TFT-LCD阵列基板制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，涉及TFT-LCD技术领域。该方法包括步骤：S1.在玻璃基板上形成栅电极信号线以及栅电极，沉积栅电极绝缘层、有源层、及金属层，去除要形成数据线以及源漏电极处之外的金属层；S2.对要形成数据线以及源漏电极处以外的有源层以及光刻胶同时进行有源层刻蚀和光刻胶灰化；S3.进行第二次湿法刻蚀或干刻，形成所需要的沟道及源漏电极；S4.通过N+刻蚀，形成所需要的沟道；S5.形成漏电极部分的钝化层过孔，形成像素电极，并使所述像素电极和漏电极连接。按照本发明的方法制造的阵列基板数据线下方的有源层残留宽度小，且制造工艺时间短，可在提高产能的同时提高产品品质。

权利要求

1.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，该方法包括步骤：S1.在玻璃基板上形成栅电极信号线以及栅电极之后，连续沉积栅电极绝缘层、有源层、以及金属层，使用灰度掩模板或半色调掩模板曝光、显影后去除要形成数据线以及源漏电极处之外的金属层；

S2.对要形成数据线以及源漏电极处以外的有源层以及光刻胶同时进行有源层部分刻蚀和光刻胶灰化，显露出沟道内的金属层；

S3.进行第二次湿法刻蚀或干刻，去除沟道内的金属层，形成所需要的沟道及源漏电极；

S4.通过N+刻蚀，去除沟道内的部分有源层，形成所需要的沟道；

S5.在完成步骤S4的基板上形成漏电极部分的钝化层过孔，沉积透明像素电极层，形成像素电极，并使所述像素电极和漏电极连接。

2.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，在步骤S3之前还包括步骤：S2.1.对完成步骤S2的基板上要形成数据线以及源漏电极处以外的剩余有源层以及部分光刻胶进行有源层刻蚀，去除数据线和源漏电极处之外的剩余有源层。

3.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，在步骤S3中去除数据线和源漏电极处之外的剩余有源层。

4.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，在步骤S4中去除数据线和源漏电极处之外的剩余有源层。

5.如权利要求2-4任一项所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，步骤S1包括：S1.1在玻璃基板上沉积栅金属薄膜，通过栅极掩模板曝光、显影以及刻蚀操作，形成栅信号线和栅电极；

S1.2在完成步骤S1.1的基板上连续沉积栅电极绝缘层、由非晶硅层和欧姆接触层组成的有源层、以及金属层，并使用灰度掩模板或半色调掩模板曝光显影；

S1.3利用湿法刻蚀，去除要形成数据线以及源漏电极处以外的金属层。

6.如权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，在步骤S2.1中的有源层刻蚀速率大于步骤S2中的有源层刻蚀速率。

7.如权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，步骤S2与步骤S2.1中的有源层刻蚀均为干法刻蚀。

8.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，完成所述步骤S2的基板上，有源层上部宽度与灰化后的光刻胶宽度一致。

9.如权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，完成所述步骤S2.1的基板上，数据线两侧的有源层宽度小于完成步骤S2的基板上数据线两侧的有源层宽度。

10.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，步骤S5包括：S5.1在完成步骤S4的基板上沉积钝化层薄膜，通过钝化层掩膜刻蚀，形成漏电极部分的钝化层过孔；

S5.2在完成步骤S5.1的基板上沉积透明像素电极层，利用透明像素电极掩模板，形成像素电极，并建立所述像素电极和漏电极的连接。

说明书

TFT-LCD阵列基板制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)技术领域，尤其涉及一种TFT-LCD阵列基板制造方法。

背景技术

[0002] TFT-LCD具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。TFT-LCD器件由阵列基板对盒而形成。如图1-2所示，现有的TFT-LCD阵列基板主要包括：玻璃基板1，栅电极2，在栅电极2上形成的栅电极绝缘层3(SiNx)，由非晶硅薄膜4(a-Si:H)和欧姆接触层5(n+a-Si)组成的有源层，有源层上的数据线以及源漏S/D电极(金属层)6，钝化层(SiNx)9，以及透明像素电极(ITO电极)7，位于漏电极上方的钝化层9上形成有钝化层过孔8，ITO电极7通过该钝化层过孔8与漏电极连接。

