本发明提供一种双通道射频MEMS开关及其制造方法，该双通道射频MEMS开关包括一具有多个引脚的基座，一设置在该基座上的衬底以及一设置在该衬底上的可动微机械结构。衬底上具有两个微波传输线及锚点，可动微机械结构是由折叠梁、直梁、上电极、连接梁及触点构成。本发明可利用左右两对独立的驱动电极对单个可动微机械结构驱动来实现对两个微波传输线进行各自独立的控制，组成多种传输模式。同时依靠利用折叠梁的扭转来实现开关断开与闭合、控制折叠梁的厚度及缩短驱动电极间距三种手段，能够使双通道射频MEMS开关的驱动电压低于5V。此外，本发明采用键合技术制作的单晶硅折叠梁，消除了因残余应力发生的翘曲现象，提高成品率。
1.一种双通道射频MEMS开关，其特征在于，至少包括：
衬底，设置在所述基座上，所述衬底上表面的相对两侧分别凸设有呈矩形的第一下电极及第二下电极，邻近所述第一下电极的纵向外缘具有第一微波传输线，邻近所述第二下电极的纵向外缘具有第二微波传输线，所述第一下电极的一横向外缘连接有第一下电极焊盘，所述第二下电极的一横向外缘连接有第二下电极焊盘，位于所述第一下电极与第二下电极之间并邻近所述第一下电极及第二下电极的横向外缘的相对两侧分别具有第一锚点及第二锚点，且所述第一锚点连接有一锚点焊盘，其中，所述第一、第二下电极焊盘及锚点焊盘分别藉由一金属引线与所述基座的引脚相连接；以及可动微机械结构，设置在所述衬底上，包括具有固定端及可动端的第一及第二折叠梁，所述第一及第二折叠梁的固定端分别与第一锚点与第二锚点连接，所述第一及第二折叠梁的可动端分别连接于一十字梁之中心位置的纵向两侧，所述十字梁的横向两侧分别连接有对应悬设于所述第一下电极上侧的第一上电极以及对应悬设于所述第二下电极上侧的第二上电极，所述第一上电极的纵向外缘通过第一弹性臂连接有对应悬设于所述第一微波传输线的上侧用以接触所述第一传输线的第一触点，所述第二上电极的纵向外缘通过第二弹性臂连接有对应悬设于所述第二微波传输线的上侧用以接触所述第二微波传输线的第二触点。
2.根据权利要求1所述的双通道射频MEMS开关，其特征在于：所述衬底的材料为单晶硅、玻璃、或氮化镓。
3.根据权利要求2所述的双通道射频MEMS开关，其特征在于：所述衬底的表面形成有绝缘层。
4.根据权利要求3所述的双通道射频MEMS开关，其特征在于：所述衬底的第一及第二锚点通过金硅键合或硅玻璃键合的键合工艺固定在衬底表面绝缘层上。
5.根据权利要求1所述的双通道射频MEMS开关，其特征在于：所述第一微波传输线及第二微波传输线为微带线或共面波导。
6.根据权利要求5所述的双通道射频MEMS开关，其特征在于：所述双通道射频MEMS开关为电阻式，所述第一微波传输线及第二微波传输线上对应所述第一触点及第二触点的金属导线为断开的物理形态，所述第一触点及第二触点的下表面具有一绝缘层，且所述绝缘层表面覆盖有一金属层。
7.根据权利要求5所述的双通道射频MEMS开关，其特征在于：所述双通道射频MEMS开关为电容式，所述第一微波传输线及第二微波传输线上对应所述第一触点及第二触点的金属导线为连续的物理形态，所述第一触点及第二触点的下表面具有一绝缘层。
8.根据权利要求1所述的双通道射频MEMS开关，其特征在于：所述第一折叠梁及第二折叠梁为互相对称结构。
9.根据权利要求8所述的双通道射频MEMS开关，其特征在于：所述第一折叠梁及第二折叠梁呈Z字形结构、几字形结构、或弓字形结构。
10.一种双通道射频MEMS开关的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
1)提供一表面绝缘的衬底，于其上表面沉积一金层，并通过光刻及金属腐蚀工艺将其图形化，以于所述衬底的上表面形成第一下电极、第二下电极、第一微波传输线、第二微波传输线、第一下电极焊盘、第二下电极焊盘、锚点焊盘及锚点区域的金层；
