天线装置及通信终端装置

摘要

本发明的目的在于，构成多个天线元件的配置位置、形状、尺寸等的设计自由度较高、且不一定需要在天线元件之间设置隔离元件的、结构简单的天线装置、以及使用该天线装置的通信终端装置。天线装置包括以第一谐振频率(f1)进行谐振的第一天线元件(11A)、以第二谐振频率(f2)进行谐振的第二天线元件(11B)、与第一天线元件(11A)的供电端相连接的第一频率稳定电路(35A)、以及与第二天线元件(11B)的供电端相连接的第二频率稳定电路(35B)。将第一天线元件(11A)和第二天线元件(11B)沿通信终端装置(201)的壳体(10)的例如两边进行配置。

权利要求

1.一种天线装置，其特征在于，包括：

第一天线元件，该第一天线元件以第一谐振频率发生谐振；

第二天线元件，该第二天线元件以第二谐振频率发生谐振；

频率稳定电路，该频率稳定电路与所述第一天线元件和第二天线元件中的至少一个天线元件的供电端相连接；以及供电电路，

所述频率稳定电路包括第一串联电路和第二串联电路，所述第一串联电路具有包含第一线圈状导体、及与所述第一线圈状导体进行串联连接的第二线圈状导体的结构，所述第二串联电路具有包含第三线圈状导体、及与所述第三线圈状导体进行串联连接的第四线圈状导体的结构，在所述频率稳定电路中，所述第二串联电路与所述第一天线元件和所述第二天线元件中的至少一个天线元件的供电端相连接，使得相对于一个天线元件连接有一个频率稳定电路，将所述第一线圈状导体和所述第二线圈状导体进行卷绕，以用这些线圈状导体来构成第一闭合磁路，将所述第三线圈状导体和所述第四线圈状导体进行卷绕，以用这些线圈状导体来构成第二闭合磁路，所述第一闭合磁路与所述第二闭合磁路相互耦合，所述供电电路与所述第一串联电路相连接。

2.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，

所述第一谐振频率与所述第二谐振频率是互不相同的频率。

3.如权利要求2所述的天线装置，其特征在于，

所述第一谐振频率和所述第二谐振频率与通信载波的频率不同。

4.如权利要求3所述的天线装置，其特征在于，

所述频率稳定电路分别单独与所述第一天线元件的供电端和所述第二天线元件的供电端相连接。

5.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，

所述第一线圈状导体与所述第三线圈状导体相互进行磁耦合，所述第二线圈状导体与所述第四线圈状导体相互进行磁耦合。

6.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，

所述第一线圈状导体、所述第二线圈状导体、所述第三线圈状导体、以及所述第四线圈状导体构成于介质或磁性体的层叠体坯体上。

7.一种通信终端装置，所述通信终端装置包括：

第一天线元件，该第一天线元件以第一谐振频率发生谐振；

第二天线元件，该第二天线元件以第二谐振频率发生谐振；

频率稳定电路，该频率稳定电路与所述第一天线元件和第二天线元件中的至少一个天线元件的供电端相连接；以及供电电路，其特征在于，

所述频率稳定电路包括第一串联电路和第二串联电路，所述第一串联电路具有包含第一线圈状导体、及与所述第一线圈状导体进行串联连接的第二线圈状导体的结构，所述第二串联电路具有包含第三线圈状导体、及与所述第三线圈状导体进行串联连接的第四线圈状导体的结构，在所述频率稳定电路中，所述第二串联电路与所述第一天线元件和所述第二天线元件中的至少一个天线元件的供电端相连接，使得相对于一个天线元件连接有一个频率稳定电路，将所述第一线圈状导体和所述第二线圈状导体进行卷绕，以用这些线圈状导体来构成第一闭合磁路，将所述第三线圈状导体和所述第四线圈状导体进行卷绕，以用这些线圈状导体来构成第二闭合磁路，所述第一闭合磁路与所述第二闭合磁路相互耦合，所述供电电路与所述第一串联电路相连接。

说明书

天线装置及通信终端装置

技术领域

[0001] 本发明涉及由多个天线元件组合而成的天线装置及具备该天线装置的通信终端装置。

背景技术

[0002] 近年来，在无线LAN等高速通信终端装置和下一代移动电话等通信终端装置中，往往利用MIMO(多端输入多端输出(Multiple Input Multiple Output))技术。在利用MIMO技术的系统中，由于在发送侧终端、接收侧终端分别具有多个天线元件，发送侧终端能利用多个天线元件，在相同的时刻以相同的频率一次发送多个数据，因此，能在有限的频带下力图提高通信速度。

[0003] 然而，特别是在将MIMO技术运用于像移动通信终端这样的小型的通信终端装置的情况下，由于对通信终端装置的壳体尺寸有限制，因此，不得不将多个天线元件接近配置，因而，难以充分确保天线元件间的隔离性。

[0004] 因而，例如在专利文献1和专利文献2中，揭示了如下的方法：即，通过在两个天线元件之间设置磁性体的壁、或配置弯曲状导体图案，来确保天线元件间的隔离特性。

[0005] 这里，参照图34，示出专利文献1所揭示的无线装置的结构。在图34中，无线装置1具有内置于壳体90内的电路基板91。在电路基板91的一条长边附近设置有第一供电点
93和第二供电点94。第一供电点93与第一天线元件95相连接。第二供电点94与第二天线元件96相连接。无线装置1具有形成为面的磁性体97。配置磁性体97，使得对第一天线元件95的至少一部分遮挡住第二天线元件96的至少一部分。

[0006] 专利文献1：日本专利特开2008-245132号公报

[0007] 专利文献2：日本专利特开2009-246560号公报

发明内容

[0008] 然而，在这些方法中，因天线元件的配置位置、形状、及尺寸会导致无法充分确保两个天线元件的隔离性。另外，由于需要在两个天线元件之间配置磁性体的壁或弯曲状导体图案这样的隔离元件，因此，会使其结构和制造工序变得复杂。

[0009] 本发明是鉴于上述事实而完成的，其目的在于，提供多个天线元件的配置位置、形状、尺寸等的设计自由度较高、且不一定需要在天线元件之间设置隔离元件的、结构简单的天线装置、以及使用该天线装置的通信终端装置。

[0010] (1)实施方式1的天线装置的特征在于，包括：

[0011] 第一天线元件，该第一天线元件以第一谐振频率发生谐振；

[0012] 第二天线元件，该第二天线元件以第二谐振频率发生谐振；以及[0013] 频率稳定电路，该频率稳定电路与所述第一天线元件和第二天线元件中的至少一个天线元件的供电端相连接，

[0014] 所述频率稳定电路包括第一串联电路(一次侧电路)和第二串联电路(二次侧电路)，所述第一串联电路具有包含第一线圈状导体、及与所述第一线圈状导体进行串联连接的第二线圈状导体的结构，所述第二串联电路具有包含第三线圈状导体、及与所述第三线圈状导体进行串联连接的第四线圈状导体的结构，

