对伪硬掩膜的扭曲控制

摘要

一种在刻蚀层中刻蚀特征的方法。其提供了对被配置在所述刻蚀层上无定形碳或多晶硅的图案化伪硬掩膜的调节，其中所述调节包括提供包含碳氢气体的无氟淀积气体、由所述无氟淀积气体形成等离子体、提供小于500伏的偏压以及在所述图案化伪硬掩膜顶上形成淀积物。通过所述图案化伪硬掩膜刻蚀所述刻蚀层。

权利要求

1.一种在刻蚀层中刻蚀特征的方法，包括：a)对配置在所述刻蚀层上的无定形碳或多晶硅的图案化伪硬掩膜提供调节，其中所述调节包括:提供包括碳氢气体的无氟淀积气体；

由所述无氟淀积气体形成等离子体；

提供小于500伏的偏压；和

在所述图案化伪硬掩膜的顶上形成淀积物；以及b)通过所述图案化伪硬掩膜刻蚀所述刻蚀层。

2.根据权利要求1所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，进一步包括重复步骤a与b至少两次且其中所述淀积物具有顶部厚度与侧壁厚度，所述顶部厚度是所述图案化伪硬掩膜顶上的所述淀积物的厚度，所述侧壁厚度是所述图案化伪硬掩膜侧壁上的最大厚度，其中所述顶部厚度是所述侧壁厚度的至少两倍。

3.根据权利要求2所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，其中所述伪硬掩膜是无定形碳且其中所述无氟淀积气体进一步包括氮。

4.根据权利要求3所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，其中所述顶部厚度是所述侧壁上的所述最大厚度的至少五倍。

5.根据权利要求4所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，其中所述碳氢气体包括C2H4或CH4。

6.根据权利要求5所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，其中所述刻蚀层是氧化硅基材料。

7.根据权利要求6所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，其中所述刻蚀层进一步包括氮和氢。

8.根据权利要求5所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，进一步包括：在所述刻蚀层上形成无定形碳层；

在所述伪硬掩膜层上形成抗反射层；

在所述抗反射层上形成图案化光刻胶层；以及将所述图案化光刻胶层的图案转移到所述伪硬掩膜层。

9.根据权利要求5所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，其中所述无氟淀积气体进一步包括含硅成分。

10.根据权利要求5所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，其中所述由所述无氟淀积气体形成等离子体包括提供至少60MHz的RF信号以及小于5mTorr的压强。

11.根据权利要求5所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，其中所述由所述无氟淀积气体形成等离子体包括提供低于20MHz的RF信号以及大于100mTorr的压强。

12.根据权利要求5所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，其中所述偏压小于300伏。

13.根据权利要求2所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，其中所述伪硬掩膜是多晶硅且其中所述无氟淀积气体进一步包括氧。

14.根据权利要求2所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，其中所述刻蚀所述刻蚀层在所述刻蚀层中形成多条线，其中所述线具有不超过20nm的宽度以及至少100nm的厚度。

15.根据权利要求2所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，进一步包括：在所述刻蚀层上形成无定形碳层；

在所述伪硬掩膜层上形成抗反射层；

在所述抗反射层上形成图案化光刻胶层；以及将所述图案化光刻胶层的图案转移到所述伪硬掩膜层。

16.根据权利要求15所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，进一步包括在刻蚀所述刻蚀层之后移除所述伪硬掩膜层。

17.一种在刻蚀层中刻蚀特征的方法，包括：a)在所述刻蚀层上形成无定形碳层；

b)在所述无定形碳层上形成抗反射层；

c)在所述抗反射层上形成图案化光刻胶层；

d)将所述图案化光刻胶层的图案转移到所述无定形碳层以形成图案化无定形碳掩膜；

e)对所述图案化无定形碳掩膜提供调节，其中所述调节包括：提供包括氮和碳氢气体的无氟淀积气体，所述碳氢气体包括C2H4或CH4；

由所述无氟淀积气体形成等离子体；和

在所述图案化无定形碳掩膜顶上形成淀积物，其中所述淀积物具有顶部厚度与侧壁厚度，所述顶部厚度是所述图案化伪硬掩膜顶上的所述淀积物的厚度，所述侧壁厚度是所述图案化伪硬掩膜侧壁上的最大厚度，其中所述顶部厚度是所述侧壁厚度的至少两倍；以及f)通过所述图案化无定形碳掩膜刻蚀所述刻蚀层，其中步骤e与f被循环重复多次；