2)提供一单晶硅片，在其下表面通过光刻和腐蚀工艺，制作对应所述锚点区域的凸台，接着通过化学沉积、光刻及腐蚀工艺制作出第一上电极、第二上电极、第一触点及第二触点区域的绝缘层；
3)采用金属溅射、光刻和金属腐蚀工艺在所述单晶硅片对应所述锚点区域凸台的表面制作一层金层；
4)利用键合工艺将所述单晶硅片与衬底键合在一起，并通过减薄工艺将所述单晶硅片减薄到预定厚度，以制备出双通道射频MEMS开关芯片；以及
5)提供一个具有多个引脚的基座，将划片后的双通道射频MEMS开关芯片固定在所述基座上，通过打线的工艺以使所述第一电极焊盘、第二电极焊盘和锚点焊盘分别藉由一金属引线与所述基座的引脚相连接，将所述第一、第二微波传输线与射频转接头连接。
11.根据权利要求10所述的双通道射频MEMS开关的制造方法，其特征在于：于所述步骤1)中，所述衬底的材料为单晶硅、玻璃、或氮化镓。
12.根据权利要求11所述的双通道射频MEMS开关的制造方法，其特征在于：于所述步骤1)中的衬底的材料为单晶硅时，采用整个衬底直接热氧形成氧化硅绝缘层，或者在所述衬底正面上化学沉积氮化硅或氧化硅绝缘层。
13.根据权利要求10所述的双通道射频MEMS开关的制造方法，其特征在于：于所述步骤1)中，所述第一下电极、第二下电极、第一微波传输线和第二微波传输线的制作方法，为采用溅射或蒸发金属层后利用金属腐蚀工艺腐蚀出所需结构，或者采用溅射金属种子层后利用电镀工艺电镀出所需的结构。
14.根据权利要求10所述的双通道射频MEMS开关的制造方法，其特征在于：于所述步骤2)中，制作对应所述锚点区域的凸台为采用湿法腐蚀或者干法刻蚀方法制备。
15.根据权利要求10所述的双通道射频MEMS开关的制造方法，其特征在于：于所述步骤2)中，所述第一上电极、第二上电极、第一触点和第二触点区域的绝缘层为采用热氧方法或化学沉积方法制备。
16.根据权利要求10所述的双通道射频MEMS开关的制造方法，其特征在于：于所述步骤3)中，当制作的双通道射频MEMS开关为电阻式时，还包括在所述第一触点、第二触点绝缘层表面制作一层金属的步骤。
17.根据权利要求10所述的双通道射频MEMS开关的制造方法，其特征在于：于所述步骤4)中，所述衬底和单晶硅片的键合工艺为金硅键合工艺、铜锡键合工艺或硅玻璃阳极键合工艺。
18.根据权利要求10所述的双通道射频MEMS开关的制造方法，其特征在于：于所述步骤4)中，所述单晶硅片的上表面减薄工艺为采用KOH溶液腐蚀或TMAH溶液腐蚀工艺，或采用磨片减薄抛光工艺。
19.根据权利要求10所述的双通道射频MEMS开关的制造方法，其特征在于：于所述步骤4)中，还包括采用KOH溶液腐蚀、TMAH溶液腐蚀、或等离子刻蚀的方法释放可动微机械结构的步骤。
双通道射频MEMS开关及其制造方法
技术领域
[0001] 本发明涉及射频开关领域，特别是涉及一种双通道多用途微电子机械系统(MEMS)开关及其制造方法。
背景技术
[0002] 射频微电子机械系统(MEMS)开关是利用MEMS技术的射频元件中最为基础的一种，通常被用于无线通信终端、信号传输等系统中。由于通信技术所采用的频率越来越高，相比于传统的固态射频开关，射频MEMS开关具有更大的线性响应范围、更低的微波损耗以及与IC工艺兼容等优点。
[0003] 典型的射频MEMS开关具有3个主要组成部分：即微机械模块，驱动模块，以及微波信号传输模块。其中，所述微机械模块依靠驱动模块提供的动力能够在两个不同位置进行移动，分别对应于开关的断开位置和闭合位置。当微机械模块处于断开位置时，相对于射频信号不能通过开关进行传输，而微机械部分处于闭合位置时，射频信号能通过开关传输到下级电路中。所述驱动模块主要的作用是将开关外部能量(一般情况是通过施加电压)转换成静电力、压电、电磁、电热等形式，驱动微机械模块的运动。所述微波信号传输模块一般有两种形式：常开式，平时微波信号可以通过，施加偏置电压后，微波信号断开；常闭式，平时微波信号不能导通，施加偏置电压后，微波信号则可以通过开关。