[0015] 将所述第一线圈状导体和所述第二线圈状导体进行卷绕，以用这些线圈状导体来构成第一闭合磁路，将所述第三线圈状导体和所述第四线圈状导体进行卷绕，以用这些线圈状导体来构成第二闭合磁路，所述第一闭合磁路与所述第二闭合磁路相互耦合。

[0016] (2)实施方式2的天线装置的特征在于，

[0017] 所述第一谐振频率与所述第二谐振频率是互不相同的频率。

[0018] (3)实施方式3的天线装置的特征在于，

[0019] 所述第一谐振频率和所述第二谐振频率与通信载波的频率不同。

[0020] (4)实施方式4的天线装置的特征在于，

[0021] 所述频率稳定电路分别与所述第一天线元件的供电端和所述第二天线元件的供电端相连接。

[0022] (5)实施方式5的天线装置的特征在于，

[0023] 所述第一线圈状导体与所述第三线圈状导体相互进行磁耦合，所述第二线圈状导体与所述第四线圈状导体相互进行磁耦合。

[0024] (6)实施方式6的天线装置的特征在于，

[0025] 所述第一线圈状导体、所述第二线圈状导体、所述第三线圈状导体、以及所述第四线圈状导体构成于介质或磁性体的层叠体坯体上。

[0026] (7)实施方式7的通信终端装置包括：

[0027] 第一天线元件，该第一天线元件以第一谐振频率发生谐振；

[0028] 第二天线元件，该第二天线元件以第二谐振频率发生谐振；以及[0029] 频率稳定电路，该频率稳定电路与所述第一天线元件和第二天线元件中的至少一个天线元件的供电端相连接，其特征在于，

[0030] 所述频率稳定电路包括第一串联电路(一次侧电路)和第二串联电路(二次侧电路)，所述第一串联电路具有包含第一线圈状导体、及与所述第一线圈状导体进行串联连接的第二线圈状导体的结构，所述第二串联电路具有包含第三线圈状导体、及与所述第三线圈状导体进行串联连接的第四线圈状导体的结构，

[0031] 将所述第一线圈状导体和所述第二线圈状导体进行卷绕，以用这些线圈状导体来构成第一闭合磁路，将所述第三线圈状导体和所述第四线圈状导体进行卷绕，以用这些线圈状导体来构成第二闭合磁路，所述第一闭合磁路与所述第二闭合磁路相互耦合。

[0032] 根据本发明的天线装置，由于频率稳定电路具有上述结构，因此，实质上在天线特性中起到(1)设定中心频率、(2)设定通频带、以及(3)与供电电路进行匹配的各个功能。为此，只要对天线元件进行设计，使得在天线特性中、主要起到(4)设定方向性、以及(5)确保增益的各个功能即可。因而，能实现天线元件的配置位置、形状、尺寸等的设计自由度较高、且不一定需要在天线元件之间设置隔离元件的、结构简单的天线装置。

[0033] 另外，如上所述，根据本发明的通信终端装置，由于天线元件的配置位置、形状、尺寸等的设计自由度较高，且不一定需要在天线元件之间设置隔离元件，因此，能实现小型的通信终端装置。

附图说明

[0034] 图1是作为实施方式1的天线装置101和具备该天线装置101的通信终端装置201的简要结构图。

[0035] 图2是通信终端装置201内的天线装置101的具体的结构图。

[0036] 图3是表示频率稳定电路35A、35B的结构的图。

[0037] 图4(A)、图4(B)、图4(C)、图4(D)是表示从供电电路30观察的频率稳定电路的通过特性的图。

[0038] 图5(A)是构成作为贴片型的层叠体40的频率稳定电路的立体图，图5(B)是对其背面侧进行观察的立体图。

[0039] 图6是频率稳定电路的分解立体图。

[0040] 图7是表示流过频率稳定电路的层叠体中的导体图案的电流的图。

[0041] 图8是作为实施方式2的通信终端装置202的结构图。

[0042] 图9是作为实施方式3的通信终端装置203的结构图。

[0043] 图10是作为实施方式4的通信终端装置204的结构图。

[0044] 图11是作为实施方式5的通信终端装置205的结构图。

[0045] 图12是实施方式6的天线装置所具备的频率稳定电路的分解立体图。

[0046] 图13是作为实施方式7的天线装置所具备的频率稳定电路的电路图。

[0047] 图14是频率稳定电路的分解立体图。

[0048] 图15是作为实施方式8的天线装置所具备的频率稳定电路的电路图。

[0049] 图16是作为实施方式9的天线装置所具备的频率稳定电路的电路图。

[0050] 图17是作为实施方式10的天线装置所具备的频率稳定电路的电路图。

[0051] 图18是作为实施方式11的天线装置的结构图。

[0052] 图19是实施方式12所涉及的频率稳定电路的电路图。

[0053] 图20是表示在多层基板上构成实施方式12所涉及的频率稳定电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。

[0054] 图21是表示通过图20所示的形成于多层基板的各层上的导体图案所形成的线圈状导体的、主要的磁通的图。

[0055] 图22是表示在多层基板上构成实施方式13所涉及的频率稳定电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。

[0056] 图23是表示通过图22所示的形成于多层基板的各层上的导体图案所形成的线圈状导体的、主要的磁通的图。

[0057] 图24是表示实施方式2所涉及的频率稳定电路的四个线圈状导体L1～L4的磁耦合的关系的图。

[0058] 图25是实施方式14所涉及的频率稳定电路25A的电路图。

[0059] 图26是表示构成于多层基板上的、实施方式15所涉及的频率稳定电路的各层的导体图案的例子的图。

[0060] 图27是表示实施方式15所涉及的频率稳定电路的四个线圈状导体L1～L4的磁耦合的关系的图。

[0061] 图28是实施方式16所涉及的频率稳定电路的电路图。

[0062] 图29是表示在多层基板上构成实施方式16所涉及的频率稳定电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。

[0063] 图30是实施方式17所涉及的频率稳定电路的电路图。

[0064] 图31是表示在多层基板上构成实施方式17所涉及的频率稳定电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。

[0065] 图32是实施方式18所涉及的频率稳定电路的电路图。

[0066] 图33是表示在多层基板上构成实施方式18所涉及的频率稳定电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。

[0067] 图34是专利文献1所揭示的无线装置的结构图。

[0068] 标号说明

[0069] Ca 电容器

[0070] CM12、CM34、CM56闭合磁路

[0071] CM16、CM36闭合磁路

[0072] FP 供电端

[0073] FP12、FP13、FP24、FP34磁通

[0074] L1～L6电感元件(线圈状导体)