[0003] 现有技术中较常用的TFT-LCD阵列基板的制造方法为四层掩模板(4mask)制造工艺，其主要过程包括：

[0004] (1)如图3(a)所示，在玻璃基板1上沉积栅金属薄膜，利用栅极掩模板形成栅信号线(未示出)以及栅电极2；

[0005] (2)如图3(b)所示，在完成步骤(1)的玻璃基板1上连续沉积栅极绝缘层3、非晶硅薄膜4、欧姆接触层5、以及金属层6，利用灰度掩模板(Gray tone mask)进行曝光，再经过多次刻蚀，去除多余的有源层、金属层6以及光刻胶，形成所要图形的数据线、源漏电极6、以及源漏金属沟道；

[0006] (3)如图3(c)所示，在完成步骤(2)的基板1上沉积钝化层9薄膜，通过钝化层9掩膜刻蚀，形成漏电极部分的钝化层过孔8；

[0007] (4)在完成步骤(3)的模板上沉积ITO电极层，利用ITO掩模板，形成像素电极7，并形成如图2中所示的像素电极7和漏电极的连接。

[0008] 图4-1(a)至图4-6(b)为使用传统的4mask工艺制造TFT-LCD阵列基板过程中SDT刻蚀效果示意图，其中，图4-1(a)、图4-2(a)、图4-3(a)、图4-4(a)、图4-5(a)、及图4-6(a)示出的是数据线部位的剖面图，即沿图1中的A-A线的剖面示意图，图4-1(b)、图4-2(b)、图4-3(b)、图4-4(b)、图4-5(b)、及图4-6(b)示出的是TFT部位的剖面图，即沿图1中的B-B线的剖面示意图，且图中由下至上依次为：玻璃基板1、非晶硅薄膜4、欧姆接触层5、金属层6、以及光刻胶10，为示意准确，省略了栅极绝缘层。

[0009] 步骤(2)中的多次刻蚀具体为：首先通过第一次湿法刻蚀去除像素区以外的大部分金属层，如图4-2(a)及图4-2(b)所示；然后通过有源层刻蚀(Active Etch)，去掉相应的像素区以外的大部分有源层，如图4-3(a)及图4-3(b)所示；再通过光刻胶灰化(Ashing)减少光刻胶，暴露出沟道内的金属层，如图4-4(a)及图4-4(b)所示；然后进行第二次湿法刻蚀或干刻，去除沟道内的金属层，如图4-5(a)及图4-5(b)所示；最后，通过N+刻蚀，刻蚀掉沟道内的一部分有源层，以形成需要形状的数据线、源漏电极以及源漏金属沟道，如图4-6(a)及图4-6(b)所示。该多次刻蚀的过程也称为SDT刻蚀过程。

[0010] 多次刻蚀工艺复杂，工艺进行时间很长，从而作业时间(tact time)较长。在有源层的刻蚀中采用了SF6、O2和Cl2的气体组合，该气体组合对下部栅极绝缘层的刻蚀速率比较大，从而对栅极绝缘层的刻蚀较多，这会造成压印不均匀，该不均匀在模组形成后会影响产品品质。此外，传统4mask工艺的多步刻蚀工艺中先进行有源层刻蚀再进行光刻胶灰化，这样会造成有源层较大的残余量(图1只在薄膜晶体管TFT的沟道区域的周围示出了残留的有源层，并未示意数据线周围残留的有源层)，有源层残余宽度h1会影响设计质量，从而降低产品品质。

发明内容

[0011] (一)要解决的技术问题

[0012] 本发明要解决的技术问题是：如何提供一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，使得按照该方法制造的阵列基板数据线下方的有源层残留宽度小，无压印不均匀产生，且制造工艺时间短，可在提高产能的同时提高产品品质。

[0013] (二)技术方案

[0014] 为解决上述问题，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，该方法包括步骤：

[0015] S1.在玻璃基板上形成栅电极信号线以及栅电极之后，连续沉积栅电极绝缘层、有源层、以及金属层，使用灰度掩模板或半色调掩模板曝光，显影后去除要形成数据线以及源漏电极处之外的金属层；