[0004] 在现有技术中，传统的射频MEMS开关主要有桥膜式和悬臂梁式开关两种类型，例如中国专利申请号200420111505.7公开的串联式射频MEMS开关，以及中国专利申请号200810102777.3一种应用于低频段的高隔离度宽带RF MEMS开关电路。但是传统的射频MEMS存在以下问题：第一，传统的射频MEMS开关只能用一个甚至多个微机械模块来控制一个微波传输线，此类开关如果要控制两个或者两个以上的微波信号传输线则是依靠开关阵列来实现。第二，上述开关中，采用静电力驱动的开关所需要的驱动电压很高，一般大于
20V。第三，上述开关一般采用金属作为桥膜(可动微机械结构)，由于金属的杨氏模量低于硅，且在目前工艺条件下不能制作出很厚的金属桥膜厚度，从而使可动微机械结构的刚度降低，从而增大了开关的响应时间。
发明内容
[0005] 鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种双通道射频MEMS开关及其制造方法，以实现利用左右两个独立的驱动电极对单个可动机械结构驱动，可以各自独立的控制两个信号传输通道，可以组成多种传输模式以及利用可动微机械结构的扭转降低驱动电压，同时可动微机械结构采用单晶硅材料，还能消除残余应力及缩短开关的响应时间。
[0006] 为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种双通道射频MEMS开关及其制造方法，其中，所述双通道射频MEMS开关至少包括：基座，其周缘具有多个引脚；衬底，设置在所述基座上，所述衬底上表面的相对两侧分别凸设有呈矩形的第一下电极及第二下电极，邻近所述第一下电极的纵向外缘具有第一微波传输线，邻近所述第二下电极的纵向外缘具有第二微波传输线，所述第一下电极的一横向外缘连接有第一下电极焊盘，所述第二下电极的一横向外缘连接有第二下电极焊盘，位于所述第一下电极与第二下电极之间并邻近所述第一下电极及第二下电极的横向外缘的相对两侧分别具有第一锚点及第二锚点，且所述第一锚点连接有一锚点焊盘，其中，所述第一、第二下电极焊盘及锚点焊盘分别藉由一金属引线与所述基座的引脚相连接；以及可动微机械结构，设置在所述衬底上，包括具有固定端及可动端的第一及第二折叠梁，所述第一及第二折叠梁的固定端分别与第一锚点与第二锚点连接，所述第一及第二折叠梁的可动端分别连接于一十字梁之中心位置的纵向两侧，所述十字梁的横向两侧分别连接有对应悬设于所述第一下电极上侧的第一上电极以及对应悬设于所述第二下电极上侧的第二上电极，所述第一上电极的纵向外缘通过第一弹性臂连接有对应悬设于所述第一微波传输线的上侧用以接触所述第一传输线的第一触点，所述第二上电极的纵向外缘通过第二弹性臂连接有对应悬设于所述第二微波传输线的上侧用以接触所述第二微波传输线的第二触点。
[0007] 本发明还提供一种双通道射频MEMS开关的制造方法，该方法至少包括以下步骤：1)提供一表面绝缘的衬底，于其上表面沉积一金层，并通过光刻及金属腐蚀工艺将其图形化，以于所述衬底的上表面形成第一下电极、第二下电极、第一微波传输线、第二微波传输线、第一下电极焊盘、第二下电极焊盘、锚点焊盘及锚点区域的金层；2)提供一单晶硅片，在其下表面通过光刻和腐蚀工艺，制作对应所述锚点区域的凸台，接着通过化学沉积、光刻及腐蚀工艺制作出第一上电极、第二上电极、第一触点及第二触点区域的绝缘层；3)采用金属溅射、光刻和金属腐蚀工艺在所述单晶硅片对应所述锚点区域凸台的表面制作一层金层；4)利用键合工艺将所述单晶硅片与衬底键合在一起，并通过减薄工艺将所述单晶硅片减薄到预定厚度，以制备出双通道射频MEMS开关芯片；以及5)提供一个具有多个引脚的基座，将划片后的双通道射频MEMS开关芯片固定在所述基座上，通过打线的工艺以使所述第一电极焊盘、第二电极焊盘和锚点焊盘分别藉由一金属引线与所述基座的引脚相连接，将所述第一、第二微波传输线与射频转接头连接。