[0075] MW 磁壁

[0076] 10壳体

[0077] 11A 第一天线元件

[0078] 11B 第二天线元件

[0079] 11第一辐射体

[0080] 21第二辐射体

[0081] 25频率稳定电路

[0082] 25A 频率稳定电路

[0083] 26一次侧串联电路(第一串联电路)

[0084] 27二次侧串联电路(第二串联电路)

[0085] 28第三串联电路

[0086] 30、30A、30B 供电电路

[0087] 35频率稳定电路

[0088] 35A 第一频率稳定电路

[0089] 35B 第二频率稳定电路

[0090] 36一次侧串联电路(第一串联电路)

[0091] 37、38二次侧串联电路(第二串联电路)

[0092] 40层叠体

[0093] 41供电端子

[0094] 42接地端子

[0095] 43天线端子

[0096] 44NC端子

[0097] 51a 基材层

[0098] 61～67导体图案

[0099] 68接地导体

[0100] 69连接用导体

[0101] 71～75导体图案

[0102] 81～83导体图案

[0103] 101天线装置

[0104] 201～205通信终端装置

具体实施方式

[0105] 实施方式1

[0106] 图1是作为本发明的实施方式1的天线装置101和具备该天线装置101的通信终端装置201的简要结构图。通信终端装置201包括天线装置101、以及对该天线装置101进行供电的供电电路30A、30B。天线装置101包括以第一谐振频率f1进行谐振的第一天线元件11A、以第二谐振频率f2进行谐振的第二天线元件11B、与第一天线元件11A的供电端相连接的第一频率稳定电路35A、以及与第二天线元件11B的供电端相连接的第二频率稳定电路35B。

[0107] 与天线装置101相连接的通信装置是利用MIMO(多端输入多端输出(Multi Input Multi Output))技术进行通信的电路，在这种情况下，第一天线元件11A的谐振频率f1与第二天线元件11B的谐振频率f2相等。另外，如下文详细所述，由于天线的中心频率由频率稳定电路的作用来决定，因此，所述第一谐振频率f1和所述第二谐振频率f2也可以与通信载波的频率f0不同。通常，由于为了使装置小型化而将第一天线元件11A和第二天线元件11B形成得较小，因此，第一天线元件11A和第二天线元件11B本身的谐振频率比通信载波f0要高。

[0108] MIMO是用多个天线对数据进行收发的无线通信技术。发送侧、接收侧两侧都具有多个天线，发送侧使用多个天线，在相同的时刻以相同的频率一次发送多个数据。接收侧用矩阵计算对接收信号进行合成分离，从而进行解码。因此，多个(在实施方式1中为两个)天线元件能同时发送或接收，这一点很重要。

[0109] 另外，若为天线分集结构，则多个(实施方式1中为两个)天线元件的方向性图案不同而相互补全，这一点很重要。

[0110] 如图2所示，将第一天线元件11A和第二天线元件11B沿通信终端装置201的壳体10的两边进行配置，从而能在有限的空间内设置两个天线元件。

[0111] 图2是通信终端装置201内的所述天线装置101的具体的结构图。将第一天线元件11A沿通信终端装置201的壳体的一条短边进行配置。将第二天线元件11B沿通信终端装置201的壳体的一条长边配置在比较接近第一天线元件11A的位置上。

[0112] 图3是表示所述频率稳定电路35A、35B的结构的图。由于这两个频率稳定电路35A、35B具有相同的结构，因此，在图3中仅表示作为频率稳定电路35。在图3中，将图1、图2所示的天线元件11A、11B表示作为第一辐射体11。另外，在图3中，用第二辐射体21来表示与供电电路30A、30B的一端相连接的接地电极。

[0113] 如图3(A)所示，频率稳定电路35包括一次侧电路(第一串联电路)36、以及二次侧电路(第二串联电路)37，所述一次侧电路36具有包含第一电感元件(第一线圈状导体)L1、及与第一电感元件L1进行串联连接的第二电感元件(第二线圈状导体)L2的结构，所述二次侧电路37具有包含第三电感元件(第三线圈状导体)L3、及与第三电感元件L3进行串联连接的第四电感元件(第四线圈状导体)L4的结构。

[0114] 一次侧串联电路36的一端(第一电感元件L1的一端)与供电电路30相连接，二次侧串联电路37的一端(第三电感元件L3的一端)与第一辐射体11相连接。一次侧串联电路36的另一端(第二电感元件L2的另一端)以及二次侧串联电路37的另一端(第四电感元件L4的另一端)与第二辐射体21相连接。

[0115] 如图3(B)所示，第一电感元件L1与第二电感元件L2相互以反相进行耦合，第三电感元件L3与第四电感元件L4相互以反相进行耦合。即，将第一电感元件和第二电感元件进行卷绕，以用这些电感元件来构成第一闭合磁路，将第三电感元件和第四电感元件进行卷绕，以用这些电感元件来构成第二闭合磁路，从而使所述第一闭合磁路与所述第二闭合磁路相互耦合。另外，第一电感元件L1与第三电感元件L3相互以反相进行耦合，第二电感元件L2与第四电感元件L4相互以反相进行耦合。即，用第一电感元件L1和第三电感元件L3来构成闭合磁路，用第二电感元件L2和第四电感元件L4来构成闭合磁路。

[0116] 在采用以上结构的频率稳定电路35中，将从供电电路30流入到一次侧串联电路36的高频信号电流导向第一电感元件L1，并经由感应磁场，作为二次电流导向第三电感元件L3。此外，导向第二电感元件L2的高频信号电流经由感应磁场，作为二次电流导向第四电感元件L4。其结果是，高频信号电流沿图3(B)中箭头所示的方向流动。

[0117] 即，在一次侧串联电路36中，由于第一电感元件L1与第二电感元件L2串联并以反相相连接，因此，若有电流流过第一电感元件L1和第二电感元件L2，则由各元件L1、L2形成闭合磁路。同样地，在二次侧串联电路37中，由于第三电感元件L3与第四电感元件L4串联并以反相相连接，因此，若因一次侧串联电路36所产生的闭合磁路而引起感应电流流过第三电感元件L3和第四电感元件L4，则由各元件L3、L4也形成闭合磁路。

[0118] 而且，由于第一电感元件L1与第二电感元件L2以反相进行耦合，因此，一次侧串联电路36的总的电感值小于将第一电感元件L1的电感值与第二电感元件L2的电感值进行简单相加后所得到的电感值。另一方面，第一电感元件L1与第三电感元件L3经由互感进行耦合，该互感值成为将第一电感元件L1的电感值与第三电感元件L3的电感值进行相加后所得到的电感值。第二电感元件L2与第四电感元件L4之间的关系也相同。