g)移除所述图案化无定形碳掩膜。

18.根据权利要求17所述的在刻蚀层中刻蚀特征的方法，其中所述提供调节进一步包括提供小于500伏的偏压。

说明书

对伪硬掩膜的扭曲控制

技术领域

[0001] 本发明涉及在半导体设备生产期间通过掩膜刻蚀刻蚀层。本发明尤其涉及在半导体设备生产期间通过诸如无定形碳或者多晶硅等伪硬掩膜(pseudo-hardmask)刻蚀介电层。无定形碳是使用诸如带有一些氢的化学气相淀积(CVD)等淀积处理所淀积的高温碳层。这样的无定形碳层可以在高于400℃的温度淀积。

背景技术

[0002] 在半导体晶片处理中，半导体设备的特征使用公知的图案化和刻蚀工艺定义在晶片中。在这些工艺中，光刻胶(PR)材料可以被淀积在晶片上并接着被暴露于经光网(reticle)过滤的光。光网可以是图案化的有阻挡光传过光网的范例几何特征构型的透明板。

[0003] 光在通过光网之后与光刻胶材料的表面接触。光改变了光刻胶材料的化学成分使得显影剂能移除部分光刻胶材料。在正性光刻胶材料的情况下，曝光的区域被移除，而在负性光刻胶材料的情况下，不曝光的区域被移除，从而形成图案化的光刻胶掩膜。可以将图案从图案化的光刻胶掩膜转印到伪硬掩膜层，其中可以使用中间硬掩膜层。之后，将晶片刻蚀以移除不再由伪硬掩膜保护的区域下方的材料，并因此在晶片上产生期望的特征。伪硬掩膜的使用实现了更深的高分辨率刻蚀。

发明内容

[0004] 为完成前述事项并根据本发明的目的公开了在刻蚀层中刻蚀特征的方法，本发明提供了对配置在刻蚀层上的无定形碳或多晶硅的图案化伪硬掩膜的调节，其中所述调节包括提供包含碳氢气体(hydrocarbon gas)的无氟淀积气体、通过所述无氟淀积气体形成等离子体、提供低于500伏的偏压以及在所述图案化伪硬掩膜顶上形成淀积物。所述刻蚀层通过图案化的伪硬掩膜被刻蚀。

[0005] 本发明的另一表现方式提供了在刻蚀层中刻蚀特征的方法。无定形碳层被形成在所述刻蚀层上。抗反射层被形成在所述无定形碳层上。图案化的光刻胶层被形成在所述抗反射层上。所述图案化光刻胶层的图案被转印到所述无定形碳层以形成图案化的无定形碳掩膜。提供了用于图案化无定形碳掩膜的调节，其中所述调节包括：提供包含氮气和碳氢气体的无氟淀积气体，所述碳氢气体包括C2H4或者CH4，由所述无氟淀积气体形成等离子体，在所述图案化的无定形碳掩膜的顶上形成淀积物，其中所述淀积物具有顶部厚度与侧壁厚度，所述顶部厚度为所述图案化无定形碳掩膜顶上淀积物的厚度，所述侧壁厚度为所述图案化无定形碳掩膜侧壁上的最大厚度，其中所述顶部厚度最少是所述侧壁厚度的两倍；通过所述图案化的无定形碳刻蚀所述刻蚀层，其中所述调节和刻蚀被循环重复多次。所述图案化的无定形碳掩膜被移除。

