一种促进苦草种子萌发与生长的方法转让专利

申请号 : CN201110002505.8

文献号 : CN102577690B

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 侯文华曹利静

申请人 : 中国环境科学研究院

摘要 :

本发明涉及一种促进苦草种子萌发与生长的方法,该方法为:在培养箱中,加入硝酸钾溶液或壳聚糖溶液,并辅以微量间歇式曝气,投入苦草种子,进行浸泡;于装有湖泊底泥作为基质的烧杯中对浸泡后的苦草种子进行培养;待苦草种子发芽后,将苦草幼苗再置于装有硝酸钾溶液的培养箱中浸泡,同时辅以微量间歇式曝气和间歇式短波紫外线照射。本发明的方法简单、苦草种子萌发时间短、发芽率极高、生长速度快、并且经济成本低,对于苦草的快速育种和大规模生产育苗具有重要的意义。

权利要求 :

1.一种促进苦草种子萌发与生长的方法,其特征在于,包括以下步骤:(a)在培养箱中,加入硝酸钾溶液或壳聚糖溶液,并辅以微量间歇式曝气,投入苦草种子,进行浸泡;培养箱的温度为20-30℃,光照强度为1200-2800lux,苦草种子采用2~

30mg/L的硝酸钾溶液进行浸泡,或采用0.2~1mg/L的壳聚糖溶液进行浸泡,浸泡时间为

12~36小时;

(b)于装有湖泊底泥作为基质的烧杯中对浸泡后的苦草种子进行培养;

(c)待苦草种子发芽后,将苦草幼苗再置于装有壳聚糖溶液的培养箱中浸泡,同时辅以微量间歇式曝气和间歇式短波紫外线照射;培养箱的温度为20~30℃,光照强度为

2500lux,苦草幼苗采用0.25~1mg/L的壳聚糖溶液进行浸泡;

所述的短波紫外线的波长范围为200~280nm,每6小时照射1次,每次照射0.5~1小时。

2.根据权利要求1所述的促进苦草种子萌发与生长的方法,其特征在于,所述步骤(a)中,培养箱的光照强度为2500lux。

3.根据权利要求1所述的促进苦草种子萌发与生长的方法,其特征在于,所述步骤(a)中,苦草种子采用8~15mg/L的硝酸钾溶液进行浸泡,或采用0.25mg/L的壳聚糖溶液进行浸泡。

4.根据权利要求3所述的促进苦草种子萌发与生长的方法,其特征在于,所述步骤(a)中,苦草种子采用8mg/L的硝酸钾溶液浸泡。

5.根据权利要求1所述的促进苦草种子萌发与生长的方法,其特征在于,所述步骤(a)中,浸泡时间为22~26小时。

6.根据权利要求1所述的促进苦草种子萌发与生长的方法,其特征在于,所述步骤(c)中,苦草幼苗采用0.25mg/L的壳聚糖溶液进行浸泡。

7.根据权利要求1所述的促进苦草种子萌发与生长的方法,其特征在于,所述步骤(c)中,紫外线的波长范围为274nm。

说明书 :

一种促进苦草种子萌发与生长的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种促进苦草种子萌发与生长的方法。

背景技术

[0002] 苦草(Vallisneria natana),俗名面条草、扁担草、水韭菜等,属水鳖科苦草属多年生沉水植物,为我国最常见的沉水植物之一。当前,工业粗放式的扩展生产给河流、湖泊等水体造成的污染日益突出,沉水植被的恢复已经成为我国湖泊等水体富营养化治理的关键。苦草具有较强的水质净化能力,并且对水体污染有着较强的耐受性,在水生生态系统修复重建工程中,扮演着非常重要的角色,但是由于水质条件的限制以及水生植物本身的生物学特性,苦草种子的成苗率非常低下,形成不了规模化生产,因此,目前的现有技术中,往往通过组织培养法来促进苦草快速繁殖,如:
[0003] 中国专利200410066029.6取用苦草的可繁殖器官根茎,经过一系列灭菌过程,在培养液中培养获得苦草无菌苗,再将无菌苗置于培养基中诱导生芽,该方法中用重金属汞盐进行灭菌,容易造成环境污染,另外,灭菌后无菌苗的存活率仅超过60%。
[0004] 中国专利2004100606272以苦草的地下茎尖作为培养物,将苦草培养物经消毒、在诱导培养基中诱导培养、分化与增殖及生根培养,来繁殖苦草,该方法中没有公布存活率。该方法中苦草培养物的培养周期较长,另外,诱导培养基的成分过于复杂,增加了成本,而且,该方法中还用到重金属汞盐,容易造成环境污染。
[0005] 另外,苦草的组织培养规模有限,培养过程的存活率也有限,在培养过程中没有变异的过程,所以如果代数过多就会出现产量、生殖能力、生活力的下降。
[0006] 鉴于此,特提成本技术方案。

