一种极紫外光刻复眼照明系统的设计方法转让专利

申请号 : CN201210132163.6

文献号 : CN102629082B

文献日 :

基本信息:

PDF:

法律信息:

相似专利:

发明人 : 李艳秋梅秋丽刘菲

申请人 : 北京理工大学

摘要 :

本发明提供一种极紫外光刻复眼照明系统的设计方法,具体步骤为:根据指定的投影物镜的参数确定照明系统出瞳距离;确定坐标系,获取各器件的坐标;根据所述出瞳距离和掩膜面中心坐标,确定出瞳中心的坐标;令出瞳中心与掠入射镜非邻近焦点重合,计算出掠入射镜的曲率半径;令第一中继镜的非邻近焦点与掠入射镜的邻近焦点重合,计算出第一中继镜的曲率半径;令第二中继镜的邻近焦点与第一中继镜的邻近焦点重合,计算出第二中继镜的曲率半径;令聚光镜的非邻近焦点为匀光系统出射光线的会聚点,根据所述会聚点确定匀光系统中光阑复眼平板和视场复眼平板上复眼元的排布。本发明设计方法可以适用于不同的投影物镜。

权利要求 :

1.一种极紫外光刻复眼照明系统的设计方法,该照明系统包括光源、聚光镜、由光阑复眼平板和视场复眼平板组成的匀光系统、由第一中继镜和第二中继镜组成的中继镜组及掠入射镜,根据指定的投影物镜的参数确定照明系统出瞳距离L,其特征在于,具体步骤为:步骤101、确定掠入射镜的对称轴为照明系统的主光轴,选定掠入射镜的顶点作为原点,以主光轴为z轴,依照右手坐标系原则建立坐标系(x,y,z),获取第一中继镜的顶点坐标(ZG21,YG21)、第二中继镜的顶点坐标(ZG22,YG22)、掩膜面的中心坐标(ZMASK,YMASK);

步骤102、根据所述出瞳距离L和掩膜面中心坐标(ZMASK,YMASK),确定照明系统出瞳中心的坐标(ZEP,YEP);

步骤103、令出瞳中心与掠入射镜非邻近焦点Fcollector1重合,根据(ZEP,YEP)计算出掠入射镜的曲率半径RG1;

步骤104、令第一中继镜的非邻近焦点Frelay11与掠入射镜的邻近焦点Fcollector2重合,根据(ZG21,YG21)计算出第一中继镜的曲率半径RG21;

步骤105、令第二中继镜的邻近焦点Frelay21与第一中继镜的邻近焦点Frelay12重合,根据(ZG22,YG22)计算出第二中继镜的曲率半径RG22;

步骤106、令聚光镜的非邻近焦点为匀光系统出射光线的会聚点,根据所述会聚点确定匀光系统中光阑复眼平板和视场复眼平板上复眼元的排布。

2.根据权利要求1所述极紫外光刻复眼照明系统的设计方法,其特征在于,确定所述照明系统入射到掩膜面上的弧形视场的尺寸,在掩膜面处设置孔径光阑,该孔径光阑的尺寸所述形视场的尺寸相同,在照明系统出瞳面上设置一光源,根据出瞳面上光源发出光的主光线,调节第一中继镜和第二中继镜的角度。

3.根据权利要求1所述极紫外光刻复眼照明系统的设计方法,其特征在于,所述步骤

106的具体过程为:

步骤201、设出瞳面的中心点为物点,在物点经过掠入射镜和中继镜组后得到的像点附近放置光阑复眼平板,所有的光阑复眼元的中心均位于该平板上;旋转光阑复眼平板,保证从物点出射的光线入射到光阑复眼平板上的主光线入射角度位于6°~8°之间;

步骤202、在光阑复眼反射光束的光路上放置视场复眼平板,同时保证视场复眼平板不对第二中继镜反射的光线遮挡,所有视场复眼元的中心均位于该平板上;旋转视场复眼平板,保证从物点出射的光线入射至视场复眼平板上的主光线入射角度位于9°~12°之间;

步骤203、依据照明系统的放大倍率Γ以及弧形视场的尺寸,确定视场复眼上矩形复眼元的长和宽,设复眼元的长为la,宽为lb;则:

其中,d为弧形视场的弦长,R为弧形视场的外径,r为弧形视场的内径;

步骤204、让光源充满整个照明系统的出瞳,获取经掠入射镜、中继镜组及光阑复眼平板后入射至视场复眼平板上光斑的大小,并将上述光斑大小确定为视场复眼平板的大小,并结合步骤203计算的视场复眼元的尺寸,确定视场复眼元的排布;