[0006] 在本发明的另一表现方式中，提供了在刻蚀层中刻蚀特征的装置。提供了等离子体处理腔，其包括形成等离子体处理腔外壳的腔壁、支承并卡持所述等离子体处理腔外壳内衬底的卡盘、调节所述等离子体处理腔外壳中压强的调压器、提供功率到所述等离子体处理腔外壳用于维持等离子体的至少一个电极或线圈、提供气体进入所述等离子体处理腔外壳的气体入口以及将气体从所述等离子体处理腔外壳排出的气体出口。气体源与所述气体入口流体连接并包括无氟淀积气体源与刻蚀气体源。控制器被可控制地连接于所述气体源、所述卡盘、以及所述至少一个电极或线圈并包括至少一个处理器与非瞬时(non-transient)计算机可读介质。所述非瞬时的计算机可读介质包括用于对淀积在所述刻蚀层上的无定形碳或多晶硅的图案化伪硬掩膜提供调节的计算机可读代码，其中所述调节包括用于提供包括碳氢气体的无氟淀积气体的计算机可读代码、用于由所述无氟淀积气体形成等离子体的计算机可读代码、用于提供小于500伏偏压的计算机可读代码以及用于在所述图案化伪硬掩膜顶上形成淀积物的计算机可读代码，其中所述淀积物具有顶部厚度与侧壁厚度，所述顶部厚度是所述图案化伪硬掩膜顶上的所述淀积物的厚度，所述侧壁厚度是所述图案化伪硬掩膜侧壁上的最大厚度，其中所述顶部厚度是所述侧壁厚度的至少两倍，用于通过所述图案化伪硬掩膜刻蚀所述刻蚀层的计算机可读代码和用于循环重复所述调节与刻蚀至少两次的计算机可读代码。

[0007] 将在本发明以下具体实施方式中结合附图更详细地描述本发明的这些或其他特征。

附图说明

[0008] 在附图中，本发明通过范例而不是限制的方式说明，附图中相似的参考标号指的是相似的元件，其中：

[0009] 图1是本发明实施方式的流程图。

[0010] 图2是合并了图1所示方法的更高级的流程图。

[0011] 图3A-H是本发明实施方式中刻蚀的层叠(stack)的示意图。

[0012] 图4是可以用于刻蚀的等离子体处理腔的示意图。

[0013] 图5A-B说明了计算机系统，其适合于实施用于本发明实施方式的控制器。

[0014] 图6是图3H所示结构的部分顶视图。

[0015] 图7是使用单次淀积刻蚀的结构的剖面示意图。

[0016] 图8是图7所示结构的顶视图。

[0017] 图9是不使用调节步骤刻蚀的结构的剖面示意图。

[0018] 图10是图9所示结构的顶视图。

具体实施方式

[0019] 现在将参考附图所示的本发明的一些优选的实施方式详细描述本发明。在以下的描述中，阐述了许多特定细节以便彻底理解本发明。然而对本领域的技术人员来说，显然不使用这些特定细节的某些或全部也可以实施本发明。在其他情况下，没有详细描述公知的方法步骤和/或结构以免不必要地混淆本发明。

[0020] 为了帮助理解，图1是用于本发明实施方式的方法的高级流程图。在刻蚀层刻蚀特征的方法被提供在两个步骤的处理中。第一步骤对包括无定形碳或多晶硅的图案化伪硬掩膜提供调节。第二步骤通过所述伪硬掩膜对所述刻蚀层提供刻蚀。所述调节提供包括碳氢气体的无氟淀积气体(步骤104)。所述无氟淀积气体被形成等离子体(步骤108)。提供小于500伏的偏压(步骤112)。所述等离子体和低偏压在所述伪硬掩膜的顶上形成淀积物(步骤116)，从而完成所述调节步骤。所述刻蚀层接着被刻蚀(步骤120)。在该实施方式中所述刻蚀刻蚀的厚度小于所述刻蚀层厚度的一半。因此，所述调节步骤和所述刻蚀步骤被至少重复两次以上(步骤124)。

[0021] 范例

[0022] 图2是本发明的示例的流程图。无定形碳层被形成在刻蚀层上(步骤204)。硬掩膜层被形成在所述无定形碳层上(步骤208)。抗反射层被形成在所述硬掩膜层上(步骤212)。光刻胶掩膜被形成在所述抗反射层上(步骤216)。图3A是一剖面示意图，其中光刻胶掩膜316带有的光刻胶掩膜特征320形成于抗反射层314上、而抗反射层314形成在硬掩膜层312上、硬掩膜层312形成在伪硬掩膜层310上、伪硬掩膜层310形成在刻蚀层308上、刻蚀层308又形成在衬底304上。所述抗反射层可以是无机及有机抗反射层。用于所述无机抗反射层的通常无机材料是SiON。在不同的实施方式中，所述层可以在各个层之间含有一个或更多的附加层。例如，一个或更多的层可以位于刻蚀层308与衬底304之间。
刻蚀层308可以是层间介电层，其中设备的一个或更多层可以位于所述刻蚀层与所述衬底之间。在另一范例中，可以将氮化硅层设置在作为所述刻蚀层的氧化硅层之下。优选地，所述刻蚀层进一步包括氮成分或氢成分。