发明内容

[0007] 本发明的目的在于提供一种促进苦草种子萌发与生长的方法,该方法具有苦草种子萌发时间短、成苗率高、苦草幼苗生长速度快等优点,并且可以实现规模化生产。
[0008] 为了实现本发明的目的,采用的技术方案,包括以下步骤:
[0009] (a)在培养箱中,加入硝酸钾溶液或壳聚糖溶液,并辅以微量间歇式曝气,投入苦草种子,进行浸泡;
[0010] (b)于装有湖泊底泥作为基质的烧杯中对浸泡后的苦草种子进行培养;
[0011] (c)待苦草种子发芽后,将苦草幼苗再置于装有壳聚糖溶液的培养箱中浸泡,同时辅以微量间歇式曝气和间歇式短波紫外线照射。
[0012] 本发明中,所述步骤(a)中培养箱的温度为20-30℃,光照强度为1200-2800lux。
[0013] 本发明中,所述步骤(a)中苦草种子采用2~30mg/L的硝酸钾溶液进行浸泡,或采用0.2~1mg/L的壳聚糖溶液进行浸泡,浸泡时间为12~36小时。
[0014] 上述步骤(a)的优选方案为:培养箱的光照强度为2500lux。
[0015] 上述步骤(a)的另一优选方案为:苦草种子采用8~15mg/L的硝酸钾溶液进行浸泡,或采用0.25mg/L的壳聚糖溶液进行浸泡;最优选为:苦草种子采用8mg/L的硝酸钾溶液浸泡。
[0016] 上述步骤(a)的另一优选方案为:浸泡时间为22~26小时。
[0017] 苦草种子在营养液中浸泡22~26小时,种子对培养箱中的营养液的吸收基本饱和。
[0018] 本发明中,以硝酸钾溶液或壳聚糖溶液作为促进苦草种子萌发与生长的调节剂,硝酸钾和壳聚糖均为常见的物质,并且在医药、化工等领域被广泛使用,安全可靠,不会对土壤环境或水体环境造成污染,另外,在苦草种子浸泡的过程中辅以曝气,可以防止种子在浸泡过程中发生腐烂,促进种子发芽,并且具有一定的搅拌作用,可以使得溶液均匀浸入到种子内部。
[0019] 本发明中,所述步骤(c)中培养箱的温度为20~30℃,光照强度为2500lux,苦草幼苗采用0.2~1mg/L的壳聚糖溶液进行浸泡;短波紫外线的波长范围为200~280nm,每6小时照射1次,每次照射0.5~1小时;曝气每3小时进行1次,每次进行曝气的时间为
0.5小时。本发明中,苦草幼苗从开始发芽三天后进行浸泡。
[0020] 上述步骤(c)的优选方案为:苦草幼苗采用0.25mg/L的壳聚糖溶液进行浸泡。
[0021] 上述步骤(c)的另一优选方案为:紫外线的波长范围为274nm。
[0022] 一般来说,由于曝气引起的水流冲击影响植物裸露根的生长,使根吸收的氮磷量减少,导致植株的氮磷积累下降,从而影响植物的生理生长。但在本发明中,苦草幼苗在浸泡时辅以微量间歇式曝气,不仅不足以引起足够的水流去冲击苦草的根部,不会影响苦草的根对营养的吸收,反而,可以使培养箱中的营养液和大气进行一个活性循环,有利于苦草的根进行有氧呼吸,增强根的活力,促进根吸收水分和养料,还有利于促进苦草的主根和侧根的增长,增加根密度。
[0023] 短波紫外线被认为是灭生性辐射,具有灭菌作用,对植物的形态与生理过程的影响极小,而中波紫外线被认为是生物有效辐射。但是发明人经试验后发现,中波紫外线对苦草的促生长作用很小,而短波紫外线,如果连续并长时间照射苦草,将抑制苦草的光合作用,但是,如果是间歇式短时间照射苦草,特别是274nm的紫外线间歇式照射苦草,每次照射0.5~1小时,光合作用对C02的响应增强,可以显著提高苦草的光合作用速率,另外,短波紫外线还可以杀死溶液中的细菌和微生物,从而促进苦草生长。
[0024] 与现有技术相比,本发明提供的一种促进苦草种子萌发与生长的方法的有益效果为:
[0025] 1.本发明中,在20-30℃,光照强度为1200-2800lux的条件下,硝酸钾溶液和壳聚糖溶液具有非常好的促进苦草种子萌发的作用,并且安全可靠,不会对土壤环境或水体环境造成污染,在苦草种子浸泡的过程中辅以曝气,有利于硝酸钾溶液或壳聚糖溶液对苦草种子的渗透作用,还可以防止种子在浸泡过程中发生腐烂,促进种子发芽。
[0026] 2.以壳聚糖溶液浸泡苦草幼苗,并辅以微量间歇式曝气和间歇式短波紫外线,不仅增强苦草的根的活力,促进根吸收水分和养料,促进苦草的主根和侧根的增长,还提高了苦草的光合作用速率,从而促进苦草生长,生长的苦草根系发达,叶片长且宽,颜色翠绿,生物量明显增加。
[0027] 3.本发明的方法简单、苦草种子萌发时间短、发芽率极高、生长速度快、并且经济成本低,适宜于实际生产应用,对于苦草的快速育种和大规模生产育苗具有重要的意义。

