一种提高金针菇产量的方法

摘要

本发明涉及一种提高金针菇产量的方法，包括金针菇母种制作培养，步骤如下：将金针菇母种菌丝置于场强为300～1000kV/m的高压静电场中，处理10～120分钟。本发明采用高压静电场处理金针菇菌丝，不涉及有毒有害及放射性物质，育成品种不会危及食品安全，操作方法简单，对操作人员无伤害，并且增产幅度在23.65％～57.49％。

权利要求

1.一种提高金针菇产量的方法，包括金针菇母种制作培养、原种制作培养、袋栽或瓶栽培养、出菇管理，其特征在于，所述金针菇母种制作培养步骤如下：将金针菇母种菌丝接种于母种培养基上，在温度25～27℃的条件下，培养8天，分别在第2、4、6、8天置于场强为750kv/m的高压静电场中，处理90分钟；

上述高压静电处理，采用如下装置：

包括30KV高压静电产生器（1）、电缆（2）和2块电场极板（3、4），所述30KV高压静电产生器（1）的正极和负极分别通过电缆（2）与2块电场极板（3、4）电连接；所述30KV高压静电产生器包括直流稳压电源、方波发生器、升压器和高压整流器，所述直流稳压电源与方波发生器、升压器并联连接，方波发生器与升压器、高压整流器串联连接；

所述的2块电场极板包括上电场极板和下电场极板，所述30KV高压静电产生器的正极通过电缆与下电场极板电连接，所述30KV高压静电产生器的负极通过电缆与上电场极板电连接。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，母种培养基组分如下：

去皮马铃薯150～250g，葡萄糖15～25g，磷酸二氢钾0.8～1.2g，硫酸镁0.8～1.2g，蛋白胨2.5～3.5 g，酵母浸粉1.5～2.5g，琼脂18～22g，加水定容至1000ml。

说明书

一种提高金针菇产量的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种提高金针菇产量的方法，属于农业微生物技术领域。

背景技术

[0002] 金针菇是我国最早进行人工栽培的食用菌之一。肉质脆嫩、味道鲜美，营养丰富，深受人们喜爱。现有生产技术有的通过改进培养基、有的通过改进栽培工艺、出菇管理条件等来实现提高金针菇的产量的目的。例如CN101514130A(申请号200910106333.1)公开了一种高产金针菇培养基配方，以玉米芯为主要成份取代杉木屑，以40～45％的玉米芯、10～12％甜菜渣、25～30％米糠、8～10％麸皮、4～6％大豆皮、2～3％玉米粉作为金针菇的培养基原料，通过干拌、湿拌等工艺，并控制其pH值在7.0～7.5之间，培养出的金针菇具有菌丝活力强，产量高，出菇整齐，并且金针菇的商品价值好，子实体生长整齐，菌帽大小均匀，颜色浩白，没有感染，单产达创286～293克/瓶，每瓶干料260克，生物学转化率高达110～113％，比常用配方提高30～40％，经济效益好。

[0003] CN101946637A(申请号201010283584.X)公开了一种黄色金针菇设施栽培方法，它包括金针菇培养基的配置，培养基采用棉籽壳、麸皮、废棉、玉米粉和石灰作为原料，然后将配置好的培养基装袋，在高压或常压下灭菌，并在无菌操作下接入菌种，将接种菌袋放在培养室中培养发菌，当长满菌丝后，加水进行催蕾，同时对环境温度、光照等进行控制，当金针菇子实体长至16～20cm长时进行采收。根据金针菇的生长特性提供了一种易于推广的人工栽培方法，不受自然条件限制可以周年生产金针菇，经过该方法栽培出来的黄色金针菇具有品质优良、生长周期短、产量高、栽培成本低等优点。

[0004] CN 101352126A(申请号200810139160.9)公开了一种提高平菇生长速度及产量的方法，属于农业微生物技术领域。一种提高平菇生长速度及产量的方法，先将平菇菌丝通过磁场磁化处理，然后进行磁化后培养，随后采用现有成熟的平菇栽培技术，进行原种、栽培种、生产种转接，采用袋栽模式，大棚出菇。该发明通过定量控制磁场强度及处理时间，能够使平菇生产性状得到改良。

[0005] 现有技术都不涉及对金针菇菌体材料的处理。

发明内容

[0006] 针对现有技术的不足，本发明提供一种金针菇菌丝处理方法及提高金针菇产量的方法。它采用高压静电场处理金针菇菌体材料，将静电学与菌物学两个学科有机结合，实现金针菇栽培产量的大幅提高。