[0119] 即，由于可以看到，在一次侧串联电路36与二次侧串联电路37之间所形成的互感值的总和比一次侧串联电路36或二次侧串联电路37的电感值要相对大些，因此，看起来一次侧串联电路36与二次侧串联电路37之间的耦合度会变高。即，一次侧串联电路36和二次侧串联电路37中的磁场分别形成闭合磁路，在二次侧串联电路37中，沿抵消由一次侧串联电路36所产生的磁场的方向流过电流(位移电流)。从而，不仅一次侧串联电路36和二次侧串联电路37中的各功率几乎不会发生泄漏，而且一次侧串联电路36与二次侧串联电路37的耦合度也会变高。由此，能在一次侧串联电路36与二次侧串联电路37之间获得0.7以上、特别是0.9～1.0这样极高的耦合度。

[0120] 在所述频率稳定电路35中，由于主要利用一次侧串联电路36来谋求与供电电路30一侧进行阻抗匹配，利用二次侧串联电路37来谋求与第一辐射体11一侧进行阻抗匹配，因此，阻抗的匹配较为容易。

[0121] 若从作为滤波器的角度来描绘图3(B)所示的等效电路，则如图3(C)那样。电容元件C1是由第一电感元件L1和第二电感元件L2所形成的线间电容，电容元件C2是由第三电感元件L3和第四电感元件L4所形成的线间电容。另外，电容元件C3是由一次侧串联电路36和二次侧串联电路37所形成的线间电容(寄生电容)。即，利用一次侧串联电路36来形成LC并联谐振电路R1，利用二次侧串联电路37来形成LC并联谐振电路R2。

[0122] 而且，若将LC并联谐振电路R1的谐振频率设为F1、将LC并联谐振电路R2的谐振频率设为F2，则在F1＝F2的情况下，来自供电电路30的高频信号呈现图4(A)所示的通过特性。由于使第一电感元件L1、第二电感元件L2、第三电感元件L3、及第四电感元件L4分别以反相进行耦合，从而能增大电感元件L1～L4的各自的电感值，因此，能获得宽频带的通过特性。而且，如图4(B)所示，来自第一辐射体11的高频信号能获得曲线A所示的宽频带的通过特性。虽然该机理不一定很明白，但可以认为是由于因LC并联谐振电路R1、R2相耦合，因此，会消除退化。ΔF由谐振电路R1、R2的耦合度来决定。能与耦合度成正比而实现宽频带化。

[0123] 另一方面，在F1≠F2的情况下，来自供电电路30的高频信号呈现图4(C)所示的通过特性。如图4(D)所示，来自第一辐射体11的高频信号可获得曲线B所示的宽频带的通过特性。可认为这也是由于因LC并联谐振电路R1、R2相耦合，因此，会消除退化。谐振电路R1、R2的耦合度越大，能获得越宽的频带特性。

[0124] 这样，由于频率稳定电路35发生谐振而决定频率特性，因此，频率不容易发生偏移。另外，通过获得宽频带的通过特性，从而即使阻抗有稍许变化，也能确保通过频带。即，无论辐射体的形状和辐射体的环境如何，都能使被收发的高频信号的频率保持稳定。

[0125] 图5(A)是构成作为贴片型的层叠体40的频率稳定电路35的立体图，图5(B)是对其背面侧进行观察的立体图。该层叠体40是将包括介质或磁性体的多个基材层进行层叠的部件，在其背面设置有与供电电路30相连接的供电端子41、与第二辐射体21相连接的接地端子42、以及与第一辐射体11相连接的天线端子43。除此之外，还设置有用于进行安装的NC端子44。此外，根据需要，也可以在层叠体40的表面装载阻抗匹配用的电感器或电容器。另外，也可以利用电极图案在层叠体40内构成电感器或电容器。

[0126] 图6是所述频率稳定电路35的分解立体图。该频率稳定电路内置(构成)于层叠体40内。在最上层的基材层51a上形成有导体61，在第二层的基材层51b上形成有成为第一电感元件L1和第二电感元件L2的导体62，在第三层的基材层51c上形成有成为第一电感元件L1和第二电感元件L2的两个导体63、64。在第四层的基材层51d上形成有成为第三电感元件L3和第四电感元件L4的两个导体65、66，在第五层的基材层51e上形成有成为第三电感元件L3和第四电感元件L4的导体67。此外，在第六层的基材层51f上形成有接地导体68，在第七层的基材层51g的背面形成有供电端子41、接地端子42、以及天线端子43。此外，在最上层的基材层51a上层叠有未图示的无图案基材层。

[0127] 作为导体61～68，可将银或铜等导电性材料作为主要成分而形成。作为基材层51a～51g，若为介质，则可使用玻璃陶瓷材料、及环氧类树脂材料等，若为磁性体，则可使用铁氧体陶瓷材料或含有铁氧体的树脂材料等。

[0128] 将所述基材层51a～51g进行层叠，从而各自的导体61～68以及端子41、42、43经由通孔电极(层间连接导体)相连接，形成图3(A)所示的等效电路。

[0129] 像这样将电感元件L1～L4内置于包括介质或磁性体的层叠体40，特别是将成为一次侧串联电路36与二次侧串联电路37之间的耦合部的区域设置在层叠体40的内部，从而频率稳定电路35不容易受到来自与层叠体40相邻配置的其他电路元件或电路图案的影响。其结果是，能力图使频率特性进一步保持稳定。

[0130] 然而，在装载所述层叠体40的印刷布线基板(未图示)上设置有各种布线，这些布线与频率稳定电路35有可能会相互干扰。像本实施方式这样，在层叠体40的底部设置接地导体68，使得覆盖由导体61～67所形成的线圈的开口，从而能抑制各电感元件与印刷布线基板上的各种布线相互干扰。换而言之，电感元件L1～L4的L值不容易产生偏差。

[0131] 如图7所示，在所述频率稳定电路35中，从供电端子41输入的高频信号电流像箭头a、b所示的那样流动，像箭头c、d所示的那样被导向第一电感元件L1(导体62、63)，并进一步像箭头e、f所示的那样被导向第二电感元件L2(导体62、64)。利用由一次电流(箭头c、d)所产生的磁场C，在第三电感元件L3(导体65、67)中像箭头g、h所示的那样激励出高频信号电流，从而流过感应电流(二次电流)。同样地，利用由一次电流(箭头e、f)所产生的磁场C，在第四电感元件L4(导体66、67)中像箭头i、j所示的那样激励出高频信号电流，从而流过感应电流(二次电流)。其结果是，箭头k所示的高频信号电流流过天线端子43，箭头1所示的高频信号电流流过接地端子42。此外，在流过供电端子41的电流(箭头a)是相反方向时，其他电流也沿相反方向流动。

[0132] 在一次侧串联电路36中，第一电感元件L1与第二电感元件L2相互以反相进行耦合，在二次侧串联电路37中，第三电感元件L3与第四电感元件L4相互以反相进行耦合，从而分别形成闭合磁路。因此，能减少能量损耗。此外，若使第一电感元件L1与第二电感元件L2的电感值、以及第三电感元件L3与第四电感元件L4的电感值实质上相同，则闭合磁路的漏磁场会变少，从而能进一步减少能量损耗。