[0016] S2.对要形成数据线以及源漏电极处以外的有源层以及光刻胶同时进行有源层刻蚀和光刻胶灰化，显露出沟道内的金属层；

[0017] S3.进行第二次湿法刻蚀或干刻，去除沟道内的金属层，形成所需要的沟道及源漏电极；

[0018] S4.通过N+刻蚀，去除沟道内的部分有源层，形成所需要的沟道；

[0019] S5.在完成步骤S4的基板上形成漏电极部分的钝化层过孔，沉积透明像素电极层，形成像素电极，并使所述像素电极和漏电极连接。

[0020] 优选地，在步骤S3之前还包括步骤：

[0021] S2.1.对完成步骤S2的基板上要形成数据线以及源漏电极处以外的剩余有源层以及部分光刻胶进行有源层刻蚀，去除数据线和源漏电极处之外的剩余有源层。

[0022] 优选地，在步骤S3中去除数据线和源漏电极处之外的剩余有源层。

[0023] 优选地，在步骤S4中去除数据线和源漏电极处之外的剩余有源层。

[0024] 优选地，步骤S1包括：

[0025] S1.1在玻璃基板上沉积栅金属薄膜，通过栅极掩模板曝光、显影以及刻蚀操作，形成栅信号线和栅电极；

[0026] S1.2在完成步骤S1.1的基板上连续沉积栅电极绝缘层、由非晶硅层和欧姆接触层组成的有源层、以及金属层，并使用灰度掩模板或半色调掩模板曝光显影；

[0027] S1.3利用湿法刻蚀，去除要形成数据线以及源漏电极处以外的金属层。

[0028] 优选地，在步骤S2.1中的有源层刻蚀速率大于步骤S2中的有源层刻蚀速率。

[0029] 优选地，步骤S2与步骤S2.1中的有源层刻蚀均为干法刻蚀。

[0030] 优选地，完成所述步骤S2的基板上，有源层上部宽度与灰化后的光刻胶宽度一致。

[0031] 优选地，完成所述步骤S2.1的基板上，数据线两侧的有源层宽度小于完成步骤S2的基板上数据线两侧的有源层宽度。

[0032] 优选地，步骤S5包括：

[0033] S5.1在完成步骤S4的基板上沉积钝化层薄膜，通过钝化层掩膜刻蚀，形成漏电极部分的钝化层过孔；

[0034] S5.2在完成步骤S5.1的基板上沉积透明像素电极层，利用透明像素电极掩模板，形成像素电极，并建立所述像素电极和漏电极的连接。

[0035] (三)有益效果

[0036] 本发明的方法在SDT刻蚀工艺中采用两步针对有源层的刻蚀工艺：第一步，用有源层刻蚀和光刻胶灰化的方法刻蚀掉大部分的有源层和光刻胶；第二步，去除掉剩余的有源层。由于第一步的刻蚀完成时还没有暴漏出栅极绝缘层，且第二步的刻蚀方法对栅极绝缘层的刻蚀速率很小，所以不会造成压印不均匀。另外，第二步去除掉剩余的有源层的刻蚀，使得数据线两侧的有源层能够大部分刻蚀掉，从而减小了数据线两侧的有源层残余量(单边约0.5-1.0um)，从而提高了产品品质。而且两步刻蚀工艺的总时间要比传统的4mask SDT刻蚀短，缩短了作业时间10％左右，提高了产能。

附图说明

[0037] 图1为TFT-LCD阵列基板俯视图及其沿A-A线的剖面结构示意图；

[0038] 图2为TFT-LCD阵列基板上的TFT单元剖面结构示意图；

[0039] 图3(a)-图3(c)为传统的4mask工艺部分原理示意图；

[0040] 图4-1(a)至图4-6(b)为使用传统的4mask工艺制造TFT-LCD阵列基板过程中SDT刻蚀效果示意图；

[0041] 图5为实施例1的TFT-LCD阵列基板制造方法流程图；

[0042] 图6-1(a)至图6-6(b)为依照实施例1的方法制造TFT-LCD阵列基板过程中SDT刻蚀效果示意图；

[0043] 图7为实施例2的TFT-LCD阵列基板制造方法流程图；

[0044] 图8-1(a)至图8-5(b)为依照实施例2的方法制造TFT-LCD阵列基板过程中SDT刻蚀效果示意图；

[0045] 图9为实施例3的TFT-LCD阵列基板制造方法流程图；

[0046] 图10-1(a)至图10-5(b)为依照实施例3的方法制造TFT-LCD阵列基板过程中SDT刻蚀效果示意图；

[0047] 其中，1、玻璃基板；2、栅电极；3、栅极绝缘层；4、非晶硅层；5、欧姆接触层；6、数据线以及S/D电极(金属层)；7、ITO电极；8、钝化过孔；9、钝化层；10、光刻胶。