具体实施方式

[0028] 下面通过具体实施例对本发明的发明内容进一步的说明,但并不因此而限定本发明的内容。
[0029] 苦草种子购自武汉花卉市场;水溶性壳聚糖购自山东奥康科技有限公司,白色粉末,脱乙酰度>85%,粘度<100mpa.s,pH值7.22;硝酸钾购自北京化学试剂公司。
[0030] 实施例1
[0031] 培养箱的温度为20-30℃,光照强度为1200lux。于9个培养箱中分别加入蒸馏水,2mg/L、4mg/L、8mg/L、15mg/L和30mg/L的硝酸钾溶液,以及0.25mg/L、0.5mg/L、1mg/L的壳聚糖溶液,每个培养箱同时辅以微量间歇式曝气,每个培养箱投入50颗苦草种子,浸泡12小时;之后,于装有湖泊底泥作为基质的烧杯中对浸泡后的苦草种子进行培养,结果如表1所示。
[0032] 表1不同溶液浸泡后苦草种子的萌发时间与发芽率
[0033]
[0034] 实施例2
[0035] 培养箱的温度为20-30℃,光照强度为2500lux。于培养箱中加入8mg/L的硝酸钾溶液,培养箱同时辅以微量间歇式曝气,投入50颗苦草种子,浸泡22小时;之后,于装有湖泊底泥作为基质的烧杯中对浸泡后的苦草种子进行培养,苦草种子的萌发时间为4~11天,发芽率为100%。
[0036] 实施例3
[0037] 将恒温培养箱的温度恒定为20-30℃,光照强度为2800lux。于恒温培养箱中加入0.25mg/L的壳聚糖溶液,恒温培养箱同时辅以微量间歇式曝气,投入50颗苦草种子,浸泡36小时;之后,于装有湖泊底泥作为基质的烧杯中对浸泡后的苦草种子进行培养,苦草种子的萌发时间为5~12天,发芽率为88%。
[0038] 实施例4
[0039] 采用实施例2中发芽三天后的苦草幼苗,将苦草幼苗分别置于7个培养箱中,培养箱的温度为20~30℃,光照强度为2500lux,培养箱中分别装有蒸馏水、浓度为4mg/L、8mg/L、15mg/L的硝酸钾溶液和浓度为0.25mg/L、0.5mg/L、1mg/L的壳聚糖溶液,每个培养箱中均放置5株苦草幼苗,同时辅以微量间歇式曝气和间歇式258nm紫外线照射,每6小时照射1次,每次照射1小时。对苦草幼苗进行浸泡12天后,生长情况见表2。
[0040] 表2不同浓度溶液浸泡后苦草幼苗的生长情况
[0041]
[0042] 本发明中,叶长是指每株苦草中最大叶片的长度的平均值;叶宽是指每株苦草中最大叶片的宽度的平均值;根长是指苦草最长根长的平均值;干重分别是指将苦草清洗干净后,放入烘箱中,60℃烘干24小时后的平均干重。
[0043] 由表2可知,硝酸钾溶液和壳聚糖溶液对苦草幼苗都有促生长作用,但是,壳聚糖溶液对苦草幼苗的促生长作用优于硝酸钾溶液,并且,0.25mg/L的壳聚糖溶液对苦草幼苗的生长促进作用非常显著。
[0044] 实施例5
[0045] 采用实施例2中发芽的苦草幼苗,将5株苦草幼苗置于培养箱中,培养箱的温度为20~30℃,光照为2500lux,培养箱中装有0.25mg/L的壳聚糖溶液,同时辅以微量间歇式曝气和间歇式200nm紫外线照射,每6小时照射1次,每次照射0.5小时。对苦草幼苗进行浸泡12天后,苦草幼苗的叶长10.6cm,叶宽5.5mm,根长5.4cm,干重0.37g。
[0046] 实施例6
[0047] 采用实施例2中发芽的苦草幼苗,将5株苦草幼苗置于培养箱中,培养箱的温度为20~30℃,光照为2500lux,培养箱中装有0.25mg/L的壳聚糖溶液,同时辅以微量间歇式曝气和间歇式280nm紫外线照射,每6小时照射1次,每次照射0.7小时。对苦草幼苗进行浸泡12天后,苦草幼苗的叶长10.8cm,叶宽5.8mm,根长6.0cm,干重0.38g。
[0048] 比较例1
[0049] 采用实施例2中发芽的苦草幼苗,将苦草幼苗分别置于3个培养箱中,每个培养箱均设为温度20~30℃,光照为2500lux,均装有0.25mg/L的壳聚糖溶液,每个培养箱中均