[0133] 另外，产生由一次侧串联电路36中的一次电流所激励出的磁场C、以及由二次侧串联电路37中的二次电流所激励出的磁场D，使得利用感应电流来抵消彼此的磁场。通过利用感应电流来减少能量损耗，从而第一电感元件L1与第三电感元件L3、以及第二电感元件L2与第四电感元件L4以较高的耦合度进行耦合。即，一次侧串联电路36与二次侧串联电路37以较高的耦合度进行耦合。

[0134] 由于图1、图2所示的频率稳定电路35A、35B具有上述结构，因此，如图1、图2所示，即使第一天线元件11A与第二天线元件11B互相接近，也能维持(1)设定中心频率、(2)设定通过频带、以及(3)与供电电路进行匹配的各个功能。为此，只要对第一天线元件11A和第二天线元件11B进行设计，使得在天线特性中、主要起到(4)设定方向性、以及(5)确保增益的各个功能即可。因而，能实现两个天线元件11A、11B的配置位置、形状、尺寸等的设计自由度较高、且不一定需要在天线元件之间设置隔离元件的、结构简单的天线装置。另外，由于不一定需要在天线元件之间设置隔离元件，因此，能实现小型的通信终端装置。

[0135] 实施方式2

[0136] 图8是作为实施方式2的通信终端装置202的结构图。该通信终端装置202包括第一天线元件11A、第二天线元件11B、与第一天线元件11A的供电端相连接的第一频率稳定电路35A、以及与第二天线元件11B的供电端相连接的第二频率稳定电路35B。

[0137] 在图2所示的例子中，两个天线元件11A、11B相互接近，但在图8所示的例子中，两个频率稳定电路35A、35B相互接近。频率稳定电路35A、35B的结构和作用效果如前所述。因而，即使两个频率稳定电路35A、35B互相接近，也几乎不会相互干扰。因此，频率稳定电路35A、35B能分别实现天线元件11A、11B的(1)设定中心频率、(2)设定通过频带、以及(3)与供电电路进行匹配的各个功能。

[0138] 实施方式3

[0139] 图9是作为实施方式3的通信终端装置203的结构图。该通信终端装置203包括第一天线元件11A、第二天线元件11B、与第一天线元件11A的供电端相连接的第一频率稳定电路35A、以及与第二天线元件11B的供电端相连接的第二频率稳定电路35B。

[0140] 沿壳体10的互相相对的两边配置有第一天线元件11A和第二天线元件11B。根据该结构，由于能尽量使两个天线元件11A、11B的位置远离，因此，在采用天线分集结构的情况下特别有效。

[0141] 实施方式4

[0142] 图10是作为实施方式4的通信终端装置204的结构图。在该通信终端装置204中，沿壳体10的一个主面配置有第一天线元件11A，沿壳体10的一个侧面配置有第二天线元件11B。第一天线元件11A是贴片天线，供电电路与贴片天线的供电端FP相连接。第二天线元件11B是线状辐射电极所形成的天线(单极型天线)。

[0143] 利用该结构，第一天线元件11A具有朝向Z轴方向的半球形的图案的方向性，第二天线元件11B具有以Y轴为对称轴的环形的方向性。

[0144] 两个天线元件的方向性图案及其朝向也可以像这样互不相同。

[0145] 实施方式5

[0146] 图11是作为实施方式5的通信终端装置205的结构图。该通信终端装置205包括第一天线元件11A、第二天线元件11B、与第一天线元件11A的供电端相连接的第一频率稳定电路35A、以及供电电路30A、30B。

[0147] 在实施方式1～实施方式4中，在两个天线元件11A、11B与供电电路之间分别连接有频率稳定电路，但在图11所示的例子中，只在第一天线元件11A与供电电路30A之间连接有频率稳定电路35A，而将供电电路30B直接与第二天线元件11B相连接。频率稳定电路35A的结构和作用效果如以上的实施方式所示。

[0148] 这样，也可以不对每一个天线元件设置频率稳定电路。例如在第二天线元件11B基本不受由第一天线元件11A所引起的干扰的情况下，或者在即使受到干扰、但在天线特性上也不存在问题的情况下，对于第二天线元件11B来说，不需要频率稳定电路。相反地，在第一天线元件11A会受到由第二天线元件11B所引起的干扰的情况下，只要对第一天线元件11A设置频率稳定电路35A即可。

[0149] 实施方式6

[0150] 在实施方式6中，示出了频率稳定电路的其他的例子。图12是实施方式6的天线装置所具备的频率稳定电路的分解立体图。该频率稳定电路采用与图6所示的例子基本相同的结构，两者的不同之处在于：省略基材层51a而在基材层51b上形成导体61，并且省略接地导体68而在基材层51h上形成连接用导体69。在图12的例子中，由于省略了接地导体(图6中的68)，因此，优选在装载该层叠体40的印刷布线基板上设置相当于接地导体68的导体。

[0151] 实施方式7

[0152] 图13是作为实施方式7的天线装置所具备的频率稳定电路的电路图。图13的频率稳定电路35不仅设置有图3(A)所示的一次侧串联电路36和二次侧串联电路37，而且还进一步设置有二次侧串联电路38(二次侧电抗电路)。构成二次侧串联电路38的第五电感元件L5与第六电感元件L6相互以反相进行耦合。第五电感元件L5与第一电感元件L1以反相进行耦合，第六电感元件L6与第二电感元件L2以反相进行耦合。第五电感元件L5的一端与第一辐射体11相连接，第六电感元件L6的一端与第二辐射体21相连接。

[0153] 图14是所述频率稳定电路的分解立体图。该频率稳定电路内置(构成)于层叠体40内。在该例子中，在图6所示的层叠体之上，进一步层叠有基材层51i、51j，所述基材层51i、51j上形成有成为二次侧串联电路38的第五电感元件L5和第六电感元件L6的导体71、72、73。

[0154] 实施方式7所涉及的频率稳定电路的动作与所述实施方式1所示的频率稳定电路基本相同。在实施方式7中，利用两个二次侧串联电路37、38来夹住一次侧串联电路36，从而从一次侧串联电路36到二次侧串联电路37、38的高频信号的能量传输损耗会减少。

[0155] 实施方式8

[0156] 图15是作为实施方式8的天线装置所具备的频率稳定电路的电路图。在该频率稳定电路中，在实施方式7中的图14所示的层叠体之上，进一步层叠有基材层51k，所述基材层51k上设置有接地导体74。接地导体74与设置在底部的接地导体68相同，具有覆盖由导体71、72、73形成的线圈的开口的面积。所以，在该例子中，通过设置接地导体74，能抑制设置于层叠体40的正上方的各种布线与各电感元件之间发生干扰。