[0007] 术语说明：

[0008] 静电场处理量指实际处理菌丝时所施予的静电场强和处理时间之乘积，以S＝Et表示，E为静电场强，t为处理时间。

[0009] 本发明的技术方案如下：

[0010] 一种提高金针菇产量的方法，包括金针菇母种制作培养、原种制作培养、袋栽或瓶栽培养、出菇管理，所述金针菇母种制作培养步骤如下：

[0011] 将金针菇母种菌丝置于场强为300～1000kV/m的高压静电场中，处理10～120分钟。

[0012] 优选的，上述场强为600～900kV/m，处理时间为40～80分钟。

[0013] 上述金针菇母种菌丝是将金针菇菌丝接种于母种培养基上，在温度25～27℃的条件下，培养2～8天制得；

[0014] 母种培养基组分如下：

[0015] 去皮马铃薯150～250g，葡萄糖15～25g，磷酸二氢钾0.8～1.2g，硫酸镁0.8～1.2g，蛋白胨2.5～3.5g，酵母浸粉1.5～2.5g，琼脂18～22g，加水定容至1000ml。

[0016] 上述操作步骤及培养基如无特别说明均可采用本领域常规技术。

[0017] 以上所述的金针菇母种制作培养、原种制作培养、袋栽或瓶栽培养、出菇管理均采用现有成熟的金针菇栽培技术。

[0018] 上述高压静电处理，采用如下装置实现：

[0019] 一种用于处理金针菇菌丝的高压静电装置，包括30KV高压静电产生器1、电缆2和2块电场极板3、4，所述30KV高压静电产生器1的正极和负极分别通过电缆2与2块电场极板3、4电连接；所述30KV高压静电产生器包括直流稳压电源、方波发生器、升压器和高压整流器，所述直流稳压电源与方波发生器、升压器并联连接，方波发生器与升压器、高压整流器串联连接。

[0020] 所述的2块电场极板包括上电场极板和下电场极板，所述30KV高压静电产生器的正极通过电缆与下电场极板电连接，所述30KV高压静电产生器的负极通过电缆与上电场极板电连接。

[0021] 所述2块电场极板之间的距离为10-80mm。

[0022] 优选的，所述2块电场极板之间的距离为30mm。

[0023] 所述的2块电场极板为2块外形尺寸为50cm×50cm的有绝缘框架的金属板。

[0024] 优选的，所述的金属板为单面覆铜板，所述2块电场极板相对的面为覆铜板。

[0025] 高压静电场作为影响生物体生存的主要物理因素，对生物体作用的机制非常复杂，有关电生物效应的原发机制的研究尚没有突破性进展。研究认为高压静电场主要通过以下几方面对生物体发挥作用：1、改变酶的活性；2、改变细胞膜的通透性——影响离子跨膜转运；3、对遗传物质DNA的影响。

[0026] 本发明优点：

[0027] 1.本发明采用高压静电场处理金针菇菌丝，不涉及有毒有害及放射性物质，育成品种不会危及食品安全，操作方法简单，对操作人员无伤害。

[0028] 2.在本发明所采用的高压静电场处理条件下，受处理的金针菇菌株实验材料，在一定范围内表现出正效应，能够有效促进金针菇增产，可适用多种金针菇。

[0029] 3.在本发明处理条件下，试验菌株产量较未处理对照菌株均有大幅提高，增产幅度在23.65％～57.49％。

附图说明

[0030] 图1是实施例1中abd组和abcd组与对照组e增产情况对比的柱状图；

[0031] 其中：处理组abd为对培养期间的金针菇菌丝在第2、4、8天进行高压静电处理，共处理3次；处理组abcd为培养期间的金针菇菌丝在第2、4、6、8天进行高压静电处理，共处理4次；