具体实施方式

[0048] 本发明提出的TFT-LCD阵列基板制造方法，结合附图及实施例详细说明如下。本实施方式仅示出了数据线及其下方的剖面图。

[0049] 实施例1

[0050] 如图5所示，为本实施例的TFT-LCD阵列基板制造方法流程图。图6-1(a)至图6-6(b)为依照本实施例的方法制造TFT-LCD阵列基板的过程中SDT刻蚀效果示意图，其中，图6-1(a)、图6-2(a)、图6-3(a)、图6-4(a)、图6-5(a)、及图6-6(a)为示意了数据线部位的剖面图，即沿图1中的A-A线的剖面示意图，图6-1(b)、图6-2(b)、图6-3(b)、图6-4(b)、图
6-5(b)、及图6-6(b)为示意了TFT部位的剖面图，即沿图1中的B-B线的剖面示意图，且为示意准确，省略了栅极绝缘层。该方法包括步骤：

[0051] S1.在玻璃基板1上形成栅电极信号线以及栅电极之后，连续沉积栅电极绝缘层、有源层(非晶硅层4和欧姆接触层5)、以及金属层6，使用灰度掩模板(Gray Tone Mask)或半色调掩模板(Half Tone Mask)曝光、显影之后(显影后效果如图6-1(a)及图6-1(b)所示)进行第一次湿法刻蚀，去除要形成数据线和源漏电极处之外的金属层6，第一次湿法刻蚀后达到的效果如图6-2(a)及图6-2(b)所示。

[0052] S2.对要形成数据线和源漏电极处之外的有源层以及光刻胶10同时进行有源层刻蚀以及光刻胶灰化，显露出沟道内的金属层6。如图6-3(a)及图6-3(b)所示，此步骤后形成的有源层上部宽度与灰化后的光刻胶10宽度一致。本步骤中，有源层刻蚀后，要形成数据线和源漏电极处之外的有源层仅被刻蚀掉一部分(即厚度减小)，而非被完全刻蚀掉，如图6-3(a)所示。

[0053] S2.1.对完成步骤S2的基板1上要形成数据线以及源漏电极处以外的剩余有源层以及部分光刻胶进行大刻蚀速率的有源层刻蚀，去除要形成数据线和源漏电极处之外的剩余的全部有源层以及部分光刻胶10。本步骤的有源层刻蚀速率较大，大于步骤S2中的有源层刻蚀速率，且如图6-4(a)及图6-4(b)所示，完成本步骤的基板1上，数据线两侧的有源层宽度减短，小于完成步骤S2后的基板1上数据线两侧的有源层宽度。

[0054] S3.对完成步骤S2.1的基板1进行第二次湿法刻蚀或干刻，去除沟道内的金属层6，形成所需要的沟道(此时沟道区域还存在欧姆接触层)及源漏电极，如图6-5(a)及图
6-5(b)所示。

[0055] S4.通过N+刻蚀，去除沟道内的部分有源层，形成所需要的沟道(此时沟道区域不再包括欧姆接触层)，如图6-6(a)及图6-6(b)所示，此步骤后形成的有源层残余宽度如图中h2所示。在本步骤中，去除沟道内的部分有源层，应保证完全去除掉沟道内的欧姆接触层，如图6-6(b)所示。

[0056] S5.在完成步骤S4的基板1上形成漏电极部分的钝化层过孔，沉积ITO电极层，形成ITO电极，并建立ITO电极与漏电极的连接。

[0057] 其中，步骤S1进一步包括步骤：

[0058] S1.1在玻璃基板1上沉积栅金属薄膜，通过栅极掩模板曝光显影以及刻蚀操作，形成栅信号线和栅电极；

[0059] S1.2在完成步骤S1.1的基板1上连续沉积栅电极绝缘层、由非晶硅层4和欧姆接触层5组成的有源层、以及金属层6，并使用灰度掩模板(Gray Tone Mask)或半色调掩模板(Half Tone Mask)曝光显影，如图6-1(a)及图6-1(b)所示；