[0008] 如上所述，本发明的双通道射频MEMS开关及其制造方法，利用左右两对独立的驱动电极对单个可动机械结构驱动(即一个可动微机械结构和两对驱动电极)，来实现对两个微波信号线进行各自独立的控制，不但可以各自独立的控制两个信号传输通道，组成多种传输模式；还能利用可动微机械结构的扭转降低驱动电压；此外，采用体硅作为可动微机械结构层，降低残余应力的同时也缩短了开关的响应时间；再者，本发明的制造方法制造的双通道射频MEMS开关可用于批量生产，不仅使得双通道射频MEMS开关的驱动电压低于10V，还可以通过键合工艺使可动微机械结构减少因残留应力而发生的弯曲现象，提高成品率，进而降低了生产成本。
附图说明
[0009] 图1显示为本发明的双通道射频MEMS开关中基座的侧向剖面结构示意图。
[0010] 图2显示为本发明的双通道射频MEMS开关中衬底的俯视图。
[0011] 图3A及图3B显示为本发明中衬底的微波传输线在不同实施方式中的结构示意图。
[0012] 图4显示为本发明的双通道射频MEMS开关中可动微机械结构的俯视图。
[0013] 图5A至图5C显示为本发明中可动微机械结构的折叠梁在不同实施方式中的结构示意图。
[0014] 图6A及图6B显示为本发明中可动微机械结构的触点在不同实施方式中的结构示意图。
[0015] 图7A显示为本发明的双通道射频MEMS开关芯片的俯视图。
[0016] 图7B显示为本发明的双通道射频MEMS开关芯片的侧向剖面结构示意图。
[0017] 图8显示为本发明的双通道射频MEMS开关的侧向剖面结构示意图。
具体实施方式
[0018] 以下的实施例进一步详细说明本发明的技术手段，但并非用以限制本发明的范畴。
[0019] 须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上、下”及“一”等的用语，也是仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
[0020] 本发明提供一种双通道射频MEMS开关1，包括基座11、衬底12、以及可动微机械结构13。
[0021] 请参阅图1，显示为本发明的双通道射频MEMS开关中基座的侧向剖面结构示意图。如图所示，所述基座11的周缘具有多个引脚111。
[0022] 请参阅图2，显示为本发明的双通道射频MEMS开关中衬底的俯视图，如图所示，所述衬底12设置在所述基座11上，所述衬底12的上表面形成有第一下电极121、第二下电极122、第一微波传输线123、第二微波传输线124、第一下电极焊盘125、第二下电极焊盘126、第一锚点127、第二锚点128、以及锚点焊盘129。
[0023] 在本实施方式中，所述衬底12的材料为单晶硅，所述衬底12的表面形成有绝缘层120，具体地，所述绝缘层120例如为SiO2层。但并不局限于此，在其他的实施例中，所述衬底12的材料还可以为玻璃、或氮化镓等非硅材料。
[0024] 所述第一下电极121及第二下电极122分别凸设于所述衬底12上表面的相对两侧，并均呈矩形结构。所述第一微波传输线123邻近所述第一下电极121的纵向外缘。所述第二微波传输线124邻近所述第二下电极122的纵向外缘，于本实施方式中，所述第二微波传输线124与所述第一微波传输线123相对平行布设，在本实施例中，所述第一微波传输线123及第二微波传输线124为微带线或共面波导。