[0023] 衬底304被设置在可以执行一个或更多步骤的等离子体处理腔中。图4是可以被用于一个或更多以下步骤的等离子体处理腔400的示意图。等离子体处理腔400包括限制环402(尽管其他实施方式可以使用其他限制装置)、上电极404、下电极408、气体源410以及排气泵420。在等离子体处理腔400内，衬底304被设置在下电极408上。下电极408结合了适当的衬底卡持机构(例如静电卡持机构、机械夹持机构等)用于卡持衬底304。反应器顶部428结合了被配置为直接对着下电极408的上电极404。上电极404、下电极408以及限制环402定义了受限的等离子体容积腔。气体由气体源410通过气体入口443被供应到受限的等离子体容积腔440并且由排气泵420从该受限的等离子体容积腔通过限制环402与排气口排出。除了帮助排除所述气体，排气泵420还帮助调节压强。在该实施方式中，气体源410包括碳氢气体源412、刻蚀气体源416以及氮气气体源418。气体源410可以进一步包括其他气体源。RF源448被电连接于下电极408。腔壁452围绕着限制环402、上电极404以及下电极408。RF功率与所述电极的连接的不同组合是可行的。在优选的实施方式中，27MHz、60MHz和2MHz功率源组成了连接到下电极的RF功率源448，上电极与地连接。将控制器435可控地连接于RF源448、排气泵420以及气体源410。所述处理腔可以是CCP(电容耦合等离子体)反应器或者ICP(电感耦合等离子体)反应器。

[0024] 图5A与5B示出了计算机系统500，其适合于实施用于本发明实施方式中的控制器435。图5A示出了所述计算机系统的一种可能的物理形式。当然，所述计算机系统可以具有从集成电路、印刷电路板以及小型手持设备直到大型超级计算机的许多物理形式。计算机系统500包括监控器502、显示器504、外壳506、磁盘驱动器505、键盘510以及鼠标512。
磁盘514是用于转移数据进出计算机系统500的计算机可读介质。

[0025] 图5B是计算机系统500方块图的范例。附属于系统总线520的是各种各样的子系统。处理器522(也被称为中央处理单元或CPU)被联接到包括存储器524的存储装置。存储器524包括随机存取存储器(RAM)与只读存储器(ROM)。如本领域所熟知的那样，ROM单向地转移数据和指令到CPU而RAM通常被用于以双向方式转移数据和指令。这两种存储器均可以包括以下描述的任何合适的计算机可读介质。固定盘526也被双向地联接于CPU522；固定盘526提供了额外的数据存储能力并也可以包括任何以下描述的计算机可读介质。固定盘526可以用于存储程序、数据等并通常为慢于主存储器的次存储介质(诸如硬盘)。应当领会到，在适当的情况下，保存在固定盘526内的信息可以被以标准方式合并作为存储器524中的虚拟内存。可移动磁盘514可以表现为以下描述的计算机可读介质的形式。

[0026] CPU 522也可以被联接到诸如显示器504、键盘510、鼠标512以及扬声器530等各种输入/输出设备。一般而言，输入/输出设备可以是任何以下设备：视频显示器、轨迹球、鼠标、键盘、麦克风、触控式显示器、传感器卡阅读器(transducer card reader)、磁带或纸带阅读器、平板电脑、触针、声音或笔迹识别器、生物识别阅读器或者其他计算机。CPU 522可以被任选地联接于使用网络接口540的另一计算机或远程通信网络。通过这样的网络接口，预期到在执行上述方法步骤的过程中CPU可以接收来自网络的信息或者可以输出信息到网络。此外，本发明的方法实施方式可以只通过CPU522上执行或者可以通过诸如与共享一部分处理的远程CPU关联的因特网等网络执行。