[0060] S1.3利用湿法刻蚀，去除要形成数据线以及源漏电极处以外的金属层6，如图6-2(a)及图6-2(b)所示。

[0061] 步骤S5进一步包括：

[0062] S5.1在完成步骤S4的基板1上沉积钝化层薄膜，通过钝化层掩膜刻蚀，形成漏电极部分的钝化层过孔；

[0063] S5.2在完成步骤5.1的基板1上沉积ITO电极层，利用ITO掩模板，形成ITO电极，并建立ITO电极和漏电极的连接。

[0064] 通过步骤S2以及步骤S2.1的两步干刻完成SDT刻蚀，其总时间比现有技术中的4mask工艺要短，缩短了作业时间40-70秒，提高了产能。完成步骤S2.1后的基板上，数据线两侧有源层宽度h2较传统方法中的h1缩短，这样可以使得ITO的边界向源漏极信号线方向移动，ITO与ITO之间间距缩小，提高开口率；有源层残余量变小，单边大约减小到
0.5-1.0um，提高了设计质量以及产品品质。此外，步骤S2以及步骤S2.1两步干刻工艺不会发生不良，避免了压印不均匀的产生。沟道两侧的有源层宽度h2较传统方法中的h1缩短，使得ITO的边界向沟道(具体指TFT的源极)方向移动，可以提高设计质量以及产品品质。本领域的技术人员可以理解，本实施例中的ITO具体是指像素电极，而像素电极不仅可以使用ITO，还可以使用IZO等其他透明导电材料，此处使用ITO代替像素电极进行描述，仅仅是为了便于描述，而非对像素电极材料的限制，以下各实施例也属于这一情况。

[0065] 实施例2

[0066] 如图7所示，为本实施例的TFT-LCD阵列基板制造方法流程图。图8-1(a)至图8-5(b)为依照本实施例的方法制造TFT-LCD阵列基板的过程中SDT刻蚀效果示意图，其中，图8-1(a)、图8-2(a)、图8-3(a)、图8-4(a)及图8-5(a)为示意了数据线部位的剖面图，即沿图1中的A-A线的剖面示意图，图8-1(b)、图8-2(b)、图8-3(b)、图8-4(b)及图8-5(b)为示意了TFT部位的剖面图，即沿图1中的B-B线的剖面示意图，且为示意准确，省略了栅极绝缘层。该方法包括步骤：

[0067] A1.在玻璃基板1上形成栅电极信号线以及栅电极之后，连续沉积栅电极绝缘层、有源层(非晶硅层4和欧姆接触层5)、以及金属层6，使用灰度掩模板(Gray Tone Mask)或半色调掩模板(Half Tone Mask)曝光、显影之后(显影后效果如图8-1(a)及图8-2(b)所示)进行第一次湿法刻蚀，去除要形成数据线和源漏电极处之外的金属层6，第一次湿法刻蚀后达到的效果如图8-2(a)及图8-2(b)所示。

[0068] A2.对要形成数据线和源漏电极处之外的有源层以及光刻胶10同时进行有源层刻蚀以及光刻胶灰化，显露出沟道内的金属层6。如图8-3(a)及图8-3(b)所示，此步骤后形成的有源层上部宽度与灰化后的光刻胶10宽度一致。本步骤中，有源层刻蚀后，要形成数据线和源漏电极处之外的有源层仅被刻蚀掉一部分(即厚度减小)，而非被完全刻蚀掉，如图8-3(a)所示。

[0069] A3.对完成步骤A2的基板1进行第二次湿法刻蚀或干刻，去除沟道内的金属层6，形成所需要的沟道及源漏电极，如图8-4(a)及8-4(b)所示。

[0070] A4.通过N+刻蚀，去除沟道内的部分有源层，形成所需要的沟道，并去除数据线和源漏电极处之外的剩余有源层(第二次有源层刻蚀)，如图8-5(a)及图8-5(b)所示。在本步骤中，去除沟道内的部分有源层，应保证完全去除掉沟道内的欧姆接触层，如图8-5(b)所示。

[0071] A5.在完成步骤A4的基板1上形成漏电极部分的钝化层过孔，沉积ITO电极层，形成ITO电极，并建立ITO电极与漏电极的连接。其中，步骤A2进行完毕后剩余有源层厚度大约在 剩余的这部分有源层将会在进行步骤A4的时候进行刻蚀完毕。一般地，在步骤A4中的N+刻蚀时，沟道内的有源层会被刻蚀掉 左右，这样能够保
证 的剩余有源层在步骤A4内被刻蚀掉，并保持一定的过刻，以保证大型基板的均匀性。