步骤205、确定光阑复眼元的尺寸和排布;即光阑复眼应采取预校正畸变的排布,其每个复眼元的反射面呈圆形,直径的取值范围为8~11mm;

步骤206、确定视场复眼元和光阑复眼元的对位关系,即每一视场复眼元对应一光阑复眼元;

步骤207、令聚光镜的非邻近焦点为匀光系统出射光线的会聚点,按照步骤206中确定的视场复眼元和光阑复眼元得对位关系,通过光线追迹确定所选择的物点对应的光阑复眼元的坐标和倾斜角、以及光阑复眼元所对应的视场复眼元的坐标和倾斜角,使得出射的光线汇聚到聚光镜的非邻近焦点上。

说明书 :

一种极紫外光刻复眼照明系统的设计方法

技术领域

[0001] 本发明提供了一种极紫外光刻复眼照明系统的设计方法,属于光刻照明技术领域。

背景技术

[0002] 当前的大规模集成电路普遍采用光刻系统进行制造。光刻系统主要分为:照明系统、掩膜、投影系统及晶片等四部分。光源发出的光线经过聚光镜聚焦后入射至掩膜;经过掩膜后,光线经由投影系统入射至涂有光刻胶的晶片上,这样就将掩膜图形复制在晶片上。
[0003] 极紫外光刻EUVL是以波长为11~14nm的极紫外EUV射线为曝光光源的微电子光刻技术,适用于特征尺寸为32nm及更细线宽的集成电路的大批量生产。投影式光刻机的核心部件是投影曝光光学系统,该系统最重要的组成部分是照明系统和投影物镜系统。照明系统主要功能是为掩膜面提供均匀照明、控制曝光剂量和实现离轴照明模式。作为光刻机重要组成部分的照明系统对提高整个光刻机性能至关重要,因此设计好照明系统是完成整个投影曝光系统的重要环节。
[0004] 目前极紫外光刻照明系统的设计思想主要有:双排复眼照明,波纹板照明以及自由曲面的照明设计等,其中双排复眼照明以其匀光效果好,加工技术较成熟,便于控制,且易于实现离轴照明等优点成为极紫外光刻照明系统的主流设计结构。
[0005] 目前国外公开了部分极紫外光刻复眼照明系统的结构,按照光束传播的方向依次包括:光源、聚光镜、匀光系统(包括光阑复眼平板和视场复眼平板)、中继镜组(包括第一中继镜和第二中继镜)及掠入射镜;其中匀光系统为双排复眼,而聚光镜,中继镜组以及掠入射镜等均为二次曲面,中继镜组为椭球面,掠入镜为双曲面。每一套复眼照明系统的参数都是依据与之相匹配的光刻投影物镜的照明要求而确定的,一旦投影物镜的照明要求发生改变,照明系统中每个光学元件的参数都可能发生改变。因此,有必要研究出一种方法,能够更快、更精确的依据已有初始结构得到满足特定投影物镜照明要求的复眼照明系统,目前尚未见到完整的相关设计方法的报道。
[0006] 相关文献(US7456408)针对极紫外光刻提出了一套复眼照明的设计结果,其中在设计方法部分仅提到将掩膜面当作系统的孔径光阑来展开设计,并没有给出详细的设计过程。
[0007] 相关文献(US20070295919)针对极紫外光刻提出了一套复眼照明的设计结果,该设计仅针对照明区域为100mm×8mm的弧形区域有效,并没有提出一套如何在该设计基础上设计出适合任意极紫外光刻投影物镜的复眼照明系统的方法。

