上，形成钝化层。

[0081] 步骤402、在所述钝化层之上涂覆光刻胶；

[0082] 步骤403、对光刻胶进行曝光显影之后，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全去除区域包括对应阻断沟槽和公共电极连接过孔的图案，所述光刻胶完全保留区域对应其他区域；其中，所述对应阻断沟槽和公共电极连接过孔的图案对应阻断块的第二部分以及所述阻断块与像素电极之间的部分区域；

[0083] 步骤404、刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的钝化层和栅绝缘层形成包括所述阻断沟槽和公共电极连接过孔的图案，所述阻断沟槽包括位于所述阻断块的第二部分之下的空间，所述阻断块的第一部分位于所述栅绝缘层之上、夹设在所述钝化层与栅绝缘层之间。

[0084] 此外，这一步形成的公共电极连接过孔的同时也可以形成连通漏电极与像素电极的过孔。由于栅绝缘层和钝化层的成分基本一致，刻蚀性质相近，且与阻断层、公共电极层等金属的刻蚀性质不同，因此钝化层和栅绝缘层可以同时刻蚀，例如采取干刻工艺可以光刻胶完全去除区域对应的栅绝缘层和钝化层，形成阻断沟槽和公共电极连接过孔，不需要增加额外的刻蚀步骤，在不增加额外的成本的情况下，提高了良率。

[0085] 进一步地，在形成了阻断沟槽与公共电极连接线过孔之后，公共电极连接线与所述像素电极也可以同层设置且同步形成，图5B为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法中形成公共电极连接线与像素电极的流程示意图，参见图5A、图5B、图4E、图4F和图4G，形成所述公共电极连接线14和像素电极11的步骤具体包括：

[0086] 步骤501、在形成所述公共电极连接过孔15和阻断沟槽19图案的衬底基板1上，形成透明导电薄膜；

[0087] 步骤502、在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶；

[0088] 步骤503、对光刻胶进行曝光显影之后，形成包括光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域的光刻胶图案，所述光刻胶完全保留区域包括对应所述公共电极连接线14和像素电极11的图案，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；

[0089] 步骤504、刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的所述透明导电薄膜形成包括所述公共电极连接线14和像素电极11的图案。

[0090] 本实施例通过在连通公共电极连接线与像素电极之间形成阻断块和阻断沟槽，在形成像素电极时，由于阻断沟槽与阻断块已经将绝缘层断开，形成台阶，可以使像素电极的材料在绝缘层断开的台阶处断裂，即使公共电极连接线与像素电极之间存在像素电极的材料残留，也不会使像素电极与公共电极短路，因此可以解决像素电极的材料残留导致像素电极与公共电极短路的问题，提高了液晶显示器的良品率。

[0091] 实施例五

[0092] 本发明实施例五提供一种阵列基板，参见图2B和图2C，该阵列基板包括衬底基板1，所述衬底基板1有导电图案和绝缘层，所述导电图案至少包括栅线2、栅电极3、有源层6、源电极7、漏电极8、数据线5、像素电极11和公共电极12，数据线5和栅线2横纵交叉围设形成多个像素单元，每个像素单元中包括像素电极11、栅电极3、源电极7、漏电极8、有源层
6和公共电极12，所述阵列基板上的公共电极12之间通过公共电极连接线14连通，其中：
所述公共电极连接线14与所述像素电极之间形成有阻断块17和阻断沟槽19，所述阻断沟槽19将所述阻断块17的第二部分172与所述绝缘层20断开，所述阻断块17的第一部分
171与所述绝缘层20接触，所述阻断块17的第二部分172悬空。

[0093] 本实施例的阵列基板可以采用本发明实施例所提供的阵列基板的制造方法来制备，形成相应的图案结构。

[0094] 本实施例的阵列基板中，在连通公共电极连接线与像素电极之间形成阻断块和阻断沟槽，由于阻断沟槽与阻断块将钝化层断开，形成台阶，可以使像素电极的材料在钝化层断开的台阶处断裂，即使公共电极连接线与像素电极之间存在像素电极残留，也不会使像素电极与公共电极短路，因此可以解决像素电极的材料残留导致像素电极与公共电极短路的问题，提高液晶显示器的良品率。

[0095] 实施例六

[0096] 本发明实施例六提供一种阵列基板，参见图3J和图4G，该阵列基板包括衬底基板1，所述衬底基板1有导电图案和绝缘层，所述导电图案至少包括栅线2、栅电极3、有源层6、源电极7、漏电极8、数据线5、像素电极11和公共电极12，数据线5和栅线2横纵交叉围设形成多个像素单元，每个像素单元中包括像素电极11、栅电极3、源电极7、漏电极8、有源层
6和公共电极12，所述阵列基板上的公共电极12之间通过公共电极连接线14连通，其中：
绝缘层可以包括栅绝缘层4和钝化层9；