[0157] 实施方式9

[0158] 图16是作为实施方式9的天线装置所具备的频率稳定电路的电路图。这里所使用的频率稳定电路35具有基本与实施方式1相同的结构。不同之处在于：第一电感元件L1与第三电感元件L3相互以相同相位进行耦合，第二电感元件L2与第四电感元件L4相互以相同相位进行耦合。即，第一电感元件L1与第三电感元件L3主要经由磁场进行耦合，第二电感元件L2与第四电感元件L4主要经由磁场进行耦合。该频率稳定电路的作用效果与实施方式1所示的频率稳定电路基本相同。

[0159] 实施方式10

[0160] 图17是作为实施方式10的天线装置所具备的频率稳定电路的电路图。这里所使用的频率稳定电路35具有基本与实施方式1相同的结构。不同之处在于：在频率稳定电路35与第二辐射体21之间，配置有电容元件C4。电容元件C4起到作为用于隔离直流分量、低频分量的偏置隔离(bias cut)用的功能，还起到作为ESD保护元件的功能。

[0161] 实施方式11

[0162] 图18是作为实施方式11的天线装置的结构图。该天线装置是可与GSM方式或CDMA方式相对应的多频带对应型移动无线通信系统(800MHz频带、900MHz频带、1800MHz频带、1900MHz频带)所使用的天线装置。这里所使用的频率稳定电路35是在一次侧串联电路36与二次侧串联电路37之间插入有电容元件C5的电路，其他结构与实施方式1相同，其作用效果与实施方式1基本相同。而且，设置有分岔单极型天线11a、11b作为辐射体。

[0163] 可将该天线装置用作为通信终端装置的主天线。在该分岔单极型天线11a、11b中，天线11a主要起到作为高频带侧(1800～2400MHz频带)的天线辐射体的功能，天线11b主要起到作为低频带侧(800～900MHz频带)的天线辐射体的功能。分岔单极型天线
11a、11b无需在各自的对应频带下作为天线而发生谐振。这是由于频率稳定电路35使天线
11a、11b所具有的特性阻抗与RF电路的阻抗进行匹配。例如，频率稳定电路35在800～
900MHz频带下，使天线11b所具有的特性阻抗与RF电路的阻抗(通常为50Ω)进行匹配。
由此，能从天线11b发送RF电路的信号、或利用天线11b来接收发送给RF电路的信号。

[0164] 此外，像这样在相距较大的多个频带下实现阻抗匹配的情况下，将多个频率稳定电路35进行并联配置等，从而也能在各自的频带下实现阻抗匹配。另外，使多个二次侧串联电路37与一次侧串联电路36进行耦合，从而也能利用多个二次侧串联电路37在各自的频带下实现阻抗匹配。

[0165] 实施方式12

[0166] 图19是实施方式12所涉及的频率稳定电路25的电路图。频率稳定电路25包括与供电电路30相连接的第一串联电路26、以及对该第一串联电路26进行电磁场耦合的第二串联电路27。第一串联电路26是第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2的串联电路，第二串联电路27是第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4的串联电路。在天线端口与供电端口之间，连接有第一串联电路26，在天线端口与接地之间，连接有第二串联电路27。

[0167] 图20是表示在多层基板上构成实施方式12所涉及的频率稳定电路25的情况下、各层的导体图案的例子的图。各层包含磁性体片材，各层的导体图案形成于磁性体片材上。线状的导体图案具有规定的线宽，但这里用简单的实线来表示。此外，在最上层51a上层叠有未图示的无图案基材层。

[0168] 在图20所示的范围内，在第一层51a上形成有导体图案73，在第二层51b上形成有导体图案72、74，在第三层51c上形成有导体图案71、75。在第四层51d上形成有导体图案63，在第五层51e上形成有导体图案62、64，在第六层51f上形成有导体图案61、65。在第七层51g上形成有导体图案66，在第八层51h的背面形成有供电端子41、接地端子42、及天线端子43。沿图8中的纵向延伸的虚线是通孔电极，以在层间对导体图案彼此之间进行连接。这些通孔电极实际上是具有规定的直径尺寸的圆柱形的电极，但这里用简单的虚线来表示。

[0169] 在图20中，利用导体图案63的右半部分和导体图案61、62，来构成第一线圈状导体L1。另外，利用导体图案63的左半部分和导体图案64、65，来构成第二线圈状导体L2。另外，利用导体图案73的右半部分和导体图案71、72，来构成第三线圈状导体L3。另外，利用导体图案73的左半部分和导体图案74、75，来构成第四线圈状导体L4。各线圈状导体L1～L4的卷绕轴朝向多层基板的层叠方向。而且，第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2的卷绕轴以不同的关系进行并排设置。同样地，第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4各自的卷绕轴以不同的关系进行并排设置。而且，第一线圈状导体L1与第三线圈状导体L3的各自的卷绕范围在俯视下至少有一部分重合，第二线圈状导体L2与第四线圈状导体L4的各自的卷绕范围在俯视下至少有一部分重合。在该例子中，几乎完全重合。这样，用8字形结构的导体图案来构成四个线圈状导体。

[0170] 此外，也可以用介质片材来构成各层。但是，若使用相对磁导率较高的磁性体片材，则能进一步提高线圈状导体间的耦合系数。

[0171] 图21表示通过图20所示的形成于多层基板的各层上的导体图案所形成的线圈状导体的、主要的磁通。磁通FP12通过由导体图案61～63所形成的第一线圈状导体L1、以及由导体图案63～65所形成的第二线圈状导体L2。另外，磁通FP34通过由导体图案71～73所形成的第三线圈状导体L3、以及由导体图案73～75所形成的第四线圈状导体L4。

[0172] 实施方式13

[0173] 图22是表示实施方式13所涉及的频率稳定电路的结构的图，是表示在多层基板上构成该频率稳定电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。各层的导体图案具有规定的线宽，但这里用简单的实线来表示。

[0174] 在图22所示的范围内，在第一层51a上形成有导体图案73，在第二层51b上形成有导体图案72、74，在第三层51c上形成有导体图案71、75。在第四层51d上形成有导体图案63，在第五层51e上形成有导体图案62、64，在第六层51f上形成有导体图案61、65。在第七层51g上形成有导体图案66，在第八层51h的背面形成有供电端子41、接地端子42、及天线端子43。沿图22中的纵向延伸的虚线是通孔电极，以在层间对导体图案彼此之间进行连接。这些通孔电极实际上是具有规定的直径尺寸的圆柱形的电极，但这里用简单的虚线来表示。

[0175] 在图22中，利用导体图案63的右半部分和导体图案61、62，来构成第一线圈状导体L1。另外，利用导体图案63的左半部分和导体图案64、65，来构成第二线圈状导体L2。另外，利用导体图案73的右半部分和导体图案71、72，来构成第三线圈状导体L3。另外，利用导体图案73的左半部分和导体图案74、75，来构成第四线圈状导体L4。