发明内容

[0008] 本发明提供了一种极紫外光刻复眼照明系统的设计方法,该方法基于现有复眼照明系统的结构,能快速的获得符合指定极紫外光刻投影物镜照明要求的各器件的设计参数。
[0009] 实现本发明的技术方案如下:
[0010] 一种极紫外光刻复眼照明系统的设计方法,该照明系统包括光源、聚光镜、由光阑复眼平板和视场复眼平板组成的匀光系统、由第一中继镜和第二中继镜组成的中继镜组及掠入射镜,具体步骤为:
[0011] 步骤101、根据指定的投影物镜的参数确定照明系统出瞳距离L;
[0012] 步骤102、确定掠入射镜的对称轴为照明系统的主光轴,选定掠入射镜的顶点作为原点,以主光轴为z轴,依照右手坐标系原则建立坐标系(x,y,z),获取第一中继镜的顶点坐标(ZG21,YG21)、第二中继镜的顶点坐标(ZG22,YG22)、掩膜面的中心坐标(ZMASK,YMASK);
[0013] 步骤103、根据所述出瞳距离L和掩膜面中心坐标(ZMASK,YMASK),确定照明系统出瞳中心的坐标(ZEP,YEP);
[0014] 步骤104、令出瞳中心与掠入射镜非邻近焦点Fcollector1重合,根据(ZEP,YEP)计算出掠入射镜的曲率半径RG1;
[0015] 步骤105、令第一中继镜的非邻近焦点Frelay11与掠入射镜的邻近焦点Fcollector2重合,根据(ZG21,YG21)计算出第一中继镜的曲率半径RG21;
[0016] 步骤106、令第二中继镜的邻近焦点Frelay21与第一中继镜的邻近焦点Frelay12重合,根据(ZG22,YG22)计算出第二中继镜的曲率半径RG22;
[0017] 步骤107、令聚光镜的非邻近焦点为匀光系统出射光线的会聚点,根据所述会聚点确定匀光系统中光阑复眼平板和视场复眼平板上复眼元的排布。
[0018] 进一步地,本发明确定照明系统入射到掩膜面上的弧形视场的尺寸,在掩膜面处设置孔径光阑,该孔径光阑的尺寸所述形视场的尺寸相同,在照明系统出瞳面上设置一光源,根据出瞳面上光源发出光的主光线,调节第一中继镜和第二中继镜的角度。
[0019] 有益效果
[0020] 本发明通过确定各部件焦点之间的相对位置关系,因此在为一个指定的投影物镜提供符合要求的照明系统时,只需要依据确定的相对位置关系,计算出各部件的参数,因此使得本发明设计方法可以适用于不同的投影物镜。
[0021] 其次,本发明提出了一种逆向光线追迹的设计思想,将实际的物(即光源)当作系统的像,将实际的像(照明系统的出瞳)当作物,将掩膜面上的弧形视场设置成系统的孔径光阑,这种设计思路使得原系统像空间的技术要求转变成为物空间的技术要求,而后者较前者在设计上更容易实现。

附图说明

[0022] 图1为本发明所依据的现有极紫外光刻系统的典型结构示意图。
[0023] 图2为掠入射镜结构示意图。
[0024] 图3为中继镜结构示意图。
[0025] 图4为聚光镜结构示意图。
[0026] 图5为典型的极紫外光刻弧形视场结构示意图。
[0027] 图6为照明系统出瞳面位置示意图。
[0028] 图7为本发明实施中掠入射镜的光线追迹示意图。
[0029] 图8为本发明实施中掠入射镜和中继镜1的光线追迹示意图。
[0030] 图9为本发明实施中掠入射镜和系统G1的光线追迹示意图。图10为典型的视场复眼排布示意图。
[0031] 图11为典型的光阑复眼排布示意图。
[0032] 图12为不包含聚光镜和光源的复眼照明系统示意图。
[0033] 图13为单成像通道位置确定的示意图。
[0034] 图14为视场复眼分组示意图。
[0035] 图15为光阑复眼分组示意图。
[0036] 图16为照明系统出瞳光强分布示意图。
[0037] 图17为照明系统在掩膜面上的光强分布示意图。