[0027] 另外，本发明的实施方式进一步地涉及带有计算机可读介质的计算机存储产品，所述计算机可读介质上具有执行各种计算机所实施的操作的计算机代码。所述介质和计算机代码可以是为本发明目的特别设计并创建的，或者可以是计算机软件领域的技术人员公知的或可获取的介质和计算机代码。有形的非瞬时计算机可读介质的范例包括但不限于：诸如硬盘、软盘和磁带等磁性介质；诸如CD-ROM和全息照相设备等光学介质；诸如软光盘等磁光介质；以及诸如专用集成电路(ASIC)、可编程逻辑电路(PLD)和ROM与RAM装置等专门被配置为存储与执行程序代码的硬件设备。计算机代码的范例包括由计算机使用翻译器(interpreter)执行的诸如由编译器等产生的机器码与更高级的文件包含代码。计算机可读介质也可以是由计算机数据信号传输的计算机代码，该计算机数据信号体现在载波中并代表由处理器执行的一系列指令。

[0028] 等离子体处理腔400可以被用于将所述图案从光刻胶掩膜316转移到硬掩膜层312(步骤220)。所述图案接着被从硬掩膜312转移到伪硬掩膜层310以形成图案化的伪硬掩膜层(步骤224)。硬掩膜312被移除(步骤228)。图3B是衬底304在移除硬掩膜之后的剖面示意图。没有中间硬掩膜的其他实施方式可以不首先将所述图案转移到硬掩膜而从所述光刻胶将图案直接转移到所述伪硬掩膜。

[0029] 刻蚀层循环接着被执行(步骤232)。在该实施方式中，所述刻蚀层循环是图1所示流程图的工艺。在该范例中，所述刻蚀层循环被提供在两个步骤的工艺中。第一步骤提供对包括无定形碳或多晶硅的图案化伪硬掩膜的调节并接着对所述刻蚀层刻蚀。所述调节提供包括碳氢气体的无氟淀积气体(步骤104)。优选地，所述碳氢气体是C2H4或者CH4。更优选地，所述碳氢气体是C2H4。淀积气体的范例设置了压强为5-100mTorr的1-200sccm(标准立方厘米每分钟)C2H4、10-2000sccm N2以及1-200sccm O2。在其他实施方式中，所述无氟淀积气体可以包括含有硅的成分。在其他实施方式中所述含有硅的成分可以由硅或二氧化硅腔部件提供。晶片温度被维持在-80摄氏度到120摄氏度之间。无氟淀积气体形成为等离子体(步骤108)。在该范例中提供了2MHz、0-200瓦特的RF功率以及60MHz、0-600瓦特的RF功率。低于500伏的偏压被提供(步骤112)。所述调节被维持在1-120秒之间。所述等离子体与低偏压形成了所述伪硬掩膜顶上的淀积物(步骤116)，从而完成所述调节步骤。图3C是在所述调节步骤已经在所述伪硬掩膜310顶上形成淀积物324之后衬底304的剖面示意图。淀积物324具有顶部厚度328以及侧壁最厚部分的厚度332。在该实施方式中顶部厚度328是所述侧壁淀积物最厚部分厚度332的至少两倍。更优选地，顶部厚度
328是所述侧壁淀积物最厚部分厚度332的至少五倍。在一个实验中侧壁淀积物的最厚部分332约为1nm而顶部厚度328大于5nm。在另一实验中，侧壁淀积物的最厚部分332小于
1nm而顶部厚度328大于2nm。因此，在这第二个实验中，顶部厚度328的最厚部分比侧壁淀积物332最厚部分的两倍还要大。

[0030] 所述刻蚀层接着被刻蚀(步骤120)。在该实施方式中所述刻蚀刻蚀的厚度小于所述刻蚀层厚度的一半。图3D是所述衬底在第一循环所述刻蚀层被刻蚀后的剖面示意图。虽然图3D中没有示出淀积物，但在所述刻蚀步骤之后可能有若干埃的淀积物留在顶上。因为所述刻蚀刻蚀的厚度小于所述刻蚀层厚度的一半，所以所述调节步骤和所述刻蚀步骤要被循环重复至少两次还要多(步骤124)。