[0176] 图23是表示通过图22所示的形成于多层基板的各层上的导体图案所形成的线圈状导体的、主要的磁通的图。另外，图24是表示频率稳定电路的四个线圈状导体L1～L4的磁耦合的关系的图。如磁通FP12所示，构成由第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2所形成的闭合磁路，如磁通FP34所示，构成由第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4所形成的闭合磁路。另外，如磁通FP13所示，构成由第一线圈状导体L1和第三线圈状导体L3所形成的闭合磁路，如磁通FP24所示，构成由第二线圈状导体L2和第四线圈状导体L4所形成的闭合磁路。此外，也构成由四个线圈状导体L1～L4所形成的闭合磁路。

[0177] 由于利用该实施方式13的结构，线圈状导体L1与L2、L3与L4的电感值也因各自的耦合而减小，因此，实施方式13所示的频率稳定电路也能起到与实施方式12的频率稳定电路25相同的效果。

[0178] 实施方式14

[0179] 在实施方式14中，将示出对实施方式12、实施方式13所示的频率稳定电路的天线端口设置附加电路的例子。

[0180] 图25是实施方式14所涉及的频率稳定电路25A的电路图。频率稳定电路25A包括与供电电路30相连接的一次侧串联电路26、以及对该一次侧串联电路26进行电磁场耦合的第二串联电路27。一次侧串联电路26是第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2的串联电路，第二串联电路27是第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4的串联电路。在天线端口与供电端口之间，连接有第一串联电路26，在天线端口与接地之间，连接有第二串联电路27。而且，在天线端口与接地之间，连接有电容器Ca。

[0181] 实施方式15

[0182] 图26是表示构成于多层基板上的、实施方式15所涉及的频率稳定电路的各层的导体图案的例子的图。各层包含磁性体片材，各层的导体图案具有规定的线宽，但这里用简单的实线来表示。

[0183] 在图26所示的范围内，在第一层51a上形成有导体图案73，在第二层51b上形成有导体图案72、74，在第三层51c上形成有导体图案71、75。在第四层51d上形成有导体图案61、65，在第五层51e上形成有导体图案62、64，在第六层51f上形成有导体图案63。在第七层51g的背面形成有供电端子41、接地端子42、以及天线端子43。沿图26中的纵向延伸的虚线是通孔电极，以在层间对导体图案彼此之间进行连接。这些通孔电极实际上是具有规定的直径尺寸的圆柱形的电极，但这里用简单的虚线来表示。

[0184] 在图26中，利用导体图案63的右半部分和导体图案61、62，来构成第一线圈状导体L1。另外，利用导体图案63的左半部分和导体图案64、65，来构成第二线圈状导体L2。另外，利用导体图案73的右半部分和导体图案71、72，来构成第三线圈状导体L3。另外，利用导体图案73的左半部分和导体图案74、75，来构成第四线圈状导体L4。

[0185] 图27是表示实施方式15所涉及的频率稳定电路的四个线圈状导体L1～L4的磁耦合的关系的图。这样，利用第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2，来构成第一闭合磁路(磁通FP12所示的环路)。另外，利用第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4，来构成第二闭合磁路(磁通FP34所示的环路)。通过第一闭合磁路的磁通FP12与通过第二闭合磁路的磁通FP34朝向互相相反的方向。

[0186] 这里，若将第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2表示为“一次侧”，将第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4表示为“二次侧”，则如图26所示，由于一次侧之中的接近二次侧的一侧与供电电路相连接，因此，能提高一次侧之中的二次侧附近的电位，从而能利用从供电电路流出的电流，在二次侧也流过感应电流。因此，会产生如图27所示的磁通。

[0187] 由于利用该实施方式15的结构，线圈状导体L1与L2、L3与L4的电感值也因各自的耦合而减小，因此，该实施方式15所示的频率稳定电路也能起到与实施方式12的频率稳定电路25相同的效果。

[0188] 实施方式16

[0189] 在实施方式16中，示出了用于将变压器部的自谐振点的频率提高得比实施方式12～实施方式15所示的变压器部更高的结构例。

[0190] 在图3所示的频率稳定电路35中，利用由一次侧串联电路36和二次侧串联电路37所形成的电感、以及一次侧串联电路36与二次侧串联电路37之间所产生的电容，通过LC谐振而产生自谐振。

[0191] 图28是实施方式16所涉及的频率稳定电路的电路图。该频率稳定电路包括连接于供电电路30与天线11之间的第一串联电路26、连接于供电电路30与天线11之间的第三串联电路28、以及连接于天线11与接地之间的第二串联电路27。

[0192] 第一串联电路26是由第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2经串联连接而形成的电路。第二串联电路27是由第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4经串联连接而形成的电路。第三串联电路28是由第五线圈状导体L5和第六线圈状导体L6经串联连接而形成的电路。

[0193] 在图28中，框M12表示线圈状导体L1与L2之间的耦合，框M34表示线圈状导体L3与L4之间的耦合，框M56表示线圈状导体L5与L6之间的耦合。另外，框M135表示线圈状导体L1、L3、与L5之间的耦合。同样地，框M246表示线圈状导体L2、L4、与L6之间的耦合。

[0194] 图29是表示在多层基板上构成实施方式16所涉及的频率稳定电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。各层包含磁性体片材，各层的导体图案形成于磁性体片材上。另外，线状的导体图案具有规定的线宽，但这里用简单的实线来表示。

[0195] 在图29所示的范围内，在第一层51a上形成有导体图案82，在第二层51b上形成有导体图案81、83，在第三层51c上形成有导体图案72。在第四层51d上形成有导体图案71、73，在第五层51e上形成有导体图案61、63，在第六层51f上形成有导体图案62。在第七层51g的背面分别形成有供电端子41、接地端子42、以及天线端子43。沿图29中的纵向延伸的虚线是通孔电极，以在层间对导体图案彼此之间进行连接。这些通孔电极实际上是具有规定的直径尺寸的圆柱形的电极，但这里用简单的虚线来表示。

[0196] 在图29中，利用导体图案62的右半部分和导体图案61，来构成第一线圈状导体L1。另外，利用导体图案62的左半部分和导体图案63，来构成第二线圈状导体L2。另外，利用导体图案71和导体图案72的右半部分，来构成第三线圈状导体L3。另外，利用导体图案72的左半部分和导体图案73，来构成第四线圈状导体L4。另外，利用导体图案81和导体图案82的右半部分，来构成第五线圈状导体L5。另外，利用导体图案82的左半部分和导体图案83，来构成第六线圈状导体L6。