具体实施方式

[0038] 下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
[0039] 图1是极紫外光刻系统的一个典型结构示意图。极紫外光刻复眼照明系统为全反射离轴光学系统,聚光镜的结构需要依据光源的特性来确定,因此本发明极紫外光刻复眼照明系统的设计方法,只针对匀光系统、中继镜组及掠入射镜的参数进行求解,为了说明方便,以下对上述部件的结构进行事先定义:
[0040] 将掠入射镜的标号设为G1,将中继镜组的标号设为G2,将匀光系统的标号设为G3。
[0041] 如图2所示,坐标系右侧的实线表示掠入射镜,坐标系左侧虚线表示与掠入射镜对称的双曲面,定义右侧的焦点Fcollector2为掠入射镜的邻近焦点,左侧的焦点Fcollector1为掠入射镜的非邻近焦点。
[0042] 如图3所示,坐标系右侧的实线表示中继镜,定义右侧的焦点为中继镜的邻近焦点,左侧的焦点为中继镜的非邻近焦点。
[0043] 如图4所示,坐标系右侧的实线表示聚光镜,定义右侧的焦点为聚光镜的邻近焦点,左侧的焦点为聚光镜的非邻近焦点。
[0044] 本发明的具体过程如下:
[0045] 步骤101、根据指定的投影物镜的参数确定照明系统的出瞳直径D、出瞳距离L以及照明系统入射到掩膜面上的弧形视场的尺寸,其中弧形视场的尺寸包括弧形视场的外径R、内径r及弦长d,如图5所示。其中照明系统的出瞳直径D等于投影物镜的入瞳直径,照明系统的出瞳距离L(即为掩膜面和出瞳面之间的距离)等于投影物镜的入瞳距离。
[0046] 步骤102、本发明由于选定的复眼照明系统的结构是确定的,因此各部件之间的相对位置关系确定,同时各部件上的非球面二次系数也确定。
[0047] 本步骤确定掠入射镜的对称轴为照明系统的主光轴,选定掠入射镜的顶点作为原点,以主光轴为z轴,依照右手坐标系原则建立坐标系(x,y,z);由于本系统中各光学元件的顶点均处在Y-Z平面内,根据各部件相对确定的位置关系,获取第一中继镜的顶点坐标(ZG21,YG21)和非球面二次系数KG21,第二中继镜的顶点坐标(ZG22,YG22)和非球面二次系数KG22,掩膜面的中心坐标(ZMASK,YMASK)以及掠入射镜的非球面二次系数为KG1。
[0048] 步骤103、根据所述出瞳距离L和掩膜面中心坐标(ZMASK,YMASK),确定照明系统出瞳中心的坐标(ZEP,YEP)。
[0049] 根据光刻机工作原理可知,照明系统出瞳面的中心、掩膜面上弧形视场的圆心均位于投影物镜的主光轴上,并且掩膜面垂直于该主光轴,如图6所示。根据所述出瞳距离L和掩膜面中心坐标(ZMASK,YMASK),可确定出瞳中心的坐标(ZEP,YEP)。
[0050] 步骤104、令出瞳中心与掠入射镜非邻近焦点Fcollector1重合,计算出掠入射镜的曲率半径;具体的计算过程为:
[0051] 出瞳中心与掠入射镜顶点的距离l为:
[0052]
[0053] 由于掠入射镜为双曲面,设其实轴长为aG1,虚轴长为bG1,则有:
[0054]
[0055]
[0056] 根据式(2)和(3)计算出的aG1和bG1,求解掠入射镜的曲率半径RG1,即如公式(4)所示:
[0057]
[0058] 由于掠入射镜的面型确定,因此可以利用计算出的曲率半径RG1,设计出掠入射镜。
[0059] 由于光线在传输的过程是可逆的,因此取出瞳面上的中心点作为系统的物,通过光线追迹得到掠入射镜的结构示意图,如图7所示。
[0060] 下述过程中从步骤105至107,在对各器件的角度进行调整都是基于逆向光线追迹的设计思想,将实际的物面(即光源所在的平面)当作系统的像面,将实际的像面(即照明系统的出瞳面)当作系统的物面,在掩膜面处设置孔径光阑,该孔径光阑的尺寸与步骤101中所描述的弧形视场的尺寸相同,在照明系统出瞳面上设置一光源,出瞳面上光源发出光的主光线,调节调节第一中继镜、第二中继镜的角度。这种设计思路使得原系统像空间的技术要求转变成为物空间的技术要求,而后者较前者在设计上更容易实现。
[0061] 步骤105、根据步骤104获取的实轴长aG1和虚轴长bG1,计算掠入射镜的邻近焦点Fcollector2的坐标(ZG1F,YG1F)。令第一中继镜的非邻近焦点Frelay11与掠入射镜的邻近焦点Fcollector2重合,计算出第一中继镜的曲率半径;具体的计算过程为:
[0062] 由于第一中继镜为椭球面,设其长半轴长为aG21,短半轴长为bG21,焦距为FG21,则有[0063]