[0025] 需要特别说明的是，在本实施例中，所述双通道射频MEMS开关1为电容式，所述第一微波传输线123上对应所述第一触点133的金属导线为连续的物理形态，如图3A所示。所述第一触点133的下表面具有一绝缘层1331。如图6A所示。
[0026] 但并不局限于此，在另一种实施例中，所述双通道射频MEMS开关1为电阻式，所述第一微波传输线123上对应所述第一触点133的金属导线为断开的物理形态，如图3B所示。相应地，所述第一触点133下表面具有一绝缘层1331，且所述绝缘层表面覆盖有一金属层1332。如图6B所示。
[0027] 再请参阅图2，所述第一下电极121的一横向外缘连接有第一下电极焊盘125，所述第二下电极122的一横向外缘连接有第二下电极焊盘126，位于所述第一下电极121与第二下电极122之间并邻近所述第一下电极121及第二下电极122的横向外缘的相对两侧分别具有第一锚点127及第二锚点128，且所述第一锚点127连接有一锚点焊盘129。具体地，所述衬底11的第一及第二锚点127、128通过金硅键合或硅玻璃键合的键合工艺固定在衬底11表面绝缘层120上。
[0028] 请参阅图8，如图所示，所述第一、第二下电极焊盘125、126及锚点焊盘129分别藉由一金属引线14与所述基座11的引脚111相连接。
[0029] 请参阅图4、图7A、图7B、以及图8，如图所示，所述可动微机械结构13设置在所述衬底12上，具体地，所述衬底11的第一及第二锚点127、128分别与第一及第二折叠梁135、136的固定端137、138相连接。
[0030] 所述可动微机械结构13包括形成在其下表面的第一及第二折叠梁135、136的固定端137、138，第一折叠梁135、第二折叠梁136、十字梁140，第一上电极131、第二上电极132、第一触点133、第二触点134、第一弹性臂130、第二弹性臂139。
[0031] 在本实施方式中，所述第一及第二折叠梁135、136的固定端137、138呈凸台结构。在本实施方式中，所述第一折叠梁135及第二折叠梁136为互相对称结构，具体地，所述第一折叠梁135及第二折叠梁136呈相互对称的弓字形结构，呈如图5A所示。但并不局限于此，在其他的实施方式中，所述第一折叠梁135及第二折叠梁136呈如图5B所示的几字形结构，或者如图5C所示的Z字形结构。
[0032] 所述第一上电极131连接于所述十字梁140的横向一侧，并对应悬设于所述第一下电极121的上侧，所述第二上电极132连接于所述十字梁140的横向另一侧，并对应悬设于所述第二下电极122的上侧。相应地，所述第一上电极131及第二上电极132形同所述第一下电极121及第二下电极122亦呈矩形结构。
[0033] 所述第一上电极131的纵向外缘连接有对应悬设于所述第一微波传输线123的上侧用以接触所述第一微波传输线123的第一触点133，所述第二上电极132的纵向外缘连接有对应悬设于所述第二微波传输线124的上侧用以接触所述第二微波传输线124的第二触点134。在本实施方式中，所述第一触点133由第一弹性臂130连接于所述第一上电极131的纵向外缘，所述第二触点134由第二弹性臂139连接于所述第二上电极132的纵向外缘，用以在所述第一触点133或第二触点134电极受到驱动时，实现其与微波传输线的接触或分离。
[0034] 在本实施例中，所述双通道射频MEMS开关1为电容式，所述第一触点133的下表面具有一绝缘层1331。如图6A所示。但并不局限于此，在另一种实施例中，所述第一触点133下表面具有一绝缘层1331，且所述绝缘层表面覆盖有一金属层1332。如图6B所示。