[0197] 在图29中，椭圆形虚线表示闭合磁路。闭合磁路CM12与线圈状导体L1和L2交链。另外，闭合磁路CM34与线圈状导体L3和L4交链。此外，闭合磁路CM56与线圈状导体L5和L6交链。这样，利用第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2来构成第一闭合磁路CM12，利用第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4来构成第二闭合磁路CM34，利用第五线圈状导体L5和第六线圈状导体L6来构成第三闭合磁路CM56。在图29中，双点划线的平面是为了使线圈状导体L1与L3、L3与L5、L2与L4、以及L4与L6在所述三个闭合磁路之间进行耦合、使它们沿彼此相反的方向产生磁通、而等效产生的两个磁壁MW。换而言之，用这两个磁壁MW，分别将由线圈状导体L1、L2所形成的闭合磁路的磁通、由线圈状导体L3、L4所形成的闭合磁路的磁通、以及由线圈状导体L5、L6所形成的闭合磁路的磁通进行封闭。

[0198] 这样，形成由第一闭合磁路CM12和第三闭合磁路CM56沿层方向夹住第二闭合磁路CM34的结构。利用该结构，第二闭合磁路CM34被两个磁壁夹住而完全封闭(提高了封闭的效果)。即，能起到作为耦合系数非常大的变压器的作用。

[0199] 因此，能一定程度地加宽所述闭合磁路CM12与CM34之间、以及CM34与CM56之间的间隔。这里，若由线圈状导体L1、L2所形成的串联电路与由线圈状导体L5、L6所形成的串联电路进行并联连接，将并联连接而成的电路称为一次侧电路，将由线圈状导体L3、L4所形成的串联电路称为二次侧电路，则通过加宽所述闭合磁路CM12与CM34之间、以及CM34与CM56之间的间隔，能减小分别产生于第一串联电路26与第二串联电路27之间、以及第二串联电路27与第三串联电路28之间的电容。即，决定自谐振点的频率的LC谐振电路的电容分量会减小。

[0200] 另外，根据实施方式16，由线圈状导体L1、L2形成第一串联电路26，由线圈状导体L5、L6形成第三串联电路28，由于采用由所述第一串联电路26与所述第三串联电路28进行并联连接而形成的结构，因此，决定自谐振点的频率的LC谐振电路的电感分量会减小。

[0201] 这样，决定自谐振点的频率的LC谐振电路的电容分量和电感分量都会减小，从而能将自谐振点的频率设定为离开使用频带足够远的、较高的频率。

[0202] 实施方式17

[0203] 在实施方式17中，示出了用于利用与实施方式16不同的结构、将变压器部的自谐振点的频率提高得比实施方式12～实施方式15所示的变压器部要高的结构例。

[0204] 图30是实施方式17所涉及的频率稳定电路的电路图。该频率稳定电路包括连接于供电电路30与天线11之间的第一串联电路26、连接于供电电路30与天线11之间的第三串联电路28、以及连接于天线11与接地之间的第二串联电路27。

[0205] 第一串联电路26是由第一线圈状导体L1和第二线圈状导体L2经串联连接而形成的电路。第二串联电路27是由第三线圈状导体L3和第四线圈状导体L4经串联连接而形成的电路。第三串联电路28是由第五线圈状导体L5和第六线圈状导体L6经串联连接而形成的电路。

[0206] 在图30中，框M12表示线圈状导体L1与L2之间的耦合，框M34表示线圈状导体L3与L4之间的耦合，框M56表示线圈状导体L5与L6之间的耦合。另外，框M135表示线圈状导体L1、L3、与L5之间的耦合。同样地，框M246表示线圈状导体L2、L4、与L6之间的耦合。

[0207] 图31是表示在多层基板上构成实施方式17所涉及的频率稳定电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。各层包含磁性体片材，各层的导体图案形成于磁性体片材上。另外，线状的导体图案具有规定的线宽，但这里用简单的实线来表示。

[0208] 与图29所示的频率稳定电路的不同之处在于由导体图案81、82、83所形成的线圈状导体L5、L6的极性。在图31的例子中，闭合磁路CM36与线圈状导体L3、L5、L6、L4交链。因而，在线圈状导体L3、L4与L5、L6之间，不会产生等效的磁壁。其他结构与实施方式16所示的结构相同。

[0209] 根据实施方式17，产生图31所示的闭合磁路CM12、CM34、CM56，并产生闭合磁路CM36，从而由线圈状导体L3、L4所形成的磁通会被由线圈状导体L5、L6所形成的磁通吸入。因此，即使是实施方式17的结构，磁通也不容易发生泄漏，其结果是，能起到作为耦合系数非常大的变压器的作用。

[0210] 即使是实施方式17，决定自谐振点的频率的LC谐振电路的电容分量和电感分量也都会减小，从而能将自谐振点的频率设定为离开使用频带足够远的、较高的频率。

[0211] 实施方式18

[0212] 在实施方式18中，示出了用于利用与实施方式16和实施方式17不同的结构、将变压器部的自谐振点的频率提高得比实施方式12～实施方式15所示的变压器部要高的其他结构例。

[0213] 图32是实施方式18所涉及的频率稳定电路的电路图。该频率稳定电路包括连接于供电电路30与天线11之间的第一串联电路26、连接于供电电路30与天线11之间的第三串联电路28、以及连接于天线11与接地之间的第二串联电路27。

[0214] 图33是表示在多层基板上构成实施方式18所涉及的频率稳定电路的情况下、各层的导体图案的例子的图。各层包含磁性体片材，各层的导体图案形成于磁性体片材上。线状的导体图案具有规定的线宽，但这里用简单的实线来表示。

[0215] 与图29所示的频率稳定电路的不同之处在于由导体图案61、62、63所形成的线圈状导体L1、L2的极性、以及由导体图案81、82、83所形成的线圈状导体L5、L6的极性。在图33的例子中，闭合磁路CM16与所有的线圈状导体L1～L6都交链。因而，在这种情况下不会产生等效的磁壁。其他结构与实施方式16和实施方式17所示的结构相同。

[0216] 根据实施方式18，产生图33所示的闭合磁路CM12、CM34、CM56，并产生闭合磁路CM16，从而由线圈状导体L1～L6所形成的磁通不容易发生泄漏，其结果是，能起到作为耦合系数较大的变压器的作用。

[0217] 即使是实施方式18，决定自谐振点的频率的LC谐振电路的电容分量和电感分量也都会减小，从而能将自谐振点的频率设定为离开使用频带足够远的、较高的频率。

[0218] 实施方式19

[0219] 本发明的通信终端装置包括实施方式1～实施方式18所示的频率稳定电路、辐射体、以及与频率稳定电路的供电端口相连接的供电电路。供电电路包括高频电路，所述高频电路包括天线开关、发送电路、以及接收电路。通信终端装置具有还包括调制解调电路或基带电路的结构。

[0220] 此外，本发明并不局限于MIMO用的天线装置，例如也可以用于分集(Diversity)。以上的各实施方式所示的第一天线元件11A的谐振频率f1也可以与第二天线元件11B的谐振频率f2互不相同。