[0097] 所述阻断沟槽19将所述阻断块17的第二部分与所述钝化层9和所述栅绝缘层4断开，所述阻断沟槽19包括位于所述阻断块17的第二部分之下的空间，所述阻断块17的第一部分位于所述栅绝缘层4之上、夹设在所述钝化层9与栅绝缘层4之间。

[0098] 其中，所述阻断块17可以采用数据线金属薄膜制成，所述阻断块17与所述源电极7、漏电极8、数据线5同层设置且同步形成。具体形成过程可以参见实施例二中的图3A-图
3J及其相关描述。或者，所述阻断块17也可以采用数据线金属薄膜和有源层薄膜制成，所述阻断块17与所述有源层6、源电极7、漏电极8、数据线5同层设置且同步形成。具体形成过程可以参见实施例三中的图4A-图4G及其相关描述。

[0099] 此外，阻断块的位置可以包括多种情况：

[0100] 一种情况下，所述阻断块17的第一部分与所述公共电极12之间形成有绝缘层，其中，阻断块17的第一部分与公共电极12之间形成有绝缘层的示例可以参见图2C、图3J、图4G及其相关描述。这种情况下，参见图2C，阻断块17可以夹设在阻断沟槽19边上邻近公共电极12的一边，将阻断块17的第一部分171邻近所述公共电极12设置，所述阻断块的第二部分邻近所述像素电极设置。图6A为本发明实施例六提供的阵列基板中阻断块位置的一种示意图，参见图6A，也可以将阻断块17的第一部分171邻近所述像素电极11设置，所述阻断块17的第二部分172邻近所述公共电极12设置，阻断块17的第一部分171夹设在栅绝缘层4与钝化层9之间，阻断块17的第二部分172悬空，与栅绝缘层4、钝化层9都不接触。

[0101] 另一种情况下，所述阻断块17的第一部分与所述衬底基板1之间形成有绝缘层。这种情况下，既可以将阻断块的第一部分邻近所述像素电极设置，所述阻断块的第二部分邻近所述公共电极设置。也可以将阻断块的第一部分邻近所述公共电极设置，所述阻断块的第二部分邻近所述像素电极设置，图6B为本发明实施例六提供的阵列基板中阻断块位置的另一种示意图，如图6B所示，如果公共电极12为条形结构，阻断块17的第一部分171可以与公共电极12没有交叠区域，而是与衬底基板1之间形成有栅绝缘层4，并且夹设在栅绝缘层4与钝化层9之间，并且阻断块17的第二部分172悬空，与栅绝缘层4、钝化层9都不接触。

[0102] 再一种情况下，图6C为本发明实施例六提供的阵列基板中阻断块位置的再一种示意图，如图6C所示，所述阻断块包括第一阻断块173和第二阻断块174，所述第一阻断块173的第一部分邻近所述像素电极设置，所述第一阻断块173的第二部分邻近所述公共电极设置；所述第二阻断块174的第一部分邻近所述公共电极设置，所述第二阻断块174的第二部分邻近所述像素电极设置；所述阻断沟槽19形成在所述第一阻断块173和所述第二阻断块174之间以及所述第一阻断块173的第二部分和所述第二阻断块174的第二部分之下。其中，第一阻断块173的第二部分和所述第二阻断块174的第二部分之间不接触，且与钝化层9和栅绝缘层4都不接触；第一阻断块173的第一部分与第二阻断块174的第一部分都可以夹设在钝化层9和栅绝缘层4之间。

[0103] 进一步地，参见图2C、图3J、图4G，公共电极连接线14与所述像素电极11可以同层设置且同步形成，具体形成的方法可以参见上述实施例二、三、四中的相关描述。

[0104] 本实施例的阵列基板可以采用本发明实施例所提供的阵列基板的制造方法来制备，形成相应的图案结构。

[0105] 本实施例的阵列基板中，在连通公共电极连接线与像素电极之间形成阻断块和阻断沟槽，由于阻断沟槽与阻断块将钝化层断开，形成台阶，可以使像素电极的材料在钝化层断开的台阶处断裂，即使公共电极连接线与像素电极之间存在像素电极残留，也不会使像素电极与公共电极短路，因此可以解决像素电极的材料残留导致像素电极与公共电极短路的问题，提高液晶显示器的良品率。

[0106] 实施例七

[0107] 本发明实施例七提供一种液晶显示器，包括液晶面板，其中：所述液晶面板包括对盒设置的彩膜基板和本发明实施例提供的任一阵列基板，所述彩膜基板和阵列基板中夹设有液晶层。

[0108] 本实施例液晶显示器的阵列基板中，在连通公共电极连接线与像素电极之间形成阻断块和阻断沟槽，由于阻断沟槽与阻断块将钝化层断开，形成台阶，可以使像素电极的材料在钝化层断开的台阶处断裂，即使公共电极连接线与像素电极之间存在像素电极残留，也不会使像素电极与公共电极短路，因此可以解决像素电极的材料残留导致像素电极与公共电极短路的问题，提高液晶显示器的良品率。

[0109] 最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。