[0035] 上述的双通道射频MEMS开关1利用左右两对独立的驱动电极对单个可动机械结构驱动，来实现对两个微波信号线进行各自独立的控制，不但可以各自独立的控制两个信号传输通道，组成多种传输模式，还能利用可动微机械结构的扭转降低驱动电压；此外，采用体硅作为可动微机械结构层，大大地降低残余应力的同时也缩短了开关的响应时间。
[0036] 本发明还提供一种双通道射频MEMS开关的制造方法，需要说明的是，结合上述双通道射频MEMS开关所提供的图示，本领域技术人员通过以下描述应该可以了解本发明双通道射频MEMS开关的制造方法的原理及功效。
[0037] 所述双通道射频MEMS开关的制造方法至少包括以下步骤：
[0038] 首先，提供一表面绝缘的衬底，于其上表面沉积一金层，并通过光刻及金属腐蚀工艺将其图形化，以于所述衬底的上表面形成第一下电极、第二下电极、第一微波传输线、第二微波传输线、第一下电极焊盘、第二下电极焊盘、锚点焊盘及锚点区域的金层，在本实施例中，所述衬底的材料为单晶硅、玻璃、或氮化镓。在具体的实施过程中，所述衬底的材料为单晶硅时，采用整个衬底直接热氧形成氧化硅绝缘层，或者在所述衬底正面上化学沉积氮化硅或氧化硅绝缘层。
[0039] 在本实施例中，所述第一下电极、第二下电极、第一微波传输线和第二微波传输线的制作方法，为采用溅射或蒸发金属层后利用金属腐蚀工艺腐蚀出所需结构，或者采用溅射金属种子层后利用电镀工艺电镀出所需的结构。
[0040] 其次，提供一单晶硅片，在其下表面通过光刻和腐蚀工艺，制作对应所述锚点区域的凸台，接着通过化学沉积、光刻及腐蚀工艺制作出第一上电极、第二上电极、第一触点及第二触点区域的绝缘层，在本实施例中，制作对应所述锚点区域的凸台为采用湿法腐蚀或者干法刻蚀方法制备。所述第一上电极、第二上电极、第一触点和第二触点区域的绝缘层为采用热氧方法或化学沉积方法制备。
[0041] 然后，采用金属溅射、光刻和金属腐蚀工艺在所述单晶硅片对应所述锚点区域凸台的表面制作一层金层，在本实施例中，当制作的双通道射频MEMS开关为电阻式时，还包括在所述第一触点、第二触点绝缘层表面制作一层金属的步骤。
[0042] 接着，利用键合工艺将所述单晶硅片与衬底键合在一起，并通过减薄工艺将所述单晶硅片减薄到预定厚度，以制备出双通道射频MEMS开关芯片，在本实施例中，所述衬底和单晶硅片的键合工艺为金硅键合工艺、铜锡键合工艺或硅玻璃阳极键合工艺。所述单晶硅片的上表面减薄工艺为采用KOH溶液腐蚀或TMAH溶液腐蚀工艺，或采用磨片减薄抛光工艺。
[0043] 在具体的实施过程中，还包括一采用KOH溶液腐蚀、TMAH溶液腐蚀、或等离子刻蚀的方法释放可动微机械结构的步骤。
[0044] 最后，提供一个具有多个引脚的基座，将划片后的双通道射频MEMS开关芯片固定在所述基座上，通过打线的工艺以使所述第一电极焊盘、第二电极焊盘和锚点焊盘分别藉由一金属引线与所述基座的引脚相连接，将所述第一、第二微波传输线与射频转接头连接。
[0045] 综上所述，本发明的双通道射频MEMS开关及其制造方法，利用左右两个独立的驱动电极对单个可动机械结构驱动(即一个可动微机械结构和两个驱动电极)，来实现对两个微波信号线进行各自独立的控制，不但可以各自独立的控制两个信号传输通道，组成多种传输模式；还能利用可动微机械结构的扭转降低驱动电压；此外，采用体硅作为可动微机械结构层，降低残余应力的同时也缩短了开关的响应时间；再者，本发明的制造方法制造的双通道射频MEMS开关可用于批量生产，不仅使得双通道射频MEMS开关的驱动电压低于10V，还可以通过键合工艺使可动微机械结构减少因残留应力而发生的弯曲现象，提高成品率，进而降低了生产成本。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0046] 上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