[0031] 图3E是第二循环中的淀积形成顶部淀积物340后所述衬底的剖面示意图。图3F是在所述第二循环刻蚀之后所述衬底的剖面示意图。图3G是第三循环中的淀积形成顶部淀积物344之后所述衬底的剖面示意图。图3H是完成所述刻蚀后衬底304的剖面示意图，从而从所述刻蚀层形成了线348。在所述刻蚀步骤后的每个循环中，在所述伪硬掩膜上可能会留有多达10埃的淀积物。在完成所述刻蚀之后，可以在单独的移除步骤中将伪硬掩膜310移除。

[0032] 所述剖面示意图示出了产生的减少了扭曲并没有关键尺寸增益(gain)的特征。图6是所形成的线348的顶视图。由图6中可以看到线348是没有扭曲或最小化扭曲的直线。在含有多个循环的实验中，生产了将扭曲最小化的线。

[0033] 在该带有无定形碳伪硬掩膜的实施方式中，已经发现了氮使所述无定形碳伪硬掩膜变硬、使扭曲减少，而不需要化学改性所述无定形碳材料。此外，所述氮被用作调节淀积物成分浓度的稀释剂以提供想要的淀积物。无氟淀积气体的使用不仅在所述伪硬掩膜顶上提供了保护淀积物，而且已发现提供了无氟淀积。人们已经出乎意料地发现无氟淀积物会充当氟吸收器来清除氟并以此方式保护无定形碳图案化掩膜免受氟腐蚀并减少或防止所述无定形碳掩膜的扭曲。

[0034] 已经发现在淀积期间提供至少60MHz源频率的RF功率比提供低于60MHz源频率的RF功率更多的话会改善所述淀积处理。更优选地，以低于60MHz的频率提供低RF功率或者不提供RF功率。对于这样高频率的RF功率，可以将压强保持在5到150mTorr之间。已经发现可以使用更低的RF频率，但为了降低离子损坏会需要更高的压强。例如，仅仅2MHz的RF功率会使用诸如500mTorr等大于150mTorr的压强。然而已经发现等于或大于60MHz的高频率与低压强会降低离子损坏。优选地，所述偏压低于500伏。更优选地，所述偏压低于300伏。低偏压进一步降低了引发线扭曲的离子损坏。

[0035] 在另一实施方式中，所述伪硬掩膜是多晶硅。在这样的实施方式中，所述稀释剂可以不是氮气而是O2，因为O2既可以被用于使所述伪硬掩膜变硬也可以用作稀释剂。

[0036] 虽然优选所述淀积与刻蚀循环执行至少三次，但是使用单个淀积也可能完成刻蚀。图7是在伪硬掩膜712上使用单次淀积后衬底704上线708的剖面示意图。线708具有轻微的锥部(tapper)，因此增加了所述线底部的关键尺寸。不受理论约束下，相信执行单次淀积并随后进行刻蚀所述刻蚀层(708)的整个厚度的单步骤刻蚀，则在所述刻蚀期间所述伪硬掩膜的形状会变为锥形，导致了锥形的侧壁，因此形成如图7所示所述刻蚀层中的锥形侧壁且更大的底部关键尺寸。图8是衬底704上的线708的顶视图。在实验中使用单次淀积处理虽然实现了扭曲的减少，但在所述线中存在一些扭曲。

[0037] 图9是在伪硬掩膜912上不提供淀积物的刻蚀处理之后衬底904上的线908的剖面示意图。图10是衬底904上的线980的顶视图。该图示出了没有调节步骤而形成的显著的扭曲。

[0038] 可替换的刻蚀处理可以是在所述刻蚀期间提供钝化气体。已经发现在所述刻蚀期间提供钝化气体的刻蚀处理会增大所述线的关键尺寸。

[0039] 通过减少或消除扭曲，可以增加中间设备(inter-device)与内部设备(intra-device)的产量。伪硬掩膜扭曲的减少提供了关键尺寸小于20nm且厚度(或高度)大于100nm并可以到达250nm的线特征。

[0040] 虽然已经以若干优选实施方式的形式描述了本发明，但本发明的变化、排列改变以及各种替代等同均落在本发明的范围内。还应当注意到，实施本发明的方法与装置存在许多替换方式。因此有意将以下附加的权利要求解释为包括落入本发明真实精神与范围内的所有变化、排列以及各种替代等同。