[0072] 本实施例的方法与实施例1的方法相比更加简化，节省了剩余有源层的刻蚀时间，同时也节省了实施例1的方法中步骤S2到步骤S2.1的转换时间，工艺简单化程度提高，进而提高生产节拍，同时数据线两侧的有源层残余宽度h3以及沟道两侧(具体指源极两侧)的有源层宽度h3也比较理想。

[0073] 实施例3

[0074] 如图9所示，为本实施例的TFT-LCD阵列基板制造方法流程图。图10-1(a)至图10-5(b)为依照本实施例的方法制造TFT-LCD阵列基板的过程中SDT刻蚀效果示意图，其中，图10-1(a)、图10-2(a)、图10-3(a)、图10-4(a)及图10-5(a)为示意了数据线部位的剖面图，即沿图1中的A-A线的剖面示意图，图10-1(b)、图10-2(b)、图10-3(b)、图10-4(b)及图10-5(b)为示意了TFT部位的剖面图，即沿图1中的B-B线的剖面示意图，且为示意准确，省略了栅极绝缘层。该方法包括步骤：

[0075] B1.在玻璃基板1上形成栅电极信号线以及栅电极之后，连续沉积栅电极绝缘层、有源层(非晶硅层4和欧姆接触层5)、以及金属层6，使用灰度掩模板(Gray Tone Mask)或半色调掩模板(Half Tone Mask)曝光、显影之后(显影后效果如图10-1(a)及图10-1(b)所示)进行第一次湿法刻蚀，去除要形成数据线和源漏电极处之外的金属层6，第一次湿法刻蚀后达到的效果如图10-2(a)及图10-2(b)所示。

[0076] B2.对要形成数据线和源漏电极处之外的有源层以及光刻胶10同时进行有源层刻蚀以及光刻胶灰化，显露出沟道内的金属层6。如图10-3(a)及图10-3(b)所示，此步骤后形成的有源层上部宽度与灰化后的光刻胶10宽度一致。本步骤中，有源层刻蚀后，要形成数据线和源漏电极处之外的有源层仅被刻蚀掉一部分(即厚度减小)，而非被完全刻蚀掉，如图10-3(a)所示。

[0077] B3.对完成步骤B2的基板1进行第二次干刻，去除沟道内的金属层6，形成所需要的沟道及源漏电极，同时去除数据线和源漏电极处之外的剩余有源层(第二次有源层刻蚀)，如图10-4(a)及图10-4(b)所示。

[0078] B4.通过N+刻蚀，去除沟道内的部分有源层，形成所需要的沟道，如图10-5(a)及图10-5(b)所示。在本步骤中，去除沟道内的部分有源层，应保证完全去除掉沟道内的欧姆接触层，如图10-5(b)所示。

[0079] B5.在完成步骤B4的基板1上形成漏电极部分的钝化层过孔，沉积ITO电极层，形成ITO电极，并建立ITO电极与漏电极的连接。

[0080] 其中，步骤B2进行完毕后剩余有源层厚度可控制在大约 剩余的这部分有源层将会在进行步骤B3的时候进行刻蚀完毕，步骤B3中主要去除沟道内的金属，要保证比较大的金属刻蚀速率，有源层刻蚀速率可以小一点，要求比较好的均匀性即可。

[0081] 本实施例的方法与实施例2的方法一样更加简化，节省了单独进行第二次有源层刻蚀以刻蚀掉剩余有源层的时间，同时也节省了实施例1的方法中步骤S2到步骤S2.1的转换时间，工艺简单化程度提高，进而提高生产节拍，同时数据线两侧的有源层残余宽度h4以及沟道两侧(具体指源极两侧)的有源层宽度h4也比较理想。

[0082] 本发明各实施例中，为了描述方便，附图示意的薄膜晶体管(TFT)均为“U”型沟道结构；实际使用时，TFT也可为“一”字型沟道结构，以及其他可行的结构。并且，本发明各实施例中，虽然均以制造TN型阵列基板为例对技术方案进行了说明，但是，本发明各实施例的技术方案也可以应用于其他结构的阵列基板的制造，比如FFS型、IPS型等其他模式的阵列基板。本发明各实施例提及的TFT-LCD阵列基板制造方法，不仅可以用于制造传统的TFT-LCD阵列基板，还可以用于制造电子纸的阵列基板，以及有机电致发光显示(OLED)的背板；因此，本发明各实施例中的TFT-LCD阵列基板采广义概念，包括普通的TFT-LCD阵列基板，还包括电子纸的阵列基板和OLED背板。

[0083] 以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。