[0064]
[0065] 根据式(5)和(6)计算出的aG21和bG21,求解出掠入射镜的曲率半径RG21,即如公式(7)所示:
[0066]
[0067] 由于第一中继镜的面型确定,因此可以利用计算出的曲率半径RG21,设计出第一中继镜。
[0068] 确定第一中继镜的角度:旋转第一中继镜,保证从出瞳面入射过来的主光线的入射角度位于6°~8°之间,由此得到第一中继镜的倾斜角θ1,如图8所示。
[0069] 步骤106、根据步骤105获取的第一中继镜,计算出第一中继镜邻近焦点Frelay12的坐标(ZG21F,YG21F);令第二中继镜的邻近焦点Frelay21与第一中继镜的邻近焦点Frelay12重合,计算出第二中继镜的曲率半径;具体的计算过程为:
[0070] 由于第二中继镜为椭球面,设其长半轴场为aG22,短半轴长为bG22,焦距为FG22,则有[0071]
[0072]
[0073] 根据式(8)和(9)计算出的aG22和bG22,求解出掠入射镜的曲率半径RG22,即如公式(10)所示:
[0074]
[0075] 由于第二中继镜的面型确定,因此可以利用计算出的曲率半径RG22,设计出第二中继镜。
[0076] 确定第二中继镜的角度:微调第二中继镜使得由其出射的光线汇聚于一点,该点到第二中继镜2的距离不大于1500mm且不小于1000mm;同时旋转第二中继镜,保证从第一中继镜反射的主光线入射至第二中继镜的角度位于9°~12°之间,由此得到第二中继镜的倾斜角θ2,如图9所示。
[0077] 步骤107、令聚光镜的非邻近焦点为匀光系统出射光线的会聚点(即匀光系统的像点),根据所述会聚点确定匀光系统中光阑复眼平板和视场复眼平板上复眼元的排布。
[0078] 下面对步骤107的具体过程进行进一步详细说明。
[0079] 步骤201、设出瞳面的中心点为物点,在物点经过掠入射镜和中继镜组后得到的像点附近放置光阑复眼平板,所有的光阑复眼元的中心均位于该平板上;旋转光阑复眼平板,保证从物点出射的光线入射到光阑复眼平板上的主光线入射角度位于6°~8°之间,由此得到光阑复眼平板的倾斜角θPF。
[0080] 步骤202、在光阑复眼反射光束的光路上放置视场复眼平板,同时保证视场复眼平板不对第二中继镜反射的光线遮挡,所有视场复眼元的中心均位于该平板上;旋转视场复眼平板,保证从物点出射的光线入射至视场复眼平板上的主光线入射角度位于9°~12°之间,由此得到视场复眼平板的倾斜角θFF。
[0081] 步骤203、由于双排复眼不起放大作用,当中继镜组和掠入射镜的尺寸确定后,照明系统的放大倍率即可确定;因此本步骤依据照明系统的放大倍率Γ以及弧形视场的尺寸,确定视场复眼上矩形复眼元的长和宽,设复眼元的长为la,宽为lb;则:
[0082]
[0083] 其中,d为弧形视场的弦长,R为弧形视场的外径,r为弧形视场的内径;
[0084] 步骤204、让光源充满整个出瞳,获取经掠入射镜、中继镜组及光阑复眼后入射至视场复眼平板上光斑的大小,并将上述光斑大小确定为视场复眼平板的大小,结合步骤203计算的视场复眼元的尺寸,确定视场复眼元的排布;通常视场复眼元排布在近似圆形的区域内,视场复眼元的反射面呈矩形如图10所示。
[0085] 步骤205、确定光阑复眼元的尺寸和排布。由于掠入射镜将使出射光瞳产生畸变,所以光阑复眼应采取预校正畸变的排布,即光阑复眼排布于近似圆形的区域,其每个复眼元的反射面呈圆形,直径通常取8~11mm,如图11所示;此为现有技术因此只对其进行简要说明。
[0086] 步骤206、确定视场复眼和光阑复眼的对位关系,视场复眼元与光阑复眼元之间存在一一对应的关系,即即每一视场复眼元对应一光阑复眼元。确定的过程为:将两排复眼分别划分成若干份,在大区域内依据就近原则,即中心视场复眼元大致对应中心光阑复眼元,边缘视场复眼元大致对应边缘视场复眼元,从而确定复眼对位关系:在小区域内,可以同样依据就近原则,保证每一个复眼元的倾斜角度尽量小,也可以依据交叉对应的原则,保证出瞳面上获得最大的照明均匀度。
[0087] 步骤207、令聚光镜的非邻近焦点为匀光系统出射光线的会聚点,按照步骤206中确定的视场复眼元和光阑复眼元得对位关系,通过光线追迹确定所选择的物点对应的光阑复眼元的坐标和倾斜角和光阑复眼元所对应的视场复眼元的坐标和倾斜角,使得出射的光线汇聚到聚光镜的非邻近焦点上。
[0088] 步骤207的具体过程为:
[0089] 在出瞳面上选取某一个点作为照明系统的物,光线经过系统掠入射镜、中继镜组后入射到光阑复眼平板上,主光线在光阑复眼平板上的交点即为该物点对应的光阑复眼元的坐标;依据步骤206中确定的复眼对位关系,旋转光阑复眼元一个适当的倾斜角,使由该光阑复眼元出射的主光线准确入射到对应的视场复眼元上。依据复眼照明成像系统的工作原理,视场复眼会将所有入射光线汇聚到像点F,F点即为聚光镜的非邻近焦点,如图12所示(图12是不包括光源系统和聚光镜在内的照明系统结构示意图,焦点F是聚光镜的非邻近焦点,面EP为出瞳面,在本发明的设计方法中,掩膜面放置的是一个透光的孔径光阑)。因此,为了使该视场复眼元出射的光线皆汇聚到F点,必须给它一个适当的倾斜角。由此便确定了该成像通道所对应的一对光阑复眼元、视场复眼元的坐标和倾斜角。单成像通道位置确定的示意图如图12所示。在出瞳面上重新取点,依照上述单成像通道确定坐标和角度的方法,直到得光阑复眼和视场复眼上所有复眼元的坐标和倾斜角都确定为止。
[0090] 本发明的实施实例:
[0091] 如表1所示,首先针对实验室设计的极紫外光刻投影物镜的参数确定照明系统的出瞳直径、出瞳距离以及掩膜面上弧形视场的尺寸。
[0092] 表1
[0093]出瞳直径D 162.32mm
出瞳距离L 1246.5mm
弧形视场外径 124mm
弧形视场内径 116mm
弧形视场弦长 104mm
[0094] 如表2所示,在现有的极紫外光刻复眼照明系统的基础上,以G1系统的对称轴为整个照明系统的主光轴,分别获取掩膜面中心、G1、G2系统每个元件的顶点坐标和曲面二次系数以及出瞳中心坐标。
[0095] 表2
[0096]Z坐标 Y坐标 二次曲面系数
掩膜面中心 167.6228mm -237.3910mm -
掠入射镜G1 0 0 61.4278
中继镜1 470.6719mm -1087.2000 -943.7142
中继镜2 300.000mm -654.9322mm -730
出瞳中心 -1065.7365mm 0 -
[0097] 如表3所示,依据表2中的数据可以计算出系统G1、G2的面型参数和倾斜角。
[0098] 表3
[0099]半径R 二次曲面系数 倾斜角
掩膜面中心 167.6228mm - 4.4°
掠入射镜G1 0 61.4278 0
中继镜1 470.6719mm -943.7142 -68.1055°
中继镜2 300.000mm -730 -51.6698°
出瞳中心 -1065.7365mm - 4.4°
[0100] 对依据表1~表3得到系统进行光线追迹可以得到光源的像点,在该点附近放置光阑复眼平板;在光阑复眼后适当位置放置视场复眼平板,保证光路无遮挡。由此得到双排复眼的数据如表4所示。
[0101] 表4
[0102]Z坐标 Y坐标 倾斜角
PF平板 1519.6180 -1411.4138 -35.24°
FF平板 539.0418 -895.7333 -38.24°
[0103] 对依据表1~表4得到的系统进行光线追迹可以确定焦点F的坐标为(-1600,1542.4900)。此时视场复眼平板上光线分布区域是一个半径为160mm的圆,再结合该照明系统的放大倍率可确定单个视场复眼元的尺寸:长80mm,宽5.1mm,视场复眼元共
216个,其排布如图14所示。
[0104] 依据视场复眼的排布和总复眼元数目,可以确定光阑复眼元的排布如图15所示,单个视场复眼元反射面呈圆形,其直径为10mm。
[0105] 如图14、图15所示,依据就近原则可得到视场复眼和光阑复眼的对位关系。本实例中将每一个复眼平板上的复眼元分成13个区域,按照就近原则进行对位。
[0106] 如表5、表6所示,依据图15所示的对位关系,在出瞳面上均匀选取216个点作为物点,通过光线追迹可确定216个成像通道对应的视场复眼元和光阑复眼元的坐标和倾斜角。
[0107] 在上述步骤中得到的焦点F处放置一个点光源,依次对系统G3、G2、G1进行光线追迹和仿真,可在指定的掩膜面上得到一个弧形视场,如图16所示;通过光线追迹和仿真可在系统的出瞳面上得到一个直径为160mm左右的圆,如图17所示。通过图16和图17的结果可以证明,本发明简单可行,对于任意指定的极紫外光刻投影物镜,均能在现有的复眼照明系统基础上快速的获得符合要求的照明系统。
[0108] 综上所述,以上仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。