[0032] 图2是实施例2中实验菌株Yck处理组、Wck处理组与对照组增产情况对比的柱状图；

[0033] 图3为处理设备的结构示意图；

[0034] 其中：1、30KV高压静电产生器；2、电缆；3、上电场极板；4、下电场极板；5、金针菇母种菌丝；

[0035] 图4是30KV高压静电产生器的电路连接示意图；

[0036] 其中：6、直流稳压电源；7、方波产生器；8、升压器；9、高压整流器。

具体实施方式

[0037] 下面结合实施例对本发明做进一步说明，但本发明所保护范围不限于此。实施例中未明确限定的条件均可按本领域现有技术。

[0038] 实施例中所述的金白1号、鲁金针1号均购自山东省农业科学院植物保护研究所。

[0039] 实施例1

[0040] 一种提高金针菇产量的方法，包括如下步骤：

[0041] 母种制作培养

[0042] 金针菇母种(金白1号)经活化、转接至母种培养基后，在25～27℃培养，培养期间对金针菇菌丝进行高压静电处理，处理条件为：750kv/m，处理90分钟。处理组abd为对培养期间的金针菇菌丝在第2、4、8天进行高压静电处理，共处理3次；处理组abcd为培养期间的金针菇菌丝在第2、4、6、8天进行高压静电处理，共处理4次；每次处理完毕放回原温度条件下继续培养，最后一次处理结束后，得处理后金针菇母种；

[0043] 母种培养基配方：去皮马铃薯200g，葡萄糖20g，磷酸二氢钾1g，硫酸镁1g，蛋白胨3g，酵母浸粉2g，琼脂20g，加水定容至1000ml，PH自然。

[0044] 原种制作培养

[0045] 将处理后金针菇母种接种于原种培养料中，25～27℃培养22～27天，得金针菇原种；

[0046] 原种培养料配方：棉籽壳89％，麦麸9％，石膏1％，石灰1％，料水质量比为1∶1.3。

[0047] 袋栽制作培养

[0048] 将金针菇原种转接至栽培袋中，15℃～20℃发菌，菌丝体生长温度范围3～34℃，最适温度23℃，视气温及菌袋温度变化采取相应通风、翻袋或采暖、加温措施。

[0049] 栽培袋中培养料与原种培养料配方相同。

[0050] 出菇管理

[0051] 待栽培袋菌丝发满或接近发满时解开袋口并搔菌，上架，然后盖上地膜并向棚室内喷水，增加湿度。若棚内温度在15℃以上，早晚需要通风降温。正常情况下，每天早晚各通风一次，每次20分钟左右。金针菇子实体生长温度范围5～18℃，最适8～12℃。在菌柄长12～18cm，菇盖直径0.5～1.5cm时采收。金针菇生长过程中，每天只需在棚室内灌或洒水，保持棚室内温湿度即可。

[0052] abd组较对照组e(未处理)显著增产23.65％；abcd组较对照组e(未处理)显著增产34.88％(如图2)。abd组和abcd组头潮菇生物转化率分别为103.2％和136.12％。

[0053] 实施例中所述的高压静电处理，采用如下装置实现：

[0054] 一种用于处理金针菇菌丝的高压静电装置，包括30KV高压静电产生器1、电缆2和2块电场极板3、4，所述30KV高压静电产生器1的正极和负极分别通过电缆2与2块电场极板3、4电连接；所述30KV高压静电产生器包括直流稳压电源、方波发生器、升压器和高压整流器，所述直流稳压电源与方波发生器、升压器并联连接，方波发生器与升压器、高压整流器串联连接。所述电源：用于产生+12V(为方波产生器供电)和+0-24V可调电压(为升压器供电)；所述方波产生器用于产生15KHz激励方波；所述升压器在激励方波作用下产生可调的脉冲高压；所述高压整流器将脉冲高压倍压整流得到0-30KV负高压。

[0055] 所述的2块电场极板包括上电场极板3和下电场极板4，所述30KV高压静电产生器1的正极通过电缆2与下电场极板4电连接，所述30KV高压静电产生器1的负极通过电缆2与上电场极板3电连接。

[0056] 所述2块电场极板3、4之间的距离为10mm时，当加有10KV电压时，两电场极板之6
间形成10V/m均匀静电场。

[0057] 所述的2块电场极板为2块外形尺寸为50cm×50cm的有绝缘框架的金属板，所述的金属板为单面覆铜板，所述2块电场极板相对的面为覆铜板。

[0058] 实施例2

[0059] 如实施例1所述方法，不同之处在于：金针菇母种转接至斜面培养基后的第4天和菌丝长满试管时各处理一次，处理条件均为：1000kv/m场强条件下处理90分钟。

[0060] Yck为鲁金针1号、Wck为金白1号，Y32为Yck经电场处理后获得的菌株；W32为Wck经电场处理后获得的菌株。

[0061] 结果：Y32组较Yck组显著增产31.57％；W32组较Wck组显著增产57.49％(如图2)。Y32组和W32组头潮菇生物转化率分别为103.2％和136.12％。